TW200834365A - Closed-loop design for manufacturability process - Google Patents

Description

200834365 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關積體電路的製造及在晶圓上製造積體 電路的微影方法。尤其，本發明有關積體電路製造之 微影遮罩的設計及製造，以及針對可製造性最佳化遮 罩設計的方法。

【先前技術】 積體祕通常料學微影技術㈣造，其中能量 束私光罩（photomaskX等同於，遮罩（mask)或光罩 =cle))上的積體電路圖像或圖案傳送至半導體晶圓 感光性絲，形成(等同於，印刷或轉印)為 ί二木化材料覆盍於基板上。對於形成於基板上的 印：ί層，也許有一或多個遮罩用以於晶圓上形成 。圖案通常表示為遮罩上的多邊形。然而， t所皆知之習知技術，於遮罩圖案轉印至晶圓的 期間，餘各種光學效應，轉印至晶圓或成 ，在日曰圓上的遮罩多邊形將會變得平滑而失真。因 ㈣:路糾者纽§t魏佈騎，轉顧及微影製 私的锊性，且必須顧及功能與效能上的需求。 體電=A:1C可一般地瞭解使用微影製程製造積 200834365 ^圖ΙΑ，在電路設計程序流程一間，電路 没计者將會整合-組設計規則u 局15之多邊形，其對應於所* 卿Μ皁忡 11 、斤而电路佈局層級。此規則 也许可表不為例如二維準則的查詢表，並可包括有 關需求的準則，例如覆蓋容差、臨界 ㈣ dimension ; CD)、多邊形形狀間的最小及最大。

=性地’此規則可以環繞所需設計形狀的容差邊帶 來表示。料者將會結合電路邏輯12的需求斑設計規 則η，以達成初始電路佈局15，其通常包含多邊形形 狀的二維佈局。設計規ml騎包括容差與限制及其 他關於電路裝置之效能及電氣特性的準則，以及例如 ’微影製程及覆蓋容差的可製造性規則。初始遮罩 佈局通常指派有與電路佈局丨5所提供的相同多邊形 佈局。通常，初始遮罩佈局15寫出成為㈣組，其將 提供例如晶圓代工廠(foundry)或製造廠(FAB)的微影 者作為輸人。遮罩佈局資料組的寫出程序通常稱為佈 局輸出（taPeout)17，然後佈局輸出資料組可傳送至晶 圓代工廠作為輸入，以由晶圓代工廠微影工程師進一 步分析及修正20。 光罩上的電路圖像並無法精確地再現於基板上， 部分是因為通過光罩傳送及阻擋能量間的光學效應。 參考圖1B，在製造遮罩之前，針對這類光學效應通常 先修正初始設計佈局15。修正初始遮罩設計15以形 200834365 成實際、修正的遮罩佈局25之程序20可包含以光學 鄰近修正(optical proximity correction ; 〇PC)29 進行的 修正’且視情況包含解析度提高技術（resolution enhancement technique ; RET)27。修正遮罩佈局的程 序一般稱為資料準備（等同於，「資料預備 (Data_PreP)」）2〇。光學鄰近修正(OPQ29已被利用為 實行解析度提高技術之關鍵，其為符合最先進積體電 路產品程式所添加之圖像尺寸控制必要條件。OPC 29 貫質上是刻意及預先對光罩圖案所做出的失真形式， 以對系統性及穩定性誤差做補償。一般將〇PC分類成 規則基礎(rules-based)或模型基礎(m〇del-based)。規則 基礎OPC藉由以下方式來完成：決定可修正的成像誤 差、計算適當的光罩補償、及最後將所計算的修正直 接應用於光罩佈局。 