TW200814860A - Plasma reactor with a dynamically adjustable plasma source power applicator - Google Patents

Description

200814860 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致涉及一種具有動態可調式電漿源功率施加 器的電漿反應器。 【先前技術】 在包含電漿處理以於大型工件（w〇rkpiece)上形成奈 米級特徵結構（feature)尺寸的半導體元件製造中，主要 的問題係為電漿的均一性。舉例來說，工件可以為3〇〇 mn] 的半導體晶圓或是矩形的石英光罩（例如：152 4 mm乘以 152.4mm)，因此，相對於（舉例）在3〇〇mrn直徑晶圓之 整體面積上的奈米尺寸特徵結構維持均一的蝕刻速率係相 當困難，而此困難性至少部分源自製程的複雜度。電漿輔 助（plasma-enhanced)蝕刻製程通常包含沉積及蝕刻之同 步競爭製程，這些製程係受到製程氣體組成、腔室壓力、 電漿源功率層級（其主要決定電漿離子密度及解離）、電漿 偏壓功率層級（其主要決定在工件表面之離子轟擊能量）、 晶圓溫度以及跨越工件表面之製程氣流模式的影響。會影 響製程均一性及蝕刻速率分佈之電漿離子密度分佈本身係 受到反應器腔室之RF特性影響，例如導電元件之分佈、 遍及腔室之電抗（reactance)(特別是接地之電容）分佈 以及氣流至真空幫浦之均一性。後者係存在特殊之挑戰， 此乃因為真空幫浦一般係設置於抽氣環之底部的一特殊位 置，而此位置並非對稱於工件或腔室任一者。所有的該此 6

200814860 元件包含相對於工件及圓柱形對餐腔室之不對稱性，因 例如電漿離子分佈及/或蝕刻速率分佈之關鍵因素則傾 高度不對稱。 具有此種不對稱性之問題係為習知用於調整工件表 之電漿蝕刻速率（或沉積速率）的控制特徵僅能夠進行 對於圓柱形腔室、工件或工件支撐物為對稱之調整或校 (此種習知特徵例如包括徑向設置且獨立驅動之内部及 部源動力驅動線圈、天花板内之徑向設置且獨立供應之 部及外部氣體注入孔口陣列等）。此種特徵通常無法完全 正（例如）電漿離子密度之非均一分佈或是校正工件上 刻速率的非均一分佈。原因為在實際應用中，此種非均 性係相對於工件或反應器腔室係為不對稱的。 因此，需要使習知之用於調整電漿製程參數（例如 工件上之蝕刻速率或蝕刻微負載或電漿離子密度等之 佈）的控制特徵來校正在真實電漿製程環境中所遭遇的 對稱型之非均一性。 【發明内容】 一種用於處理一工件（workpiece )的電漿反應器， 括一製程室，其係包括一具有一頂壁的外殼，並且包括 大致垂直於頂壁之對稱垂直軸、一位於製程室内且大致 向頂壁的工件支撐座、一耦接至製程室的製程氣體注入 置，以及一耦接至製程室之真空幫浦。反應器更包括： 電漿源功率施加器，其位於頂壁上方，並且包括一徑向 此 向 面 相 正 外 内 校 蝕 分 非 包 面 裝 内 7 200814860 部施加器部分、-徑向外部施加器部分，以及耦接至内部 及外部施加器部分之一射頻（RF)功率裝置；以及_傾斜 農置，係支撐至少該外部施加器部分，並且能夠使至少該 外部施加器部分沿著垂直於對稱垂直軸之一徑向軸而傾 斜，並且能夠使至少該外部施加器部分沿著對稱垂直軸而 旋轉。反應器可更包括一升舉裝置，其係用於改變内部及 外部施加器部分沿著對稱垂直軸而相對於彼此之位置。於 較佳實施例中，升舉裝置包括一升舉致動器，其係用以 使内部施加器部分沿著對稱垂直軸而上升或下降。 【實施方式】 本發明係基於發明人之發現，即電漿製程參數（例如 蝕刻速率）於工件表面之空間分佈可由非對稱分佈（相對 於工件或腔室）轉變為更加對稱之分佈。在此種轉變之後， 藉由利用相對於工件或腔室為對稱操作之調整特徵，則可 ^分佈（例如蝕刻速率分佈）立即校正為均勻的分佈（或 幾近均句）。在較佳實施例中，工件上之（例如）蝕刻速率 的空間分佈係由非對稱分佈轉變為對稱分佈，其係藉由使 置頂之電漿源功率施加器相對於工件傾斜_角度，則餘刻 遑率分佈（相對於腔室或工件之圓柱型對稱性）轉變為對 .舉例來說，初始係以非對稱形式而分佈之餘刻速率可 轉變為在工件上「中間高（center-high)」或「中間低」之 蝕刻逮率分佈。最後藉由使置頂電漿源功率施加器之内部 相對於置頂電漿源功率施加器之外部作一調整，則上述所 8

