TW200822970A - Arrangement of ion exchange material within an electrodeionization apparatus - Google Patents

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TW200822970A
TW200822970A TW096133615A TW96133615A TW200822970A TW 200822970 A TW200822970 A TW 200822970A TW 096133615 A TW096133615 A TW 096133615A TW 96133615 A TW96133615 A TW 96133615A TW 200822970 A TW200822970 A TW 200822970A
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Description

200822970 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電去離 雷本雜工壯职 且尺将疋吕之係關於 去料衣置之濃縮室内離子交換材料的配置。 【先前技術】 ^去離子裝置之效能視離子濃縮室中已自離子排空室處 、!由其各別離子滲透膜遷移 工― 雅貝離子的濾除/阻隔/封裝
C υ 疋。電去離子裝置中之離子濃 質籬;夕^ …辰、^至可填充有:⑷收納雜 $ ^之水或水性溶液’或⑻結合—些離子料材料之水 或水性溶液。當離子濃縮室間隔物中填充有非離子傳導性 ㈣、,離子排空室中之離子在臈表面上直接進人離子濃縮 至的液體相中。發生溶液混合、 私 遷移及離子擴散以在 、、-段距離處提供均質液體。當離子濃縮室中含 離^ 專導性材料時,已自離子排空室中遷移出之雜質將殘 邊在其各別離子傳導性相中,直至雜質:⑷執行與溶液中 之另一離子的離子交換,或⑻連同來自帶相反電荷之離子 交換材料中的帶相反電荷之相應離子,藉由遷移而轉移至 液體相中。 對於遷移至離子濃縮室中之諸如Na+、K+、Li+等及C丨、
Br、NO〕、S0’等常見鹽離子,其濃度僅在流動通過離 子濃縮室之液體中增加。 對於酸性離子及鹼性離子,此等離子自離子交換材料相 向溶液的轉移可導致發生酸/驗發應,以形成中性化合 物。舉例而言,可能發生以下反應·· 口 123150.doc 200822970 H+(aq)+0H'(aq)->H20(l) H (aq) + CH3COO (aq)—>CH3COOH(aq)(醋酸形成) H+(aq)+HC03-(aq)^H2C03(aq)~>C02(aq)+H20(l)(碳酸形成) NH4+(aq)+〇H-(aq)—NH4〇H(aq)->NH3(aq)+H2〇(l)(氨形成) 在進入溶液相中之正離子與負離子形成具有低溶解度之 化合物的情形中,可產生較高之局部濃度水準以導致沈澱 • 形成。舉例而言,以下機制可能起作用:
Ca2 + (aq)+C032-(aq)->CaC03(s) (、· 及
Mg2 + (aq) + 20H*(aq)^Mg(0H)2(s) 控制發生此等結垢反應之位置對於電去離子裝置產生高 電阻率產物水及降低離子濃縮室中之結垢的能力而言係至 關重要的。離子濃縮室中之離子交換材料的組態對於產物 水電阻率的影響源自於:離子濃縮室中藉由酸/鹼中和反 應而形成之中性物質未被兩個離子滲透膜中之一者所濾除 G 的事實。所形成之諸如c〇2、CH3C〇〇h及其他弱酸的中^ 物質可擴散通過低pH值陽離子滲透膜,但若其與高口^值 陰離子滲透膜接觸,則其被離子化並濾除。同樣,諸如 • 顺3之弱驗未被陰離子滲透Μ除且能夠擴散通過陰科 • 滲透膜,但當與低ΡΗ值陽離子滲透膜接觸時變得離^化。 發生此回擴散(例如,〇〇2或(:^3〇:〇〇11通過陽離子浲透 膜,或NH3通過陰離子滲透膜)之速率取決於離子濃縮 <室 之物質的局部濃度及其相對於膜表面之位置,以及 123150.doc 200822970 在含有為惰性網所填充之離子濃縮室間隔物的電 衣置中,此等中性弱酸及弱鹼物質之漠度不會累積在膜表 =上且其向離子排空室中之回擴散達到最小。然而,在: 有為離子交換材料所填充之離子濃縮室的電去離子筆置 子中並非如此°心純陰離子、純陽離子或混合床離 乂換树脂之離子交換材料結構,弱酸及弱鹼雜質物質可 =離子交換材料相内行進,—直穿過離子㈣室之厚 到達相對之離子渗透膜的表面上。在此界面上,離子可能 ,到水合氫離子(陽離子渗透臈表面)或氫氧離子(陰離子渗 =臈表面)且形成中性分子。歸因於膜表面上之低線性速 -,可形成南遭度之此等中性物質,從而產生巨大驅動力 以使此等物質回擴散至相鄰離子排空室中。—旦此等物質 错由此回擴散傳輸至離子排空室中,便會發生離子化,其 使產物水電阻率降低。 【發明内容】 ^種電去離子裝置,其包括一具有離子交換材料之 獨特組態的離子濃縮室。 ,曲t 一態樣中’提供-種電去離子裝置,其包含:一離子 濃縮室、’其部分地以—陰離子參透膜為界且亦部分地以一 s離子透膜為界,及一安置在該離子濃縮室内之離子交 換材料域’其中該離子交換材料域鄰近該陰離子滲透膜及 ,陽離子滲透膜中之—者之—離子濃縮室側表面的至少一 4分’且與該陰離子渗透膜及該陽離子渗透膜中之該一者 勺另者隔開。该陰離子滲透膜及該陽離子滲透膜中之該 123150.doc 200822970 -者的該離子漠縮室側表面之該至、 子滲透膜及該陽離子渗透膜 Β界定了該陰離 表面之一操作側表面 二的該離子濃縮室倒 滲透膜中具有㈣離二J 維子渗透膜及該陽離子 U離子父換材料域相鄰之 表面之该至少一部分的該一者辰4至侧 中,該離子交換材料^ 陰離子滲透臈之情形 丁又換材抖域為一陰離子 陰離子滲透膜及兮陽Μ 2 & 、科主―域。在該 Ο Ο …子渗透膜中具有與該離子交換材料 域相钟之-離子濃縮室側表面之該至少 ,材科 一陽離子滲透膜之情形中 刀、^一者為 交換材料主導域。亥離子交換材料域為—陽離子 ^^態樣中,提供—種電去離子m包含、離 子浪縮室,其部分地以一第:離 乂間^件為界’其中該第一離子滲透膜為一陰離子承 透膜及一陽離子滲透膜中之一者;一安置在 " 内之第-離子交換材料域,盆〜離子濃縮室 HU t 弟一離子交換材料域鄰 …-離子渗透臈之一離子濃縮室側表面的至少一部 ^且其中該第-離子滲透膜之該離子濃縮室側表面的該 至>、一部分界定了該第一離子滲透膜之該 面的-操作側表面部分;及一安 =、、、百至侧表 二離子交換材料域,”相對"J子心室内之第 交換材料域進行之布署=ΓΓ件對該第一離子 心-杜ρ, 弟一離子交換材料域與該 二::件之間的—第一空間’且其中該第二離子 域…一部分被安置在該第—空間内。在具有與該第一 離子父換材料域相鄰之該離子濃縮室侧表面之該至少一部 123150.doc -10- 200822970 分的該第一離子渗读 ^ 、為一陰離子滲透膜 一離子交換材料域為-陰離子交換材料主::”,該第 子交換材料域為—非 、才枓主泠域且該第二離 第-離子交換材料 導或。在具有與該 -部分的該第—離子M子⑧縮室側表面之該至少 乐離子滲透臈為一陽離早炎、悉时 該第一離子交換材料 ^ ^ 、之情形中, 二離子交換材料域為、科主$域且該第 Γ Ο 在又-態樣中,提供一=材料主導域。 ^ ,Λ ’、種電去離子裝置,其包含.雜 一陽離”^子滲相為界且亦部分地以 陰離子滲透膜之一 >透膜包括一界定該 面,且其中該陽離子滲透 、子至側表 一離子濃缩 、括—界疋該陽離子滲透膜之 ::細至側表面積的離子濃縮室 子浪縮室内之第—離子交 位於4離 uη« ^ ^ 、才科域’其中該第一離子交換 材科域鄰近該陰離子滲 又換 該離子濃縮室側表面的至:―及^ 及該陽離子滲透膜中之該—者之:離二離子滲透膜 至少-部分界定了該陰離 ::至側表面的該 辞一土 ^ 運膜及離子滲透膜中之 中衫之4離子濃縮室側表面的一操作側表面部分,且其 中μ陰離子滲透膜及該陽離 - 漢縮室側表面的該操作侧表面部==之該離子 及該陽離子渗透膜中之該一者』二陰離子渗透膜 操作倒表面積部分,該摔 广至側表面的- 膜及該陽積卩分為該陰離子滲透 ’多透膜中之該一者之該離子濃縮室側表面積 123150.doc 200822970 的至少1 0%,且盆中盥兮Α私 ’、/、q *離子滲透膜及該陽離子滲透膜 中之該一者之該離子、黨給A 、 相比,該陰離子滲透膜二 =面的實質上任何其餘部分 ◊边膜及该陽離子滲透膜中之該一 縮室财面的該操作側表面部分最接 靜 離子滲透膜及該陽離子滲透膜 4 一雜工祕& — 处胰中之忒一者之一相對側上的 外 1至之一出口,且其中該第-離子交換材料域盥 该陰離子渗透膜及該陽離子渗透膜中之該一者之另一者的、 Γ u :離子濃縮!側表面之至少-部分隔開,且二: 縮室側表面之該至少―:二:者之另一者的該離子濃 離士 π刀界定了該陰離子滲透臈及該陽 直:/亥一者之另一者的一操作側表面部分,且 7、讀離子渗透膜及該陽料渗㈣巾之該— ==濃縮室側表面之該操作側表面部分界定了雜 陽離子參透膜中之該-者之另-者的該離 表面之一操作側表面積部分,該操作側表面積 °:陰離子滲透膜及該陽離子渗透膜中之該一者之另 :者的該離子濃縮室側表面積之至少1G%,且 ^ 離子渗透膜及該陽離子渗透膜中之該—者之另一者= 子濃縮室側表面之實質上…… 另者的该離 透膜及該陽離子渗透膜二=部分相比,該陰離子參 ^者之另一者的該離子濃縮 =二該操作侧表面部分最接近安置在該陰離子參透 2::::渗:膜中之該-者之另-者之-相對側上的 透膜中具有口。在該陰離子渗透膜及該陽離子滲 、-/、该第一離子交換材料域相鄰之該離子濃縮室 123150.doc -12- 200822970 側表面之該至少-部分的該一者為該陰離子渗透膜之情妒 中,該第一離子交換材料域為一陰離子交換材料主導域,7 且其中該陰離子交換材料主導域鄰近該陰離子渗透膜之^ 離子濃縮室側表面的至少一部分,且其中該陰離子心 :該離:漢縮室側表面的該至少-部分界定了該陰離4 、膜之祕子遭縮室側表面的—第―操作側表面部分 Γ ί) 匕中該f離子渗透膜之該離子濃縮室側表面的該第-操作 貞表面邛分界定了該陰離子滲透膜之 積部分,-操作侧表=: 子&透膜之該離子濃縮室側表面積的至少10%,且 滲透膜之該離子濃縮室側表面的實質上任 的L:作目二5亥陰離子滲透膜之該離子遭縮室側表面 -㈣Γ 分最接近安置在該陰離子滲透膜之 換材料二::離Τ排空室之一出口 ’且其中該陰離子交 …、導或人该陽離子滲透膜之該 至少-部分隔開,且其中該陽離子滲透膜 側表面的該至少一部分界定了該陽離子 ^•但至 縮室側表面的—第一操作側 且、:㈣子濃 透臈之該離子I縮室側表面的 離子渗 了該陽離子滲透膜之該離子濃側表面部分界定 表面積部分,該第一操作侧表面 J : -知作側 之該離子漠縮室側表面積的至少ι〇%,且=離子渗透膜 渗透膜之該離子濃縮室㈣面的❹^ 離子 比,該陽離子滲透 、何.、餘部分相 亥離子遭縮室側表面的該第一操作 123150.doc 200822970 側表面部分最接近安置在該陽離子滲透膜之一相對側上的 一離子排空室之一出口。在該陰離子滲透膜及該陽離子滲 透膜中具有與該第一離子交換材料域相鄰之該離子濃縮室 側表面之該至少一部分的該一者為該陽離子滲透膜之情形 中,該第一離子交換材料域為一陽離子交換材料主導域, 且其中該陽離子交換材料主導域鄰近該陽離子滲透膜之該 離子濃縮室側表面的至少一部分,且其中該陽離子滲透膜 之該離子濃縮室側表面的該至少一部分界定了該陽離子滲 透膜之該離子.濃縮室側表面的一第二操作側表面部分,且 其中該陽離子滲透膜之該離子濃縮室側表面的該第二操作 側表面部分界定了該陽離子滲透膜之該離子濃縮室側表面 的一第二操作側表面積部分,該第二操作側表面積部分為 該陽離子滲透膜之該離子濃縮室側表面積的至少1 〇%,且 其中與該陽離子滲透膜之該離子濃縮室側表面的實質上任 何其餘部分相比,該陽離子滲透膜之該離子濃縮室側表面 的該第二操作側表面部分最接近安置在該陽離子滲透膜之 一相對側上的一離子排空室之一出口,且其中該陽離子交 換材料主導域與該陰離子滲透膜之該離子濃縮室側表面的 至少一部分隔開,且其中該陰離子滲透膜之該離子濃縮室 側表面的該至少一部分界定了該陰離子滲透膜之該離子濃 縮室側表面的一第二操作側表面部分,且其中該陰離子滲 透膜之該離子濃縮室侧表面的該第二操作側表面部分界定 了該陰離子滲透膜之該離子濃縮室側表面的一第二操作側 表面積部分,該第二操作側表面積部分為該陰離子滲透膜 123150.doc -14- 200822970 之該離子濃縮室側表面積的至少ι〇% 滲透膜之該離子濃縮室側表面的:中與該陰離子 比’該陰離子渗透膜之該離子濃缩室側上任何其餘部分相 側表面部分最接近安置在該陰離 =一知作 一離子排空室之一出口。 還膜之—相對側上的 【實施方式】 (a)電去離子裝置 參看圖1,其中提供一包括至 齙不壯嬰^ 離子浪縮室12之電去 ::衣置1〇,該至少一離子漠縮室〗 子交換材料。 X直%再f之離 針對該電去離子裝置10, 45,雷丰μ工壯K j而δ ,且參看圖44及圖 衣ίο包括一配備有陽極32之陽極室%及一 配備有陰極35之陰極室34。室30、室3 以收納諸如水或水性溶液之電解㈣中之母一者經組態 ^ 電解材料125流。陽極32及陰 35之用於㈣至1^電源從而引發陽極32與陰極 :=,且由此藉由影響電位差來影響離子材料 才液體"貝及離子交換介質中的傳輸。 ,陽=室3〇與陰極室34之間交替配置複數個陰離子渗透 膜1 8及!%離子渗透膜2 〇 η形 、曲― 如形成交替之離子排空室36及離子 心至12。離子排空室36中之每一者的陽極側以陰離子參 1叫界且陰極側以陽離子渗透膜2〇為界。離子濃縮室 女之每纟的陽極側以陽離子滲透膜20為界且陰極側以 丢離子〇透膜i 8為界。陰離子滲透膜丄^經組態以允許優先 將陰離子傳輸至離子濃縮室12中。陽離子渗透膜_組態 123150.doc 200822970 以允許優先將陽離子傳輸至離子濃縮室12中。離子排空室 36經組態以經由入口 363接收諸如水性溶液之待處理液體 流361。液體流361在室36中進行淨化且作為經淨化之液體 流365而經由出口 367排出。離子濃縮室12經組態以接收諸 如水或水性溶液之液體流121,該液體流121接受了自離子 濃縮室12外之相鄰離子排空室36中傳輸出的離子。自室η 中排出液體流123,該液體流123中之此等離子濃縮。流經 f
室36之液體可相對於流經室12之液體在順流或逆流或交又 流方向上或以其他可能之流動組態進行流動。如圖C中所 說明,可自液體流12ι處供應電解質流125。或者,可自液 體流36丨或液體流365或其他合適之源頭處供應電解質流 125。 電去離子裝置之⑴離子排空室36及(ii)離子濃縮室(其中 名等至中之母一者均具有一分別由陽離子滲透膜20及陰離 子滲透膜18來界定兩個相對側的大體長方體形狀)的例示 ('生尺寸刀別如下·⑴ 13 emx39 emx()8 em 及i3 emx39 ’Ο·1⑽’其中第-尺寸為室之寬度,第二尺寸為室之 長度且第三尺寸為室之厚度,室之厚度更特定言之為膜18 與胰20之間的距離。電去離子裝置之電極室π、電極室 • 16 - 1 日4(二中忒等室中之每-者均具有-分別由離子滲透膜(在 :和至3〇之丨月形中為陰離子滲透膜18,且在陰極室34之情 形中為陽離子滲透膜2())及電極來界定兩個相對侧的大體 長^體形狀)的例示性尺寸如下· 13_39⑽復5請,其 第尺寸為室之寬度,第二尺寸為室之長度且第三尺寸 123150.doc 200822970 為室之厚度’室之厚度更特宗上 間的距離。h更特疋吕之為離子渗透膜與電極之 ::本:中所使用,術語,,陰離子滲透膜”意謂一膜… 組悲以在電去離子裝置10操作期間較之對陽離子之傳輸而工 言優先允許進行自離子排空室36至離子濃縮室12之阶離子 傳輸且以小於約6X丨〇'/min/cm/psi之透水性為特徵 Ο Ο 如本文中所使用,術語,,陽離子滲透膜,,意謂-膜,苴妳 組態以在電去離子裝置10操作期間較之對陰離子之傳輸: 言優先允許進行自離子排空室36至離子濃縮室12之陽離子 傳輸且以小於約6x ;! 0-7 L/min/cm/psi之透水性為特徵。 合適之離子滲制的實例包括異質料交制及均質離 子滲透膜。♦適之異質離子渗透膜包括(例如)Μ__ Intemati〇nal CMI_7000Stm(陽離子滲透臈)及以⑽卜⑽以 Intemati〇nal AMI-7001Stm(陰離子滲透膜)。合適之均質離 子今透膜包括(例如)GE Infrastructure Watu and Pr〇cess Technologies從前為I〇NICS)CR67HMpTM(陽離子滲透膜)及 GE Infrastructure Water and Process Technologies(從前為 I0NICS)A1 03QDPtm(陰離子滲透膜)。 在些貝施例中’可將陽極室30及/或陰極室34安置於 離子排空室36附近(應理解,在一些實例中,可將室3〇、 室34中之一者或兩者安置於離子濃縮室12附近),亦可認 為至30及室34係離子濃縮室。在此等情形下,室3〇或室34 經由離子滲透膜18或離子滲透膜2〇而與離子排空室3 6連通 且因此經組態以接收來自離子排空室36之離子材料,以使 123150.doc 17 200822970 得亦可認為室30及室34係離子濃 -i- ., 、’至12。對於陽極室3 0而 :η如此、、中陽極室鄰近離 滲透臈18而與離子排空室 i且错由陰離子 古悴、L 刀開冋樣,對於陰極室34而 二:二Ο ’其中陰極室34鄰近離子排空室36且藉由陽 $ ^咖而與離子排空室36分開。室30、室34可含有 離子交換材料或可含有諸如塑膠網之: 別膜與各別電極隔開從而允許電解質流經各別室。、將各 Γ 例t料t空室%中之每—者内安置有離子交換材料。舉 而:’離子交換材料為混合離子交換材料。如又一實 =離子排空室36為交替之陽離子交換材料域及陰離子交 換材料域所填充。用於在 交換材料物⑽_術之離子 I、、且恶描述於杲國專利第6,197,174號 中0 "又換材料之合適形態的實例包括珠粒、不規則形狀 織物或多孔單石。離子交換材料可包 括天然材料及合成材粗 —— 战材科如吴國專利第6,197,174號自第5 订,61排起所描述(亦見美國專利第$,州,奶號及美國專 利第6’228’240#υ) ’當將離子交換材料安置在離子濃縮室 或離子排空室中之杯一 者中時,離子交換材料可為緻密 的0 本文中所使用’術語”陰離子交換材料’’意謂優先對陰 離子物貝傳導的材料。就此而言,該材料經組態以在所施 電場之作用下選擇性地以周圍液體中之陰離子物質來交換 材料中所存在之陰離子物質且有助於經交換之陰離子物質 123150.doc -18- 200822970 的遷移。 如本文中所使用’術語,,陽離子交換材料"意謂優先對陽 離子物貝傳導的材料。就此而言,該材料經組態以在所施 電場之作用下選擇性地以關液體中之陽離子物質來交換 材料中所存在之陽離子物質且有助於經交換之陽離子物質 的遷移。
