CN101375377B - 具有动态可调整等离子源功率施加器的等离子反应器 - Google Patents

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Abstract

本发明为一种用于处理一工件(workpiece)的等离子反应器，其包括一制程室，而该制程室包括一具有一顶壁的外壳，并且包括一大致垂直于顶壁的对称垂直轴、一位于制程室内且大致面向顶壁的工件支撑座、一耦接至制程室的制程气体注入装置，以及一耦接至制程室的真空泵。反应器更包括：一等离子源功率施加器，其位于顶壁上方，并且包括一径向内部施加器部分、一径向外部施加器部分，以及耦接至内部及外部施加器部分的一射频(RF)功率装置；以及一倾斜装置，是支撑至少该外部施加器部分，并且能够使至少该外部施加器部分沿着垂直于对称垂直轴的一径向轴而倾斜，并且能够使至少该外部施加器部分沿着对称垂直轴而旋转。反应器可更包括一升举装置，其是用于改变内部及外部施加器部分沿着对称垂直轴而相对于彼此的位置。于一较佳实施例中，升举装置包括一升举致动器，其是用以使内部施加器部分沿着对称垂直轴而上升及下降。

Description

具有动态可调整等离子源功率施加器的等离子反应器
背景技术
在包含等离子处理以于大型工件(workpiece)上形成纳米级特征结构(feature)尺寸的半导体元件制造中，主要的问题为等离子的均一性。举例来说，工件可以为300mm的半导体晶片或是矩形的石英光罩(例如：152.4mm乘以152.4mm)，因此，相对于(举例)在300mm直径晶片的整体面积上的纳米尺寸特征结构维持均一的蚀刻速率是相当困难，而此困难性至少部分源自制程的复杂度。等离子辅助(plasma-enhanced)蚀刻制程通常包含沉积及蚀刻的同步竞争制程，这些制程是受到制程气体组成、腔室压力、等离子源功率层级(其主要决定等离子离子密度及解离)、等离子偏压功率层级(其主要决定在工件表面的离子轰击能量)、晶片温度以及跨越工件表面的制程气流模式的影响。会影响制程均一性及蚀刻速率分布的等离子离子密度分布本身是受到反应器腔室的RF特性影响，例如导电元件的分布、遍及腔室的电抗(reactance)(特别是接地的电容)分布，以及气流至真空泵的均一性。后者是存在特殊的挑战，此因为真空泵一般是设置于抽气环的底部的一特殊位置，而此位置并非对称于工件或腔室任一者。所有的该些元件包含相对于工件及圆柱形对称腔室的不对称性，因此例如等离子离子分布及/或蚀刻速率分布的关键因素则倾向高度不对称。
具有此种不对称性的问题为习知用于调整工件表面的等离子蚀刻速率(或沉积速率)的控制特征仅能够进行相对于圆柱形腔室、工件或工件支撑物为对称的调整或校正(此种习知特征例如包括径向设置且独立驱动的内部及外部源动力驱动线圈、天花板内的径向设置且独立供应的内部及外部气体注入孔口阵列等)。此种特征通常无法完全校正(例如)等离子离子密度的非均一分布或是校正工件上蚀刻速率的非均一分布。原因为在实际应用中，此种非均一性是相对于工件或反应器腔室为不对称的。
因此，需要使习知的用于调整等离子制程参数(例如：工件上的蚀刻速率或蚀刻微负载或等离子离子密度等的分布)的控制特征来校正在真实等离子制程环境中所遭遇的非对称型的非均一性。
发明内容
一种用于处理一工件(workpiece)的等离子反应器，包括一制程室，其是包括一具有一顶壁的外壳，并且包括一大致垂直于顶壁的对称垂直轴、一位于制程室内且大致面向顶壁的工件支撑座、一耦接至制程室的制程气体注入装置，以及一耦接至制程室的真空泵。反应器更包括：一等离子源功率施加器，其位于顶壁上方，并且包括一径向内部施加器部分、一径向外部施加器部分，以及耦接至内部及外部施加器部分的一射频(RF)功率装置；以及一倾斜装置，是支撑至少该外部施加器部分，并且能够使至少该外部施加器部分沿着垂直于对称垂直轴的一径向轴而倾斜，并且能够使至少该外部施加器部分沿着对称垂直轴而旋转。反应器可更包括一升举装置，其是用于改变内部及外部施加器部分沿着对称垂直轴而相对于彼此的位置。于一较佳实施例中，升举装置包括一升举致动器，其是用以使内部施加器部分沿着对称垂直轴而上升及下降。