200814860 得之「中間高j或「中間低」之蝕刻速率 絕佳均一(或幾近均一）。於較佳實施例中 加器係為感應柄合源電漿施加器，其纟至 徑向對稱縷繞之導體線圈以及外部彳孩向對 圈（與内部線圈為同中心設置）。於實施時 於外部線圈之調整係藉由調整内、外部線 不同高度面執行。 參照「第1圖」’用於處理工件之電漿 室1 00，其係由圓柱形側壁1 05、頂壁i ! 〇 定之。於地板115上之工件支撐座120可. 且工件12 5可以為（舉例而言）半導體晶 製程氣體供應源1 3 0係透過氣體注入裝置 流速之製程氣體至真空室1 00，而氣體注 置於如圖示之侧壁1 0 5上，或是頂壁1 1 0 界定於工件支撐座120與側壁105之間， 空幫浦145，並在節流閥1 5 0之控制下而 放通過抽氣環140。電漿RF源功率係藉d 上方之RF電漿源功率施加器160而耦合 的氣體。於「第1圖」所繪示之較佳實施 率施加器160係包括内部 RF線圈或是 1 62，以及外部RF線圈或是螺旋狀導體讀 透過阻抗匹配170、172而由各自之HF源 168驅動。RF偏壓功率係藉由電極或導電 至電漿，其中導電網格1 7 5係設置於工件 偏壓功率則透過阻抗匹配1 8 5而由RF偏^ 分佈可接著呈現 ，電漿源功率施 少）包括一内部 稱纏繞之導體線 .，内部線圈相對 圈相對於工件之 反應器包括真空 及地板11 5所界 支托住工件1 2 5， 圓或石英光罩。 135而提供預定 入裝置1 3 5可設 内。抽氣環140 而氣體則藉由真 由真空室100排 ί設置於頂壁11 0 至真空室100中 例中，電漿源功 螺旋狀導體線圈 L圈164，其各自 功率產生器166、 網格1 7 5而耦合 支撐座120内， I功率產生器180

200814860 所施加。 為了調整在工件1 25表面上之電漿製程非均 佈，外部線圈1 64可沿著任何選定之徑向軸（即 過並垂直於腔室之對稱性190之圓柱形或垂直軸 斜）。所發現此特徵之優點在於，若沿著最佳化之 使上述外部線圈1 64進行最佳化之角度的旋轉（i 則可將電漿製程參數（例如蝕刻速率）的非對稱 空間分佈轉變為對稱之非均一分佈（即，對稱於對 之垂直或圓柱形軸）。此針對傾斜旋轉之「最佳化 以及「最佳化」角度係取決於特定反應器腔室之各 並在進行工件生產之前，憑經驗地決定該些值， 由嘗試錯誤測試法。 一旦蝕刻速率以此方式呈現了對稱性，則其 立即藉由調整内部線圈1 62相對於外部線圈1 64 校正之。於最佳實施例中，此調整可藉由改變線 1 64相對於彼此而在頂壁11 0上之高度來達成。 的，内部線圈1 62可沿著對稱性1 90之圓柱形軸 外部線圈 164移動（且相對於工件 125及整 1 00 )。舉例而言，若蝕刻速率由一般的非對稱分 對稱之「中間高j分佈，則接著藉由使内部線圈 向上移動（遠離頂壁110)以降低在工件125中 離子密度而使非均一性降低（或消除）。相反的， 率分佈由一般的非對稱性分佈轉變為對稱之「中 佈，則接著藉由使内部線圈1 62垂直向下移動（ 110)以增加在工件125中央之電漿離子密度而使 一性的分 ，延伸穿 )旋轉（傾 徑向轴而 氣傾斜）， 之非均一 稱性190 」徑向軸 -自特質， 例如：藉 非均一性 之效力來 圈 162、 基於此目 而相對於 個真空室 佈轉變為 162垂直 央之電漿 若餘刻速 間低」分 朝向頂壁 非均一性 10 200814860 降低（或消除）。 於選擇性之實施例中，可藉由調整施加至不同線圈 162、164之相對RF功率層級而來調整内部線圈162相對 於外部線圈1 64之效力。此可在内部線圈丨62 直移動 而額外進行，或是取代之。

