TW200844679A - Apparatus with plasma radiation source and method of forming a beam of radiation and lithographic apparatus - Google Patents

Description

200844679 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用一電漿輻射源形成一輻射波束之 裝置、形成一輻射波束之方法，及一微影裝置。 【先前技術】 . 微影裝置為-種將所要之圖案施加至基板上，通常施加 至基板之一目標部分上的機器。微影裝置可用於（例如）積 體電路（IC)之製造。在該情況下，—圖案化器件（或者稱作 擊％罩或主光罩）可用以產生待形成㈣之個別層上的電路 圖案。可將此圖案轉印至基板（例如，石夕晶圓）上之目標部 分（例如，包含一個晶粒或若干晶粒之部分）上。圖案=轉 印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料（抗蝕 劑）層上來達成。一般而言，單一基板將含有被順次圖案 :之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括所謂步進 器，其中藉由一次性將整個圖案曝光於目標部分上來輕照 • 目標部》；及所謂掃描器，其中藉由在—給定方向 ("掃描”方向)上經由輻射波束掃描圖案同時平行或反平行於 此方向同步地掃描基板來輕照每一目標部分。亦可能藉由 :冑圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。 , ⑺2國專利申請公開案第2005/0279946號描述產生用於光 U如術之EUV#射之電漿源的使用。其描述電漿源亦可能 發射非期望之離子及電子，其可能導致對收集所產生之 ;射之收集器鏡面的損壞。提議各種措施以抗擊該等 粒子° f先’提議在電衆源與收集器鏡面間之Ευν輕射之 I28395.doc 200844679 路徑中使用與一磁場組合的箔捕集器。作為一替代方案， 提議在自電漿源至收集器鏡面之Euv之路徑中使用與一磁 場組合的栅格。該栅格横向於Ευν輻射之傳播方向延伸。 柵格用以減緩經由柵格行進之離子，以使該等離子的彈道 對磁場更敏感。 美國專利第6,906,788號描述定位於在賴射系統與一光學 元件間之波束路徑中之-第—網罩的使用。正電壓施加至

該第一網罩以排斥帶正電荷之粒子遠離該光學元件。一第 二網罩^位於在該網罩之至少—側上的波束路徑中，且負 電壓施加至該第二網罩以排斥負粒子遠離該第一網罩。、 已發現捕集时效防止相對較慢之離子。*幸地，馆 捕集器可能並不有效防止極快離子（例如，具有對應於超 過10 keV之動能的離子）。 【發明内容】 期置降低對使用一雷％I # ^ ^ ^水源來產生EUV輻射之光微影裝置 中之鏡面所造成的損壞。 根據本發明之一能媒 ^ 束…… 種用於形成-電磁輕射波 衣 裝置包括一電漿韓射源，及-具備大體上平 行於自該電漿源之輻射 體上千 器。一柵格安置於該带將# 、E ^ ’自捕木 “漿輻射源與該箱捕集器fa1 一門 位於該栅格與該箔捕隹 工間 曰3兩木裔間。该裝置亦包括一 路’該電位施加電路經建構及經配置以… 概格，使得該拇格排斥由該議射源鄉=加至該 該柵格與該箔捕集哭n X今之电子且在 。。間形成-正空間電荷，以將由該電衆 128395.doc 200844679 ‘射源所發射的離子偏轉至該箱捕集器。 、根據本發明之另一態樣’提供一種形成一輻射波束之方 法忒方法包括自一電漿輻射源產生輻射；經由一箔捕集 器傳輸該韓射；將-電位施加至一位於該電梁源與該箱捕 集器間之栅格，該電位之一位準為使得柵格排斥由該電漿 韓射源所發射的電子，其中帶正電荷之離子之一空間電荷 形成於一在該箔捕集器與該電漿源間的空間中。 、根據本發明之另—態樣，提供—種形成_輻射波束之方 法該方法包括自一電聚韓射源產生輕射；經由—猪捕集 器傳輸該輜射；及藉由將一電位施加至一位於該電浆源與 一在該捕集器與該電聚源間的空間之間的柵格來在該空 間中產生帶正電荷之離子的一淨空間電荷，該電位之一位 準為使得柵格排斥由該電漿輻射源所發射的電子。 ，據本發明之另—態樣，提供—種微影裝置，該微影裝 匕括-用於形成一電磁輻射波束之裝置，該裝置包括一 電漿輕射源及-具備大體上平行於自該電聚源之轄射之方 向延伸之複數個薄箱的落捕集器。一柵格 射源與該箔捕隹哭鬥 而^ ^ ^ 木間。一空間位於該柵格與該落捕隼哭 :。：裝置亦包括-電位施加電路，該電位施加電路二 及、配置以將一電位施加至該柵格，使得該 該電漿輻射源所發射之雷+日匕排斥由 成一 ”之-子且在該柵格與該羯捕集器間形 至”二：何由該電漿輕射源所發射的離子偏轉 安捕木"。該微影裝置亦包括一經建構及經配置以0 木化該電磁輻射波束之圖案化器件；及 漫構及經配置 128395.doc 200844679 以將該經圖案化之電磁韓射波束投影至—基板上的投影系 統。 '、 【實施方式】 圖1不思性描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該 裝置包含：一照明系統（照明器）IL，其經組態以調節一輻 射波束B(例如，UV輻射或EUV輻射）；一支撐結構（例如， 光罩台）MT，其經建構以支撐一圖案化器件（例如，光 罩）MA且連接至一第一定位器pM，該第一定位器刚經組