C
u適之陰離子父換材料的實例包括與二乙烯基苯交聯之 合成聚苯乙稀珠粒,該等珠粒藉由三甲基銨或二甲基乙醇 鉍基團(例如,Mitsubishi DIAION SA10A™ 或 Mitshbishi DIAION SA20A™)而官能化。 合適之陽離子交換材料的實例包括與二乙烯基苯交聯之 ά成來苯乙烯珠粒’該等珠粒藉由磺酸基團(例如,
Mitsubishi DIAION SK-1B™)而官能化。 如本文中所使用,術語”陰離子交換材料主導域14,,為包 各離子父換材料之離子濃縮室12内的一空間且包括以下特 倣·(1)域14包括陰離子交換材料且亦可包括陽離子交換材 料且若域1 4亦包括陽離子交換材料,則以γ來界定域^ 4 内之陰離子交換材料與陽離子交換材料的體積比,其中域 14之γ大於或等於約4:1,且在域14鄰近一不同之離子交換 材料域(諸如域16、域22、域141或域161中之任一者—見下 文)的情形中,域14之丫大於或等於該域14所鄰近之不同離 子父換域之γ值的兩倍,亦即,(域14之丫)^2><(該域14所鄰 近之不同離子交換材料域的γ) ; (11)域14包含基於域14之總 體積為至少約20體積%的陰離子交換材料;(iii)域14具有 123150.doc -19- 200822970 至/為約0.2¾米之最小厚度145,且當域14鄰近陰離子交 換膜18 %,自陰離子滲透膜18之表面上的點ι4〇ι且在一與 垂直於陰離子滲透膜18之軸143平行的方向上量測厚度 145(見圖46),及(^)域14足夠多孔以便有效地允許液體流 經域14且為達到此目的,域14以約6χΐ〇_7 力1·5 L/min/cm/psi之間的透水性(或該域之"比壓力損失π 的倒數)為特徵。舉例而言,域14具有—等效於至少1 〇 粒直徑之厚度的厚度’且一顆粒直徑之厚度為至少約〇.2 毛米舉例而s,域14包含基於域14之總體積為至少約3 〇 體積%的陰離子交換材料。如又一實例,域14包含基於域 14之總體積為至少約5〇體積%的陰離子交換材料。 如本文中所使用,術語”非陽離子交換材料主導域141 ” 為包含離子交換材料之離子濃縮室12内的一空間且包括以 I特徵:⑴域141包括陰離子交換材料且亦可包括陽離子 父換材料,且若域U1亦包括陽離子交換材料,則以γ來界 J 定域⑷内之陰離子交換材料與陽離子交換材料的體積 比’其中域⑷之7大於或等於約1:4;⑻域141包含基於域 ⑷之總體積為至少約1()體積%的陰離子交 141具有至少為崎米之最小厚度⑷,且當物鄰近 陰離子交換膜時’自陰離子渗透膜18之表面上的點副 且在-與垂直於陰離子滲透臈18之轴143平行的方向上量 測厚度Μ5(見圖50),·及㈣域⑷足夠多孔以便有效地允 岭液體流經域141且為達到此目的,域⑷以約㈤〇-7 L/min/Cm/psi與约Κ5 L/min/cm/psi之間的透水性(或今域之 123150.doc -20. 200822970 比C力損失的倒數)為特徵。舉例而言,域1 4 1具有一等 效於至少一顆粒直徑之厚度的厚度,且一顆粒直徑之厚度 為至少約0·2毫米。合適之陽離子交換材料的實例包括與 二乙烯基苯交聯之合成聚苯乙稀珠粒,該等珠粒藉由石黃酸 1 基團(例如,Mitsubishi DIAION SK-IBtm)而官能化。舉例 而言’域1 4 1之γ為至少約1 :1。 如本文中所使用,術語”陽離子交換材料主導域1 6,,為包 〇 含離子交換材料之離子濃縮室12内的一空間且包括以下特 徵·⑴域16包括陽離子交換材料且亦可包括陰離子交換材 料,且若域16亦包括陰離子交換材料,則以γ來界定域“ 内之陰離子交換材料與陽離子交換材料的體積比,其中域 16之γ小於或等於約1:4,且在域16鄰近一不同之離子交換 材料域(諸如域14、域22、域141或域161中之任一者)的情 幵y中,域1 6之γ小於或等於該域丨6所鄰近之不同離子交換 材料域之γ值的%(亦即,二分之一),亦即,(域16之丫仏 〇·5Χ(該域16所鄰近之不同離子交換材料域的γ);(屮域16 包含基於域16之總體積為至少約2〇體積%的陽離子交換材 料,(m)域16具有至少為約〇 2毫米之最小厚度181,且當 ‘ 則6鄰近陽離子交換材料20時,自陽離子渗透膜2G之表面 • 上的點183且在一與垂直於陽離子滲透膜20之軸185平行的 方向上量測厚度(見圖47);及(1丨域16足夠多孔以便有效 地允汴液體流經域1 6且為達到此目的,域丨6以約6 χ 1 γ L/min/Cm/pS1與約i5 L/min/cm/psi之間的透水性(或該域之 ’’比壓力損失”的倒數)為特徵。舉例而言,域16具有一等效 123150.doc -21 - 200822970 於至少一顆粒直徑之厚度的戸 又的;度,且一顆粒直徑之厚度為 至少約0 · 2毫米。舉例而古,0 —人廿 、 σ 域16包έ基於域16之總體積 為至少約30體積%的陽離子交換材料。如又—實例,域μ 包含基於域1 6之總體積為至少約5〇體積%的陽離子交換材 料0
如本文中所使用,術言吾”非陰離子交換材料主導域⑹" 意謂包含離子交換材料之離子濃縮室12内的_空間且包括 以下特欲·(1)域161包括陽離子交換材料且亦可包括陰離 子又換材料,且若域1 6丨亦包括陰離子交換材料,則以丫來 界定域161内之陰離子交換材料與陽離子交換材料的體積 比,其中域161之γ小於或等於約4:1 ; (π)域161包含基於域 161之總體積為至少約1〇體積%的陽離子交換材料;〇⑴域 161具有至少為約〇·2毫米之最小厚度181,且當域丨61鄰近 陽離子交換材料20時,自陽離子滲透膜2〇之表面上的點 183且在與垂直於%離子滲透膜20之軸185平行的方向上 量測厚度(見圖51);及(iv)域161足夠多孔以便有效地允許 液體流經域161且為達到此目的,域161以約6χΐ〇·7 L/mm/cm/psi與約L5 L/min/cm/psi之間的透水性(或該域之 比壓力損失的倒數)為特徵。舉例而言,域1 6 1具有一等 效於至少一顆粒直徑之厚度的厚度,且一顆粒直徑之厚度 為至少約0.2毫米。舉例而言,域161内之陽離子交換材料 與陰離子交換材料的體積比(或,,域161之丫”)為至少約U。 如本文中所使用,術語”混合離子交換材料域22,,意謂以 下情況令之任一者: 123150.doc -22- 200822970 (a) 域22為包含離子交換材料之室12内的一空間且包括以 下特徵··⑴域22包括陰離子交換材料及陽離子交換材 料,其中以γ來界定域22内之陰離子交換材料與陽離子 交換材料的體積比,其中域22之γ在約1:4與約4:1之間; 、 (11)域22包含基於域22之總體積為至少約10體積%的陰離 子父換材料且亦包含基於域22之總體積為至少約1〇體積 %的陽離子交換材料;(iii)域22具有至少為約〇·2毫米之 ( 最小厚度22 1,其中自域22上之一最接近陰離子滲透膜 1 8或陽離子滲透膜20中之任一者的點223且在一與垂直 於陰離子滲透膜18或陽離子滲透膜2〇之軸225平行的方 向上1測厚度221 (見圖48,其中出於此所說明之實例的 目的,將軸225當作垂直於陽離子滲透膜2〇之軸225,且 將點223當作域22上最接近陽離子滲透膜2〇的點223); 及(iv)域22足夠多孔以便有效地允許液體流經域22且為 達到此目的,域22以約6xl〇·7 L/min/cm/psi與約1.5 〇 L/min/cm/psi之間的透水性(或該域之,,比壓力損失,,的倒 數)為特徵;或 (b) 域22為室12内之一空間,其包含對陰離子物質及陽 ‘ 離子物質兩者均傳導之離子兩性材料,其中該域22具有 至 > 為約0,2宅米之最小厚度,其中自域22上之一最接 近陰離子滲透膜18或陽離子滲透膜2〇的點22〇3且在一與 垂直於陰離子滲透膜18或陽離子滲透膜2〇中之任一者之 軸2205平行的方向上量測最小厚度22〇1(見圖的,其中 出於此所說明之實例的目的,將軸22〇5當作垂直於陽離 123150.doc -23- 200822970 子滲透膜20之軸2205,且將點2203當作域22上最接近陽 離子滲透膜20的點2203);及(iv)域22足夠多孔以便有效 地允許液體流經該域22且為達到此目的,域22以約 6XHT7 L/min/cm/psi與約 L/min/cm/psi之間的透水性 (或該域之π比壓力損失”的倒數)為特徵。 舉例而言,部分(a)或部分(b)中之任一者界定—具有等 Ο
效於至少一顆粒直徑之厚度的最小厚度,且一顆粒直徑之 厚度為至少約0.2毫米。 應瞭解,混合離子交換材料域22之一”部分,,包括與上文 所描述之”混合離子交換材料域22”相同的特徵,但區別在 於,混合離+交換材料域22之一部分鄰近同一混合離子交 換材料域2 2之至少-其他部分以使得混合離子交換材料域 22包含此等部分。 亦應瞭解,混合離子交換材料域22可能同時安置在—或 夕個空間巾,且此視界定了多少個該等空間而定。此 外’應瞭解’所界定之空間中的兩者或兩者以上可能交合 以:成-交集以使得所界定空間中之該兩者或兩者以上; 之母者的至少-部分共同位於該交集中,且在該等情形 :’當混合離子交換材料域22之至少一部分安置於交集二 日^該混合離子交換材料域22之該至少—部分亦被認為安 置在:亥兩個或兩個以上之所界定空間中的每一者内。 語”大文中關於離子濃縮室側表面而使用的術語,術 *何剩餘部分”希望意謂以下情形中之任一者, ⑷任何剩餘部分中之幾乎所有者,或 123150.doc -24 - 200822970 (b)任何剩餘部分令之所有者, 離餘部分’’意謂(陰離子渗透膜或陽離子滲透膜之) 至倒表面上之除了操作側表面部分以外的彼等部 二子滲透膜或陽離子渗透膜之整個離子濃縮室 分;:界定操作側表面部分的情形中,+存在"剩餘部 〇 在父替之陰離子滲透膜18與陽離子滲透膜20之間插入間 隔物38、間隔物4〇從 仕相對之陰離子渗透膜18與陽離子 \間保持間隔且由此提供具有供流體流動之各別 ^路徑的室12、室36。用於電去離子裝置⑺之合適之間 美同勿8、間隔物4G的實例描述於美國專利第6,929,765號及 等^ 案第仍2〇〇4/〇104166 A1號中。間隔物之此 =例言《具有-網之間隔物,其中該網經提供以保持電 肖子I置10之離子濃縮室之相對膜之間的間距或一相對 端框架總成之間的間距且因此有助於在離子濃縮 、曲=^體流動路徑。應瞭解’含有離子交換材料之離 ,辰細至不必需要具有網之間隔物,因為離子濃縮室内之 :子交換材料有助於在室内提供流動路徑。說及此,構迻 I包括具有網之間隔物的離子濃縮室並不排除在本發明之 =外。因此,合適之間隔物包括具有網或不具有網的間 隔物0 參看圖44及圖45,在裝置10之終端處提供陽極室30及陰 =34。每一室3〇、室34均具有一界定於各別電極末端框 木4成42、電極末端框架總成料與塵在各別電極末端框芊 123150.doc -25 - 200822970 、’心成42、电極末端框架總成44上之各別膜之間且以各別電 極末端框架總成42、電極末端框架總成44及壓在各別電極 末端框架總成42、電極末端框架總成44上之各別膜為界限 、^机動路彳二。為裝配裝置10,施力以將陰離子滲透膜 1 8陽_子/參透膜2〇及相關聯之間隔物%、間隔物及末 端框架總成42、末端框架總成料中的每一者併在一起從而 形成大體不漏水之配置。美國專利第6,193,869號中提 Γ
U 電去離子裝置之構造的一實 ’、 、 5例或者’可精由液壓機及/ 或連桿來使電去離子裝置中之組件保持耦接在一起。 (b)具有-含離子交換材料之離子濃縮室的Ε 一實施例 罘 施例中且參看圖2圖13,_電去離子裝置ι〇之離 、/ 2 #刀地讀離子滲透膜18為界且亦部分地以陽 離子滲透膜20為界。將篦_ M& 將第離子父換材料域提供並安置在 離子濃縮室12内。第一雛;一枯u 长 離子父換材料域與陰離子滲透膜18 及=子渗透膜20中之一者之離子濃縮室側表面的至少— 口Ρ为相鄰。第一離子交拖 炎、#腺士 乂換材枓域與陰離子滲透膜及陽離子 滲透膜中之一者的另一去 丁 ^ 1〇 者隔開。參看圖2,當陰離子滲透 膜1 8及離子滲透膜2 〇中 之離子… 具有與第一離子交換材料域相鄰 之離子/辰縮室側表面之 瞪士 ^ 口P刀的该一者為陰離子滲透 、 卞,第一離子交換材料為險離早a u 參看心當陰離子渗透膜H 導域14。 第一離子交換材料域相鄰 膜20中具有與 八认姑 + 雕于/辰^室側表面之至少一部 刀、口/ 者為陽離子滲透膜20日车 ^ 膜2〇時,苐-離子交換材料域為 123150.doc -26· 200822970 陽離子交換材料主導域16。 、、曲舉^^ 3 ’亦將第二離子交換材料域提供並安置在離子 ~百至12内帛_離子交換材料域鄰近陰離子滲透膜及 離子滲透膜中 、 另一者的大體整個離子濃縮室側表 面。參看圖2,當陰離子渗透㈣及陽離子渗透膜⑼中具 Ο Ο 2與第一離子交換材料域相鄰之離子濃縮室側表面之至少 一部分的該-者為陰離子滲透膜18時,第:離子交換材料 j為非陰離子交換材料主導域161。舉例而言,非陰離子 又換材料主導域i 6 i包括陽離子交換材料主導域16,或域 161之整體為陽離子交換材料主導域16。如又一實例,非 陰離子交換材料主導域161包括混合離子交換材料域& 或域16 1之整體為混合離子交換材料域22。如再一實例, 域H1鄰近域14。參看圖3,當陰離子滲透膜a及陽離子渗 透臈20中具有與第一離子交換材料域相鄰之離子濃縮室側 表:之至少一部分的該一者為陽離子滲透膜⑼時,第二離 子又換材料域為非陽離子交換材料主導域“I。舉例而 言’非陽離子交換材料主導域i4i包括陰離子交換材料主 導j 14,或域141之整體為陰離子交換材料主導域μ。如 又一實例,非陽離子交換材料主導域141包括混合離子交 換材料域22 ’或域141之整體為混合離子交換材料域22。 如再一實例,域141鄰近域16。 、針對部分地以陰離子渗透膜18為界且亦部分地以陽離子 滲透臈20為界的離子濃縮室12,舉例而言,且參看圖4, 在離子濃縮室12内提供並安置陰離子交換材料主導域“及 123150.doc -27- 200822970 陽離子交換材料主導域i 6。降 _ ^ 飞 哈離子父換材料主導域14鄰近 膜1 8之表面2 6的至少一邱八B“ 一 " 77 膜2〇隔開。陽離子交換材 料主導域16鄰近陽離子渗透膜20之離子濃縮室側表面28之 至少:部分且與臈18隔開。舉例而言,域14鄰近域16。 、"刀地以陰離子务透膜i8為界且亦部分地以陽離子 滲透臈20為界的離子漢縮室12,舉例而言,且參看圖$, 在離子濃縮室12内提供並安置陰離子交換材料主導域14, 且在離子濃縮室1 2内;^ >fi£廿也1 m + f至丨2内徒供亚女置陽離子交換材料主導域 ϋ 16 ’且在離子濃縮室12内提供並安置混合離子錢材料域 22。陰離子交換材料主導域14鄰近賴之表面%的至少一 部分且與膜2〇隔開。相對於陽離子滲透膜20對陰離子交換 材料主導域14進行之布署界定了域14與膜2〇之間的一各別 第一空間。陽離子交換材料主導域16鄰近膜2〇之表面㈣ 至=、一部分且與膜18隔開。相對於陰離子渗透_對陽離 子父換㈣主導域16進行之布署界定了域16與膜Μ之間的 各別第一空間。將混合離子交換材料域Μ之至少一部分 f置在各別第一空間及第二空間中之至少一者内。舉例: a,域22鄰近域丨4及域16中之每一者。 針對部分地以陰離子滲透膜18為界且亦部分地以陽離子 渗透膜20為界的離子漠縮室12 ’舉例而言,且參看圖6及 圖7,陰離子渗透膜1S及陽離子滲透膜別中之每一者包括 各別離子漢縮室側表面26、離子濃縮室側表面28,皇中每 一表面26、表面28均具有一各別之表面積。在離子漠縮室 12内提供並安置第一離子交換材料,且該第一離子交換材 123I50.doc -28- 200822970 料鄰近陰離子渗透膜1δ及陽離子渗透膜财之一者之離子 濃縮室側表面26或離子濃縮室側表面28的至少一部分,且 亦與陰離子渗透膜及陽雜2& 腰及&料滲透膜中之-者的另-者隔 開。陰離子滲透膜1 8及陽雜工、头 %離子滲透膜2G中之—者·表面 2 6或側表面2 8的至少一都八w 6 1 a ‘ 刀1疋了陰離子滲透膜18及陽離 子滲透膜20中之一者之雜工、曲 考之離子》辰縮室側表面26或離子濃縮室 :表面28的—操㈣表面部分。陰離子渗透賴及陽離子 _ 滲透膜2 0中之一者之赫&、、曲^ (' 浪鈿室側表面26或離子濃縮室側 表面28的該操作側表面部分界定了陰離子渗透膜18及陽離 子滲透膜20中之一者之雜工、曲μ 者之離子浪縮室側表面26或離子濃縮室 ^面28的—操作側表面積部分’其為陰離子滲透膜18及 %離子滲透膜2G巾之-者之離子濃縮室側表面積的至少 10/。舉例而吕,針對陰離子渗透膜以及陽離子渗透膜π 者的離子濃縮室側表面%或離子濃縮室側表面28之