於較佳實施例中，外部線圈164之傾斜旋轉可藉由一 對偏心環200在極小旋轉角度之非常細微的控制來進行· 該對偏心環200也就是頂環202及底環2〇4，其較佳^於 「第2A、2B圖」。外部線圈164係由頂環2〇2所支撐，並 且（較佳）與底環204 —同旋轉。頂環2〇2與底環2〇4可 為單一環狀物所形成，且其由平面2〇6所切割，該平面 相對於水平而傾斜角度A。當頂環2〇2與底環其中一 者相對於另一者而沿著圓柱形軸19〇旋轉時，頂環之 頂表面由「第2A圖」之初始水平定位傾斜為「第圖」 之最大旋轉。基於此目#，頂環2〇2與底環2〇4藉由各自」 之頂部及底部旋轉致動器21〇、215而沿著圓枉形軸I% 识碾與底環2〇4之任 相對於彼此獨立旋 著轴190而於不同方向（順時鐘、逆時鐘）旋#，另一者 則保持不自。或是’兩個環同時於相反旋轉方向而旋轉， 以在傾斜角度上產生最換的戀〆μ 取陝的變化。另外，為了調整傾斜角 度之定位，則在所期望^ # 至之傾斜角度達到之前或之後，頂環 202與底環204可同時一致遙在絲絲 產生灰轉。因此，一般達到所 期望之傾斜角度的順序為雜士你 馬错由使頂％ 202與底環204在相 反方向旋轉，並接著藉击内主 同時一致或非同時地以相同旋轉 方向來旋轉頂壤2〇2盘麻提，古 /、展％ 204直到傾斜方向之定位為所 11 200814860 期望時，則可建立傾斜角度之方位角的方向（ 之間為北、南、東或西或任何方向）。 在「第1圖」之較佳實施例中，僅有外部 接至頂環202，在另一較佳實施例中，内部， 1 62、1 64皆輕接至頂環2〇2，以藉由傾斜致動 而傾斜。 内部線圈1 62之軸向（垂直）位移係由機 進行’例如「第1圖」中所示之螺桿驅動致動 桿驅動致動器2 2 0可由非導電性物質形成，且 内部線圈162之内螺紋套件222以及螺接至套 旋轉且具螺紋之螺桿223所構成。螺桿223係 移馬達2 2 4而順時鐘及/或逆時鐘旋轉^可選擇 2 2 0可裝設在内部線圈1 6 2下方之支撐構造（ 上。 在選擇性（但非為較佳）之實施例中，頂 撐内部及外部線圈1 6 2、1 6 4兩者，因此内部 162、164可同時一起傾斜。 「第3A〜3C圖」以及「第4A〜4C圖」 明之基本流程。首先，外部線圈〗64相對於頂 件支撐座120之平面係基本為同高度，如「第 示。餘刻速率分佈係傾向具有非均一性之非對 「第4A圖」所示。外部線圈1 64接著沿著一 而傾斜一特定角度（「第3B圖」），且此特定角 「第4A圖」之餘刻速率非均一性的非對稱型離 4B圖」之非均一性的對稱分佈。此種軸向對稱 例如：兩者 線圈1 64耦 良外部線圈 ϋ 210' 215 械致動器來 器220 。螺 可由耦接至 件222的可 藉由垂直位 地，致動器 圖中未示） 環202可支 及外部線圈 係繪示本發 壁1 10及工 3Α圖」所 稱型態，如 特定徑向軸 度係足以將 轉變為「第 ‘分佈（「第 12 200814860 4B圖」）係表現出（舉例而言）「中間高」或「中間低」之 蝕刻速率分佈。接著如「第3C圖」所示，再藉由將内部 線圈1 62沿著垂直軸1 90而往上或往下#動，則可使非均 一性降低或消除，以產生較佳之均一分佈。較佳地，内部 線圈 162並不與外部線圈 1 64 —同傾斜。然而，若線圈 162、164係一同傾斜，則接續之内部線圈162的上/下移 動係沿著一相對於圓柱形軸1 9 0呈些微角度之執道。