附图说明
图1，绘示第一较佳实施例的反应器。
图2A及2B，绘示图1的实施例中的倾斜调整构件的操作。
图3A、3B及3C，绘示图1的实施例操作的连续步骤。
图4A、4B及4C，绘示分别在图3A、3B及3C的个别步骤中所获得的工件表面的蚀刻速率分布。
图5，绘示第二较佳实施例的反应器。
图6，绘示根据另一实施例的反应器。
图7，绘示本发明的第一方法的方块流程图。
图8，绘示本发明的第二方法的方块流程图。
主要元件符号说明
100       真空室           105         侧壁
110       顶壁             115         地板
120       工件支撑座       125         工件
130，131  制程气体供应源   130a，130b  气体入口
135       气体注入装置     140         抽气环
145       真空泵           150         节流阀
160       功率施加器       162，164    线圈/功率施加器
166，168  功率产生器       170，172    阻抗匹配
/RF       产生器
175       导电网格         180         功率产生器
/RF       产生器
185       阻抗匹配         190         对称性/轴
200       偏心环           202         顶环
204       底环             206         平面
210       致动器           215         致动器
220       致动器           222         套件
223       螺杆             224         马达
250       控制器           255         支撑件
260       线圈             262         功率产生器
264       阻抗匹配         360         偏心环
362       顶环             364         底环
366，368  致动器           A           角度
具体实施方式
本发明是基于发明人的发现，即等离子制程参数(例如蚀刻速率)于工件表面的空间分布可由非对称分布(相对于工件或腔室)转变为更加对称的分布。在此种转变之后，藉由利用相对于工件或腔室为对称操作的调整特征，则可将分布(例如蚀刻速率分布)立即校正为均匀的分布(或几近均匀)。在较佳实施例中，工件上的(例如)蚀刻速率的空间分布是由非对称分布转变为对称分布，其是藉由使置顶的等离子源功率施加器相对于工件倾斜一角度，则蚀刻速率分布(相对于腔室或工件的圆柱型对称性)转变为对称。举例来说，初始是以非对称形式而分布的蚀刻速率可转变为在工件上「中间高(center-high)」或「中间低」的蚀刻速率分布。最后藉由使置顶等离子源功率施加器的内部相对于置顶等离子源功率施加器的外部作一调整，则上述所得的「中间高」或「中间低」的蚀刻速率分布可接着呈现绝佳均一(或几近均一)。于较佳实施例中，等离子源功率施加器为感应耦合源等离子施加器，其(至少)包括一内部径向对称缠绕的导体线圈以及外部径向对称缠绕的导体线圈(与内部线圈为同中心设置)。于实施时，内部线圈相对于外部线圈的调整是藉由调整内、外部线圈相对于工件的不同高度而执行。