C 細作側表面積部分的相對大小’陰離子渗透膜似陽離子 參透版20中之-者的離子濃縮室側表面㈣離子濃縮室側 、之操作側表面積部分為陰離子滲透膜以及陽離子滲 相20中之一者之離子濃縮室側表面積的至少50%。如又 —實例’關於陰離子渗透膜18及陽離子渗透膜2〇中之一者 的離子濃縮室側表面26或離子濃縮室側表面28之操作側表 面積部分的相對大小,陰離子滲透臈18及陽離子滲透膜2〇 中之一者之離子濃縮室側表面26或離子濃縮室側表面28的 #作側表面積部分為陰離子滲透膜18及陽離子滲透膜20中 之—者的大體整個離子濃縮室側表面積。舉例而言,且參 123150.doc -29- 200822970 看圖8及圖9’針對陰離子渗透臈18及陽離子渗透膜2〇中之 一者的離子濃縮㈣表—子濃縮室側表㈣之操作 :表面卩刀的卫間布署’與陰離子滲透膜18及陽離子渗透 2=°:Ϊ者之離子濃縮室側表面%或離子濃縮室側表面 =貫質上任何其餘部分相比,陰離子渗透膜 滲透膜20中之一者之齙;、曲^ — 丁 離子1%至側表面26或離子濃縮室側 =的:作側表面部分最接近安置在陰離子渗透㈣及 口…。參看圖_,當Si:離子排空室36的出 ^9n . ^ ^ 田陰離子滲透膜18及陽離子滲透 ㈣中之-者之與第_離子交㈣㈣ 側表面26或離子濃縮室 =子4至 滲透膜18時,第一離子m之至)一部分屬於陰離子 竹14 ^ 子父換材料域為陰離子交換材料主導 财之-者之與第—離18及陽離子渗透膜 表面26或離子濃縮室側表面子辰縮至側 透膜20時,第_離子&/彳刀屬於陽離子渗 16。 ^乂換材科域為陽離子交換材料主導域 舉例而言,將第二離子φ 縮室12内且該第二離子交換材料=提供並安置在離子濃 離子滲透膜中之-者之另_、/、1近陰離子滲透膜及陽 面。參看圖6及圖8,當_ ^體整個離子濃縮室側表 中之一者之與 :广透膜18及陽離子渗透膜2〇 面26或離子濃縮室側表二= = 離子濃縮室側表 膜18時,第二離子交換材料域為二心:屬:陰離子滲透 F U離子父換材料主導域 123150.doc -30 - 200822970 Ο Ο 161。舉例而言,非陰離子交換材料主導域161包括陽離子 交換材料主導域1 6,或域1 61之整體為陽離子交換材料主 導域16。如又一實例,域161包括混合離子交換材料域 22,或域1 6 1之整體為混合離子交換材料域22。如再一實 例,域161鄰近域14。參看圖7及圖9,當陰離子滲透膜“ 及陽離子滲透膜20中之一者之與第一離子交換材料域相鄰 的離子濃縮室側表面26或離子濃縮室側表面28之至少一部 分屬於陽離子滲透膜20時,第二離子交換材料域為非陽離 子交換材料主導域141。舉例而言,非陽離子交換材料主 導域141包括陰離子交換材料主導域14,或域ΐ4ι之整體為 陰離子交換材料主導域14。如又一實例,域141包括混合 離子交換材料域22,或域141之整體為混合離子交換材料 域22。如再一實例,域141鄰近域16。 針對部分地以陰離子滲透膜18為界且亦部分地以陽離子 滲透膜2〇為界的離子濃縮室12,舉例而言,且參看圖1〇, 陰離子滲透膜18及陽離子滲透膜2G中之每—者包括各別離 子濃縮室侧表面26、離子濃縮室側表面28,其中每一表面 26 ,表面28均具有_各別之表面積,且在離子濃縮室内提 供並安置陰離子交換材料主導域14’且在離子濃縮室内提 供並安置陽離子交換材料主導域16。該陰離子交換材料主 導域14鄰近陰離子滲透㈣之離子濃縮室側表面26的至少 一部分’且與陽離子滲透膜2G隔開。陰離子滲透⑽之側 表面6的至^部分界定了陰離子滲透膜18之離子濃縮室 侧表面26的—操作側表面部分。陰離子滲透㈣之離子濃 123150.doc -31 · 200822970 = = 26的該操作側表面部分界定了陰離子渗透膜以 子炎^ 表面%的—操作側表面積部分,其為陰離 子今透膜1 8之離子、、貧化—/ r 士 _ 子辰鈿至侧表面積的至少10。/。。舉例而
吕’針對陰離子滲透膜J 8 M 、之離子浪細至側表面26之操作側 • =lt的相對大小,陰離子渗透膜18之離子濃縮室側 . 纟作側表面積部分為陰離子渗透膜18之離子濃縮 少5。%。如又一實例,關於陰離子滲透膜 (、 /辰細至側表面26之操作側表面積部分的相對大 ί. 藉’陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面%的操作側表面 陰離子渗透膜18之大體整個離子濃縮室側表面 ^該陽離子交㈣料主導域16鄰近陽離子滲透膜2〇之離 „室側表面28的至少一部分,且與陰離子渗透膜_ 離子滲透㈣之側表面28的至少—部分界定了陽離 子务透膜20之離子I缩室側表面28的—操作側表面部分。 陽離子滲透膜2〇之離子濃縮室側表面28的該操作側表面部 刀界疋了陽離子滲透膜20之離子濃縮室側表面㈣一操作 側表面積部分,其為陽離子渗透膜2〇之離子濃縮室側表面 積:至少1〇〇/❶。舉例而言’針對陽離子滲透膜2〇之離子濃 &至側表面28之操作側表面積部分的相對大小’陽離子滲 ^ U之離子4 側表面Μ的操作側表面積部分為陽離 今透膜20之離子濃縮室側表面積的至少游。。如又一奋 例’關於陽離子參透膜2〇之離子濃縮室側表面Μ之摔作2 2面積部分的相對大小,陽離子渗透膜2Q之離子濃縮室側 、面28的操作側表面積部分為陽離子渗透膜加之大體整個 123150.doc -32- 200822970 離子濃縮室側表面積。舉例 丑,看圖11,針對陰離 子參透膜18之離子濃縮室側表面26之操作側表面部分的空 間布署,與陰離子滲透膜18之離子濃縮室側表面26的實質 上任何其餘部分相比,陰離子渗透㈣之離子漠縮室側表 面%的操作側表面部分最接近安置在陰離子渗透膜η之相 對侧上之離子排空官3 6 & ψ ρ K,. ^ ^ 的出口 367。針對陽離子滲透膜20 之離:濃縮室側表面28之操作侧表面部分的空間布署,舉 (' W而言’與陽離子渗透膜2G之離子濃縮室側表面28的實質 上任何其餘部分相比,陽離子渗透膜2〇之離子濃縮室側表 面28的操作側表面部分最接近安置在陽離子渗透膜2〇之相 對側上之離干排空室36的出口 367。舉例而言,域Μ鄰近 域1 6 〇 針對部分地以陰離子滲透膜18為界且亦部 > 地以陽離子 渗透膜2〇為界的離子濃縮室12,舉例而言,且參看圖12, 陰離子渗透膜18及陽離子滲透膜2〇中之每-者包括各別離 ) +濃縮室側表面26、28,其中每—表面26、28均具有一各 別之表面積。在離子濃縮室12内提供並安置陰離子交換材 料主導域14,且在離子濃縮室以内提供並安置陽離子交換 材料主^域1 6,且在離子濃縮室丨2内提供並安置混合離子 父換材料域22。該陰離子交換材料主導域14鄰近陰離子滲 透膜18之離子濃縮室側表面%的至少一部分,且與陽離子 渗透膜20隔開。相對於陽離子滲透膜汕布署陰離子交換材 料主導域14界定了域14與膜2〇之間的一各別第一空間。陰 離子滲透膜18之側表面26的至少一部分界定了陰離子渗透 123150.doc -33- 200822970 二18之離子痕縮室側表面⑽—操作 滲透膜18之離子、、詹…6 7 刀 ❾離子 了陰離子渗了:…6的該操作側表面她^ 積部分,其為,離二:心至側表面26的-操作側表面 少齡舉:::透膜18之離子濃縮室側表面積的至 表面、’對陰離子渗透膜18之離子濃縮室側 之離子Γ;: 積部分的相對大小,陰離子渗透膜Μ 膜18之離的#作側表面積部分為陰離子滲透 於陰離子滲透膜18 貫例’關 部分的相對大小,二= 之操作側表面積 丨主 離子滲透膜18之離子濃縮室側表面26 的知作側表面積部分j ^ 縮室側表面積:,陽離二:臈18之大體整個離子漠 透⑽之離子濃;^ Γ 主導域16鄰近陽離子渗 、'矣* 側表面28的至少一部分,且與陰離子 β透膜18隔開。相對於 料主導蛣+ 卞◊㈣U而對%離子交換材 署界定了域16與膜18之間的-各別第 了 滲透膜2°之側表面28的至少—部分 %離子滲透膜2〇之離子漠墙 了 分。陽離子的一操作側表面部 面部八θ 離子心室側表面28的該操作側表 二 =離子渗透臈20之離子濃縮室側表㈣的- :面二:面積部分’其為陽離子滲透膜2〇之離子漠縮室側 至>1〇%。舉例而言,針對陽離子滲透膜20之離 子=至側表面28之操作側表面積部分的相對大小,陽離 子/參透膜2 0之離子〉、蔗維& /丨主 陽離子滲透膜2。之 細至側表面積的至少5〇%。如又 123150.doc -34- 200822970 -霄例’關於陽離子滲透臈20之離子濃縮室側表面28之操 作側表面積部分的相對大小,陽離子滲透膜20之離子濃縮 室側表面28的操作側表面積部分為陽離子渗透膜20之大體 整個離子濃縮室側表面積。舉例而言,且參看圖η,針對 .㈣子滲透膜18之離子濃縮室側表面%之操作側表面部分 2 =布署’與陰離子滲透膜18之離子濃縮室側表面26的 貫質上任何其餘部分相比,陰離子渗透膜18之離子濃縮室 〇㈣表面26的操作側表面部分最接近安置在陰離子滲透膜18 之相對側上之離子排处宮36的φ ^ 、 雕于排工至36的出口 367。針對陽離子渗透 膜之離子濃縮室側表面28之操作側表面部分的空間布 署,舉例而言,陽離子渗透膜20之離子漠縮室側表面28的 ㈣W舉例而言)與陽離子渗透膜2〇之離子濃缩 室側表面28的實質上任何其餘部分相比,最接近安置在陽 離子滲透膜2〇之相對側上之離子排空室36的出口 367。將 混合離子交換材料域22之至少一部分安置在各別第一空間 j Α第二空間中的至少-者内。舉例而言,域22鄰近域14及 域1 6中之每一者。 ⑷具有-含離子交換材料之離子漢縮室的咖裝置之第 二實施例 在另實施例中且參看圖14至圖34,—電去離子裝置⑺ 之離子濃縮室12部分地以第一離子渗透膜為界且亦部分地 T間隔70件24為界。第—離子參透膜為陰離子渗透膜18及 %離子渗透膜20中之一者。第一離子交換材料域被安置在 離子濃縮室12内且鄭折笛_雜24 、弟離子滲透膜18或第一離子滲透 123150.doc -35- 200822970 膑2六0之離子濃縮室側表面的至少一部分。當具有與第—離 一又換材料域相鄰之離子濃縮室側表面之至少一部分的第 始離子+透膜為陰離子渗透膜18(見圖14)時,第-離子交 j材科域為陰離子交換材料主導域14。當具有與第—離子 父換材料域相鄰之離子濃縮室側表面之至少一部分的第一 :子渗透膜為陽離子渗透臈2G(見圖15)時,第—離子 =域為陽離子交換材料主導域16β第二離子 域 :被以在離子㈣室如。㈣㈣隔元件24精^ j子父換材料域14或第__離子交換材料域Μ進行之布署界 =第-離子交換材料域14或第一離子交換材料域“與間 ^^24之間的—各別空間’其中第:離子錢材料域之 ^ 一部分被安置在該各別空間中。舉例而言,第二離子 又、材料域鄰近第一離子交換材料域。如又
U I:為第二離子渗透膜時,其中第二離子渗透膜二 2子渗透㈣及陽離子滲透㈣中之另—者,第二離子交 ,材料域鄰近陰離子渗透膜及陽離子渗透膜中之一者的另 一^在第:離子交換材料域為陰離子交換材料主導域Μ 2月形中’第二離子交換材料域為非陰離子交換材料主導 =。舉例:言,且參看圖14,域i6i包括混合離子交換 ^ 或域161之整體為混合離子交換材料域22。如 Si例,域161包括陽離子交換材料主導域16,或域161 =㈣㈣+交換材料主導_。在第一離子交換材料 子交換材料主導域16之情形甲,第二離子交換材 為非%離子交換材料主導域⑷。舉例而言,且表看 123I50.doc -36- 200822970 圖15 ’域141包括混合離子交換材料域22,或域141之整體 2混合離子交換材料域22。如又-實例,域ΐ4ι包括陰離 子交換材料主導域14,或域141之整體為陰離子交換材料 主導域Η。舉例而言,針對間隔元件24,諸如在間隔元件 ^4為電極的情形中,間隔元件大體上具有不透性。如又一 霄例’針對間隔元件,間隔元件為第二離子渗透膜,盆中 Γ 弟二離子滲透臈為陰離子渗透膜18及陽離子渗透㈣中之 一者的另一者。 在此實施例中,不要求將第_離子交換材料叫第一離 子父換材料16與間隔元件24隔開。就此而言,舉例而言, 且茶看圖20,當間隔元件24為陰離子渗透膜_,離子濃 &室!2被提供以陰離子滲透膜18且其部分地讀離子渗透 媒1 8為界且亦部分祕^ ΙΤΒ純、气 4Α 丨刀地以%離子滲透膜20為界。將陽離子交 料1 才料主導域16安置在離子濃縮室12内且該陽離子交換材 =導域_近陽離子滲透膜2〇之離子漠縮室側表面的至 ^部分。將混合離子交換材料域22安置在離子濃縮室η 内。相對於陰離子渗透 與膜之間的一各別進行之布署界定了域16 將此合離子交換材料域22之至 ^ 一部分安置在該各別办向 王間内。且,域22鄰近域16。很明 域16亦鄰近陰離子滲透膜18之一部分…。 針=分地以陰離子滲透膜18為界且亦部分地以間隔元 心^離子濃縮室12,且其中間隔元件24為電極25,