怨以根據某些參數來精確定位該圖案化器件；一基板台 (例如，晶圓台）WT，其經建構以固持一基板（例如，塗覆 抗蝕劑之晶圓）W且連接至一第二定位器pw，該第二定位 裔PW經組態以根據某些參數來精確定位該基板；及一投 影系統（例如，折射投影透鏡系統）ps，其經組態以將一藉 由圖案化器件MA賦予至該輻射波束B之圖案投影至該基板 W的一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒）上。 該照明系統可包括用於引導、成形或控制輕射之各種類 i之光予組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電， 或其他類型的光學組件，或其任何組合。 該支撐結構支撐該圖案化器件，亦即，承載該圖案化器 件之重量。該支撐結構以視圖案化器件之方位、微影裝置 之設計及其他條件（諸如，圖案化器件是否固持於真空環 境中）而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用^ 械 '真空、靜電，或其他夾持技術來固持圖案化器件。支 撐結構可為框架或台，例如，其可視需要為固定或可移動 128395.doc 200844679 的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處 於所要位置處。可認為本文中對術語”主光罩”或"光罩，，之 任何使用均與更通用之術語”圖案化器件，，同義。 本文中所使用之術語”圖案化器件，，應廣義解釋為指代可 用以在一輻射波束之橫截面中賦予該輻射波束一圖案以在 基板之目標部分中形成-圖案的任何器件。應注意，舉例 而言，若被賦予至輻射波束之圖案包括相移特徵或所謂輔 助特徵，則該圖案可能不會精確對應於基板之目標部分中 的所要圖案。一般而言，被賦予至輻射波束之圖案將對應 於器件（諸如，積體電路）中在目標部分中形成之一特定功 能層。 圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括 光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在 微衫術中已為熟知，且包括（諸如）二元、交變相移及衰減 相移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣 列之一實例使用小鏡面的矩陣配置，該等小鏡面中之每一 者可個別地傾斜，以在不同方向上反射入射輻射波束。傾 斜鏡面賦予一圖案至由鏡面矩陣反射之輻射波束中。 本文中所使用之術語”投影系統”應廣義解釋為涵蓋任何 類型之投影系統，包括折射、反射、折反射、磁性、電磁 及靜電光學系統或其任何組合，只要其適合於所使用之曝 光輻射，或適合於（諸如）浸液之使用或真空之使用的其他 因素。可認為本文中對術語”投影透鏡”之任何使用均與更 通用之術語”投影系統”同義。 、 128395.doc -10- 200844679 如在此所描繪地，該裝置屬於反射類型（例如，使用一 反射光罩）。或者，該裝置可屬於透射類型（例如，使用一 透射光罩）。 微衫裝置可屬於具有兩個（雙平台）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上光罩台）的類型。在此種”多平台"機器 中，可亚行使用額外台，或可在一或多個台上執行預備步 驟’同時將一或多個其他台用於曝光。

ί看圖1，妝明益JL自一輻射源so接收輻射波束。照明 器IL可包含一用於調整輕射波束之角強度分布的調整器。 -般而言’可調整照明器之光瞳面中之強度分布的至少外 部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別稱作心外 outer)及〜心七―）。此外，照明器江可包含各種直他 組件（諸如，積光器及聚光器）。照明器可用以調節輕射波 束’以在其橫截面中具有所要之均—性及強度分布。 輻射波束B入射於固持於支撐結構（例如，光罩台Μτ)上 之圖案化器件（例如，光罩MA)上且由圖案化器件圖口案化。 在橫穿光罩ΜΑ後，輻射波束β穿過投影系統ps，該投 統PS將波束聚焦於基板W之目標部分。上。借助於第：二 位請及位置感測器IF2(例如’干涉量測器件、線,^ '，或電容式感測器)，基板台WT可精確地移動，(例如) 以在輕射波束B之路徑中定位不同目標部分類似地 (例如）在自光罩庫機械擷取後或在掃描期間，第 爾及另—位置感測剛可用以相對㈣射波束B之路Γ 來精確定位光罩MA。一般而言，可供 之路從 了借助於形成第一定位 128395.doc • 11 200844679