為了使頂環及底環202、204之所有可能旋轉以及内部 線圈162之垂直位移兩者的所有形式及組合呈現多變之選 擇，係利用一製程控制器2 5 0來獨立控制各個旋轉致動器 210、215、位移致動器220以及RF產生器166、168、180。 「第5圖」係繪示另一選擇性實施例，其中外部線圈 1 64係懸掛在支撐件2 5 5的底部，而支撐件2 5 5係耦接至 頂環202 (並非如「第1圖」而設置在頂環202上）。 「第6圖」係繪示另一實施例，其中係採用一位於内 部及外部線圈162、164之間的中間線圈260，且中間線圈 26〇係透過阻抗匹配264而由RF源功率產生器262獨立驅 動。此實施例係用於進行本發明之製程的部分步驟，其中 在該些步驟中，各個線圈162、i 64、260係被驅動而具有 不同RF相（以及相同11?頻率），以在電漿產生區域中之 RF功率密度分佈中建立不同的最大值及最小值。此接著會 反映於在工件125表面上之蝕刻速率分佈的不同型態。舉 例而言’中間線圈260係驅動而與内部及外部線圈1 62、 164呈180度之反相。 往回參照「第1圖」，當已參照上述之設備及方法而描 13 200814860

述較佳之實施例，也就是外部線圈1 64係沿著徑向軸而相 對於工件1 2 5及整個真空室1 00而旋轉（傾斜），則相反之 操作亦可達到相似之結果。更特定的說，並非使外部線圈 164傾斜（或是除了使外部線圈1 64傾斜以外），工件1 25 及工件支撐座1 2 0可相對於功率施加器1 6 0 (以及相對於 整個真空室1 〇 〇 )而傾斜。基於此目的，一對同中心之偏 心環360 (相同於「第1圖」中的環202、204 )係設置於 工件支撐座 120下方並支撐之，且包括頂環 362及底環 3 64，因此工件支撐座1 2 0可如同參照先前描述之外部線圈 164的方式而傾斜。個別的頂部及底部致動器366、368係 分別控制頂環362及底環364沿著圓柱形軸1 90的旋轉。 「第7圖」係為說明本發明之第一方法的方塊流程 圖。第一步驟（方塊400 )係使1^源功率施加器160相對 於真空室1 00或相對於工件i 25而 ^ ^ ^ 數（例如蝕刻速率）之非均一分佈由非對稱之非均一分佈 (「第4A圖」）轉變為軸向對稱之非均_分佈（「第a 圖」）。第二步驟（方塊402 )係使内部RF源功率施加器（例 如内部線圈1 62 )相對於外部RF源功率施加器（例如外部 線圈164)或者是相對於頂壁· 11〇或工件125而垂直移動， 藉以將製程參數(例如#刻逮率）之軸向對稱的非均一分 佈（「第4B圖」）轉變為均一分佈（「第4c圖」 「第8圖」係繪示本發明之另一實施例的方塊流程 圖’其可包括複數個變化形式。第一步驟（方& 4⑷係 使RF源功率施加器i 6〇 ( ” 、孑至少其外邠線圈1 64 )沿著徑 向軸旋轉（或傾斜）。於一给 貝施態樣中，此步驟係於最初即 14 200814860 進行，也就是說，在處理生產工件之前進行（方塊404a)。 而此步驟亦可相對於真空室1 00之基準平面而使RF源功 率施加器I60 (或外部線圈164 )與其同水平（方塊 404a-Ι )。或是，如同前所述及，此步驟係進行而使链刻逮 率分佈對稱於（或至少幾近對稱於）圓柱形軸1 90 (方塊 4 04a-2)。或是’此步驟係可進行而使線圈164的平面相對 於工件1 2 5的平面定位。在另一實施態樣中，此步驟係在 處理過程中連續進行（方塊404b )。可選擇地，此步驟可 非連續地或偶發地進行（方塊4 0 4 c )。 在另一選擇性實施例中，方塊404的步驟之目的係將 功率施加器1 60 (或至少其外部線圈1 64 )之平面相對於工 件1 2 5之平面而傾斜，而其中係使線圈1 6 4傾斜（利用「第 1圖」所示之致動器210、215)或是使工件支稽座傾 斜（利用旋轉致動器366、3 68 )。或是，可同時使外部線 圈164及工件支撐座12〇傾斜，直到達到兩者平面之間相 對的期望定位。如上所述，最佳化之定位係為電聚參數（例 如蝕刻速率）於工件1 2 5上之分佈係至少相對於對稱性^ % 之垂直軸而幾近對稱。