在離Ϊ參看^ 16 ’將陰離子交換材料主導域14安置 在離子》辰縮室12内且該险齙;A 险離子父換材料主導域14鄰近陰離 123l50.doc -37- 200822970 子渗透膜18之料濃 子交換材料域22亦安置 彳刀。將-合離 而斟哈雜2 a ’辰細至12内。相對於電極25 而對陰離子父換材料主導4 炻? S夕P弓AA /進仃之布署界定了域14與電 極25之間的一各別空間,豆人 至少一 w + β ,、中將此* 5離子交換材料域22之 至…“女置在該各別空間内 U。舉例而言,對 。咖近域 極25為陽極32。 至3〇而“-情況如此,其中電 Γ 針對部分地以陽離子滲透 /逯膑20為界且亦部分地以間隔元 2為界的離子濃縮室12,且其中間隔元件24為電極25’ 牛例而:’且參看圖17,將陽離子交換材料主導域16安置 在離子濃縮室12内且該陽離子交換材料主導域 離子渗透膜2。之離子濃縮室側表面的至少一部分。將混: 離子交換㈣域22亦安置在離子濃縮室咖。相對於電極 25而對陽離子交換材料主導域⑽行之布署界定了域㈣ 電極25之間的—各別空間,#中將混合離子交換材料相域 22之至少一部分安置在該各财間内。舉例而言,域22鄰 、或 $例而5 ’對於陰極室34而言可能情況如此,其 中電極25為陰極35。 針對部分地以陰離子渗透膜18為界且亦部分地以陽離子 渗透膜2G為界之離子濃縮室12,舉例而言,且參看圖似 ’9 ’將第-離子交換材料域14或第—離子交換材料域^ 女置在離子/辰縮至丨2内,且該第—離子交換材料域i 4或該 第一離子交換材料域16亦鄰近陰離子滲透膜18及陽離子滲 透膜2 0中之一者之離子濃縮室側表面的至少一部分。當险 123150.doc -38- 200822970 :今透Μ 18及陽離子滲透膜尉具有與第—離子交換材 :域相鄰之離子濃縮室側表面之至少一部分的該、 Γ Ο =子_膜_圖18)時’第—離子交換材料域為陰離: =換材枓主導域14。t陰離子渗透臈邮陽離子滲透膜^ I具有與第一離子交換材料域相鄰之離子濃縮室側表面之 部分的該—者為陽離子渗透膜2〇(見圖19)時,第一 :=材料域為陽離子交換材料主導域16。亦將混合離 相域22安置在離子濃縮㈣。相對於陰離 =财陽離子渗透膜2〇中之一者之另一者而對第一離子 乂、材料域14或第一離子交換材料域“進行的布署界定了 二:子交換材料域14或第一離子交換材料㈣與膜财 膜20中之该一者之另一 者之間的一各別空間,其中將混合 子父換材料域22之至少一部分安置在該各別空間内。舉 例而言,域22鄰近第一雛工^ α I、弟離子父換域14或第一離子交換域 1 6 〇 針對部分地以陰離子滲透膜18為界且亦部分地以陽離子 滲透臈20為界的離子濃縮室12,舉例而言,且參看圖2卜 將,離子交換材料主導域咐置離子濃縮室Η内,將陽離 ^交換材料主導域16安置離子濃縮室12内,且將混合離子 又換材料域22安置離子濃縮室12内。陰離子交換材料主導 ^ i ^安置以鄰近陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面的 至少一部分。陽離子交換材料主導域16經安置以鄰近陽離 子參透膜20之離子濃縮室側表面的至少一部分。相對於陽 _子〇透膜20而對陰離子交換材料主導域14進行之布署界 123150.doc •39- 200822970 定了域14與膜20之間的一各別第一空間,且相對於陰離子 渗透膜18對陽離子交換材料主導域16進行之布署界定了在 域16與膜18之間的一各別第二空間,其中將混合離子交換 材料域22之至少一部分安置在各別第一空間及第二空間中 之至少一者内。舉例而言,域22鄰近域14及域16中之每一 者。 u 針對部分地以離子渗透膜為界(其中離+渗透膜為陰離 子滲透臈18及陽離子滲透膜2〇中之一者)且亦部分地以間 隔元件^為界的離子濃縮室,舉例而言,且參看圖22及圖 23 ’將第—離子交換材料域"或第—離子交換材料域Μ安 置㈣子濃縮室内,其中相對於間隔元件24而對第一離 子交換材料域14或第一離子交換材料域16進行之布署界定 y第-離子交換材料域14或第一離子交換材料域“與間隔 件24之間的一各別空間,且將第二離子交換材料域安置 在離子濃縮室12内,其中亦將第二離子交換材料域之至少 :::置在各別空間内。離子渗透膜18或離子渗透膜2。 面積之離子濃縮室側表面26或離子漠縮室側 二戈第一 Ϊ女置在離子濃縮室12内之第一離子交換材料域 膜二奐材料域16鄰近離子渗透膜18或離子滲透 膜。:料“室側表面26或離子濃縮室側表 一^。料滲透心杨子料㈣ 面26或離子I縮室側表面28的該至少—部辰'至側= 透膜18或離子滲透膜2()之離1疋了離子沴 、&至側表面26咬離早、、建化 室側表面28的-操作側表 次料展縮 刀離子滲透膜18或離子滲 123I50.doc -40- 200822970 透膜20之離子濃縮室側表 , , r , 〇忒離子,辰縮室側表面28的該 知作側表面部分界定了離子渗 ^ ^ ^ ^運朕18或離子滲透膜20之離 于》辰細室側表面26或離子灑綠主1。。 積部分,…J 的一操作側表面 積口I刀’该輛作侧表面積部分 膜20之離早、曲— 子渗透膜18或離子渗透 女' 子心至側表面積的至少10%。舉例而言,針對 離子滲透膜18或離子滲透膜2〇 子濃縮室側表面28之摔作側表面藉Γ ^至側表面26或離 ^、 炙奋作側表面積部分的相對大小,離子 Ο &透膜1 8或離子滲透膜20之離子濃$ # # 辰鈿至側表面26或離子濃 ㈣面積部分為離子滲 渗透膜-之離子濃縮室側表面積的至少5。%。如二 1=離子渗透膜18或離子渗透膜2。之離子濃縮室側: 赫肖子浪細室側表面28之操作側表面積部分的相對大 ⑽子2透臈18或離子滲透膜2G之離子濃縮室側表面26 =4室側表面28的操作側表面積部分為離子渗透膜 =離子渗透膜2。之大體整個離子濃縮室側表面積: 而吕,且參看圖24及圖25, 膜20之^〜 情離切透㈣或離子渗透 :之:子4室側表面26或離子濃縮室側表面28之操作 之離;、…料-離子今透㈣或離子滲透膜2〇 離子咖側表面26或離子漠縮室側表面28的實質上任 何其餘部分相t卜,M工、办、头2 >上任 料*相18或離子料⑽之離子、! 細至側表面2 6啖齙羊、、貧…6 士 /辰 接近安署力雜表面28的操作側表面部分最 切透膜18或料料㈣之彳目冑側上 子排空室36的么尤 』工<離 離^始 看圖22及圖24,當具有與第- 又換材料域相鄰之離子濃縮室側表面26或離子濃縮室 123150.doc -41 - 200822970 側表面28之至少—邻八 陰離子滲透膜18時^ ;子渗透膜18或離子渗透膜20為 料主導域14。表看二離子交換材料域為陰離子交換材 枓域相鄰之離子濃缩含彳日丨生 木雕于乂換材 至w、一# χ 、、彳至侧表面26或離子濃縮室側表面28之 至^一部分的離子滲透腹 膜2〇時,第-離子Γ1 料 2G為陽離子滲透 ^ 乂、材料域為陽離子交換材料主導域 + IW ’第二離子交換材料域鄰近第-離子交換材 Μ °又—實例,當間隔元件24為第二離子滲透 =間隔元件24為陰離子渗透膜18及陽離子渗透膜20中之 的另一者’第二離子交換材料域鄰近陰離子渗透膜及 陽離子滲透膜中之一者的另一者。參看圖22及圖24,在第 一離子錢㈣域為陰離子交換材料主導域14的情形中, 弟二料交換材料域為非陰離子交換材料主導域161。舉 例而σ,域161包括混合離子交換材料域22,g域⑹之整 ㈣混合離子交換材料域。如又一實例,域ΐ4ι包括陽離 子又換材料主導域16,或域161之整體為陽離子交換材料 域16。參看圖23及圖25 ’在第一離子交換材料域為陽離子 交換材料主導域16的情形中,第二離子交換材料域為非陽 離子交換材料主導域141。舉例而言,域141包括混合離子 交換材料域22,或域141之整體為混合離子交換材料域。 如又一實例,域141包括一陰離子交換材料主導域14,或 域141之整體為陰離子交換材料主導域。舉例而言,針對 間隔元件24,諸如當間隔元件24為電極(見圖%至圖29) 時,間隔元件24大體上具有不透性。如又一實例,針對間 123150.doc -42· 200822970 隔元件24,間隔元件24為第二離子滲透膜,其中該第二離 子滲透膜為陰離子滲透膜18及陽離子渗透膜2〇中^ 一:的 另一者(見圖30至圖35)。 Γ Ο 針對部分地以陰離子渗透膜18為界且亦部分地以間隔元 件24為界的離子濃縮室12,且其中間隔元件24為電極25, 舉例而言,且參看圖26,將陰離子交換材料主導域14安置 在離子濃縮室内,其中相對於電極25而對陰離子交換材 料主導域!4進行之布署界定了域14與電極^之間的一各別 空間。將混合離子交換材料域22安置在離子濃縮室内,宜 中混合離子交換材料域22之至少一部分被安置在該各別空 間内。陰離子滲透膜18包括一界定—表面積之離子濃縮室 側表面26,其中安置在離子濃縮室12内之陰離子交換材料 主導域14鄰近陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面26的至 少一部分。陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面%的至少 一部分界定了陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表㈣的一 =作側表面部分。陰離子滲透㈣之離子濃縮室側表面% ^作側表面部分界定了陰離子渗透臈18之離 =一操作側表面積部分,該操作側表面積部分為陰 ▲ ’膜18之離子i縮室側表面積的至少抓。舉例而 吕,針對陰離子滲透膜18之離 表面積部分的相對大小,⑽子側表面26之操作側 —操作側表面積部離子漠縮室側 室側表面積的至少J :又:子 離子漠縮 18之離子、”—。。又一實例’針對陰離子滲透臈 之離子心室側表面26之操作側表面積部分的相對大 123150.doc -43 - 200822970 Ο Ο t,陰離子滲透膜18之離子濃縮室側表面26的操作側表面 積部分為陰離子渗透臈18之大體整個離子濃縮室側表面 ^舉例而言’且參看圖27’針對陰離子滲透膜18之離子 濃縮室側表面26之操作側表面部分的空間布署,盥吟離子 滲透㈣之離子濃縮室側表面26的實質上任何其餘杳;分相 比,陰離子滲透㈣之離子濃縮室側表面26的操作側表面 =分最接近安置在陰離子渗透臈18之相對側上之離子排空 至36的出口 367。舉例而言’域22鄰近域14。舉例而言, 對於陽極至3G而s可能情況如此,其中電極為陽極^。 針對部分地以陽離子滲透膜2〇為界且亦部分地以間隔元 件24為界的離子濃縮室12,且其中間隔元件^為電極^, 舉例而言’且參看圖28 ’將陽離子交換材料主導域Η安置 在離子濃縮室12内,其中相對於電極25而對陽離子交換材 枓主導域16進行之布署界定了域16與電極25之間的一各別 空間°將混合離子交換材料域22安置在離子濃縮室η内, 其中混合離子交換材料域22之至少一部分亦被安置在該各 =間内。陽離子渗透膜20包括一界定一表面積之離子漠 ^側表面28’且安置在離子濃縮室12内之陽離子交換材 枓主導域16鄰近陽離子渗透膜2〇之離子濃縮室側表面_ 至少一部分。陽離子渗透臈2〇之離子濃縮室側表面Μ的至 :=广了陽離子㈣膜2〇之離子濃縮室側表面㈣ —才呆作側表面部♦。陽離子渗透膜2〇之離 28的操作侧表面部分界 .、、目至彳彳表面 側表㈣的-操作側表子=°之離子濃縮室 檟邛刀§玄刼作側表面積部分為 123150.doc -44- 200822970 陽離子渗透膜2〇之離子濃縮室側表面積的至少n =’針對陽離子渗透膜20之離子濃縮室側表㈣之操作 貝、面積部分的相對大小,陽離子渗透膜2g之離 側表面_操作側表面積部分為陽離子渗透膜2〇子:
:=面積的至少·。如又-實例,針對陽離子滲: 膜w離子濃縮室側表面28之操作録面積部分的相對大 〗1¼離子參透膜2〇之離子濃縮室側表面28的操作側表 積部分為陽離子渗透膜2G之大體整個離子濃縮室側表面 例而言’且參看圖29,針對陽離子滲透膜之離子 =細至側表面28之操作側表面部分的空間布署,與陽離子 ―透膜20之離子濃縮室側表面28的實質上任何其餘部分相 ^ ’陽離子渗透臈2G之離子I缩室側表面28的操作側表面 :分最接近安置在陽離子滲透膜2〇之相對側上之離子排空 至36的出口 367。舉例而言,域22鄰近域μ。舉例而言, 對於陰極室34而言可能情況如此,其中電極為陰極& 針對部分地以陰離子滲透膜18為界且亦部分地以陽離子 滲透膜20為界之離子濃縮室12,舉例而言,且參看圖3〇及 ^ 31,將第一離子交換材料域14或第-離子交換材料域16 女置在離子濃縮室12内且該第—離子交換材料域Μ或第一 離子交換材料域16鄰近陰離子滲透膜18及陽離子滲透膜別 中之者之離子濃縮室側表面26或離子濃縮室側表面28的 至^ 一部分。亦將一混合離子交換材料域22安置在離子濃 鈿至12内。相對於陰離子滲透膜18及陽離子滲透臈20中之 者的另者而對第一離子交換材料域14或第一離子交換 123150.doc -45- 200822970 (、 Ο :料域16進仃之布署界定了第一離子交換材料域ι4或第— 離子父換材料域16與陰離子渗透膜18或陽離子渗透膜2〇中 者之另者之間的一各別空間。混合離子交換材料域 2之至^ 一部分被安置在該各別空間内。舉例而言,域22 鄰近第—離子交換材料域14或第一離子交換材料_。離 ^農縮室側表面26或離子濃縮室側表面28之至少一部分界 $ 了陰離子滲透膜18及陽離子渗M2G中之-者之離子漢 鈿至側表面26或離子濃縮室側表面28的一操作側表面部 分。陰離子渗透膜18及陽離子渗透㈣中之一者之離子濃 跑)表面26或離子濃縮室側表面以的操作側表面部分界 定了陰離子渗透膜18及陽離子渗透膜2〇中之一者之離子漢 5室側^面26或離子濃縮室側表面㈣—操作側表面積部 物作側表®積部分為陰離子料膜18及陽離子渗透 \中之者之離子濃縮室側表面積的至少丨〇%。舉例而 言:針對陰離子滲透膜18及陽離子渗透膜20中之-者的離 f濃縮室側表面26或離子漠縮室側表面28之操作側表面積 ^分的相對大小,陰離子渗透膜18及陽離子滲透膜2〇中之 者之離子/辰室側表面26或離子I縮室側表面28的操作 側表面積部分為陰離子渗透膜18及陽離子渗透膜辦之一 者之離子濃縮室側表面積的至少鄉。如又―實例 2子㈣膜18及陽料渗透膜尉之-者的離子濃縮室 貝1又面2 6或離子漠縮室側表面2 8之操作側表面積部分的相 ,陰離子滲透膜及陽離子滲透膜20中之一者之離子 很、%至側表面26或離子漠縮室侧表面28的操作側表面積部 123150.doc -46- 200822970 =!:渗透膜18及陽離子渗透膜2。中之-者的大體整 針J: 表面積。舉例而言,且參看圖32及圖 、情陰離子滲透臈18及陽離子滲透膜尉之 縮室側表面26或離子嚿纩a以主 有之離子/辰 ^ /、、、§至側表面28之操作側表面部分的 工β布署,與陰離子渗透臈18及陽離子渗透⑽中之一者 之離子濃縮室側表面26 口戈離+、、f v ’子,辰縮至側表面28的實質上任 Ο 一\ 刀相比’陰離子渗透膜18及陽離子滲透膜2〇中之 ^之離子濃縮室側表面26或離子濃縮室侧表面U的操作 心 心置在陰離子㈣賴及陽離子滲透膜 之一者之相對側上的離子排空室%之出口初。參看 回30及圖32,當陰離子滲透膜1 勝8及场離子滲透膜20中具有 與第一離子交換材料域相鄰 Μ工、曲种丨女置之離子濃縮室側表面26或 離子浪縮至側表面28之至少一部八沾— ^ t 〇 ^ ^ 邛刀的该一者為陰離子滲透 膜1 8時,第一離子交換姑 μ u 于乂換材科域為陰離子交換材料主導域 二參看圖31及圖33’當陰離子渗透膜u及陽離子渗透膜 ==第一離子交換材料域相鄰安置之離子漠縮室側 =6或料漠縮室側表面28之至少一部分的該 離子滲透膜20時,第一離子交換 、枓或為陽離子交換材料 主導域1 6。 18為界且亦部分地以陽離子 ,舉例而言,且參看圖34, 置離子濃縮室12内,將陽離 濃縮室12内,且將混合離子 2内。该陰離子交換材料主 針對部分地以陰離子滲透膜 /參透膜20為界的離子濃縮室a 將陰離子交換材料主導域丨4安 子父換材料主導域1 6安置離子 交換材料域22安置離子濃縮室 123150.doc -47- 200822970 鄰近陰離子滲透膜18之離子濃縮室側表㈣的至少 域;::行==離子渗透臈2°而對陰離子交換材料主導 二= 了域M與陽離子渗透膜2°之間的-各 弟一工間。陰離子渗透膜18之側表面26的至少一部分界 ^陰=渗透膜18之離子濃縮室側表面㈣—操作側表 側;二:!渗透膜18之離子濃縮室侧表面26的該操作 :)表面=疋了陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面26 的一操作側表面積部公, m面積的至少·。。舉例而:透膜18之離子濃縮 之離子濃縮室側表面26之操作側:面藉對陰離子渗透膜18 陰離子滲透㈣之離子濃衫^積部分的相對大小, \也 細至側表面26的操作側表面積部 ::為一陰離子渗透膜以之離子漠縮室側表面積的至少5:, 之二=卜關於陰離子滲透膜18之離子濃縮室側表面26 、曲^貝'义面積部分的相對大小,陰離子滲透膜18之離子 心至側表面26的操作側表面積部分為陰離子渗透膜18之 大體整個離子濃縮室側表面積。該陽離子交換材 ^鄰近陽離子滲透膜2G之離子濃縮室側表面Μ的至少—部 ^相對於陰離子料臈18而對陽離子交換 進行之布署界定了域16與陰離子渗透膜此間的一 -空間。陽離子渗透臈2G之側表面28的至少_部分界定了 輯子渗透㈣之離子濃縮室側表面咖―操作側 为。陽離子滲透臈20之離子濃縮室側表面Μ 4 面部分界定了陽離子滲透膜2 、永作側表 操作側表面積部分,該摔縮室側表面28的- 森作側表面積部分為胃離子渗透膜 123150.doc -48- 200822970 20之離子濃縮室侧表面積的至少㈣ 離子渗透膜2。之離子濃縮室側表㈣之操二;面:對陽 :相對大小,陽離子_。之離子濃縮室I*:: 谢表面積部分為陽離子滲透㈣之離子濃縮 面 的至少50%。如又_眚柄 表面積 • ^ 貫例,針對陽離子滲透臈20之離子i 細室側表面28之操作側表面積部分的相對大小’陽2、r 之離子濃縮室側表面28的操作側表面積部分為陽離 〇 ㈣之大體整個離子漠縮室側表面積。舉例而+, 且茶看圖35,針對陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表⑽ 之插作側表面部分的空間布署,與陰離子渗透膜Μ之離子 濃縮室側表面26的實質上任何其餘部分相比,陰離子渗透 膜此離子濃縮室側表面26的操作側表面部分最接近安置 在陰離子渗透膜18之相對側上之離子排空室%的出口 367舉例而5 ’針對陽離子滲透膜2〇之離子濃縮室側表 面28之操作側表面部分的空間布署,與陽離子渗透膜別之 ) 離子濃縮室側表面28的實質上任何其餘部分相比,陽離子 渗透膜20之離子濃縮室側表面28的操作側表面部分最接近 安置在陽離子滲透膜20之相對側上之離子排空室%的出口 367。將混合離子交換材料域22之至少—部分安置在各別 第-空間及第二空間中的至少一者内。舉例而言,域22鄰 近域I4及域16中之每一者。 (d)具有一含離子交換材料之離子濃縮室的edi裝置之第 三實施例 參看圖36及圖37,在另一實施例中,電去離子裝置1〇經 123150.doc -49- 200822970 供以包括-Jcr7 ,, 陽離子°刀以陰離子㈣膜18為界且亦部分地以 ’>透膜2 0為界的離早、、曲 6 括一 X 6 一* /辰、%至12。陰離子滲透膜18包 1疋一表面積之離子濃縮 膜20包括一界定 =至側表面26’且陽離子滲透 子交換材料心、 子濃縮室側表面Μ。第一離 ^換材枓域被安置在離子濃縮室咖,其中 父換材料域鄰近@ ^ j 者m ^ ^ ' 18及陽離子滲透膜20中之一 Ο Ο 邱八I 側表面26或離子濃縮室侧表㈣的至少- 二二離子滲透膜18及陽離子滲透臈2°中之該-者之側 表面26或側表面28的該至 ^ M ^ ^ 邛刀界疋陰離子滲透膜18及 %離子滲透膜20中之一者之雜 纩〜,主 彳之離子濃縮室側表面26或離子濃 、、、§至側表面28的一操作側表面部分 ^ ^ ^ ^ 田丨刀陰離子滲透膜18及陽 ,=透咖中之-者之離子㈣室側表㈣或離子濃縮 =表㈣的_作側表面部分界^了陰離子渗透膜财 除離子滲透膜20中之一者之雜;、曲…— 者之離子浪縮室側表面26或離子濃 :縮室側表面28的-操作側表面積部分,該操作側表面積部 /刀為陰離子渗透膜18或胃離子渗透膜2〇中之一者之離子濃 縮室側表面積的至少10%。舉例而言,針對陰離子渗透: 似陽離子渗透膜20中之-者的離子濃縮室側表_或離 子I缩室側表面28之操作表面部分的相對大小,陰離子渗 透膜18及陽離子滲透膜腳之—者之離子濃縮室側表㈣ 或離子濃縮室側表面28的操作側表面積部分為陰離子承透 ㈣及陽離子滲透膜尉之-者之離子“室側表面積的 至少50%。如又-實例,針對陰離子滲透㈣及陽離子承 透膜20中之-者的離子濃縮室側表面26或離子濃縮室側表 123150.doc -50- 200822970 面28之知作側表面積部分的相對大小,陰離子渗透膜18及 陽料渗透膜2〇令之—者之離子漠縮室側表面26或離子濃 2至:表面28的操作側表面積部分為陰離子滲透膜職陽 子滲透膜20中之—者的大體整個離子i缩室側表面積。 與陰離子渗透膜18及陽離子滲透膜2〇中之一者之離子漢縮 室側表面26或離子濃縮室侧表面_實質上任何其餘部分 相比,陰離子渗透膜18及陽離子滲透膜20中之一者之離子 Ο