参照「图1」，用于处理工件的等离子反应器包括真空室100，其是由圆柱形侧壁105、顶壁110及地板115所界定的。于地板115上的工件支撑座120可支托住工件125，且工件125可以为(举例而言)半导体晶片或石英光罩。制程气体供应源130是通过气体注入装置135而提供预定流速的制程气体至真空室100，而气体注入装置135可设置于如图示的侧壁105上，或是顶壁110内。抽气环140界定于工件支撑座120与侧壁105之间，而气体则藉由真空泵145，并在节流阀150的控制下而由真空室100排放通过抽气环140。等离子RF源功率是藉由设置于顶壁110上方的RF等离子源功率施加器160而耦合至真空室100中的气体。于「图1」所绘示的较佳实施例中，等离子源功率施加器160是包括内部RF线圈或是螺旋状导体线圈162，以及外部RF线圈或是螺旋状导体线圈164，其各自通过阻抗匹配170、172而由各自的RF源功率产生器166、168驱动。RF偏压功率是藉由电极或导电网格175而耦合至等离子，其中导电网格175是设置于工件支撑座120内，偏压功率则通过阻抗匹配185而由RF偏压功率产生器180所施加。
为了调整在工件125表面上的等离子制程非均一性的分布，外部线圈164可沿着任何选定的径向轴(即，延伸穿过并垂直于腔室的对称性190的圆柱形或垂直轴)旋转(倾斜)。所发现此特征的优点在于，若沿着最佳化的径向轴而使上述外部线圈164进行最佳化的角度的旋转(或倾斜)，则可将等离子制程参数(例如蚀刻速率)的非对称的非均一空间分布转变为对称的非均一分布(即，对称于对称性190的垂直或圆柱形轴)。此针对倾斜旋转的「最佳化」径向轴以及「最佳化」角度是取决于特定反应器腔室的各自特质，并在进行工件生产之前，凭经验地决定该些值，例如：藉由尝试错误测试法。
一旦蚀刻速率以此方式呈现了对称性，则其非均一性立即藉由调整内部线圈162相对于外部线圈164的效力来校正的。于最佳实施例中，此调整可藉由改变线圈162、164相对于彼此而在顶壁110上的高度来达成。基于此目的，内部线圈162可沿着对称性190的圆柱形轴而相对于外部线圈164移动(且相对于工件125及整个真空室100)。举例而言，若蚀刻速率由一般的非对称分布转变为对称的「中间高」分布，则接着藉由使内部线圈162垂直向上移动(远离顶壁110)以降低在工件125中央的等离子离子密度而使非均一性降低(或消除)。相反的，若蚀刻速率分布由一般的非对称性分布转变为对称的「中间低」分布，则接着藉由使内部线圈162垂直向下移动(朝向顶壁110)以增加在工件125中央的等离子离子密度而使非均一性降低(或消除)。
于选择性的实施例中，可藉由调整施加至不同线圈162、164的相对RF功率层级而来调整内部线圈162相对于外部线圈164的效力。此可在内部线圈162的垂直移动而额外进行，或是取代的。
于较佳实施例中，外部线圈164的倾斜旋转可藉由一对偏心环200在极小旋转角度的非常细微的控制来进行，该对偏心环200也就是顶环202及底环204，其较佳示于「图2A、2B」。外部线圈164是由顶环202所支撑，并且(较佳)与顶环202一同旋转。顶环202与底环204可为单一环状物所形成，且其由平面206所切割，该平面206相对于水平而倾斜角度A。当顶环202与底环204其中一者相对于另一者而沿着圆柱形轴190旋转时，顶环202的顶表面由「图2A」的初始水平定位倾斜为「图2B」的最大旋转。基于此目的，顶环202与底环204藉由各自的顶部及底部旋转致动器210、215而沿着圆柱形轴190相对于彼此独立旋转。顶环202与底环204的任一者可沿着轴190而于不同方向(顺时钟、逆时钟)旋转，另一者则保持不动。或是，两个环同时于相反旋转方向而旋转，以在倾斜角度上产生最快的变化。另外，为了调整倾斜角度的定位，则在所期望的倾斜角度达到之前或之后，顶环202与底环204可藉由致动器210、215同时一致产生旋转。因此，一般达到所期望的倾斜角度的顺序为藉由使顶环202与底环204在相反方向旋转，并接着藉由同时一致或非同时地以相同旋转方向来旋转顶环202与底环204直到倾斜方向的定位为所期望时，则可建立倾斜角度的方位角的方向(例如：两者之间为北、南、东或西或任何方向)。