PMi。卩力的長衝程模組（粗定位）及短衝程模組（精定位） 來實現光罩台ΜΤ之移動。類似地，可使用形成第二定位 PW之邛分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台 之移動。在步進(與掃描器相對）之情形中，光罩台可 僅連接至短衝程致動器或可為固定的。可使用光罩對準標 記ΜΙ、M2及基板對準標記？1、ρ2來對準光罩μα及基板 W。锰官如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但 其可位於目標部分間的空間(此等已知為劃道對準標記) 中。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形 中，光罩對準標記可位於該等晶粒間。 所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1.在步進模式巾’當將—被料至輻射波束之整個圖案 认性投影至-目標部分C上時，使光罩台Μτ及基板台 WT保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著使基板台 WT在X及/或γ方向上移位，使得可曝光不同目標部分c。 在步進模式中’曝光場之最大尺寸限制了在單次靜態曝光 中所成像之目標部分C的尺寸。 2·在掃描模式中，當將一 idt r- 、被賦予至輪射波束之圖案投影 至一:標部分C上時，同步掃描光罩台MT及基板#WT(亦 即’單次動態曝光）°可藉由投影系統PS之放大率（縮小率） 及影像反轉特性來判定基板台射相對於光罩台⑽的速度 及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制了在單次 動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描 運動之長度決定了目標部分之高度（在掃描方向上）。 128395.doc 12 200844679 3·在另一杈式中，當將一被賦予至輻射波束之圖案投影 至一目才示部分C上時，使光罩台町基本上保持靜止以固持 -可私式化圖案化器件，且移動或掃描基板台。在此 模式中，、-般使⑽衝式輻射源，且在基板台wt之每次 移動後或在知描期間的連續輻射脈衝間視需要更新可程 化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖 案化裔件（諸如，為以μ说垣 " 為以上所k及之類型之可程式化鏡面 列）的無光罩微影術。 亦可使用以上所描述之使用模式之組合及/ 全不同的使用模式。 ^凡 圖2展不一輻射源總成，該輻射源總成包含一電漿源 2〇 一栅格22、-羯捕集器24,及一收集器鏡面26，此； 、/人序k配置以允許電磁輻射(本文簡稱為輕射， 較佳地為EW韓射）在壁27間自電㈣2〇傳遞至 此外，忒輻射源包含一耦接於柵格22與電漿源⑽ 1捕集器24可包括大體上平行於自電聚㈣ 广器鏡面26之輻射之該方向或該等方向延伸的薄箱。 2明之實施例中1捕集器24包括各自沿自電聚源2〇 射之方向延伸的f|25, #中每—羯在橫向於該輕射之 向之平面中具有—橫截面，其中該橫戴面顯著小於沿轄 之方向之箱的範圍，例如，小於