CJ 濃縮室側表面26或離子濃縮室側表面28的操作側表面部分 取接近安置在陰離子渗透膜18及陽離子渗透臈财之一者 之相對側上的離子排空室36之出口初。第一離子交換材 料域亦與陰離子滲透臈18及陽離子渗透膜20中之一者之另 者的離子I縮室側表面26或離子濃縮室側表㈣之至少 -部分隔開。陰離子滲透膜18及陽離子滲透膜20中之該一 者f另—者的離子濃縮室側表面26或離子濃縮㈣表面Μ 之5亥至少-部分界定陰離子滲透膜1S及陽離子渗透膜別中 之該一者之另一者的離子漠縮室側表面26或離子濃縮室側 表面28之操作側表面部分。該陰離子渗透膜18及陽離子滲 =膜20中之該—者之另一者的離子濃縮室側表面μ或離子 展細至側表面28之該操作側表面部分界定了陰離子渗透臈 18及陽離子參透膜 夕透膜20之该一者之另一者的離子濃縮室側表 面26或離子濃縮室側表面Μ之一操作側表面積部分,該操 作側表面積部分為陰離子渗透臈i 8及陽離子渗透膜2〇中之 一者之另—者的離子漢縮室側表面%或離子濃縮室側表面 28之離子濃縮室側表面積的至少10°/”舉例而言’針對陰 123150.doc -51 - 200822970 離子渗透膜18及陽離子渗透膜2Q中之該—者之另一者的離 子濃縮室側表面26或離子濃縮室側表面28之操作表面部分 的相對大小’陰離子滲透膜18及陽離子滲透顏中之該一 粒另—者的離子漠縮室側表面26或離子濃縮室側表面28 之操作側表面積部分為险工 馮陰離子滲透膑18及陽離子滲透膜2〇
中之該—者之另—者的離子濃縮室側表面積之至少50%。 如=-實例’針對陰離子渗透臈18及陽離子渗透膜2〇中之 κ者之$ I的離子濃縮室側表面26或離子濃縮室側表 ㈣之操作側表面積部分的㈣大小,陰離子渗透膜似 陽離子/多透膜20中之該一者之另一者的離子濃縮室側表面 26或離子濃縮室側表面28之操作側表面積部分為陰離子渗 透膜18及陽離子渗透膜2〇中之該一者之另一者的大體整個 離子濃縮室側表面積。與陰離子渗透膜18及陽離子滲透膜 〇中之„亥一者之另一者的離子濃縮室側表面或離子濃縮 室側表面28之實質上任何其餘部分相比,陰離子滲透膜18 及陽離子滲透膜20中之該—者之另—者的離子濃縮室側表 面26或離子濃縮室侧表面28之操作側表面部分最接近安置 在陰離子滲透膜18及陽離子滲透膜2〇中該一者之另一者之 相對側上的離子排空室36之出口 367。 參看圖36,在陰離子滲透膜18及陽離子滲透膜2〇中具有 人第離子父換材料域相鄰之離子濃縮室側表面之至少一 部分的該一者為陰離子滲透膜丨8的情形中,第一離子交換 材料域為陰離子父換材料主導域1 4。第一離子交換材料域 (亦即,陰離子父換材料主導域14)鄰近陰離子滲透膜1 8之 1231 5〇.(J〇q -52- 200822970 離子濃縮室側表面26的至 夕 口 ί1分。陰離子滲透M ) 表面26的至少—部分界 /相18之側 側表面26的第一摔作側#離子渗透膜18之離子濃縮室 。弟知作側表面部分。陰離子 绫縮室側表面26的第—据祚^ i 、18之離子 膜18之離子濃縮室側表 了陰離子參透 , ^ ^ 4σ ^ 的第一知作側表面積部分, ,、為陰離子滲透膜18之離子濃縮室 側表面積的至少1〇%。舉 主 離子m本 J而吕’針對陰離子滲透膜is之 (; 一刼作側表面積部分的相對大 小,陰離子滲透膜18之離子澧缩H 的相對大 于鈿側表面26的該第一操作 側表面積部分為陰離子渗 ” 至少50%。如又—,丨4之離子㈣室側表面積的 ^ 、㈣陰離子㈣膜18之離子濃縮 〇表面26之弟一操作侧表 ^ r. , ^ 儐口I刀的相對大小,陰離子 α透Μ 18之離子濃縮室側表 ^ ^ 八*八 日7邊弟一刼作側表面積部 刀為陰離子滲透膜18之大體 、 、 餸正個離子濃縮室側表面積。與 陰離子滲透膜18之離子濃缩 、、 離子辰縮至側表面26的實質上任何其餘 口P刀相比,陰離子滲透膜18 雕于,辰縮至側表面26的第一 =側表面部分最接近安置在陰離子渗透膜18之相對側上 心子,空室36之出口 367。第一離子交換材料域(亦即, j子交換材料主導域14)亦與陽離子渗透膜別之離子濃 、:室側表面28的至少一部分隔開。陽離子滲透膜2〇之離子 I缩室側表面28的該至少一部分界定了陽離子渗透膜別之 離子濃縮室側表面28的一第一操作側表面部分。陽離子滲 ❹20之離子濃縮室側表㈣的該第一操作側表面部分界 定了陽離子滲透膜20之離子濃縮室側表面28的一第一操作 123150.doc -53 - 200822970 側表面積部分,兮势 2。之離子濃植室:夺面積部分為陽離子渗透膜 丁,辰細至側表面28之離子漠 10%。舉例而言,釙斟㈣、、%至側表面積的至少 面28之第一摔作 、之離子浪縮室側表 徕作側表面積部分的相對大 2〇之離子濃縮室側表面28的第—操作鮮 &透膜 子滲透臈20之離子濃 '、彳表面積部分為陽離 例,針對陽離子、” 積的至少5〇%。如又-實 f 作側表面Si 膜20之離子濃縮室側表面以之第-操 面積h的相對大小,陽離子滲透膜 至側表面28的第—操作側表離隹子浪細 大體整個離子灑扩丨刀為驗離子滲透膜20的 π & 、、目至側表面積。與陽離子滲透膜2〇m + 濃縮室側表面28的實質上杯打甘μ 遗胰20之離子 咖之離子漠縮室侧表面^第;!分相比’陽離子渗透 安置在陽離以Γ 操作側表面部分最接近 367 %離子參透膜2〇之相對側上的離子排空室36之出口 = ’在陰離子渗透卵及陽離子滲透㈣中 離子交換材料域相鄰之離子濃縮室側表面之至少一 »刀的该-者為陽離子渗透⑽之情形巾,第 材^域為陽離子交換材料主導域16。第—離子交換^域 ^子即:轉子交換材料主導域_近陽離子渗透膜2〇之 =、、、百至側表面28的至少一部分。陽離子渗透膜^之側 、8的至少一部分界定了陽離子渗透膜20之離子濃縮室 :表面28的第二操作側表面部分。陽離子渗透㈣之離子 ^室側表面28的第二操作側表面部分界 ㈣之離子濃縮室側表㈣的—第二操作側表面積部分, 123l50.doc -54- 200822970 3亥第二操作側表面積部分為陽 ^杨料滲透⑽之離子濃縮室 離至少1〇%。舉例而言,針對陽離子渗透膜20之 ::離子渗透膜2。之離子濃縮室側表面_該第二= 至少,。。如又一實例,針對陽離:=側表面積的 室側表心π 切相20之離子漠縮 , 弟一刼作側表面積部分的相對大小,陽離子
C a透膜20之離子濃縮室側表面28 分A m μ n去 μ弟一杯作側表面積部 陽::=之大體整個離子濃縮室側表面積。與 =子渗透膜2。之離子濃縮室側表面28的實質上任何其餘 刀相比,陽離子滲透膜2〇之離子濃縮 、 操作側表面部分最接近 夹表面28的第二 的離子排空室36之出口 36外渗透膜2〇之相對側上 陽離子交換材料…。弟—離子交換材料域(亦即, —— 、/4導域16)亦與陰離子滲透膜18之離子、、f 細室側表面2 6的至少一部八ρ5 R / 濃縮㈣纟 °卩^開°陰離子渗透膜18之離子 、、’彳表面26的該至少一部分界定了陰離子、、灸 離子濃縮室側表面26的一第二 κ > 、之 透膜18之離子財— 〃、面部分。陰離子滲 定了,離子!: 表面26的該第二操作側表面部分界 =陰離切_18之離子濃縮㈣表㈣的 側表面積部分,嗲楚_ 條作 18之離子表面積部分為陰離子渗透膜 10。,。兴:側表面26之離子濃縮室側表面積的至少 面2:之 言’針對陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表 =:::作側表面積部分的相對大小,陰離子渗透: 18之離子㈣室側表面26的第二操作側表面積部 123150.doc -55· 200822970 子滲透膜18之離子濃縮室側表面積的至少50%。如又一實 例,針對陰離子滲透臈18 、 雕于/辰^至側表面26之第二操 作侧表面積部分的相對大 室側表面26的第二摔作側表面18之離子濃縮 ” 表面積刀為陰離子滲透膜18的 大體整個離子濃縮室側表面 哈離子滲透膜18之離子 >辰縮室側表面26的實曾卜& " # ^ 、、任何其餘邛分相比,陰離子滲透 腰18之離子濃縮室側表面2 々弟一刼作側表面部分最接近 Ο Ο 安置在陰離子滲透膜1 8 土 、 相對側上的離子排空室3 6之出口 367 〇 貝也例巾;^要求將第一離子交換材料"或第一離 2交換材料16與陰離子滲透㈣及陽離子滲透㈣中之該 一^之另—者的離子濃縮室側表面隔開。就此而言,舉例 4看圖43 ’離?濃縮室12被提供以陰離子渗透膜 18且其部分地以陰離子滲透膜18為界且亦部分地以陽離子 滲透膜20為界。第一離子交換材料域係安置在離子濃縮室 12内的陽離子交換材料主導域心陽離子交換主導域材料 ^ =陽離子滲透膜2()之離子濃縮室側表面糊操作側表 面f刀28&,其中離子濃縮室側表面28之操作側表面部分 |疋了陽離子滲透膜2〇之離子濃縮室側表面Μ的一操作側 ^面積^分’該操作側表面積部分為陽離子渗透膜之離子 濃,室側表面積的至少1〇%。與陽離子渗透膜2〇之離子濃 細至側表面28的實質上任何其餘部分相比,陽離子滲透臈 之離子/辰至侧表面28的操作側表面部分最接近安置在 陽離子滲透膜20之相對側上的離子排空室%之出口初。 123150.doc -56- 200822970 ㈣子交換材料主導域16亦與陰離子滲透膜18之離子濃縮 室側表面26的至少一部分26a隔開,其中該至少一部分界 定了陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面的一操作側表面 部分。陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面26的該操作側 .纟面部分界定了陰離子渗制18之離子&縮㈣表面⑽ ^作側表面積部分’《作側表面積部分為陰離子渗透 、18之離子濃縮室側表面26之離子漠縮室側表面積的至少 Ο 1〇%。與陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面26的實質上 =其:部分相比,陰離子渗透膜以之離子漠縮室側表面 ^作側表面部分最接近安置在陰離子滲透膜Μ之相對 側上的離子排空室3 6之出口 % 7 /e 料主㈣之出口 367。很明顯,陽離子交換材 1二 =bl陰離子渗透臈18之離子漠縮室側表㈣ 之相對側3σί^2613相對遠離安置在陰離子渗透膜18 相對側上的離子排空室36之出口 367。 “彳而。t去離子裝置進一步包含 j ㈣内的第:離子在離子心 Μ弟一離子交換材料域鄰 陽離子渗透膜2。中之該-者之另-者 的離子/辰縮至側表面之至少一八 換材料域隔開之彼部分例二’、即’與第一離子交 域《近第一離子交換第二離子交換材料 形(在二3:中子二::::陰離、子交換材料主導域14的情 主導域161。舉例而言,:::枓j為非陰離子交換材料 離子交換材料域22,咬第_:子交換材料域包括一混合 維子交換材料域之整體為混合 123150.doc -57- 200822970 2 =換材料域22。如又-實例,第二離子交換材料域包 括%離子交換材料主導域丨6,或第— 飞弟一離子父換材料域之整 體為%離子交換材料主導域16。 ,在第-離子交換材料域為陽離子交換材料主導域16的情 形(曾見圖37)中,第二離子交換材料域為非陽離子交換材料 主;域141。舉例而言,第二離子交換材料域包括一混人 離子交換材料域22,或第二離子交換材料域之整體為混: Γ 科交換材料域。如又-實例,第二離子交換材料域包括 陰離子交換材料主導域14,或第二離子交換材料域之整體 為陰離子材料主導域i 4。 舉例而言’且參看圖38及圖39’進—步將混合離子交換 材料域22安置在離子濃縮室12内。相對於陰離子渗透膜18 及陽離子滲透膜20中之該一者的各別另一者而對第一離子 2換材料域14或第—離子交換材料域16進行之布署界定了 第離子又換材料域14或第一離子交換材料域^與膜叫 、J ㈣中之該一者之各別另-者之間的-各別空間。混合離 子交換材料域22之至少一部分被安置在該各別空間内。舉 例而5,域22鄰近第一離子交換材料域14或第一離子交 材料域1 6。 ' 貫例且參看圖40,其中提供一電去離子裝置 1〇 4電去離子裝置1G包括—部分地以陰離子滲透膜^為 界且亦部分地以陽離子滲透膜2〇為界的離子濃縮室η。陰 離子滲透膜18包括一旯中 ^ ^ ^ ^ 界疋一表面積之離子濃縮室側表面 26,且陽離子滲透膜2〇白紅 w 边胰20包括一界定一表面積之離子濃縮室 123150.doc -58- 200822970 側表面28。一陰離子 抑义a 又換材枓主導域14被安置在室12内且 鄰近陰離子滲透膜 牡至丨2円且 、子/辰^室側表面的至少一部分。险 肖隹子滲透膜18之離 ^ 了,離… 縮至側表面26的該至少-部分界定 ί ◎離子滲透膜18之離 部分。阶離m 辰鈿至側表面26的一操作側表面 表面邱Γ 8之離子㈣錢表面26的該操作側 一V:二!定了陰離子滲透膜18之離子濃縮室側表面26的 膜二:义面積部分,該操作側表面積部分為陰離子滲透 膜。18之離子濃縮室側表面26之離子濃縮室側表面積的至少 10 /〇。舉例而言,針對降 、 心離切透賴之離子濃縮室側表 面2 6之操作側表面積部 刀的相對大小,陰離子滲透膜18之 離子/辰、&s至側表面2 6的操作伽矣而 ’、乍側表面積部分為陰離子滲透膜 18之離子濃縮室側表面積 ,^ ^ 、 巧w主/ 50/。。如又一實例,針對 子渗透膜18之離子濃縮室側表㈣之操_表@料 分的相對大小,陰離子渗透膜18之離子濃縮室側表面^的 相作側表面積部分為陰離子滲透膜18的大體整個離子濃縮 ㈣表面積。與陰料料㈣之離子I縮㈣表面娜 貫質上任何其餘部分相比,陰離子渗透膜18之離子濃縮室 側表面2㈣操作側表面部分最接近安置在陰離子滲透膜18 之相對側上的離子排空室36之出口 367。陽離子交換材料 主導域亦被安置在室12内且鄰近陽離子滲透臈20之離子 濃縮室側表面28的至少一部分。由陽離子滲透膜20之離子 濃縮室表面28的至少-部分來界定陽離子渗透膜2〇之離子 漠縮室側表面28的-操作側表面部分。陽離子滲透膜別之 離子濃縮室側表面28的該操作側表面部分界定了陽離子夹 123150.doc -59- 200822970 透:-之離子漠縮室側表面28的—操作側表面積部分,, 刼作側表面積部分為陽離子 ^ 積的至少1〇%。幻A 子遭縮室側表面 舉例而a,針對陽離子渗 縮室侧表面28之摔作側声而籍都、 之料浪 透膜2。之離子面積部分的相對大小’陽離子滲 子承透』I: 的操作侧表面積部分為陽離 子。她之離子漢縮室側表面積的至少5〇%。如 例,針對陽離子滲透膜20之離子濃缩 表面積部分的相f“,β 表面28之操作側 槓4刀的相對大小,陽離子渗透膜2〇之離子 表面2 8的操作側表面積部分 離早〜— 、Ρ刀為%離子滲透膜20的大體整個 ==表面積。與陽離子渗透膜2。之離子濃縮室側 +、曲只貝上任何其餘部分相比’陽離子渗透膜20之離 ::縮室側表面28的操作側表面部分最接近安置在陽離子 I膜20之相對側上的離子排空室36之出口 367。舉例而 曰’域14鄰近域1 6。 Ο 舉例而言’作為圖40實施例之一變化形式,且參看圖 41 ’將-混合離子交換材料域22安置在離子濃縮室内。相 對於陽離子渗透膜20而對陰離子交換材料主導域u進行之 布署界定了域Η與陽離子渗透媒2〇之間的一各別第一空 間。相對於陰離子滲透膜18對陽離子交換材料主導域⑽ 行之布署界定了域16與陰離子渗透膜18之間的—各別第二 :間。混合離子交換材料域22之至少一部分被安置在各別 弟:空間及第二空間中的至少一者中。舉例而言,混合離 子交換材料域22鄰近域14及域16中之每一者。 牛幻而口 J1參看圖42’其中提供一電去離子裝置1〇, 123150.doc -60- 200822970 遠電去離子裝置10包括一部分地以陰離子渗透賴為界且 亦部分地以陽離子滲透臈20為界的離子濃縮室12。陰離子 渗透膜18包括—界定一表面積之離子濃縮室㈣㈣,且 ^離子渗透膜20包括-界定一表面積之離子濃縮室側表面 M。陰離子交換材料主導域14被安置在室12内且鄰近陰離 子渗透膜18之大體整個離子漠縮室側表面積。作為一必要 狀況’與陰離子滲透膜18之離子濃縮室側表面㈣實質上 ^何其餘部分相比’陰離子渗透膜18之與域14相鄰的離子 濃縮室側表面26最接近安置在陰離子渗透膜18之相對側上 的離子排空室36之出口 367。—陽離子交換材料主導域16 被安置在室内且鄰近陽離子滲透膜2〇之大體整個離子濃 縮室側表面積n必要狀況’與陽離子渗透膜2〇之離 子濃縮室側表面28的實質上任何其餘部分相比,陽離子渗 透膜20之與域16相鄰的離子濃縮室側表面28最接近安置在 陽離子滲透膜20之相對側上的離子排空室%之出口 μ?。