此使得電漿分佈之對稱調整能夠讓 電襞製程參數之分佈至少幾近均一，·此種對稱調整可以為 内部及外部線圈1 62、1 64之相對高度的改變，或是施加至 二線圈的相對RF功率之改變，或者例如是至工件丨2 $上 方之製程區域的内部及外部部分之個別製程氣體流速改 變^此種調整係於下述之部分步驟中進行。 下一步驟係調整内部及/或外部RF源功率施加器 162、164相對於另一者或是相對於工件125的垂直高度（方 15 200814860 塊406 )。此步驟之進行 适仃之目的係將工件125上的圓 稱之非均一蝕刻速率分佑 轉良為均一分佈（或幾近: 如同刖所提及者。 下一步驟係使RF源功率施加器16q(或至少立 圈164或部分）於處理 '、 r ^ ^ T /〇耆垂直軸旋轉（方塊 如同則所提及，此步驟可兹 τ糟由偏心環2 0 2、2 0 4同時 之旋轉來進行。此步驟^r ^ / μ〜在處理過程中連續進行 4 0 8 a ),可選擇地’此步驟 J非連續地或偶發地進行 觀），其係視處理過程中所期望之效應而^。此步 由：既定電漿製程步驟中數次的旋轉而使得電漿源 加益160在工件125表面之非均一效應平均化。電 率施加：160(或至少其外部線圈164)之旋轉可以 操作之别過程中或者之後進行。兩者之差異係在 操作需要沿著頂環202、底環2〇4之對稱性軸19〇 鉍轉動作，反之，外部線圈1 64沿著對稱性軸之單 動作蘇要頂環202、底環204 -致之旋轉，而不需 202、底裱204之間的相對動作。此兩種動作模式係 將兩種相對環動作組合而同時進行。雖然外部線圈 能已被傾斜而使得其對稱軸不與其垂直軸19〇 —致 其旋轉動作（當頂環202、底環204 一致旋轉）在 書中係定義為沿著垂直軸1 9〇而發生。 下一步驟（方塊410 )係用以獨立調整傳适至 外部線圈162、164之各自RF功率層級，藉以控制 理參數（例如：蝕刻速率）之徑向分佈，或是 施加器1 6 〇的有效區域。如一可能實例，此步騍係 柱形對 肖一)， 外部線 408 )。 且一致 (t塊 (方塊 驟係藉 功率施 蒙源功 在傾斜 於傾斜 的相對 純旋轉 要頂環 可藉由 1 64可 ，然而 此說明 内部及 電漿處 源功率 進行以 16 200814860 Ϊ正：：表面之對稱的非均一蝕刻速率分佈，㉟其本身而 …步驟係補充（或替代）上述之内部線圈162的垂直 移動。 另-步驟（方塊412)係用以調整不同（内部/外部） 功率施加器部分（例如「篦& ^ ^ J ^第6圖」之多個同心線圈162、 1 64、260 )之間的 r ]扪相（RF phase)差異，以控制電漿處 理參數（例如：钱刻速率）之徑向分饰。可藉由多個線圈 不同的相關係達到不同的RF功率分佈，而部分的Μ功率 分佈對於特殊實例之部分期望效應係為最佳。 在進一步的選擇性步驟令（「第8圖」中的方塊41〇， 來自製程氣體供應源i 3〇、i 3〗至内部及外部氣體入口 130a、130b (示於「第6圖」）的製程氣流流速可相對於彼 此而調整’藉以調整電漿離子密度的徑向分佈。方塊4〇6 (調整内部及外部線圈！ 62、丨64之相對軸向位置）、方塊 410 (調整施加至内部及外部線圈162、164的相對RF功 率層級）以及方塊414(調整至内部及外部氣體入口 i3〇a、 1 3 0b的相對氣體流速）之調整皆相對於垂直軸〗9〇係為對 稱（「第1圖j )，並可用以使在方塊4〇4之傾斜步驟轉變為 對稱之餘刻速率分佈（舉例來說）成為均一。 惟本發明雖以較佳實施例說明如上，然其並非用以限 定本發明’任何熟習此技術人員，在不脫離本發明的精神 和範園内所作的更動與潤飾，仍應屬本發明的技術範疇。 圖式簡單說明】 第1圖’繪示第一較佳實施例的反應器 17 200814860 第2A及2B圖，繪示第1圖之實施例中的傾斜調整構 件之操作。 第3 A、3 B及3 C圖，繪示第1圖之實施例操作的連續 步驟。 第4A、4B及4C圖，繪示分別在第3A、3B及3C圖 的個別步驟中所獲得之工件表面的蝕刻速率分佈。 第5圖，繪示第二較佳實施例的反應器。