於該範圍之百分之_如_ ^J 。在該寻箔25間，自電漿源20之輻射

粒子番至-收集器鏡面。羯25用以捕捉帶電粒子，該等帶電 '、 >、方向自EUV輻射的傳播方向偏轉。可自EP 128395.doc -13- 200844679 1391785獲得相關於绪捕集器之更多資訊。柵格22及羯捕 集夯24置放於距離彼此預定距離處。該距離經選擇為足夠 大以允許離子之淨空間電荷形成於柵袼22與箔捕集器24 間’其中淨空間電荷足夠大以產生一電場，該電場以一足 以將快速離子自其筆直路徑偏轉且將該等離子捕捉至箔捕 集器24之箔上的角度來偏轉該等離子。在一實施例中，該 預定距離在約十毫米與約四十毫米間。柵格22較佳地為一 扁平平坦柵格，但或者可使用一彎曲柵格。柵格之至少 部分具有一橫向於自電漿源20至猪捕集器24之虛擬線（亦 即，正交於此線或處於與此線成不同於九十度之非零角 度）的切面。在一實施例中，使用具有一與該虛擬線成不 同於九十度之角度之平面的至少部分平坦栅格。此具有避 免旋轉對稱軸線之結果。不存在軸線對稱及不存在沿具有 零偏轉電場之EUV波束的方向可適用於偏轉快速離子。 應注意展示了 一相對簡單之配置，其僅覆蓋一小的立體 角（如已熟知立體角為在三維中之方向的連續收集）。實際 上，可使用在較寬立體角範圍内之自電漿源2〇之輻射。在 此h开^/中可使用在該較大立體角範圍内延伸之柵格22， 該柵格具有一經成形為球形表面之部分（例如，自一極至 某：緯度）的表面。或者，可使用由複數個筆直平坦柵格 片段所組成之栅格’其中該等片段提供於相對彼此成非零 角度處’使得片段之集合近似—球形部分。羯捕集器2· 似地可以一本身已知的方式在一較大立體角範圍内延伸。 電壓源28充當一將電位施加至柵袼22之電位施加電路。 128395.doc 200844679 拇格22具有開口，該等開口具有一使拇格22充當在由電壓 源28所施加之電位下自電漿源20到達栅格22之電子之障壁 的尺寸。電壓源28具有—輕接至拇格22之第一端子及一搞 接至接地之第二端子。電漿源20之電極及羯捕集器24亦輕 • 接至接地。電壓㈣經設相使第-端子（及藉此栅格）的 • 冑位低於面向栅格22之電漿源2〇之-表面的電位。此表面 之電位可隨時間而變化。在此情形中，在來自電裝源⑼之 • 膨服電聚到達柵格22時的時間，使第一端子（及藉此柵格） 之電位低於電槳源20之-表面的電位。此時，電裝源之陽 極及陰極兩者通常在相同電位下。作為一替代實施例，電 漿源20及箱捕集器24可在漂移電位下。 如所提及地，在當膨脹電漿到達柵格22時之時間，電漿 源20之陽極-陰極系統的兩個電極可具有相同電位。此時 將70成在電聚源中產生放電之主要Euv。應、理解電聚源^ 之此電位(其將稱作”電漿源電位")未必為接地電位或周圍 • 壁27之電位。實情為，其為柵格22與面向柵格22之電漿源 20之該表面間的電位差。應瞭解電壓源以之第二端子、電 水源20及箔捕集益、24之接地僅為用以控制此電位差之可能 電組態的一實例。 ^ 在操作中，栅格22置放於一電位下，其導致柵格22產生 將力施予自電漿源20引導至柵格22之正電荷上之電場，以 自柵格排斥電子及吸引（帶正電荷的）離子。形成之場防止 由電漿源20所發射之該等電子的至少部分穿過栅袼22。該 電位導致柵格22自電漿源20傳遞（及甚至加速）正離子。因 128395.doc -15- 200844679 此’平的正空間電荷建置於柵格22與箔捕集器24間之空間 中’至少在自電漿源20之平均淨電漿電流為零的情況下如 此。 建置於柵格22與箔捕集器24間之空間中之淨的正空間電 ㈣成-朝向箔捕集器24使行進自電漿源2q之離子偏轉的 電場。,A，相較於無柵格之情況更多離子應被猪捕集器 24捕獲、。已發現此效應亦有效截獲快速離子，該等快速離 子可犯並不能有效地被無前述栅格22之習知荡捕集器所搁 截牛例而σ〶使用z自束電漿源時，快速離子可為一 特殊問題。為了實現偏轉效應，期望某-最小量之空間在 柵格22與》|捕集器24間以提供用於空間電荷之空間。當猪 捕集裔之立體角較小時，栅格22與fg捕集器24間之距離較 锃地為至少與箔捕集器24之直徑相同的量級，例如，為橫 向於在包漿源20與箔捕集器24間之虛擬線之箔捕集器以之 橫截面的半徑之至少四分之一，及更佳為其至少二分之 在一典型實例中，使用至少十毫米的距離。當在較大 立體角乾圍内聚集輻射時，可使用類似距離，但該距離應 至少等於箔捕集器之連續箔之間之距離的複數倍（例如， 十倍）一般而言，係由可用空間而非由對偏轉效力之考 里來判定栖格22與箔捕集器24之間之距離的上限。在一典 在*只例中可使用尚達四十毫米之距離，但若空間可用則 可接文更大距離。在一實施例中，電壓源28經組態以將在 令與五百伏特之間相對於接地之負電位施加至柵格22，或 右電聚源20之外部不在接地電位則係相對於電漿源。 128395.doc -16- 200844679 偏轉電場係歸因於跨越柵格22之正電