在「图1」的较佳实施例中，仅有外部线圈164耦接至顶环202，在另一较佳实施例中，内部及外部线圈162、164皆耦接至顶环202，以藉由倾斜致动器210、215而倾斜。
内部线圈162的轴向(垂直)位移是由机械致动器来进行，例如「图1」中所示的螺杆驱动致动器220。螺杆驱动致动器220可由非导电性物质形成，且可由耦接至内部线圈162的内螺纹套件222以及螺接至套件222的可旋转且具螺纹的螺杆223所构成。螺杆223是藉由垂直位移马达224而顺时钟及/或逆时钟旋转。可选择地，致动器220可装设在内部线圈162下方的支撑构造(图中未示)上。
在选择性(但非为较佳)的实施例中，顶环202可支撑内部及外部线圈162、164两者，因此内部及外部线圈162、164可同时一起倾斜。
「图3A～3C」以及「图4A～4C」是绘示本发明的基本流程。首先，外部线圈164相对于顶壁110及工件支撑座120的平面基本为同高度，如「图3A」所示。蚀刻速率分布是倾向具有非均一性的非对称型态，如「图4A」所示。外部线圈164接着沿着一特定径向轴而倾斜一特定角度(「图3B」)，且此特定角度是足以将「图4A」的蚀刻速率非均一性的非对称型态转变为「图4B」的非均一性的对称分布。此种轴向对称分布(「图4B」)是表现出(举例而言)「中间高」或「中间低」的蚀刻速率分布。接着如「图3C」所示，再藉由将内部线圈162沿着垂直轴190而往上或往下移动，则可使非均一性降低或消除，以产生较佳的均一分布。较佳地，内部线圈162并不与外部线圈164一同倾斜。然而，若线圈162、164是一同倾斜，则接续的内部线圈162的上/下移动是沿着一相对于圆柱形轴190呈些微角度的轨道。
为了使顶环及底环162、164的所有可能旋转(即，用于沿着外部线圈164的圆柱轴倾斜及/或旋转)以及内部线圈162的垂直位移两者的所有形式及组合呈现多变的选择，是利用一制程控制器250来独立控制各个旋转致动器210、215、位移致动器220以及RF产生器166、168、180。
「图5」是绘示另一选择性实施例，其中外部线圈164是悬挂在支撑件255的底部，而支撑件255是耦接至顶环202(并非如「图1」而设置在顶环202上)。
「图6」是绘示另一实施例，其中是采用一位于内部及外部线圈162、164之间的中间线圈260，且中间线圈260是通过阻抗匹配264而由RF源功率产生器262独立驱动。此实施例是用于进行本发明的制程的部分步骤，其中在该些步骤中，各个线圈162、164、260是被驱动而具有不同RF相(以及相同RF频率)，以在等离子产生区域中的RF功率密度分布中建立不同的最大值及最小值。此接着会反映于在工件125表面上的蚀刻速率分布的不同型态。举例而言，中间线圈260是驱动而与内部及外部线圈162、164呈180度的反相。
往回参照「图1」，当已参照上述的设备及方法而描述较佳的实施例，也就是外部线圈164是沿着径向轴而相对于工件125及整个真空室100而旋转(倾斜)，则相反的操作亦可达到相似的结果。更特定的说，并非使外部线圈164倾斜(或是除了使外部线圈164倾斜以外)，工件125及工件支撑座120可相对于功率施加器160(以及相对于整个真空室100)而倾斜。基于此目的，一对同中心的偏心环360(相同于「图1」中的环162、164)是设置于工件支撑座120下方并支撑的，且包括顶环362及底环364，因此工件支撑座120可如同参照先前描述的外部线圈164的方式而倾斜。个别的顶部及底部致动器366、368是分别控制顶环362及底环364沿着圆柱形轴190的旋转。
「图7」为说明本发明的第一方法的方块流程图。第一步骤(方块400)是使RF源功率施加器160(或至少其外部部分或线圈164)相对于真空室100或相对于工件125而倾斜，以将等离子制程参数(例如蚀刻速率)的非均一分布由非对称的非均一分布(「图4A」)转变为轴向对称的非均一分布(「图4B」)。第二步骤(方块402)是使内部RF源功率施加器(例如内部线圈162)相对于外部RF源功率施加器(例如外部线圈164)或者是相对于顶壁110或工件125而垂直移动，藉以将制程参数(例如蚀刻速率)的轴向对称的非均一分布(「图4B」)转变为均一分布(「图4C」)。