模型基礎 OPC(Model_based OPC ; MBOPC)以捕 捉表示微影製程的數學模型21之成像特性的概念為 基礎，且計算於研究下被遮罩圖案所預測的預期晶圓 上電路圖像，比較模擬的圖像輪廓配置與原始遮罩圖 案的邊緣配置，且反覆調整遮罩圖案，直到模擬的圖 像與所需的晶圓上目標圖案23在指定容差及其他遮 罩佈局規則24内恰好匹配。遮罩佈局規則24包括關 於遮罩廠需求的可製造性規則，其通常不會應用於電 路佈局設計期間（如圖1A)。請注意，晶圓上目標圖案 200834365 23通常具有如初始設計佈局15的相同多邊形佈局， 其代表axa十者打算在晶圓上印刷的佈局。當MB〇pc 產生較真貫的印刷圖像時，使用MBOPC將比規則基 礎OPC明顯需要更多的計算資源。 現有的光學微影工具目前採用193mn波長的雷射 照明。對於特定照明能量的波長，微影製程的解析度， _ 或換句話說，能夠確實成像的最小尺寸p，通常以瑞 利刻度方程式(Rayleigh scaling equation)來表示··

kX P =—-ΝΑ 其中λ是光源的波長，να(數值孔徑)是透鏡所收 集光量的測量值，及所謂的k-因子k代表除了波長或 數值孔徑之外，微影製程的面向，如光阻特性或增強 _ 遮罩的使用。典型的k-因子值範圍由約0.7至0.4。然 而，藉由使用各種解析度提高技術(RET)，例如次解析 度輔助特徵(sub_resolution assist features ; SRAFs)、交 替相移遮罩（alternating phase-shift masks ; altPSM)，可 能會減小k-因子，以改善微影製程的解析度。當與 MBOPC —起使用RET，且除了 MBOPC外還使用RET 時，現有的光學微影工具將使用於印刷甚至更小的特 徵尺寸(從90nm至45nm或更小）。 200834365 的模型基礎0Pc與RET通常包含五個 主要的多邊形資料組： 、甬$勺i5 ’其係用作mb〇pc的輸入， 通节0括如&計者安排之電路設計15的多邊形； 料的其為目為解析度提高肋(RET)而 ^改的减輸人鮮佈局，例如辅助特徵或交替相形 :屬料23 ’其描述所需的晶圓上多邊形，即 ;=:所需上？需者。通常在佈局中，晶圓目 k 23相於初始遮罩或電路設計佈局υ . 罩上置於光 模型基礎OPC是句 序 匕3以下動作的反覆最佳化程 成爾Μ的顯赫，通常修正以形 化I模擬輪廓氨晶圓目標23 ·， 调整/切以補償赛麟獻 的偏移，因此產生料料25的第-估計^ 使用-個重複的臨時料料2 複的輸入來重複此程序。 ~卜《 -10- 200834365 是接舌、> m 1…m取a PV主複數量為 5 ο 谡的輪出成為傳送至遮罩廠的實際遮辜矽 移達到絲縣及⑽㈣3間的偏 ^文的值，或直到用盡最大的重 止° 一々i “ 局25 ° 身又簡化應用是假設办余·#A遽辜#局75等於 晶圓目標23。 哥 J後可將修正的遮罩佈局25傳送至遮罩廠及/或 曰曰圓代工廠或‘造廠進行製造。然而，參考圖ic，在 C罩建立％，修正遮罩佈局25通常經歷進一步的確認 過程30，其根據遮罩廠的需求及能力檢驗遮罩的可製 造性，及基於製造積體電路之特定製造廠的詳細微影 製程確認遮罩的可印刷性。根據可以各種形式提供的 可製造性及可印刷性準則檢查遮罩的誤差（方塊31)， 這些準則如製造廠及/或遮罩廠提供的詳細製程模型 33及可製造性及/或可印刷性規則34。檢查31修改的 遮罩佈局25是否違反規則，或使用特定微影製程是否 可能增加良率失敗風險之可印刷性誤差。如果修正的 遮罩25通過可印刷性及可製造性準則（即在方塊37中 找不到誤差），則可建立遮罩（方塊35)。