27的使用甚至更為有利。 人虼/ 、較小正電荷，其中偏轉效應作用於 。當在較大立體角範圍内收集EUV輻射時，壁 一漂移電位時，箔捕集器24同樣將變

當箱捕集器24具有一 為帶正電荷，此增加了 貝轭例中，柵格22可置放於接地電位（或更一般 地置放於與電漿源2〇之對向表面(facing 匀相同的電 位下）。在此情形中，電壓源28可為一簡單至接地的連 接。此實施例起作用係因為電漿趨向相對於周圍結構（諸 如，電漿源20之對向表面）形成一淨正電位，因為電子相 較於帶正電荷之離子更迅速地被周圍結構所吸收。因此， 柵格22將具有對電子之排斥效應（及對離子的吸引效應）， 即使柵格22在與電漿源20之該表面相同之電位（例如，接 地電位）下亦為如此。所關心的是栅格22對電漿中之電子 之排斥效應（及對應地其對離子的吸引效應）。然而，相對 於周圍結構在柵格22處使用負電位可使空間電荷之產生更 為有效且可允許使用具有更大網格間距之栅格22。 在一實施例中，栅格22由平行導電元件之至少兩個陣列 所組成’不同陣列之元件彼此相交。該等導電元件可為拇 128395.doc 17 200844679 格之整體部分或為編織元件。或者，可使用一將切削孔蝕 刻至其中之柵袼。從而，柵格具有開口。作為另一替代方 案，在栅格22中可使用僅平行導電元件之陣列。拇=之 任何結構均為可能的，倘若其提供較大光學透明度及用以 阻隔電子之有限尺寸之電開口。 在-實施例中’開口的尺寸(在此界定為自柵格之筆直 或彎曲平面中的任一點至柵格22之導電元件上之最接近點 的最大距離）較佳地為小到使#電子在各處均被拇格 排斥。此可藉由使尺寸小於或等於栅格22之電漿源側上之 電漿的德拜（Debye)長度之量級的長度來達成。如孰知 地’德拜長度為電漿之固有性質。電槳在距離電荷之漸增 距離處愈加地遮蔽帶電區域（諸如，柵格22之元件）的^ f。視電漿中之電子之擴散係數及遷移率而定的德拜長度 指示使此遮蔽開始變得突出之特徵距離。 猎由將-更負的電位施加至柵格22，使得可能使用具有 -更大尺寸之開口且仍排斥電子。更大尺寸之開口具：穿 過更多EUV㈣的優點。負電位有助於增大開口中心中之 電子的障壁。最大尺寸L較佳地小於或等於(及更佳地大體 上等於）·· L = Rd * sqrt (1 - Vg / Vp)， 其中"Rd”為電衆之德拜長度、”sqrt”為平方根函數、％為 柵格電位，且Vp為電聚電位(電漿電位與電漿源2〇之外部 或接㈣在電漿源在相關時間點在接地電位下之實施例中） 之電位間的差）。從而，對於零柵格電虔及負栅格電麼， 128395.doc -18· 200844679 s大栅秸開口車又佳地為至少等於電漿之德拜長度（化旬。當 :格22之電位更負，，可使用更大開口，其允許更多韓： 牙過。在—典型實例中，在約0.05毫米至約1毫米的範圍 内選擇L。此提供用以大體上阻塞電子之足夠小之開口及 足夠大的光學透明度。 在使用中’由快速離子進行之柵格22之ϋ刻可為一必需 週』14替換栅格22的問題。可藉由使用具有較大厚度（例 如’具有-約100 _及在經由栅格行進之方向上之長度約 1 mm的尺寸）的栅格22來延長替換週期。 隹圖。3a展示額外分離件3〇(展示一者）包括於拇格η與箱捕 集器24間之空間中之實施例。較佳地，分離件30為導電 的’且較佳地’其電位維持於與栅格22相同之電位下。圖 3b::橫截面展示分離件3〇。在一實施例中，可藉由將落捕 集益24之箔之部分延伸至在完整箱捕集器24與拇格^間的 工間中來貫現分離件3〇。分離件骑柵格22與羯捕集器μ 間之工間中之空間電荷分離成獨立空間電荷。已發現接近 空間電荷之邊緣的邊緣區域在偏轉離子中最為有^。