「图8」是绘示本发明的另一实施例的方块流程图，其可包括数个变化形式。第一步骤(方块404)是使RF源功率施加器160(或至少其外部线圈164)沿着径向轴旋转(或倾斜)。于一实施态样中，此步骤是于最初即进行，也就是说，在处理生产工件之前进行(方块404a)。而此步骤亦可相对于真空室100的基准平面而使RF源功率施加器160(或外部线圈164)与其同水平(方块404a-1)。或是，如同前所述及，此步骤是进行而使蚀刻速率分布对称于(或至少几近对称于)圆柱形轴190(方块404a-2)。或是，此步骤是可进行而使线圈164的平面相对于工件125的平面定位(方块404a-3)。在另一实施态样中，此步骤是在处理过程中连续进行(方块404b)。可选择地，此步骤可非连续地或偶发地进行(方块404c)。
在另一选择性实施例中，方块404的步骤的目的是将功率施加器160(或至少其外部线圈164)的平面相对于工件125的平面而倾斜，而其中是使线圈164倾斜(利用「图1」所示的致动器210、215)或是使工件支撑座120倾斜(利用旋转致动器366、368)。或是，可同时使外部线圈164及工件支撑座120倾斜，直到达到两者平面之间相对的期望定位。如上所述，最佳化的定位为等离子参数(例如蚀刻速率)于工件125上的分布是至少相对于对称性190的垂直轴而几近对称。此使得等离子分布的对称调整能够让等离子制程参数的分布至少几近均一，此种对称调整可以为内部及外部线圈162、164的相对高度的改变，或是施加至二线圈的相对RF功率的改变，或者例如是至工件125上方的制程区域的内部及外部部分的个别制程气体流速改变。此种调整是于下述的部分步骤中进行。
下一步骤是调整内部及/或外部RF源功率施加器162、164相对于另一者或是相对于工件125的垂直高度(方块406)。此步骤的进行的目的是将工件125上的圆柱形对称的非均一蚀刻速率分布转变为均一分布(或几近均一)，如同前所提及者。
下一步骤是使RF源功率施加器160(或至少其外部线圈164或部分)于处理过程中沿着垂直轴旋转(方块408)。如同前所提及，此步骤可藉由偏心环202、204同时且一致的旋转来进行。此步骤可在处理过程中连续进行(方块408a)；可选择地，此步骤可非连续地或偶发地进行(方块408b)，其是视处理过程中所期望的效应而定。此步骤是藉由在既定等离子制程步骤中数次的旋转而使得等离子源功率施加器160在工件125表面的非均一效应平均化。等离子源功率施加器160(或至少其外部线圈164)的旋转可以在倾斜操作之前、过程中或者之后进行。两者的差异是在于倾斜操作需要沿着顶环202、底环204的对称性轴190的相对旋转动作，反的，外部线圈164沿着对称性轴的单纯旋转动作需要顶环202、底环204一致的旋转，而不需要顶环202、底环204之间的相对动作。此两种动作模式是可藉由将两种相对环动作组合而同时进行。虽然外部线圈164可能已被倾斜而使得其对称轴不与其垂直轴190一致，然而其旋转动作(当顶环202、底环204一致旋转)在此说明书中是定义为沿着垂直轴190而发生。
下一步骤(方块410)是用以独立调整传送至内部及外部线圈162、164的各自RF功率层级，藉以控制等离子处理参数(例如：蚀刻速率)的径向分布，或是RF源功率施加器160的有效区域。如一可能实例，此步骤是进行以校正工件表面的对称的非均一蚀刻速率分布，就其本身而论，此步骤是补充(或替代)上述的内部线圈162的垂直移动。
另一步骤(方块412)是用以调整不同(内部/外部)功率施加器部分(例如「图6」的多个同心线圈162、164、260)之间的RF相(RF phase)差异，以控制等离子处理参数(例如：蚀刻速率)的径向分布。可藉由多个线圈不同的相关是达到不同的RF功率分布，而部分的RF功率分布对于特殊实例的部分期望效应为最佳。
