TW200845053A - Negative temperature coefficient sensing structure and manufacturing method thereof - Google Patents

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TW200845053A TW96116769A TW96116769A TW200845053A TW 200845053 A TW200845053 A TW 200845053A TW 96116769 A TW96116769 A TW 96116769A TW 96116769 A TW96116769 A TW 96116769A TW 200845053 A TW200845053 A TW 200845053A
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200845053 . 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關一種負溫度係數感測元件之結構 及其製造方法,特別是指可藉由雷射修整上電極層的 位置來調整負溫度係數感測元件之感測電阻值者。 【先前技術】 , 熱敏電阻(Thermistor,Thermal Resistor 之縮 -· 寫),是一種高溫度係數的電阻體,就其電阻係數之 大小而言,係屬於半導體;而依其電阻值隨溫度變化 的情形,主要可將其分為負溫度係數(NTC,Negative Temperature Coefficienl:)熱敏電阻及正溫度係數 1* (PTC,Positive Temperature Coefficient)熱敏電阻兩 種。 負溫度係數電阻 (Negative Temperature • Coefficient of Resistivity,NTC ),具有低溫時電阻 - 值較高,高溫時電阻值較低的特性,利用其電阻對溫 度相當敏感的特性,負溫度係數電阻可被製作成各類 測溫元件、線路電阻補償元件、風速計、液位計、濕 度計或過電流抑制元件。其特性包括: 電阻-溫度特性:在一定的功率下,NTC的電阻值, 可以隨溫度的上升而下降,由於其 溫度係數非常大,所以可以檢知微 5 200845053 小的溫度變化,因此被廣泛應用在 溫度的量测、控制與補償。 電流-電壓特性:當通入的電流小,幾乎不使元件本 身發熱時,電阻值是一定值。當電 流增加,NTC熱敏電阻產生的焦耳 熱使元件本身的溫度上昇 (self-heating),並與環境進行熱交 換。此電流-電壓特性的典型應用為 液位感測器,其基本原理是利用 NTC熱敏電阻在液體和空氣中的 熱散失差異;如前所述,NTC熱敏 電阻通以電流後產生焦耳熱而昇 溫,其熱量傳導至週圍介質,平衡 溫度將隨介質種類而不同。利用此 現象可檢知NTC熱敏電阻在液體 中或空氣中,以適時啟動警示燈。 電流-時間特性:NTC熱敏電阻的另一個重要參數 是時間,亦即使NTC熱敏電阻從某 一電阻值改變到另一電阻值所需的 時間。當開始加電壓於NTC熱敏電 阻時是定電阻、定電流的狀態,而 在自熱區域(self-heating)則電阻下 降、電流增加。而其改變速率則和 6 200845053 • 加於NTC熱敏電阻上的功率和元 件本身的Thermal Mass、形狀/結 構及環境狀況等因素有關。此一電 流-時間特性可用於抑制突波電 流’又不至於對電路的總電流造成 太大的影響。因此被廣泛應用於〇A 機器的交換式電源供應器中,以抑 ^ 制電源開啟時,引發的突波電流, 如此可以防止熔絲的熔斷與保護電 子線路及其他電子元件,以提高〇 A 機器的可靠度。 、$著以微電腦為主體的微電子快速普及,顯示器 被大量應用,並拜科技發展及製程技術進步所賜, NTC元/組件的應用領域亦不斷被拓展,市場需求與 產品應用範圍更涵蓋電子、資訊、通訊、家電、汽車〃、 φ 生醫、航太等相關產業。 