第6圖，繪示根據另一實施例的反應器。 第7圖，繪示本發明之第一方法的方塊流程圖。 第8圖，繪示本發明之第二方法的方塊流程圖。 【主要元件符號說明】 100 真空室 105 側壁 110 頂壁 115 地板 120 工件支撐座 125 工件 130,13 1 製程氣體供應源 130a，130b 氣體入口 135 氣體注入裝置 140 抽氣環 145 真空幫浦 150 節流閥 160 功率施加器 162,164 線圈/功率施加器 166,168 功率產生器 170,172 阻抗匹配 /RF產生器 175 導電網格 180 功率產生器 /RF產生器 185 阻抗匹配 190 對稱性/軸 18 200814860

200 偏心環 202 頂環 204 底環 206 平面 210 致動器 215 致動器 220 致動器 222 套件 223 螺桿 224 馬達 250 控制器 255 支撐件 260 線圈 262 功率產生器 264 阻抗匹配 360 偏心環 362 頂環 364 底環 366,368 致動，器 A 角度

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Claims (1)

1. 200814860 十、申請專利範圍： 1· 一種用於處理一工件（workpiece )的電漿反應器，包 括： 一製程室，係包括一具有一頂壁的外殼，並且包括： 一大致垂直於該頂壁之對稱垂直軸、一位於該製程室内且 大致面向該頂壁的工件支撐座、一耦接至該製程室的製程 氣體注入裝置，以及一耦接至該製程室之真空幫浦；

   一電漿源功率施加器，位於該頂壁上方，並且包括一 徑向内部施加器部分、一徑向外部施加器部分，以及耦接 至該内部及外部施加器部分之一射頻（RF )功率裝置；以 及 一傾斜裝置，係支撐至少該外部施加器部分，並且能 夠使至少該外部施加器部分沿著垂直於該對稱垂直軸之一 徑向軸而傾斜，並且能夠使至少該外部施加器部分沿著該 對稱垂直軸而旋轉。 2.如申請專利範圍第1項所述之反應器，其更包括： 一升舉裝置，用於改變該内部及外部施加器部分沿著 該對稱垂直軸而相對於彼此之位置。 3.如申請專利範圍第2項所述之反應器，其中該升舉裝置 包括一升舉致動器，用以使該内部施加器部分沿著該對稱 垂直軸而上升或下降。 20 200814860 4.如申請專利範圍第 包括： 1項所述之反應器，其中該傾斜裝置 且區分為一對環，該對環 ’並且包括一頂環及一底 - 一環，係位於該頂壁上方， 係沿著一傾斜面而彼此分隔開 環；以及