卷使 用較大面積之空間電荷時，Μ電荷之直徑大於此邊:區 域，使得空間電荷區域的部分並不最佳地促進 22與㈣集㈣間之空Μ之分離㈣具㈣成較小= 電荷區域的效應，其中具有最佳偏轉性質之邊緣區域：成 -較大部分。從而’實現更有效之偏轉。較佳 =轉:與箔捕集器24間的空間劃分成約等長(在自拇 才口 22至泊捕集器24之方向上）箄嘗“生 )寻見（軼向於該方向）的隔室。 128395.doc 19- 200844679 已發現此提供最佳έ士里 + 、，一 取仫、'，。果。在—實例中，可在分離件30間 (田L向提供刀離件時在分離件之徑向尖端間）使用約十毫 米至約四十毫米之辟雜 ^ 離。在一實施例中，隔室的直徑（在 正又於自栅格22至笛捕集器24之虛擬線之平面中的鄰近分 離件Η之最長虛擬線的長度）處於在柵格Μ與羯捕集器 24間之距離的二分之一與兩倍間。 ”卯 、泊捕市為2 4之連讀结，< ρ目上l 4 ^的距離通常顯著小於分離件3 〇 間之距離’使得不可彡 μ /成在洎捕集器24内具有一相關偏轉 效應之空間電荷。太_ _ y , i 、 在貝例中，連續箔（在徑向尖端處）間 的距離為約1米或兩毫米。相反，在分離件30間應使用 ^門以允°午形成空間電荷。因此，當Φ猪捕集器24 e〆白之L伸^》形成分離件3G時，應僅延伸ϋ捕集器24之 :25中之一些(例如，五至三十個箔中之-者)來形成分離 ?〇作為一替代方案，可使用並非箔捕集器24之延伸部 刀的刀離件3〇 °然而’使用為羯捕集器24之延伸部分的分 離件30可簡化構造。 夂柵,22可為一大體上爲平柵格(其中開口之尺寸大於栅 秸之：度)。在另一實施例中，開口的尺寸小於柵格之厚 j仗而，開口之壁在自柵格22至落捕集器24之方向上在 一大於其橫向於該方向之尺寸的距離内延伸。此可具有改 土柵：22之冷邠的優點。然而，較佳地限制在自栅格22至 :\卞印24之方向上之柵袼元件的範圍以防止栅格22擔當 截獲離子之強健箱捕集器。當使用柵格22由自電漿㈣行 '拇才° 22之離子來形成在栅格22與羯捕集器24間之空間 I28395.doc •20· 200844679 中的空間電荷時，不期望栅格22截獲過多離子。較佳地， 使用柵格22中之開口之開口直徑之至多十倍的範圍。 儘管展示了具有一栅格及箔捕集器之單一結構，但應理 解在一實施例中可使用複數個此種類之連接結構，其彼此 鄰接地定位以覆蓋EUV源之較大立體角。圖5a及圖&說明 一具有複數個分離件30之實施例，該複數個分離件3〇經配 置而以規定間隔覆蓋自電漿源（未圖示）至羯捕集器（未圖 示）之輻射的橫截面，例如圖讣中所示之分離件3〇之蜂房 型結構。可使用其他配置來將柵格22與羯捕集器間之空間 分離成兩維隔室。如所展示地，柵格22可具有球體片段之 形狀(其覆蓋較大立體角）’或其可由扁平平坦片段所組 成。分離件30可為平行於自電漿源至分離件川之位置之波 束而引導之複數個扁平表面的集合。&而，代替所有分離 件延伸所出自之單—中心線，如圖3b中所展示地，存在複 數個中心線’每-中心線對應於自彼中心線所延伸之分離 件的-群組。該等中心線為(例如)在二維方向柵格中自電 漿源20轄射之虛擬線。在圖此實例中，分離件間之相交 形成該等線。 在-實施例中’將氣體流引入箱捕集器24中以自柵格22 及馆捕集H24移除二线射之碎片。在此或另―實施例 中’可在電聚源20與柵格22間添加—額外羯捕集器（未圖 厂、）例 > 旋轉箔捕集裔。此進-步減少離子之數目 及對柵格之污染。 圖4展示在電漿源2G與柵格22間已添加—額外柵格利之 128395.doc -21 - 200844679