iJ 一混合離子交換材料域22被安置在室12内且位於陰離子交 換材料主導域14與陽離子交換材料主導域16中之每一者之 間。域22亦鄰近域14及域16中之每一者且延伸於室丨2之長 度上(自入口端至出口端)。離子濃縮室具有厚度為3 大體長方體形狀。域14具有跨越整個域14為約〇·2毫米的 厚度145。域16具有跨越整個域16為約〇·2毫米的厚产 181。域22具有跨越整個域22為約2.6毫米的厚度221。就 此而言,使域14及域16中之每一者的厚度保持為最小值 (例如,當以顆粒之形態來提供離子交換材料時,為一或 123150.doc -61- 200822970 兩個顆粒直徑),且使域22之厚度最大化。 ⑷操作 在操作時,在陽極32與陰極35之間施加一電位差。電流 穿過離子排空室36及離子濃縮室12,以在離子排空室刊中 進行離子傳輸及水分解。陰離子及陽離子自離子排空室% 穿過離子滲透膜18、20傳輸至相鄰離子濃縮室12中(且在 一些情形中傳輸至相鄰電極室3〇、34),以導致流經離子 排空室36之液體的離子被排空。因此,流經離子排空室% 之液體經去離子化以產生經淨化之液體流365,而流經離 子濃縮室12之液體變得離子物質更濃縮以產生濃縮之出水 123。在圖45所說明之實例中,流經室12、%之液體相對 於彼此為逆流。 . 〇 咸信與陽離子滲透膜20相鄰之陽離子交 有助於降低膜表面上之不帶電弱酸濃度且由此減少二電 弱酸物質之回擴散。特定言之,藉由提供一與陽離子渗透 膜相鄰之陽離子交換材料主導域16,降低了藉由擴散通 過陽離子滲透膜2 〇而#不帶電弱酸物f (諸如⑶2或 CH3C00H)自離子漠縮室12傳輸出且傳輸至離子排空室^ 中的趨勢,該趨勢導致離子排空室36中之不帶電弱酸物質 :離子化,連帶降低自離子排空室36中排出之產物水的品 質。咸信陽離子交換材料主導域16之存在藉由啟用以下機 Γ中之任一者或兩者來有助於此回擴散減少:⑴增加弱酸 離子漠縮室12内傳輸至陽離子渗透膜20(且隨後渗透通 過陽離子渗透膜跑進人離子排以36中)的擴; 123150.doc -62· 200822970 及(u)藉由將陰離子交換材料/陽離子交換材料界面移離陽 離子滲透膜20’以使在此界面上生成之弱酸生成在更遠離 陽離子渗透膜20之處,此處流經離子濃縮室12之液體的線 性速度較高(相對於在陽離子滲透膜2〇附近流動之液體的 線性速度),從而降低了陽離子渗透膜2〇之表面附近的局 部弱酸濃度。 同樣’吾人相信,與陰離子滲透膜18相鄰之陰離子交換 材料主導域Μ有助於減少弱驗物質之回擴散,諸如含弱有 機鹼之氨及氮(諸如苯胺、丁胺、肼、乙胺及羥胺)。 結合與陽料滲透顏相鄰之陽離子交換㈣主導域Μ 的情形及/或與陰離子滲透膜18相鄰之陰離子交換材料主 導域14的情形,提供混合離子交換材料域^以減輕離子濃 細至12内之硬度結垢。在離子濃縮室^内增加陰離子交換 材料與陽離子交換材料之間 竹了寸I間的界面之數目減少了硬度及結 垢陰離子之局部濃縮的情形。與起初之單相離子交換材料
C 域(諸如域14或域1 6中之任一去c ,.. 仕者)相反,該等界面之數目在 混合離子交換材料域22中得以最優化,,在上文所描 述之域14、域16中之一者或兩者以外提供混合離子交換材 料域22減輕了硬度結垢’否則若僅在離子濃縮室12中提供 上文所描述之域14、域16中的—者或兩者而不提供混合離 子交換域22,則該硬度結垢可能遍布。 將參看以下非限定性實例更詳細地描述本發明之實施 例0 (f)實例 123150.doc -63 - 200822970 已貝行電去離子處理從而將( 盯⑴離子濃縮室中僅曰 己離子交換材料之電去離子 、 中包括與陽離子渗透膜相鄰 ()離子“至 陽离隹… 鲂離子父換材料域及安置在 %離子父換材料域與陰離子滲 ^ ^ ^ χ 处胰之間的混合離子交換材 枓或之電去離子裝置的效能進行比較。 實例1 已kt、弟一電去離子裝置,苴肖# 入七 ^ u 人 /、包括一含有陽極之陽極
至及一含有陰極之陰極室。髂 ^ ^ 、旻數個陰離子滲透膜及陽離 子渗透膜交替配置在陽極室盥 ^ 至/、陰極至之間以形成交替之離 卜工至及離子濃縮室,以使 优侍孖在總共十六(1 6)個離子 》辰縮室及總共十五(1 S _ Μ — 、卞五(15)個離子排空室。離子排空室36中之 每一者的陽極側以陰離子浃讀 、 々透膜1 8為界且陰極側以陽離子 渗透賴 2 0為界。+、'放妒》—,丄 、、巧介離子/辰縮至12中之每一者的陽極側以陽離 =滲㈣20為界且陰極側以陰離子滲透㈣為界。離子濃 t ^及離子排工室中之每—者具有大體長方體形狀。離子 濃縮室中之每-者的尺寸為13 cmx39,0·2 cm(寬度X長 度^厚度)。離子排空室中之每一者的尺寸為ΐ3 ·χ39 cmx〇.8 cm(寬度X長度x厚度)。 -子排空室中之每_者中填充有混合離子交換材料,該 a離子父換材料係體積比為1:1之DIAION SK 私丨月曰珠粒(陽離子交換材料)與Mitsubishi diai〇n SA1 0A树月曰珠粒(陰離子交換材料)的混合物。離子排空室 中之每者内的混合離子交換材料域與離子排空室之形狀 一致’以使得混合離子交換材料域之厚度為〇·8 。 123150.doc -64- 200822970 離子濃縮室中之每一者中填充有離子交換材料以便形成 :個相異之離子交換材料域。特定言<,離子濃縮室中之 每-者包括-陽離子交換材料域及_混合離子交換材料 域。離子濃縮室之陽離子交換材料主導域含有
Ο dIAI〇n SK_1B™樹脂珠粒(陽離子交換材料),其已經筛分 以移除較大之樹脂珠粒從而使得在離子濃縮室之陽離子交 換材料主導域中使用之陽離子交換材料樹脂珠粒直徑的大 小範圍為0.42 _至〇.6随。離子濃縮室之混合離子交換 材料域含有混合離子交換材料,該混合離子交換材料係體 積比為1:1之Mitsubishi DIAI0N SK_1B™樹脂珠粒(陽離子 交換材料mMitsubishi DIAI0N SA1〇ATM樹脂珠粒'(陰離子 交換材料)的混合物。離子濃縮室之陽離子交換材料域以 大體長方體形狀界定且鄰近陽離子渗透膜之大體整個離子 /辰、'、倍至表面離子,辰鈿室之混合離子交換材料域以大體長 方體开y狀界定且S置在陽離子交換材料域與陰離子渗透膜 之間的整個空間中。陽離子交換材料域之厚度為〇 〇8 cm。混合離子交換材料域之厚度為〇i2cm。 對離子排空室、離子濃縮室及電極室中之每—者的饋入 "π·均具有相同組合物。該饋人流係在注人重碳酸納之後含 有濃度為15·9 ppm之溶解之咖]•的大體超純水(已藉由逆 渗透來預處理的都市水)。產物水以約Q 4167啊之速率自 離子排空至中之每-者中排出。水以約〇〇23 5呂抑之速率 自離子/辰細至中之每一者中排出。水以約〇·25即爪之速率 自結合之電極室中排出。回收率經量測為9〇%。藉由建立 123150.doc -65- 200822970 由離:排空室及離子濃縮室中之每一者的流量,已經由 、接至设備之外部電路施加 不目祖Α π Μ, 电/爪,且由此實 見對I㈣子排空室之水性饋人物的電切子。 、 在穩定狀態下’自離子排空室之出 電阻率已經量測為17.7Mohmcm。 之產物水的 比較實例1 Ο Ο 已使用14實例!所述大體相同之電去離子 之操作條件下實行比較實L 了僅㈣合離子交=才目 ^亦即’體積*為1:1的__也sk]bTM樹脂 料)之混合物)來填充離子濃縮室中之每—者以外。 在穩定狀態下,在此等條件下自離子排空室之出口處排 出之產物水的電阻率已經量測為i 2 M 〇 h讯.c爪。 當然應瞭解,在不偏離隨附申請專利範圍所界定 明之料及範圍的前提下可對本文中所描述的本發明之實 施例進行修改。 知貫 【圖式簡單說明】 圖1為電去離子裝置之圖解說明; 圖至圖13為電去離子裝置之離子濃縮室之一實施例的 圖解說明; 圖14至圖35為電去離子裝置之離子濃縮室之另-實施例 的圖解說明; 圖36至圖43為電去離子裝置之離子濃縮室之又一實施例 的圖解說明; 123150.doc ~ 66 - 200822970 圖44為電去離子裝置之組件的剖視圖; 圖45為電去離子處理之圖解說明;且 一圖46至圖51為圖解說明,其描繪在離子濃縮室中對離子 父換域之厚度的量測。 【主要元件符號說明】 10 12 14 16 18 18a 電去離子裝置 離子濃縮室
陰離子交換材料主導域/第一離子交換材料 域/陰離子材料主導域 陽離子交換材料主導域/第一離子交換材料 域/陽離子交換主導域材料 陰離子滲透膜/陰離子交換膜/離子滲透膜 部分 20 22 25 26 26a 26b 28 28a 30 32 陽離子滲透膜/陽離子交換材料/離子滲透臈 混合離子交換材料域/混合離子交換材料相 域 電極 離子濃縮室側表面 部分 部分 離子濃縮室側表面/離子濃縮室表面 操作侧表面部分 陽極室/電極室 陽極 123150.doc -67· 200822970 Γ u 34 陰極室/電極室 35 陰極 36 離子排空室 38 間隔物 40 間隔物 42 電極末端框架總成 44 電極末端框架總成 121 液體流 123 液體流/出水 125 電解材料/電解質流 141 非陽離子交換材料主導域 143 軸 145 厚度 161 非陰離子交換材料主導域 181 厚度 183 點 185 轴 221 厚度 223 點 225 軸 361 液體流 363 入口 365 液體流 367 出口 123150.doc -68- 200822970 1401 點 2201 厚度 2203 點 2205 軸
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Claims (2)

  1. 200822970 申請專利範圍·· 1· 一種電去離子裝置,其包含·· 一離子濃縮室,其部分地以一& 如\ g離子滲透膜定界且亦 口 P为地以一陽離子滲透膜定界,·及 ::置在該離子濃縮室内之第一離子交換材料域,其 中忒第一離子交換材料域鄰 — 子·、夹、类“ + 丨迎扣離子滲透膜及該陽離 ,透膜中之一者之離子漢縮室側表面的至少—部分, 且與該陰離子滲透膜及該 開; 勿雕于今透膑中之另一者間隔 /、中δ亥陰離子渗透膜及兮陽趟2、< 子^亥%離子渗透膜中之一者的離 于/辰%室側表面之至少一邱八 陽以、灸令 4刀界定該陰離子滲透膜及該 驗離子滲透臈中之一者的離 表面部分; 辰縮至側表面之-操作側 以使得, 在該陰離子滲透臈及該 Μ ^ ^ L π雕卞參透膑中之具有該第一 離子父換材料域所鄰近之離 分的一珠透膜Μ絲則表面之至少一部 >透猶為陰離子滲透臈之情形中,該 換材料域為一陰離子交換材料主導域; 人 二離子滲透膜及該陽離子滲透膜中之具有該第 邱八& A <心雕十辰縮室側表面之至少一 2·如請求们之電去離子裝置,复進”以 離子濃縮室内之、3人献 4 —步包含-安置在該 s離子交換材料域,其中該第-離子 123150.doc 200822970 交換材料域相對於該陰離 之另—者布 〜 0相及該陽離子滲透膜中 離子滲透膜及哼陽離;、备 離子父換材料域與該陰 空間,且其中該混合離子交換材料域之::間:, 置在該相應空間内。 ’ 夕α係安 3.如凊求項〗之電去壯 陽_ H泰 衣置,/、中該陰離子滲透臈及該 ㈣子吻中之具有該第一 广亥 C 離子濃縮室侧表面之至少_^ :材科域所祕近之 透膜,以使得兮第—雜 4刀的一滲透膜為陰離子渗 料主導域。 ~ k離子父換材 4·如請求们之電去離子裝置,其進 離子濃縮室内之混入雜早A# 匕3文置在該 <此口離子父換材料域,1 換材料主導域相M於 /、中Μ陰離子交 宁α相對於该陽離子滲透 陰離子交換材枓Φ遒Θ〜 、布署界疋位於該 又換材科主導域與該陽離 空間,且复He人私 卞〆夕透膜之間的一相應 置…/、… 子交換材料域之至少-部分俜安 置在该相應空間内。 刀係文 5. 如請求項3之電去離子裝置,1 +勺八 離子濃縮室内之陽離子3 一安置在該 至鬥之%離子父換材料主苴 交換材料主慕扒鄱、扣 ”干4 1%離子 蜍域郇近该%離子滲透膜之離子濃 面的至少一部分且與該陰離 、、1、 晤濰工、办& 』◊逐膜間^開,且其中續 %離子渗透膜之離子濃縮 中。亥 陽離子滲透膜之離+ .曲々 部分界定該 i 相之離子㈣室側表面的1作側表㈣ d貝5之電去離子裝置,其進—步包含—安置在該 123150.doc 200822970 離子濃縮室内之混合離子交換 換材料主導域相對於該陽離膜:中該陰離子交 =交換材料主導域與該陽離子渗位於該 弟工間,且其中該陽離子交換材料、 相應 離子滲透膜之布署界 、"蛤域相對於該陰 V晋界疋位於該陽離 該陰離子渗透膜之間的一相應 * 、;年主導域與 離子交換材料域 二::間,且其中該混合 及該相應第二空間中之至^:=置在該相應第一空間 •如明求項1之電去離子裝置,苴 陽離子滲透膜中m β ~ ,、該陰離子滲透臈及該 離子漠縮室侧表面之 _材科域所鄰近之 透臈,以使得^ ^ 渗透膜為陽離子滲 料主導域“-離子交換材料域為-陽離子交換材 8· 9· 如請求項7之電去離子裝置,其m人_ 離子濃縮室内之混合離子 ^3-安置在該 換材科主導域相對於該陰離子… 陽離子交換材斜Φ道砧彳 、布署界疋位於該 空間,且:i:、中:”人離:該陰離子滲透臈之間的-相應 ,、中4此a離子交換材料域之 置在該相應空間内。 夕口P刀係女 ^ Μ求項1之電去離子裝置 子、、t & — ^ τ 4陰離子滲透膜之離 至側表面界Μ陰離子滲透臈之—離子濃縮室側 ”陽:其中該陽離子滲透臈之離子濃縮室側表面界 離滲透膜之一離子濃縮側表面積,且其中該陰 〇、及該陽離子渗透膜中之—者之離子濃縮室側 123150.doc 200822970 表面的操作側表面部分界定該陰離 滲透膜中之—者Μ:、* 于〜錢及錢離子 部分〜。 離子ι縮室側表面的一操作側表面積 ;渗透獏 ==?為該陰離子滲透膜及該陽離 -如請求-之電 離子濃縮官肉 /、進一步包含一安置在該 Γ 交換材料二:Γ交換材料域,其中該第-離子 之另-者之=:亥陰離子渗透膜及該陽離子渗透膜中 離子渗透臈騎陽第—離子交換材料域與該陰 空中之另—者之間的—相應 ,、中该混合離子交換材 置在該相應空間内。 夕4刀係文 11.如請求項9之電去離子 陽離子滲透臈中之且古 〃巾s亥陰離子渗透膜及該 離子濃縮室财 第—離子交換材料域所鄰近之 透膜,以使得兮第鮑工卩刀的一滲透臈為陰離子滲 αι 離子交換材料域為—阶離子六㈣ 料主導域,其中該㈣;3 &離子父換材 摔作側夺面邮 臈之離子漠縮室側表面的 J ^作側表面積部分,# p A , 離子渗透膜之離子濃縮室㈣表面積部分為該陰 …求項U之電去離子裝=的 置在该離子濃縮室内之以_ =個文 位於該,離二::該陽離子滲透膜之布署界定 心子乂換材料主導域與該陽 一相應空間,且苴中_、、H a ^ /運Μ之間的 上“合離子交換材料域之至少一部 123150.doc 200822970 分係安置在該相應空間内。 