然而，如果有 發現遮罩誤差，則必須如圖1B的資料預備過程2〇， 進一步修改遮罩，或如圖1A的過程1〇，可重新設計 -11 - 200834365 遮罩。 近來，已提出在設計階段設計確保可製造性及可 印刷性的遮罩佈局。參考0 2，此過程(所謂的製造設 计(DfM)’為圖丨人基本設職料修正。提供設計 規則11及電路_ 12作騎人(如同基本設計流程 見圖1A》，但所得之遮罩佈局42(其可包括RET形 枯係利用权型基礎佈局最佳化過程14〇修正。模型基 ΐΐί正14(3採用如輸人—晶圓目標43和指定容差及遮 ^佈ί規則41，及使用-初始製程模型44，且包含利 43輪型44模擬一圖像47。如上述，晶圓目標 、真^Γ具有與⑻始電路或遮罩設計佈局15相同的多 :鈞二將模擬輪廓呈現給設計者，藉此讓設計者 ί葬Γ幻、佈局形狀，以得到更合適的晶圓形狀。這 局4曰2 U方式來完成··例如，顧手邊的RET於佈 程變化的然後使用製程窗模型44(即瞭解製 呈規仏二、）以產生輪廓邊帶（c〇ntour bands)，以便 其確=;、製:模型44包含一精簡模型， 佈局轉變广田t輸人佈局、RET佈局、遮罩 的情況中，評個形狀轉。在大部分 類似於遮罩驗證尺寸失敗(即佈局驗證49) 计者’促使其進行佈局修正 ^見…又 (在方塊48中、、々古^呈、 如果/又有找到任何誤差 α有决幻’職行修正#局的佈局 -12- 200834365 (tapeout)45，然後將包含修正佈局的資料組送給晶圓 代工廠，且作為輸入(如初始遮罩佈局15(圖ib))進入 貝料預備循環20(圖1B)。因此，較佳地，送至晶圓代 工廠的REIVOPC分析2〇之模型基礎佈局最佳化14〇 二的輸出應會呈現較少或沒有任何可印刷性或可製造性 誤差。 然而，此方法有若干缺點。 百先’微影及晶圓钕刻製程的發展及晶片設計通 常由約最少6個月至5年或以上的週期期間同時發 生。此發展時間範圍實際上不可能在晶片設計期間， 提供設計者RET及QPC解蝴法的準销述以及準 嫁的製程S翻。當設計者叫本身對_ 具有準確洞悉的假t找作的同時，於不準確模^及 RET/OP C解決辦法的最佳化佈局將導致惨列的 且將使可製造性變得更糟而非更佳。 、 、 其次，模型基礎佈局最佳化的主要客戶為無制、告 設備之設計廠’其設計將於外面晶圓代n = 片。這些熙製造a又備之設計廠的關鍵需求在於^垆曰 圓代工廠的機動性(即，使其從一個晶圓代工廠胗 移至一競爭晶圓代工廠的能力），或甚至是妒其^心 時外包給多個晶圓代工廠。模型基礎饰局‘佳化:: -13- 200834365 =4寸疋阳圓代工廠之RET/OPC及成像解決辦法 白!ΐ::準確模型為基礎，因此最佳化佈局基本上與 特定曰β圓代工廠有關。因此，針對每—個別的晶圓代 H使_|胃的製_型來執行模型基祕局最佳化 將不可仃。使用描述多個晶圓代工廠之最糟情況下可 印刷.〖生失敗之「最小公分母（least common de^mmator)」模型的替代解決辦法將顯得過度保守， 且冒產出雜競爭力的佈局密度，這對於許多晶圓代工 廠合作或競爭無製造設備之晶圓廠生意尤其重要。 第二，當設計者基於模擬反饋來處理原始佈局 時，設計者可有效地採用新的多邊形組，即最佳化佈 局不再為原始設計者的用意，而是代表設計者必須於 原始計劃佈局做修正，以便使設計通過模型基礎最佳 化。如果採用這運用的佈局作為RET/〇pc流程的#入 厣局，凌駕設計者用意所加入的多邊形複雜性及不確 定性將造成可製造性風險，且可能會有確切