實施例。額外柵格40已經由一額外電壓源42耦接至接地。 額外柵格40用以減少由柵格22所吸收之電子的數目。額外 柵格40形成一比電漿源2〇及壁更接近於栅格22之電漿電子 之槽。此增加了在柵格22後之體積空間電荷，其繼而增大 了偏轉電場。額外柵格40導致更有效的電子截獲。在無額 外柵格40之情況下，將僅在距離栅格22之較大距離處在電 漿源或壁處截獲電漿電子。對此等結構之電阻將較大，其 降低了所截獲之電子之數目及空間電荷。較佳地，額外柵 格40具有一比柵格22大之空間範圍（例如，在朝向電漿源 20之方向上，提供了與電漿之較好接觸），且其可具有一 比撕格2 2大之開口尺寸。 儘管在此本文中可特定參考微影裝置在IC製造中之使 用’但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應 用諸如積體光學系統之製造、用於磁疇記憶體的引導 :偵測圖帛、平板顯示器、液晶顯示器(lcd卜薄膜磁頭 等°熟習此項技術者將瞭解’在該等替代應用之情境中， 可認為本&中對術語"晶之任何㈣分別與更 通用的術語"基板"或"目標部分，，同義。可在曝光前或後， 在（例如）_執道（通常將抗㈣層施加至基板且顯影所曝光 之：蝕劑之工具)、—度量工具及/或一檢驗工具中處理本 二提及的基板。適用時，可將本文中之揭示内容應用 =及其他基板處理工具。另外，可對基板進行一次以 ，(例如)以形成多層1C，使得本文中所使用之術 基板亦可指代已含有多個經處理層之基板。 128395.doc •22- 200844679 本文中所使用之術語，，輕射,,及，，波束,,涵蓋所有類型之電 磁輪射，包括紫外線（uv)輻射（例如，具有約365細、約 355 nm約248 nm、約193⑽約m⑽或約126⑽之波 長）及遠紫外線（EUV)輻射⑼如，具有在㈣ 的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。 術語”透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件之 任一者或組合’包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學 組件。 儘管以上描述了本發明之特^實施例，但將瞭解可以與 所描述之方式不同的直他太 的八他方式來實踐本發明。舉例而言， 本發明可採用如下形式：電 一 ^ % ^式，其含有描述如以上所 =之方法之機ϋ可讀指令的—或多個序列；《資料儲存 =(例如’半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於 其中之該電腦程式。 以上描述意欲為說明性而非限制性的1而，熟習此項 技術者將明白可在不脫離以 .λΑ ^ 下所闡明之申請專利範圍之範 命的情況下對如所描述之本發明進行修改。 【圖式簡單說明】 圖1描1會根據本發明之-實施例的微影裝置； 圖2說明根據本發明之—會 的裝置. 例之用於形成一輻射波束 圖3 h兒明根據本發明之一每 束的裝置； ^例之用於形成一輕射波 叫月圖3a中所說明之裝置之—部分的橫截面； 128395.doc ' 23 - 200844679 圖4說明根據本發明之另一實施例之用於形成一輻射波 束的裝置； 圖5a說明根據本發明之另一實施例之用於形成一輻射波 束之裝置的一部分；及 圖5b說明圖5a中所說明之裝置之該部分的橫截面。 【主要元件符號說明】