13·如請求⑼之電去離子裝置,其進一步包含 離子濃縮室内之陽離子交換姑 1在该 丁又換材枓主導域,其中該 父換材料主導域鄰近該陽離+、、灸 參透膜之離子濃縮室側表 面的至少-部分且與該陰離子渗透膜間隔開,: 陽離子滲透膜之離子濃縮室側表面之至少—部分;二; 分。 辰縮至側表面的一操作側表面部 14·如凊求項13之電去離子奘罢 2曲 子衣置,其中該陽離子滲透膜之齙 子:縮室側表面的操作側表面部分界定該陽渗 :離子:農縮室側表面的-操作側表面積部分,該操= 、面積^為㈣料滲透^離子濃 至少10%。 叫衣面積的 15·如請求項13之電去離子裝置,其+ 6 離+、、曲& A Z、 乂匕έ 一安置在該 離子/辰縮至内之混合離子 Ο 換材料主導域相對於哕子类5 ㈣離子交 陰離子交換材料!:參透臈之布署界定位於該 第一科主導域與該陽離子渗透膜之間的-相声 離子=二=陽離子交換材料主導域相對於該陰 •離子、=界疋位於該陽離子交換材料主導域與 ^陰離子滲透膜之間的一 離子交換材料域之至少一部八传心:1其“混合 及該相^ 3 4刀係女置在該相應第-空間 相應弟一空間t之至少一者内。 I 6.如明求項9之電, 陽離子渗透膜Γ 中該陰離子滲透臈及該 、中之具有Μ苐子交換材料相所鄰近之 123150.doc 200822970 離子濃縮室側表面之至少一 透膜,以使得該第一離子交換透=陽離子渗 料主導域,其中該陽離子滲透膜之=:;輯子交換材 操作側表面部分界定該陽離子渗==側表面的 Γ-操作側表面積部分,該操 離子滲透膜之離子濃縮室侧表 、刀為*亥除 、 主训表面積的至少10% 0 17·如請求項16之電去離子 離子濃縮室内之混合離子交換二 =含-安置在該 施^ # 、枓域,其中該陽離子交 陽離子相對於該陰離子渗透膜之布署界定位於該 Γ 材料主導域與該陰離子渗透膜之間的-相岸 二間,且其中該混合離子交換 Μ 置在該相應空間内。X換材科域之至少-部分係安 18.如請求項16之電去離子裝 離子濃縮室内之陰離子交換材料=包置在該 U 面… I亥陰離子渗透膜之離子濃縮室側表 7 一部分且與該陽離子渗透膜間隔開,且盆中,亥 :離子滲透臈之離子濃縮室側表面之至少一部分界定,: 陰離子渗透膜之離子濃縮室側表面的一操作側表㈣ 分0 A”求項18之電去離子裝置,其進-步包含1置在該 :子心室内之混合離子交換材料域,其中該陰離子交 二材料主導域相對於該陽離子渗透膜之布署界定位於該 :離^換材料主導域與該陽離子渗透膜之間的一相應 間’且其中該陽離子交換材料主導域相對於該阶 123150.doc 200822970 之布署界定位於該陽離子交換材料主導域與 離1離:渗透膜之間的—相應第二空間 合 離子父換材料域、 .^ 一 σ卩分係安置在該相應第一空間 及该相應第二空間中之至少—者内。 20·如請求項9之雷去雜工壯姐 . ^ 子衣置,其中與該陰離子滲透膜及 子f透以之—者的離子濃縮室側表面的實質上 中°」餘Dp刀相比’該陰離子滲透膜及該陽離子滲透膜 (、 者’離子’辰細至側表面的操作側表面部分係最接 ::陰離子渗透膜及該陽離子渗透膜中之一者之相對側 上所安置的一離子排空室之一出口。 空間,且其中該混合離子交換材料域 置在該相應空間内。 泣如請求仙之電絲子裝置,其巾料㈣子渗透膜之 離子漢縮室側表面的實質上任何其餘部分相比,該陰離 子滲透膜之離子濃縮室側表面的操作側表面部分係最接 近該陰離子滲透膜之相對側上所安置的一離子排空室之 一出口。 之電去離子褒置,其進—步包含—安置在該 /辰、、’佰至内之混合離子交換材料域,其中該第一離子 交換材料域相料㈣料料収㈣料滲透膜中 之另-者之布署界定位於該第—離子交換材料域與該陰 離子渗透膜及該陽離子渗透膜中之另一者之間的一相應 少一部分係安 23. 如請求項22之電去離子裝置,其進一 離子濃縮室内之混合離子交換材料域 步包含一安置在該 ,其中該陰離子交 123150.doc 200822970 換材料主導域相對於該陽雜 守μ對於忒%離子滲透膜之布署 ::子交換材料主導域與該陽離子渗透膜之間的= …I其中该混合離子交換材料域之至少— 置在該相應空間内。 刀係女 24.如請求項22之電去離子裝置,其進_步包含 離子濃縮室内之陽離子交換材料主導域,其^陽離= Γ 料主導域鄰近該陽離子滲透膜之離子濃 面的至y—部分且與該陰離子滲透膜 陽離子渗透膜之離子濃縮室側表面之至少二中該 陽離子渗透膜之離子濃縮室側表 定該 分。 J麵作側表面部 項24之電去離子裝置’其中該陽離子滲透膜之離 之離子漢縮室側“的-操作離:Γ透膜 表面積部分為該陽離子渗透膜之離子t…操作側 至少1Q%。 ㈣之離子㈣室側表面積的 26.如請求項25之電去離子裝置,其中 … 離子濃縮室側表面的實質上任何其餘部分相比今^之 子渗透膜之離子濃縮室側表面的操作,该陽離 近該陽離子滲透膜之相對側上所安置的丫分係最接 一出口。 文置的—離子排空室之 27.如請求項24之電去離子裝置,其進…人 :子遭縮室内之混合離子交換材該 換材料主導域相對於該陽離子渗布中^離子交 < I署界定位於該 I23I50.doc 200822970 陰離子錢材料主導域與該陽離子滲透膜之間的一相應 [空間,且其中該陽離子錢材料主導域相對於該陰 離子渗透膜之布署界定位於該陽離子交換材料主導域與 該陰離子渗透臈之間的-相應第二空間,且其中該混合 離子交換材料域之至少—部分係安置在該相應第__空間 及該相應第二空間中之至少一者内。 28. 如請求項16之電去離子裝置,其中與該陽離子渗透膜之 Ο 離子濃縮室側表面的實質上任何其餘部分相比,該陽離 子渗透膜之離子濃縮室側表面的操作侧表面部分係最接 近該陽離子滲透膜之相對側上所安置的-離子排空室之 一出口。 29. =^28之電切子裝置,其進—步包含_安置在該 子浪縮室内之混合離子交換材料域,其中該陽離子交 ,材料主導域相對於該陰離子渗透膜之布署界定位於該 陽離子交換材料主導域盥^Γ _ 、 彳U陰離子滲透膜之間的一相應 工間,且其中該混合離子交換材料域之Μ 置在該相應空間中。 丨刀1糸女 3〇·如請求項28之電去離子裝置,其進一步包含— 離子濃縮㈣之陰離子交換㈣主導域,其巾奸料 父換材料主導域鄰近該陰離子渗透膜之離子濃縮室側表 面的至少一部分且與該陽離子滲透膜間隔開,且兑 陰離子渗透膜之離子濃縮室側表面之至少_部分界―:: 陰離子滲透膜之離子濃蝻吉 I疋口Λ 分。 辰、^目至側表面的—操作側表面部 123150.doc 200822970 31·如請求項30之電去 子濃縮室側表& & $ ",〃中該陰離子滲透膜之離 之離子濃縮室側表面的—摔=界蝴離子渗透膜 表面積部八#作側表面積部分,該操作側 至少10%。 …相之離子漠縮室側表面積的 %,如請求項30之電去離子 離子濃縮室内之、、3人錐不 安置在該 換材料主導= 換材料域,其中該陰離子交 何卄主V域相對於該陽 陰離子交換材心道,卞◊透膜之布署界定位於該 H、 域㈣陽離子渗制之間的-相應 第二間,且其中該陽離子交換材 離子渗透膜之布IP 抖導域相對於該陰 該陰離子㈣膜1 &位於該陽離子交換材料主導域與 離子間的—相應第二空間,且其中該混合 及 、/、3之至夕一部分係安置在該相應第一处間 及该相應第二空間中之至少-者内。 工間 33.種電去離子裝置,其包含: Ο -離子濃縮室’其部分地以第 部分地以一間隔元件定界,其中該第一離子渗^ =亦 陰::渗透膜及一陽離子滲透膜中之一者;、為 該離子濃縮室内之第-離子交換材料域,i ^弟—離子交換材料域鄰近該 ’、 濃縮室側表面的至少—部分,且其中該第:== 之離子濃縮室側表面的至少一部分界定該第一離 膜:離子濃縮室側表面的一操作側表面部分;& 0透 一安置在該離子濃縮室内之第二離子交換材料域,其 123150.doc -10- 200822970 中該第-離子交換材料域相對於該間隔元件 位於該第-離:交換材料域與該間隔元件之間的第二空 間,且其中該第二離子交換材之 在該第一空間内; 之至一—部分係安置 以使得, =該第,交換材料域所鄰近之離 表面之至少一部分的該第一離 η ο 之情形φ 4隻^ >透膑為陰離子滲透膜 主子交換材料域為一陰離子交換材料 主二“-離子交換材料域為-非陰離子交換材料 :在具有該第—離子交換材料域所鄰近之 側表面之至少一部分的該第— 、’' 搜夕W — 弟離切相為陽離子滲透 、月’ ,U第—離子交換材料域為—陽離子^拖姑 料主導域。 為转離子交換材 34. 如^求項说電去㈣㈣,其巾㈣二離子交換 域鄰近该第一離子交換材料域。 、” 35. 如請求項33之電去離子裝置,並 子滲透膜,且該第-離子…亥間隔元件為第二離 陽離子滲透膜中之另一去 /透Μ及5亥 、農缩室側#5 ,且s亥苐—離子滲透臈之離子 :::側表面的至少—部分界定一操作側 36. 如凊求項35之電去離子 域所鄰近之雜^、* π ,、中具有该離子交換材料 域所郇近之離子濃縮室側表面之至少 子滲透膜為陰離子渗透膜,。刀的该弟一離 、 使仔该離子交換材料域為 123150.doc 200822970 一陰離子交換材料主導域且該第二離子交換材料為一非 陰離子交換材料主導域。 37·如請求項36之電去離子裝置,其進—步包含―安置在該 離子濃縮室内且鄰近該陽離子滲透膜之離子濃縮室側表 面之至少-部分的陽離子交換材料主導域,其中該陽離 膜之離子濃縮室側表面的至少一部分界定該陽離 :渗透臈之離子濃縮室側表面的一操作側表面部分,且 :中该陽離子交換材料主導域相對於該陰離子渗透膜之 :界定第二空間’且其中該非陰離子交換材料主導域 二一Γ合離子交換材料域且該混合離子交換材料域之至 伽安置在該第-空間及該第二空間中之至少一 考内。 38·如請求項35之電去離 U η η ^ 、 八中具有該第一離子交換 材科域所鄰近之離子漠縮室側表面之至少一、 一離子滲透膜為陽雜;、办 、〜苐 ㈣為%離子滲透膜,以使得第—離子交 ”、s為一陽離子交換材料 、 為—非陽離子交換材料主導域導。戍且°亥第-離子交換材料 39.如請求項35之電去離子裝置 定該第一離子渗相之 表面部分界 面積部分,噹摔作制矣’辰、、、至側表面的-操作側表 離子漢縮室側表面積的至少1〇%。 β透膜之 4〇·如請求項39之電去離子 ^ 之籬早、曲… 、,/、中兵該第一離子涞透蹬 ==室側表面的實質上任何其餘 $ 子_至側表面的操作側表面部分係 123150.doc 200822970 最接近該第-離子滲透膜之相對側 空室之一出σ。 ^置的—離子排 41 一種電去離子裝置,其包含·· 離子濃縮室,其部分地以一陰離子滲透臈定 部分地以一陽離子滲透膜定界,子,’、 括-界定該陰離子滲透膜之離子漠縮室臈包 漠縮室側表面,且豆中令陽離;,”表面積的離子 外、 miw離子滲透膜包括— η ο 離子渗透膜之離子漠墙宮彻丨主工+ 面; …細至側表面積的離子濃縮室側表 该離子濃縮室内之第—離子交換材料域,1中 料域鄰近該陰離子滲透膜及該陽離子 ◊透财之-者之離子濃縮室側表面的至少 中該陰離子渗透膜及該陽離子滲透臈中之—者=子: 細室側表面的至少一部分界定: 子滲透膜巾之_者之^、〜 4膜及杨離 者之離子浪細室側表面的一操作 部分’且其中該,離+、、灸、泰 又 γ Μ離子滲相及該陽離子滲透 =之離子濃縮室側表面的操作側表面部分界定該陰離子 滲透膜及該陽離子滲透膜中之一 V 的-操作側表面積部分 U室側表面 、 Μ彳呆作側表面積部分為該p H 子滲透膜及該陽離子渗透心 面積的至少10%,且直中.=者之離子4室側表 滲透膜中之-者之科、子料該陽離子 子/辰%至側表面的實質上 部分相比,該陰離子滲透 、、 可,、餘 、 選膜及该1%離子滲透膜中之一去 之#子1½至側表面的操作側表面部分係最接近該陰離 123150.doc -13 - 200822970 子參透膜及該陽離子滲透膜中之-者之相對側上所安置 的一離子排空室之-出口,且其中該第-離子交 域係與《離子滲透膜及該陽離子滲透膜中之另一者的 離子I缩室側表面之至少一部分間隔開,且其中兮陰離 ===子!透膜中之另-者的離子濃縮:側 膜中之另1^分界定該陰離子滲透鼓㈣離子滲透 *的一操作側表面部分’且其中該陰離子渗 二二:離子滲透膜中之另-者的離子濃縮室側表面 广界疋该陰離子滲透膜及該陽離子渗透 膜中^一者的離子漠縮室側表面之一操作側表面積部 U i透2作側^積部分為㈣離子滲透膜及該陽離子 ◊、t另—者的離子漠縮室側表面積之至少10%, 且其中與贿離子滲透膜及㈣離子料臈巾之另一者 :離子濃縮室側表面之實質上任何其餘部分相比,該陰 2渗透駭㈣離子滲透財之另—者的離子濃縮室 ::面之#作側表面部分係最接近該陰離子滲透膜 :離子渗透膜中之另-者之相對側上所安置的一離子排 空至之一出口; 以使得, 在綠離子滲透膜及該陽離子渗透膜中之具有該第一 離子交換材料域所鄰近之離子濃縮室側表面之至少一部 分的-渗透臈為該陰離子渗透膜之情形中,該第一離子 父換材料域為—陰離子交換材料主導域,且其中該陰離 子父換材料主導域鄰近該陰離子渗透狀離子濃縮室側 123150.doc -14- 200822970 表面的至少一邱八 室側表面的至;:二=該陰離子滲透臈之離子濃縮 室側表面的第—操作:广:陰離子滲透膜之離子濃縮 膜之離子濃縮室側♦面二部分,且其中該陰離子滲透 分,該第面的$ 一操作側表面積部 濃縮室側表面㈣^積# 77為錢離子㈣膜之離子 叫衣面積的至少〗〇0/〇,且苴 Ο 之離子濃縮室側表面Μ —所 ^ 〃邊陰離子滲透膜 %至惻表面的實質上任 離子渗透媒之離子濃縮室側表面的第二=,該陰 係最接近該陰離子渗透媒 表面部分 空室之,,且其中該陰離二二置的-離子排 開,且其辰縮室側表面的至少一部分間隔 、中•離子渗透膜之離子 -部分界定該陽離子滲透膜之:面的至少 操作侧表面部分,且…陽離::%至側表面的第- 側表面的第-操作❹Γ 膜之離子濃縮室 子濃m矣 ’、面部分界定該陽離子滲透膜之離 子1%至側表面的第一操作側表面積部分 : 側表面積部分為該陽 :知作 中與該陽離子積 表面的實質上任何其餘部分相比,該陽離子二、、’至側 子濃縮室側表面的第一操作側二八… 膜之離 子滲透膜之相對側上所安置的-離子yit讀近該陽離 離子排空室之一出口,·且 離二該陽離子渗透膜中之具有該第-換材抖域所鄰近之離子濃縮室側表面之至少一部 123150.doc 200822970 分的一滲透膜為該陽離子滲透膜之情形中,該第一離子 交換材料域為一陽離子交換材料主導域,且其中該陽離 子交換材料主導域鄰近該陽離子滲透膜之離子濃縮室側 表面的至少一部分,且其中該陽離子滲透膜之離子濃縮 室側表面的至少一部分界定該陽離子滲透膜之離子濃縮 室側表面的第二操作側表面部分,且其中該陽離子滲透 膜之離子濃縮室側表面的第二操作側表面部分界定該陽 離子滲透膜之離子濃縮室側表面的第二操作側表面積部 分,該第二操作侧表面積部分為該陽離子滲透膜之離子 濃縮室側表面積的至少1 〇%,且其中與該陽離子滲透膜 之離子濃縮室側表面的實質上任何其餘部分相比,該陽 離子滲透膜之離子濃縮室側表面的第二操作侧表面部分 係最接近該陽離子滲透膜之相對側上所安置的一離子排 空室之一出口,且其中該陽離子交換材料主導域係與該 陰離子滲透膜之離子濃縮室側表面的至少一部分間隔 開,且其中該陰離子滲透膜之離子濃縮室側表面的至少 一部分界定該陰離子滲透膜之離子濃縮室側表面的第二 操作側表面部分,且其中該陰離子滲透膜之離子濃縮室 侧表面的第二操作侧表面部分界定該陰離子滲透膜之離 子濃縮室側表面的第二操作侧表面積部分,該第二操作 側表面積部分為該陰離子滲透膜之離子濃縮室側表面積 的至少1 0%,且其中與該陰離子滲透膜之離子濃縮室側 表面的實質上任何其餘部分相比,該陰離子滲透膜之離 子濃縮室側表面的第二操作側表面部分係最接近該陰離 123150.doc -16- 200822970 透膜之相對側上所安置的-離子排空室之一中 心.如請求項41之電去離子裝置,其進一…::出口: 離子漠縮室内之混合離子交換材二\,置在该 交換材料域相對於該陰離及陽:遠第-離子 之另一/适膜及该%離子滲透膜中 離子 界定位於該第-離子交換材料域與該陰 空間,曰贫“ 犋中之另-者之間的-相應 f〃"混合離子交換材料域之至少-部分係安 置在该相應空間内。 ,、女 43·,請求項41之電去離子裝置,其中 陽離子滲透臈中之且有节當她 ^ «及5亥 離子w 子交換材料域所鄰近之 :透膜側表面之至少一部分的一渗透膜為該-陰離子 導:Γ=Γ離子交換材料域為-陰離子交換材料主 透膜之料、,亥陰離子交換材料主導域鄰近該陰離子滲 透Μ之離子浪縮室側表面 子滲透膜之離子濃端室……“,且其中該陰離 子今透膜之離子濃飨玄彳日彳主^ 啡 曰鈿至側表面的第-操作側表面部分, ^中f陰離子渗透膜之離子濃縮室側表面的第-操作 笫一透膜之離子濃縮室侧表面的 吟離子炎、^面積部分’該第一操作側表面積部分為該 /參膜之離子濃縮室側表面積的至少10%,且其 其餘部分相比,該二ΠΓ室側表面的實質上任何 第一操作側表面部^最2収離子濃縮室側表面的 刀係取接近該陰離子滲透膜之相對側 123150.doc 200822970 上所安置的一離子排空室之一出口 換材料主導域係與該陽離子渗透膜之離;中=子交 :至少-部分間隔開,且其中該陽離表: 細室側表面的第—操作側表 =之離子浪 透膜之離子濃縮室側表面 -尹该陽離子滲 陽離子滲透膜之離子濃墙室側2作侧表面部分界定該 部分,該第一操作側表1二=的?—操作側表面積 子濃縮室側表面積的至少10%:且::離子渗透膜之離 膜之離子漠縮室側表面的實與該陽離子渗透 陽離子渗透膜之離子漠縮室❹何其餘部分相比,該 分係最接近該陽離子滲透膜之-操作側表面部 排空室之-出口。相之相對側上所安置的一離子 44. 如請求項43之電去離子 Μ ^ ^ ^ 置,、進一步包含一安置在該 離子》辰纟侣至内之混合離子 換材料主導域相對”陽離域’其中該陰離子交 ㈣^ 對於杨離子渗透膜之布署界定位於該 陰離子父換材料主導域與 ^ ^ %離子滲透膜之間的一相應 工曰’且其中該混合離子交換材料域之至少一部分係安 置在該相應空間中。