更由於電子產品朝向「輕、薄、短、小」的方向 發展,因而表面黏著型負溫度係數熱敏電阻⑽D NTCR)成為此類產品另一發展趨勢,其主要用途為供 應主機板、NB及手機等產品使用。 惟,隨著負溫度係數熱敏電阻的應用範圍日漸廣 泛,更精密的品質要求相對提高,例如要求將電阻變 化控制在正或負i百分比範圍内。傳統上,型 7 200845053 •負溫度係數熱敏電阻,存在誤差大的問題。 有鑑於此,本發明人乃針對該缺點研究改進之道 ,經長時研究改良,終於有本發明之產生。 【發明内容】 因此:本發明旨在提供—種負溫度係數感測元件 之結構,係指負溫度係數感測元件内部,至少設有一 ★ 作為5周整感測電阻值之縫隙者。 屬1本發明之次一目的在提供一種負溫度係數感測 兀件之結構’其設於負溫度係數感測元件内部之縫 隙,係經雷射修整製程所形成。 * 本發明之再-目的在提供—種負溫度係數感測 1件之結構,藉由改變縫隙的位置,感測面積得跟著 改變,而調整電阻感測值者。 至於本發明之洋細構造、應用原理、作用鱼功 ·*,則可參照下列依附圖所做之說明即可得到完:的 .. 瞭解。 【實施方式】 本發明之負溫度係數感測元件之結構,係依下列 製造步驟所製得,包括: 製備一氧化鋁基板11 ;(如第1A、1B圖所示) ^在基板11的背面,靠近兩側端位置以銀膏被覆導 電電極12 ;(如第2A、2B圖所示) 200845053 在基板11的正面以銀膏製作下電極層i 層13設於靠近基板—側之位置,下電極層13的中^ 一侧延伸形成側T狀;(如第3A、3B圖所示) 、° 在下電極層13的上方以電阻膏被覆—層電阻屛 14’部份電阻層14覆蓋到下電極層13的中間延伸呷^ 131 ’部份電阻層14被覆到基板1;1的表面;(如第 4 B圖所示) # 在電阻層14的上方,以銀膏被覆一層上電極層 15上龟極層15的位置和下電極層13的位置左、右相 對,上電極層15中央也是向一側延伸形成側7狀,上 電極層15之延伸部份151和下電極之延伸部份i3i,彼 此隔著電阻層14,上、下相對;(如第5A、5B圖所示) 雷射修整,縱向切割一道貫穿上電極層〗5之中心 延伸部份151的缝隙16 ;(如第6A、6B圖所示) 以環氧樹脂(Epoxy)被覆在部份上電極層15的上 • 方做保護層17,並包覆電阻層14和部份下電極層13 , 並填入上電極層15之間的缝隙16;(如第7A、7B圖所 示) 以鎳鉻合金在基板的兩側製作端電極18 ;(如第 8A、8B圖所示) 將每一塊狀單元20,沿著切割線19剝離;(如第 9A、9B圖所示) 再於每一塊狀單元外部被覆鎳層和錫層,俾與 200845053 pc板構成良好的黏著,進而製成單顆負溫度係數感 測元件3。(如第l〇A、10B圖所示) 〜 請夢照第11圖所示,藉由上述步驟所製得之負 溫度係數感測元件,依電阻公式R= p氺L/A,其中, P疋常數’ L是上電極層和下電極層之間的距離,A 是縫隙到下電極層末端的表面積Β χ c。因此,欲調 整負温度係數感測元件的感測電阻值時,只要經由調 整缝隙於上電極層151之所在位置即可達成。 藉由上述構《’本發明之負溫度係數感測元件之 結構,其感測電阻值極易調整,而其並未見諸公開使 用’:於專利法之規定,懇請賜准專利,實為德便。 如日月者’以上所述乃是本發明較佳具體的實施 二發!之構想所作之改變,其所產生之功能 本發明之二Π及圖式所涵蓋之精神時,均應在 乏乾圍内,合予陳明。 200845053 【圖式簡單說明】 元件之製 剛元件之 ^ 第1 A圖係本發明之負溫度係數感 込方法的第一道程序平面圖。 第圖係第1A圖之剖面圖。 感 第2A圖係本發明之負溫度係數 1込方法的第二道程序平面圖。 π 圖係
製造二圖二=溫度係數感測… 第3Β圖係第3Α圖之剖面圖。 測元件之製 ^第4Α圖係本發明之負溫度係數感 ^方法的第四道程序平面圖。 第圖係第4A圖之剖面圖。