DfM想要 達成的反效果。 已提出OPC應用的修正，其試著藉由利用磊屬沒 ♦示邊▼取\\晶圓目標反知\%模擬輪廓邊帶取民模擬輪 廣’以解決一般及不可避免的製程變異。反覆的最佳 化程序保持一樣，但馮#尽#邊夢必須由設計者基於 所需電路良率之形狀容差的瞭解或藉由應用設計規則 -14- 200834365 ^冊中容差傳達於來自居之OPC工具產生。此 ;、子於〇PC的修正稱為製程窗〇pc(process window 0pC ; PWOPC)，且PW0Pc已被提出作為可製造性 (DfM)解決辦法之策略設計的關鍵要素。 然而’履行含有DfM的PWOPC有以下幾個困 難：首先，設計者產生的晶圓目標邊帶完全未注意到 可用的製程能力，即設計者雖然知道自己想要的，但 沛热法分辨所有佈局情況中可以合理要求的是什麼。 其次，利用OPC應用產生的晶圓目標邊帶未注意到設 计者的需求，即此時，皆可知製程限制，但不知可接 文之容差。第三，在任一情況中產生晶圓目標邊帶均 為規則基礎，即執行一系列尺寸運算及布林值，以產 生所需晶圓目標邊帶的直線近似值。透過複雜規則組 在可靠地運用佈局之挑戰首先係驅使模型基礎〇pC 之執行，且重建一個此規則基礎操作的相依性實際上 在走倒退路，因而引起極大的良率風險。 鑑於上述，需要一種避免上述困難之製造解決辦 法的設計，且提供在多個晶圓代工廠的遮罩驗證期間 能減小或避免可印刷性及/或可製造性誤差的遮罩設 4，並&供適於幾製造設計業者一個有效設計程序。 【發明内容】 -15- 200834365 因先前技術的問題及缺點，士义 供毁計 ，，，本發明之目的在於提 t及衣u貝體甩路之微影遮罩的改良方法。 本發明之另一目的在於提供一種確保設 制在遮罩最佳化階段㈣得辦足的方法°。°、

在濟明之"^目的在於提供—種符合料規則且 遽罩驗證後*需要$新設計佈局的資料準備方法。 <本發明之又另-目的在於提供—種更有效的遮罩 =計程序，以箱可針對遮罩廠進行最佳彳t，而麵 自訂設計的可製造性。 …、 制本發明揭示一種設計積體電路的方法，其中使用 2裎模型來最佳化設計佈局，直到利用製程模型所模 擬的圖像輪廓滿足設計限制。設計階段中所用的製程 模型不必像在資料預備期間準備微影遮罩佈局中所用 2¼影模型一樣準確。接著將所得圖像輪廓與修正的 最佳化設計佈局一起納入資料預備程序，其中使用如 包括RETT及OPC的微影製程模型來最佳化遮罩佈 局。遮罩佈局最佳化使微影製程模型模擬的圖像與在 設計階段期間產生的圖像輪廓匹配，因而確保最佳的 遮罩佈局滿足設計者指定的設計及可製造性限制。 -16- 200834365 、根據本發明L，提供—種設計積體電 方法，該方法包含以下步驟： 提供一或多個設計容差； 提供一佈局；

提供一第一製程模型； 修正此佈局以形成一第一修正佈局，使得第 圖 =廓滿足-或多個設計容差，其中該等第 鱗應於細第-製賴型所決定的第-修正佈局輪 ^供一第二製程模型；以及 ° t正第一修正佈局以形成-第二修正佈局 圖像輪廓實質地匹配該等第-圖像輪廓，其中‘ 等第 正佈局 圖像輪鱗應於第二製鋪型所決定之 第二修 較佳地，使用製 邊帶較佳地用作逾篇 輪入。 、、、 長窗模型決定圖像輪廓，及輪、 饰局最佳化·(如MBOPC)的目钱 根據本發明之另 系統或電腦程式產=面向，此方法可具體化於電麟 根據本發明之 法提供設計者’可將根據本發明之方 …、衣造設備的設計廠)作為服務。 -17- 200834365 本發明之其他目的及優點從本說明書中將在某種 程度上明白及瞭解。 /、 【實施方式】 本發明現將藉由參考以下討論並參照本申請案隨 =圖式來更詳細說明。請注意，僅為解^目 i、本申請案圖式，因*各圖式並未按比例績製。 