20 電漿源 22 柵格 24 箔捕集器 25 箔 26 收集器鏡面 27 壁 28 電壓源 30 額外分離件 40 額外柵格 42 額外電壓源 B 輻射波束 C 目標部分 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 ΜΑ 圖案化器件 128395.doc -24- 200844679 MT 支撐結構 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 PW 第二定位器 PS 投影系統 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 128395.doc - 25 -

Claims (1)

1. 200844679 十、申請專利範圍： 1. 一種用於形成一 一電漿輻射源 電磁輻射波束 之裝置，該裝置包含： 該電漿 一洎捕集器，該箔捕集哭 卞口口吴備大體上平行於 源之輻射之方向延伸的複數個薄箔，· *》柵格女置於該電漿輻射源與該箔捕集器 曰，：、中-空間位於該柵格與該簿捕集器間；

   电位把加電路’該電位施加電路經建構及經配置以 將一電位施加至該柵格，使得該柵格排斥由該電漿韓射 源所心射之電子且在該柵格與該箔捕集器之間形成—正 空間電荷，以將由該電漿麵▲ κ ?田射，原所發射的離子偏轉至該 箔捕集器。 2.如請求項1之裝置，其中該電位施加電路包含-電壓 源’該電壓源經組態以在該柵格與以—極性面向該拇格 之該電聚輕射源的至少-表面之間施加一電壓差，使得 該柵格相對於該電漿輻射源之該表面處的一電位處於一 負電位。 3.如請求項1之裝置，其中該電位施加電路經組態以將相 同電位施加至該柵格及面向該柵格之該電漿輻射源之一 表面。 4 ’如明求項1之裝置，其中該柵格具有一彎曲形狀，該彎 曲形狀符合：一球體之一區段；或複數個平面區段，該 複數個平面區段處於相對於彼此根據一虛擬球體區段而 分布之角度下。 128395.doc 200844679 5.如請求項丨之裝置， 哭之„ / L 3將°亥柵格與該箔捕集 —9m間劃分成隔室的至少_個分離件一 室具有-大於該箱捕集器之落之間二 ^ P ^ , 工间的尺寸，該 、m至自該栅袼朝向該箔捕集器延伸。 6·如請求項5之裝置，其中該至少 器之該等箱中之一者的一延伸。 件為“捕集 7.如請求項5之裝置，苴中嗜箄 羯捕集-之門… 柵格與該 8…離的約二分之一與兩倍之間的直徑。 .二：件項5之裝置’其中該至少一個分離件包含複數個 二：件，該複數個分離件自該電_源輕射出之複數 么卞線以共通角度（mutual angle)延伸。 '員1之衣置，其中該柵格包含在一自該電漿源至 心捕集器之第-方向上比在—橫向於該第—方向之第 一=向上延伸得更遠的狹長栅格元件。 、月求項1之裝置，其中該柵格之柵格開口具有一尺 寸，该尺寸小於或等於由該電漿源於該栅格之一電漿源 =在操作期間產生之—電㈣-德拜長度乘以-減去 久比值之平方根’該比值為：該栅格之-電位除以該柵 格之—f漿源側上之該電漿與該電漿源之該電位之間之 一電位差。 士明求項1之裝置，其中該栅格與該箔捕集器之間之一 距離為至少等於該羯捕集器之一半徑的二分之一。 3求項1之I置’其進一步包含一第二柵格，該第二 柵才。係在錢格與該電漿源之間；及—第二電位施加電 128395.doc -2- 200844679 路’該第二電位施加電路經組態以將—另一電位施加至 該第二柵格，該另一電位係高於由該電位施加電路施加 至該栅格的一電位。 1 3 ·種形成一輻射波束之方法，該方法包含： 自一電漿輻射源產生輻射； 經由一馆捕集器傳輸該輻射；及

   14· 藉由將-電位施加至位於該電漿源與一在該箱捕集器 =該電㈣之間的空間之間的—栅格來在該空間中產生 帶正電荷之離子的一淨空間電荷，該電位之一位準使得 橋;ίσ排斥由違電漿輪射源所發射的電子。 、 如睛求項13之方法，其進一步包含相 ^ 3相對於面向該栅格之 口亥包漿源之一表面的一電位來一 个盯貝冤位施加至該柵 格0 1 5 ·如請求項丨3之方法，其進一/一 〇呵 柵格及面向該柵格之該電漿源的一表面。 6項13之方法，其進一步包含將該栅格與該辖捕集 之空間電荷分離成複數個分離隔室中之分離的空 「曰 1 。 17’=ΐ項13之方法’其中該柵格與該箱捕集器之間之距 離為至少等於該箔捕集器之一半徑的二分之一 1 8·如請求項j3之方法，其進一人 源 3精由该栅格與該電漿 原之間之一第二柵格來收集電子。 19· 一種微影裝置，其包含·· 波束形成裝置’該波束形成農置經建構及經配置以 I28395.doc 200844679 用於形成一電磁輻射波束，該波束形成裝置包含 電聚輪射源， 一邊捕集器’該箔捕集器具備大體上平行於自該電 聚源之輻射之方向延伸的複數個薄箔，及 一柵格，該柵格安置於該電漿輻射源與該箔捕集器 之間，其中一空間位於該柵格與該箔捕集器之間，及 電位施加電路，該電位施加電路經建構及經配置

   20.

   以將一電位施加至該柵格，使得該柵格排斥由該電漿 輻射源所發射之電子且在該栅格與該箔捕集器之間形 成-正空間電荷，以將由該電聚輻射源所發射的離子 偏轉至該箔捕集器； 圖木化杰件，該圖案化器件經建構及經配置以圖案 化該電磁輻射波束；及 杈影系統，該投影系統經建構及經配置以將該經圖 案化之電磁輻射波束投影至一基板上。 -種形成-輻射波束之方法，該方法包含： 自一電漿輻射源產生輻射； :电^ "^加至—位於該電漿輻射源與該箱捕集器之 冊‘忒屯位之一位準使得柵格排斥由該電漿輻制 源所發射的電子，1中* 八中▼正電荷之離子之一空間電荷升j 在該謂捕集器與該電漿源之間的空間中。 128395.doc