^ 第5A圖係本發明之負溫度係數感測元件之製 &方法的第五道程序平面圖。 第5B圖係第5A圖之剖面圖。 、 第6A圖係本發明之負溫度係數感測元件之製 k方法的第六道程序平面圖。 第圖係第6A圖之剖面圖。 、 第7A圖係本發明之負溫度係數感測元件之製 4方法的第七道程序平面圖。 第7B圖係第7A圖之剖面圖。 第8A圖係本發明之負溫度係數感測元件之製 200845053 造方法的第八道程序平面圖。 第8B圖係第8A圖之剖面圖。 第9A圖係本發明之負溫度係數感測元件之製 造方法的第九道程序平面圖。 第9B圖係第9A圖之剖面圖。 第10 A圖係本發明之負溫度係數感測元件之製 造方法的第十道程序平面圖。 第10B圖係第10A圖之剖面圖。 第圖係表示本發明之負溫度係數感測元件 之結構的局部立體圖。 【主要元件符號說明】 12 :導電電極 14 :電阻層 15 ·上電極層 16 :縫隙 18 :端電極 2〇 :塊狀單元 11 :氧化鋁基板 13 :下電極層 131 :延伸部份 151 :延伸部份 17 :保護層 19 :切割線 3 :單顆負溫度係數感測元件 12

Claims (1)

  1. 200845053 十、申請專利範圍: 1、 一種負溫度係數感測元件之結構,包括β 一氧化鋁基板; 一組$又於基板为面兩侧之導電電極· 一設於基板正面一端之下電極層; 一設於下電極層和部份基板上方之電阻層. 一設於電阻層上方,位於基板另—端之^電 " 極層, .修 -保護層,包覆部份上電極層、電阻層和部 份下電極層;以及 兩端電極,係被覆於基板的兩侧面; 、 料徵在於:所述之上電極層,其和下電極 層之間彼此上、下相對的部份,係至少設有一道 縱向貫穿其間之缝隙。 2、 如申請專利範圍第1項之負溫度係數感測元件之 • 肖構’其中所述之上電極層和下電極層,均具有 - 巾央向—侧延伸之延伸部,而所述之缝隙係形成 於上電極層之延伸部的一位置上。 3、 如申請專利範圍第1項之負溫度係數感測元件之 結構,其中所述形成於上電極層之延伸部的一位 置上之缝隙,藉由改變該縫隙之位置得用以調整 電阻感測值者。 4、 如中請專利範圍第i項之負溫度係數感測元件之 13 200845053 結構,其中所述之保護層,係使用環氧樹脂 (Epoxy)〇 5、如申請專利範圍第1項之負溫度係數感測元件之 結構,其中所述之上電極層和下電極層,係以銀 膏被覆所形成。 6 、一種負溫度係數感測元件之製造方法,其製造步 驟包括:
    製備一氧化鋁基板; 在基板的背面,靠近兩端位置以銀膏被覆導 電電極; 牡丞槪的正面以銀膏製作下電極層,下電才 層設於靠近基板一端之位置,下電極層的中央# 一侧延伸形成側T狀; 、 下電極層的上方以電阻膏被覆-電阻層,. ^電阻層覆蓋到下妹層的中 、 電阻層被覆到基板的表面; 在屯阻層的上方,以膏 一 上電極声的你嬰3 上包極層, 層的位置和下電極層的位置左、右相對 上電極層之中本, 七相對, 屑之π猫# 、亦向一側延伸之側了狀,上電極 續之延伸部份和下带电極 阻層,上、下相對7 °伸部份,彼此隔著電 田射修整’縱向一 心延伸部份的縫隙; 、貝牙上电極層之中 200845053 以環氧樹脂(Epoxy)被覆部份上電極層的上 方做保護層,並包覆電阻層和部份下電極層及填 入上電極層間之縫隙; 以鎳鉻合金在基板的兩侧製作端電極; 將每一塊狀單元沿著切割線剝離; 再於每一塊狀單元外部被覆鎳層和錫層; 製成單顆負溫度係數感測元件。 15
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI754383B (zh) * 2019-09-23 2022-02-01 南韓商斯瑪特電子公司 電路保護裝置

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