   一環旋轉致動器 少其中之一者。 係、耗接以旋轉該頂環及該底環之至 5.如申請專利範圍“項所述之反應器，其令該環旋轉致 動器包括一第一環旋轉致動器及一第二環旋轉致動器，該 第一環旋轉致動器係用以使該項環沿著該對稱垂直軸而旋 轉，該第二環旋轉致動器則用以使該底環沿著該對稱垂直 軸且獨立於該頂環而旋轉。 6·如申請專利範圍第5項所述之反應器，其更包括： 一升舉致動器，用以使該内部施加器部分沿著該對稱 垂直軸而上升或下降；以及 一控制處理器，其係管控：（a)該升舉致動器；（b) 該第銥旋轉致動盜及該第二環旋轉致動器；以及（c)該 射頻功率裝置。 7·如申凊專利範圍第6項所述之反應器，其中該射頻功率 21 200814860 裝置包括可獨立控制之射頻功率輸出，該些輸出係分別輕 合至該内部施加器部分及該外部施加器部分之一者，且其 s 制處理器係可程控以改變施加至該内部施加器部分 及該外部施加器部分之射頻功率的相對量。 8·如申請專利範圍第丨項所述之反應器，其中該電漿溽功 率施加器更包括一中間施加器部分，其係位於該内部施加 器部分及該外部施加器部分之間，該射頻功率裝置更包括 一另外且獨立的射頻功率輸出，該輸出係耦合至該中間施 加器部分。 9·如申清專利範圍第8項所述之反應器，其中該中間施力。 器部分係連接至該頂環，故該中間施加器部分可與該外= 施加器部分一同傾斜。

   10·如申請專利範圍第 項所述之反應器，其中該傾斜裝置 係支撐該内部施加器部 内部施加器部分及該外 一同傾斜。 分及該外部施加器部分兩者，故該 部施加器部分可藉由該傾斜裝置而 u.如申請專利範圍第1項所述之反應器，其更包括一第二 傾斜裝置，該第二傾斜裝置係支撐該工件切座並且能 約使該工件支撐座沿著—徑向傾斜軸及該對稱垂直軸而旋 22

   200814860 轉0 12.—種用於處理一工件的電漿反應器，包括： 一製程室，係包括一具有一頂壁的外殼，並且包 一太致垂直於該頂壁之對稱垂直軸、一位於該製程室 大致面向該頂壁的工件支撐座、一耦接至該製程室的 氣體注入裝置，以及一耦接至該製程室之真空幫浦； 一電漿源功率施加器，位於該頂壁上方，並且包 徑向内部施加器部分、一徑向外部施加器部分，以及 至該内部及外部施加器部分之一射頻（RF )功率裝置 及 一傾斜裝置，係支撐該工件支撐座，並且能夠使 件支撐座沿著垂直於該對稱垂直軸之一徑向軸而傾斜 且能夠使該工件支撐座沿著該對稱垂直軸而旋轉。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之反應器，其更包括 一升舉裝置，用於改變該内部及外部施加器部分 該對稱垂直軸而相對於彼此之位置。 14.如申請專利範圍第12項所述之反應器，其中該傾 置包括： 一環，係區分為一對環，該對環係沿著一傾斜面 此分隔開，並且包括一頂環及一底環；以及 括： 内且 製程 括一 耦接 ;以 該工 ，並 沿著 斜裝 而彼 23

   200814860 一環旋轉致動器，係耦接以旋轉該頂環及該底環之 少其中之一者。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之反應器，其中該環旋 致動器包括一第一環旋轉致動器及一第二環旋轉致動器 該第一環旋轉致動器係用以使該頂環沿著該對稱垂直軸 旋轉，該第二環旋轉致動器則用以使該底環沿著該對稱 直轴且獨立於該頂環而旋轉。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之反應器，其更包括： 一升舉致動器，用以使該内部施加器部分沿著該對 垂直軸而上升或下降；以及 一控制處理器，其係管控：（a)該升舉致動器；（b 該第一環旋轉致動器及該第二環旋轉致動器；以及（c) 射頻功率裝置。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之反應器，其中該射頻 率裝置包括可獨立控制之射頻功率輸出，該些輸出係分 耦合至該内部施加器部分及該外部施加器部分之一者， 其中該控制處理器係可程控以改變施加至該内部施加器 分及該外部施加器部分之射頻功率的相對量。 1 8.如申請專利範圍第1 7項所述之反應器，其中該控制 至 轉 而 垂 稱 ) 該 功 別 且 部 處 24 200814860 理器係可程控以改變該内部施加器部分之垂直高度一所期 望之量。

   1 9.如申請專利範圍第1 2項所述之反應器，其中該電漿源 功率施加器更包括一中間施加器部分，其係位於該内部施 加器部分及該外部施加器部分之間，該射頻功率裝置更包 括一另外且獨立的射頻功率輸出，該輸出係耦合至該中間 施加器部分。 20.如申請專利範圍第19項所述之反應器，其中該中間施 加器部分係耦接至該傾斜裝置。

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