茶考圖3，本發明之一具體實施例包括 ==階段5_，設計者通錢助各種軟體工 ;為^晰而未顯示），提供及使用電路邏輯12及設 局最九二到達初始電路佈局52。根據本發明，佈 佈^ 係在设計階段期間執行於佈局52上，或 :局2的-部分或元件，且佈局最 $ 製程模型/工呈54，鲈社a… 從用U於 窗模型/工-罝二 為製程窗模型/工具。製程 廠之模型^用於0心晶圓代工廠或製造 者修改形狀的工具，、如^^4〇=意包括辅助設計 即，比用於模型54較佳地為精簡的（亦 但卻十分準確且能代更快速)模型’ 計規則的預期微影製程付s及較佳地超過設計者之設 -18- 200834365 更=ΐΐ*明窗模型54係用於產生圖像57， =產生晶圓上模擬印刷 像輪廓51。圖 51可以習知或未來研發的任何方法決定，例如 二„型與模擬圖像強度的交叉來決定。較 草二•可月“吏用的製程條件範圍内，決定預期可以 由比二：：可信度(如±3σ)印刷之輪廓51的邊帶。藉 廓或輪廓邊扣和晶圓目標％並 廊、真、册Γ共谷差内匹配，以驗證所產生的圖像57及輪 :55) °如果有佈局可印刷性或可製造性 ==Γ二即如果違反容差，則由設計者修改佈 S =5或邊帶51及晶圓目標53間的偏差在 ^針佈月二寻同，則佈局或其有關部分通過驗證 55 〇對佈局52的每一邱八斗…从人 邛刀或兀件f重複此程序，直到 廠，以進行轉;;其提供至晶圓代工 施例之資料預備6(/n下步討論的具體實 模型54提供的輪廓心；據本：明’亦將製程窗 6〇。 W 51提供給本發明的資料預備 經土範例，將考慮圖 所 71。：^爛的間隔〇小於預定的最蝴:路: 果使用基於初始電路形狀71丄=二 製程模型/工具54的規則，則由設計者修⑶ 200834365 ^自動化工具(如〇PC工具)修改形狀。目5B所示之 ^正後的雜72現在㈣滿足輯朗及/或製程模 二ί具广在絲技術設計程序巾，修正後的形狀 沾接耆提供給晶圓代卫廠作為#料預備程序 =的輸入(即’在圖1Β的初始佈局15)。注意，在先

中’即使目標23包括不再代表設 =;期形狀71的形狀72，卿工具仍試圖匹配 曰曰=標23相特輸人佈局15之設定。比較 ㈣，藉由使用製程窗婦工具％，製程 ⑴滿妓計者規 據本發明，= 係產生模擬輪靡邊帶75。根 ==)供給本發明的資料― 歹芩圖4，根據本發明，眘 可製造佈局59作為製程窗〇pc:呈 收所得的 擇的作為RET佈私具具=輸入，及選 佈局最佳化350期間產生的幹廊別广^，將在设計 為製程窗〇PC 67的晶圓目邊帶51提供作 ^ U目^輪入51。預期本發明眘 =:門:所用的製程模型61將比在設計佈局最‘ 化350期間使用的模型54 製程模㈣較佳地是要且更準確。 將以土芥、廢罢i 松型。由於製程窗OPC 67 Ο佈局輕配設計最佳化挪期_ 3) -20- 200834365 滿足設計者谷至的，入輪靡目# 51(即輪廊或輪 帶si)，因此在不迷反設計者的設計規則下 造性最佳化將完美做成所得的遮罩佈局65。= 輪廓作為目標輸入51，則可安裝製程窗〇pc67二 匹配由目前製程窗模型61在容差及遮罩佈局規則 64(其可包括在設計階段期間無法使用之遮罩 製造性規則）内產生的模擬輪廓。以另一個方式來說， • 模擬輪廓及目標輸入51(其為設計階段50中在佈局最 佳化35〇期間決^的輪廓或邊帶)間的差異必須滿足容 差。如果提供輪廓邊帶作為目標輸人51，則可裝設 程窗OPC 67以確保模擬輪廓落在(即實質匹配)提供= 目標，帶51 β。可隨意提供例如包括可製造性容差之 修正容差，以允許模擬輪廓與目標邊帶有所偏離，但 仍能滿足修正容差。 …本發供社钱狀，鮮佈局至少可滿足 设计者没計與可製造性規則，因而不必將佈局送回設 計者，與先前技術方法的做法相反。因此，本發明提 I、使DfM之e又计迴路結案的方法。另外，在資料預備 期間’、可根據個別遮罩廠規則最佳化遮罩佈局，而不 用制式的’且仍能滿足原始設計規則。 接著可使用所得最佳遮罩佈局65製造電路(方塊 90) 〇 -21 - 200834365 在本發明之—具體實施例中，參考目6 佳化方法350及資料預備方法⑼可執行於數 1700中，其包括下列組件但不限於此：中央声 (0>!；)、至少一輸入/輸出（1/〇)裝置i7〇S ‘ 盤、滑鼠、光碟(CD)機及其相似物）、顯示裝置⑽、 能夠讀取及/或寫人電腦可讀碼的儲存裂置⑽ 、 憶體1702,所有組件係利用例如匯 ^ ⑺。來可執行本發明如同储存二=: 體上的电1自私式產品，例如磁帶或CD 17〇6， 式產品，舉例來說可則1/0裝置m5來讀取 於儲存裝置17G9及/或記憶體17G2中。電腦程式產品 包含在數位電腦上執行根據本發明之方法的指令。: 發明可以採用完全硬體具體實施例的形式、完二 具體實施例的形式、或含有硬體與軟體元件二者之且 體實施例的形式。在較佳的具體實施例中，本發明係 以軟體實施，其包括但不限綠體、常駐軟體、X微碼 等等。此外’本發明可以採取由使用或連接電腦或任 何^令執行系統提供程式碼供使用的電腦可用或電腦 可項媒體存取之電腦程式產品的形式。為此說明之目 的，電腦可用或電腦可讀媒體可為任何設備、裝置、 或元件’其可藉由或結合電腦或指令執行系統而含 有、儲存、通、傳播、或傳送此程式以供使用。媒 體可以是電子、磁性、光學、電雜、紅外線、或半 •22- 200834365 =儲存舰、網路或_髓。儲存制 ，導體記憶體、固定式儲存磁碟、移動式 ^ …光碟。目前光碟的範例包括：唯,、： (CD-R0M)、可讀/寫光碟(CD_R/W)及數位視 (議)。本發明亦可執行於複數個此種電腦或指= :錢中，其中出現的項目可駐存於接近的實體：： ，分散於較大的地理區域中並以通信網路連接，'未k 藉由通k裝置(如網路配接器）之傳播媒體進=過 網路的範例包括：網際網路、内部 5。 傳播媒體的範例包括:有線、光纖及ΐ線：， :配接器的範例包括：數據機、有線電視數據：：二 太網路卡及無線路由器。 ^ 乙 在本發明之另-具體實施例中，根據本發明 >可提供為DfM服務的-部分，以例如藉由提 衣程模型將佈局最佳化服務提供給設計者，=中、精間

=果包括，設計者料㈣及容絲麵邊H 固3)。所#輪廓邊帶可用作資料 入，其中触錢㈣祕败^==== 可製造的遮罩佈局（見圖4)。 提七、 應明白，上述步驟順序只是用於說明。 而言’一或多個步驟可平行執行、可以不同的: 仃、隔一段時間執行等。再者，可在本發明的不同Ϊ -23- 200834365 體實施例中執行一或多個步驟。 组人以硬體、軟體、傳播信號、或其任何 ^貝現本發明，且本發明可以除了·示的以 剎s。任何種類的電腦/伺服器系統或其他適合_ 文所述的方法都很合適。硬體及軟體的入 般目的電《統，其含有可執行本文所述的個=: =更體的特定用途電腦，以4:二 ㈣亦可欲入於電腦程式產品或傳播 ;盆載=有能夠履行本文所述方法的個別特 ，、載人於％腦祕中時能夠 文中的電腦程式、傳播信號、軟體程式、程：彳 =指二r任何語言'編碼丄=何= 直接執;二;個i=訊處理能力，而_ 行特定功处·彳絲或下列項目之任一種或二者執 戍b)以:二換成另—種語言、編碼或記號；及/ 訂閱或收費：ΓΐΓ造。此外’應瞭解，可以 法。舉例Μ心將本發狀教示提供作為生意方 能於客戶之ϋ可彻服務提供者提供本文所述的功 統及===、造、賴、支援及聰此系 性。 、疋"兄’服務提供者可提供上述功能 -24- 200834365 明，作本务明已藉由結合上述特定具體實施例來說 饮 、易見冰知本技術人士應明白有許多替代、 修改及、寧化。 ^ 。口此’上述本發明具體實施例係用於解 6美1限制。因此’只要不脫離以下申請專利範圍中 我之本發明的精神與範4，即可進行各種修改。 【圖式簡單說明】