  2. 45. Pt項43之電去離子農置,其進-步包含-鄰近該陽 子之離子濃縮室側表面之至少一部分的非陰離 子交換材料主導域。 46. 如^項45之電去離子裝置,其中該陽離子渗透膜之離 辰&至側表面的至少一部分界定該陽離子渗透膜之離 123150.doc 200822970 子濃縮室側表面的第二操作 子渗透膜之離子漠縮室側表“第面°;二且其中該陽離 定該陽離子渗透膜之離子濃縮室側表面部分界 面積部分’該第二操作側表、苐作側表 之離++ 面積刀為該陽離子滲透膜 之離子心室側表面積的至少1〇% 膜 、炎i秀^曲 且,、中與該陽離子 參透m之離子濃縮室側表面的實千 比’該陽離子㈣膜之料濃側 H部分相 表面部分係最接近該陽離子的第二操作側 一離子排空室之一出口。 叮女置的 47·如請求項45或46之電去離子 扁兮雜工、曲W α進 步包含一安置 在该離子浪纟倍室内之混合離子 子交換材料主導域相對㈣陽離:域,其中該陰離 、^ %離子滲透膜之布署界 於該陰離子交換材料主盥不 相應第-空間,且” 子渗透膜之間的- ϋ 於該陰離子渗透膜㈣子交換材料主導域相對 " '布署界疋位於該陽離子交換材料主 導域與該陰離子渗制之間的―相應mu 該=離子交換材料域之至少—部分係安置在該相應第 二間及该相應第二空間中之至少一者内。 48·如清求項41之雷麥離;賠 陽離子滲透膜中之㈣離子渗透膜及該 、 ’、q弟離子父換材料域所鄰近之 離子濃縮室側表面之至少—部分的一渗透膜為該陽離子 :透膜4第—離子交換材料域為-陽離子交換材料主 導域’且其中該陽離子交換材料主導域鄰近該陽離子滲 透膜之離子濃縮室側表面的至少-部分,且其中該陽離 123150.doc -19- Γ Ο 200822970 子滲透膜之離子“室側表㈣至少 子渗透膜之離子濃縮室側表 ::界疋該陽離 且其中該陽離子渗透膜之離子濃縮:::側表:部分, 側表面邻八灵—— 表面的第二摔作 "表面。“界定該陽離子滲透膜 ㈣ 第二操作侧表面積部分, 4至側表面的 陽離子渗透膜之離子I缩室側二部分為該 中與該陽離子滲透膜之離子I =至1州,且其 其餘部分相比’該陽離子滲透膜之離子任何 第二操作側表面部分係最 ::至側表面的 上所安置的-離子排空室之4離切透膜之相對側 換材料主導域係與該陰離子渗透:二=陽離子交 的至少-部分間隔開,且…二:子-縮室側表面 縮室側表面的至少一部八;:陰離子渗透臈之離子濃 縮室側表面的第二操作之離子濃 陰離子渗透膜之離子二的::操作側表面部分界定該 部分,該第二操作側表 子濃縮室側表面積的至心且為=子渗透膜之離 膜之離子濃縮室側表面的Ί陰離子滲透 陰離子滲透膜之離子濃縮二:餘部分相比’該 分係最接近該陰離子渗透膜之=弟二:作側表面部 排空室之一出口。 、貝1上所安置的一離子 49. 如睛求項4 8之電去離子裝 離子濃縮室内之混合離子 置其進一步包含一安置在該 交換材料域中該陽離子交 123150.doc -20. 200822970 換材料主導域相對於該_ ^ 邊陰離子滲透胲之布署界定位於該 Γ子交換材料主導域與該陰離子渗透膜之間的-相應 工間,且其中錢合離子交換材料域之至少—部分係安 置在該相應空間中。 50. 如請求項48之電去離子梦罟甘Α μ 雕于衣置,其進一步包含一鄰近該 離子滲透膜之離子濃縮室側^ 子交換材料主導域。μ之n分的非陽離 51. 如請求項50之電去離子裝置,立牛 μ工、曲c & 一進 乂包3 一安置在該 “至内之混合離子交換材料域,其中該陽離子交 換材枓主導域相對於該陰離子滲透膜之 ^ 陽離子交換材料主導域盥兮 、,疋位於該 第-空間,…:! 子滲透膜之間的-相應 a ’、 非陽離子交換材料主導域相對於詨 陽離子滲透膜之布署界$彳 ^ ; 、 疋位於該非陽離子交換材斜古道 域與該陽離子滲透膜之間的_ 、" 混合離子交換材料域之至少 ^ ν 且一 ? $ Ο < i V —部分係安置在 空間及該相應第二空間中4 P , 相應弟一 间甲之至少一者内。 52. 如請求項42之電去離子裝罟 ’,、中該混合離子交拖鉍科 域鄰近遠第一離子交換材料域。 、;、 53·如請求項2之電去離子裝置, 、 丹甲该混合離子$拖从抓 域鄰近該第一離子交換材料域。 又換材枓 123150.doc 21
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MX (1) MX2009003086A (zh)
MY (2) MY164363A (zh)
SG (1) SG175553A1 (zh)
TW (1) TWI414360B (zh)
WO (1) WO2008036461A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080067069A1 (en) 2006-06-22 2008-03-20 Siemens Water Technologies Corp. Low scale potential water treatment
US8404094B2 (en) * 2007-04-19 2013-03-26 Trovion Singapore Pte. Ltd., Co. Method and apparatus for electrodeionization utilizing layered chambers
CA2707214A1 (en) 2007-11-30 2009-06-11 Siemens Water Technologies Corp. Systems and methods for water treatment
JP5015989B2 (ja) * 2009-03-25 2012-09-05 オルガノ株式会社 電気式脱イオン水製造装置の製造方法
JP5015990B2 (ja) * 2009-03-25 2012-09-05 オルガノ株式会社 電気式脱イオン水製造装置
CN102939266B (zh) * 2010-06-03 2013-12-25 奥加诺株式会社 用于制备去离子水的电去离子装置
EP2420478A1 (en) * 2010-08-17 2012-02-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for purifying water
CA2817722A1 (en) * 2010-11-12 2012-05-18 Siemens Pte. Ltd. Methods of making a cell stack for an electrical purification apparatus
US8524062B2 (en) 2010-12-29 2013-09-03 General Electric Company Electrodeionization device and method with improved scaling resistance
US9339765B2 (en) * 2011-09-16 2016-05-17 General Electric Company Electrodialysis method and apparatus for passivating scaling species
US20130092540A1 (en) * 2011-10-14 2013-04-18 General Electric Company Electrodeionization electrode chamber configuration for enhancing hardness tolerance
US9695070B2 (en) 2011-10-27 2017-07-04 Pentair Residential Filtration, Llc Regeneration of a capacitive deionization system
US9637397B2 (en) 2011-10-27 2017-05-02 Pentair Residential Filtration, Llc Ion removal using a capacitive deionization system
US8961770B2 (en) 2011-10-27 2015-02-24 Pentair Residential Filtration, Llc Controller and method of operation of a capacitive deionization system
US9010361B2 (en) 2011-10-27 2015-04-21 Pentair Residential Filtration, Llc Control valve assembly
US8671985B2 (en) 2011-10-27 2014-03-18 Pentair Residential Filtration, Llc Control valve assembly
CA2904825A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Evoqua Water Technologies Llc Flow distributors for electrochemical separation
US10384967B2 (en) 2014-07-24 2019-08-20 Oasys Water LLC Water treatment systems and methods

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5503729A (en) * 1994-04-25 1996-04-02 Ionics Incorporated Electrodialysis including filled cell electrodialysis (electrodeionization)
GB9600633D0 (en) 1996-01-12 1996-03-13 Glegg Water Conditioning Inc Elecrodeionization apparatus having geometric arrangement of ion exchange material
US6149788A (en) * 1998-10-16 2000-11-21 E-Cell Corporation Method and apparatus for preventing scaling in electrodeionization units
US6197174B1 (en) * 1998-11-25 2001-03-06 E-Cell Corporation Method and apparatus for electrodeionization of water using mixed bed and single phase ion exchange materials in the diluting compartment
US6284124B1 (en) 1999-01-29 2001-09-04 United States Filter Corporation Electrodeionization apparatus and method
JP2001334269A (ja) * 2000-05-26 2001-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 浴槽水循環軟水化装置及び浴槽水循環軟水風呂
US6649037B2 (en) * 2001-05-29 2003-11-18 United States Filter Corporation Electrodeionization apparatus and method
JP3781352B2 (ja) * 2001-11-16 2006-05-31 オルガノ株式会社 電気式脱イオン水製造装置及び脱イオン水の製造方法
JP2003190820A (ja) * 2001-12-27 2003-07-08 Ebara Corp 電気式脱塩装置
JP2003190963A (ja) * 2001-12-28 2003-07-08 Ebara Corp イオン交換体及び電気式脱塩装置
JP2003190821A (ja) * 2001-12-28 2003-07-08 Ebara Corp 電気式脱塩装置
JP3781361B2 (ja) * 2002-02-08 2006-05-31 オルガノ株式会社 電気式脱イオン水製造装置
KR20050072089A (ko) * 2002-09-12 2005-07-08 이오닉스 인코포레이티드 희박한 매질 이디아이 장치 및 방법
JP2004105868A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Nippon Rensui Co Ltd 電気再生式純水製造装置
JP2004105869A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Nippon Rensui Co Ltd 電気再生式純水製造装置
JP4211488B2 (ja) * 2003-05-26 2009-01-21 日本錬水株式会社 電気再生式純水製造装置
JP4193586B2 (ja) * 2003-05-26 2008-12-10 日本錬水株式会社 電気再生式純水製造装置
JP4363587B2 (ja) * 2003-06-09 2009-11-11 オルガノ株式会社 電気式脱イオン水製造装置の運転方法及び電気式脱イオン水製造装置
DE10332789A1 (de) 2003-07-18 2005-02-17 Universität Stuttgart Membrananordnung, Elektrodialysevorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen elektrodialytischen Entsalzung
CN100386135C (zh) * 2003-08-05 2008-05-07 米利波尔公司 电去电离作用模块和包括该模块的装置
JP2005052766A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Nippon Rensui Co Ltd 電気再生式純水製造装置
CN1968898A (zh) * 2004-06-18 2007-05-23 株式会社荏原制作所 液体处理装置
JP4489511B2 (ja) * 2004-06-18 2010-06-23 株式会社荏原製作所 複極室および該複極室を備えた電気化学的液体処理装置
JP2006026488A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Ebara Corp 電気式脱塩装置
JP2007313421A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Ebara Corp 純水循環供給システム、純水再利用方法、および基板処理方法
JP2008030004A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Kurita Water Ind Ltd 電気脱イオン装置

Also Published As

Publication number Publication date
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