4本!I明之特徵據信為新穎之發明，及將在隨附申 明專利fe®巾提出本發明元件特性的特別之處。圖式 ，用^兒明目的，因而未按比例緣製。然而，關於組 ^、及#作方法之本發明杨可藉由參考實施方式與所 附之圖式而更佳地了解，其中： 圖1A說明先前技術設計流程。 圖1B說明先前技術資料預備程序的流程圖。 圖1C說明先前技術遮罩驗證程序的流程圖。 圖2說明所提出的DfM流程。- 圖3說明根據本發明DfM程序之佈局最佳化方法 的較佳具體實施例。 資料預備方法的 圖4說明根據本發明DfM程序之 較佳具體實施例。 圖5A說明在DfM 狀0 圖5B說明在DfM 局形狀。 程序的設計階段期間的佈局形 程序的設計階段_的修改佈 -25- 200834365 圖5C根據本發明之具體實施例，說明在佈局最 佳化階段期間產生的輪廓邊帶。 圖6說明安裝電腦糸統及電腦程式產品以執行本 發明DfM程序之具體實施例。

【主要元件符號說明】 D 間隔 71 初始電路形狀 72 修正後電路形狀 75 輪廓邊帶 1700 數位電腦 1701 中央處理器（CPU) 1702 記憶體 1705 輸入/輸出（I/O)裝置 1706 CD 1708 顯示裝置 1709 儲存裝置 1710 匯流排或通信網路 -26-

Claims (1)

1. 200834365 十、申請專利範圍： 1. 一種設計一積體電路的方法，該方法包含以下步 驟：‘ 提供一或多個設計容差； 提供一佈局； 提供一第一製程模型； 修正該佈局以形成一第一修正佈局，使得第一 圖像輪廓滿足該一或多個設計容差，其中該等第一 圖像輪廓對應於使用該第一製程模型所決定的該 第一修正佈局； 提供一第二製程模型；以及 修正該第一修正佈局以形成一第二修正佈 局，使得第二圖像輪廓實質地匹配該等第一圖像輪 廓，其中該等第二圖像輪廓對應於該第二製程模型 所決定之該第二修正佈局。 2·如請求項1所述之方法，其中該第一製程模型包含 一製程窗模型，且該等第一圖像輪廓包含輪廓之一 邊帶，係對應於製程條件之一範圍。 3.如請求項1所述之方法，更包含提供一或多個可製 造性容差，且其中該等第二圖像輪廓於該一或多個 可製造性容差内實質匹配該等第一圖像輪廓。 -27- 200834365 4. 如請求項3所述之方法，其中該第一製程模型包含 一製程窗模型，且該等第一圖像輪廓包含輪廓之一 邊帶，係對應於製程條件之一範圍。 5. 如請求項1所述之方法，其中修正該第一修正佈局 之該步驟包含執行光學鄰近修正。 6. 如請求項1所述之方法，其中修正該第一修正佈局 之該步驟包含解析度提高技術。 7. 如請求項1所述之方法，其中該第二製程模型包含 一製程窗模型。 8.如請求項1所述之方法，其中該第二製程模型係較 該第一製程模型準確。 • 9.如請求項1所述之方法，其中該第一製程模型為一 精簡製程模型。 10.如請求項1所述之方法，更包含執行一佈局輸出 (tapeout)，其包含該等第一圖像輪廓及該第一修正 佈局’且提供該佈局輸出作為修正該第一修正佈局 之該步驟的輸入。 -28- 200834365 11. 如請求項1所述之方法，更包含根據該第二修正佈 局建立一遮罩。 12. —種電腦程式產品，包含一電腦可用媒體，係具有 實施於該媒體中用以設計一積體電路之電腦可讀 程式，其中該電腦可讀程式當執行於一電腦上時， 致使該電腦· 提供一或多個設計容差； 0 ! 是供-佈局； 提供一第一製程模型； 修正該佈局以形成一第一修正佈局，使得第一 圖像輪廓滿足該一或多個設計容差，其中該等第一 圖像輪廓對應於使用該第一製程模型所決定的該 第一修正佈局； 提供一第二製程模型；以及 修正該第一修正佈局以形成二第二修正佈局， • 使得第二圖像輪廓實質地匹配該等第一圖像輪 廓，其中該等第二圖像輪廓對應於該第二製程模型 所決定之該第二修正佈局。 13. 如請求項12所述之電腦程式產品，其中該第一製 程模型包含一製程窗模型，且該等第一圖像輪廓包 含輪廓之一邊帶，係對應於製程條件之一範圍。 -29- 200834365 14.如請求項12所述之電腦程式產品，更包含提供一 或多個可製造性容差，且其中該等第二圖像輪廓於 該一或多個可製造性容差内實質匹配該等第一圖 像輪廓。 15.如請求項14所述之電腦程式產品，其中該第一製 程模型包含一製程窗模型，且該第一圖像輪廓包含 I 輪廓之一邊帶，係對應於製程條件之一範圍。 16·如請求項12所述之電腦程式產品，其中修正該第 一修正佈局之該步驟包含執行光學鄰近修正。 17·如請求項12所述之電腦程式產品，其中修正該第 一修正佈局之該步驟包含解析度提高技術。 18·如請求項Γ2所述之電腦程式產品，其中該第二製 • 程模型包含一製程窗模型。 19·如請求項12所述之電腦程式產品，其中該第二製 程模型係較該第一製程模型準確。 20.如請求項12所述之電腦程式產品，其中該第一製 程模型為一精簡製程模型。 -30- 200834365 21. —種提供設計一積體電路之服務的方法，該服務包 含: 提供一或多個設計容差； 提供一佈局； 提供一第一製程模型； 修正該佈局以形成一第一修正佈局，使得第一 圖像輪廓滿足該一或多個設計容差，其中該等第一 圖像輪廓對應於使用該第一製程模型所決定的該 第一修正佈局； 提供一第二製程模型；以及 修正該第一修正佈局以形成一第二修正佈局， 使得第二圖像輪廓實質地匹配該等第一圖像輪 廓，其中該等第二圖像輪廓對應於該第二製程模型 所決定之該第二修正佈局。 22. 如請求項21所述之方法，其中該第一製程模型包 含一製程窗模型，且該等第一圖像輪廓包含輪廓之 一邊帶，係對應於製程條件之一範圍。 23. 如請求項21所述之方法，更包含提供一或多個可 製造性容差，且其中該等第二圖像輪廓於該一或多 個可製造性容差内實質匹配該等第一圖像輪廓。 24. 如請求項23所述之方法，其中該第一製程模型包 -31 - 200834365 含一製程窗模型，且該等第一圖像輪廓包含輪廓之 一邊帶，係對應於製程條件之一範圍。 25. 如請求項21所述之方法，其中修正該第一修正佈 局之該步驟包含執行光學鄰近修正。 26. 如請求項21所述之方法，其中修正該第一修正佈 局之該步驟包含解析度提高技術。 27. 如請求項21所述之方法，其中該第二製程模型包 含一製程窗模型。 28. 如請求項21所述之方法，其中該第二製程模型係 較該第一製程模型準確。 29. 如請求項21所述之方法，其中該第一製程模型為 一精簡製程模型。 30. 如請求項21所述之方法，更包含執行一佈局輸 出，係包含該等第一圖像輪廓及該第一修正佈局， 且提供該佈局輸出作為修正該第一修正佈局之該 步驟的輸入。 -32-