在进一步的选择性步骤中(「图8」中的方块414)，来自制程气体供应源130、131至内部及外部气体入口130a、130b(示于「图6」)的制程气流流速可相对于彼此而调整，藉以调整等离子离子密度的径向分布。方块406(调整内部及外部线圈162、164的相对轴向位置)、方块410(调整施加至内部及外部线圈162、164的相对RF功率层级)以及方块414(调整至内部及外部气体入口131a、130a的相对气体流速)的调整皆相对于垂直轴190为对称(「图1」)，并可用以使在方块404的倾斜步骤转变为对称的蚀刻速率分布(举例来说)成为均一。
惟本发明虽以较佳实施例说明如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内所作的更动与润饰，仍应属本发明的技术范畴。

Claims (12)

1.一种用于处理一工件的等离子反应器，包括：
制程室，包括具有顶壁的外壳，并且包括：垂直于该顶壁的对称垂直轴、位于该制程室内且面向该顶壁的工件支撑座、耦接至该制程室的制程气体注入装置，以及耦接至该制程室的真空泵；
等离子源功率施加器，位于该顶壁上方，并且包括径向内部施加器部分、径向外部施加器部分，以及耦接至该内部及外部施加器部分的射频功率装置；以及
倾斜装置，支撑一被支撑元件，该被支撑元件是下述之一：(a)至少该外部施加器部分，(b)该工件支撑座，该倾斜装置能够使该被支撑元件沿着垂直于该对称垂直轴的径向轴而倾斜，并且能够使该被支撑元件沿着该对称垂直轴而旋转；其中该倾斜装置包括：
环，区分为一对环，该对环沿着倾斜面而彼此分隔开，并且包括
顶环及底环；以及
环旋转致动器，耦接以旋转该顶环及该底环的至少其中之一。
2.如权利要求1所述的反应器，其更包括：
升举装置，用于沿着该对称垂直轴改变该内部及外部施加器部分相对于彼此的位置。
3.如权利要求2所述的反应器，其中该升举装置包括升举致动器，用以使该内部施加器部分沿着该对称垂直轴而上升及下降。
4.如权利要求1所述的反应器，其中该环旋转致动器包括第一环旋转致动器及第二环旋转致动器，该第一环旋转致动器用以使该顶环沿着该对称垂直轴而旋转，该第二环旋转致动器则用以使该底环沿着该对称垂直轴且独立于该顶环而旋转。
5.如权利要求4所述的反应器，其更包括：
升举致动器，用以使该内部施加器部分沿着该对称垂直轴而上升及下降；以及
控制处理器，其管控：(a)该升举致动器；(b)该第一环旋转致动器及该第二环旋转致动器；以及(c)该射频功率装置。
6.如权利要求5所述的反应器，其中该射频功率装置包括可独立控制的射频功率输出，该些输出分别耦合至该内部施加器部分及该外部施加器部分的一个，且其中该控制处理器是程控的，以改变施加至该内部施加器部分及该外部施加器部分的射频功率的相对量。
7.如权利要求1所述的反应器，其中该等离子源功率施加器更包括一中间施加器部分，其位于该内部施加器部分及该外部施加器部分之间，该射频功率装置更包括一另外且独立的射频功率输出，该输出耦合至该中间施加器部分。
8.如权利要求7所述的反应器，其中该被支撑元件包含该外部施加器部分，以及其中该中间施加器部分连接至该顶环，以使得该中间施加器部分可与该外部施加器部分一同倾斜。
9.如权利要求1所述的反应器，其中该被支撑元件包含该内部和该外部施加器部分，其中该倾斜装置支撑该内部施加器部分及该外部施加器部分两者，以使得该内部施加器部分及该外部施加器部分可藉由该倾斜装置而一同倾斜。
10.如权利要求8所述的反应器，其更包括第二倾斜装置，该第二倾斜装置支撑该工件支撑座，并且能够使该工件支撑座沿着径向倾斜轴及该对称垂直轴而旋转。
11.一种在等离子反应器腔室中处理工件的方法，该等离子反应器腔室具有径向的内部和外部线圈，位于该腔室的顶壁并面向该工件，所述外部线圈绕垂直于腔室的对称性的圆柱形轴的径向轴相对于该工件及相对于整个腔室旋转，所述内部线圈相对于所述外部线圈、相对于该工件及相对于整个腔室沿该对称性的圆柱形轴移动，所述方法包含：
施加射频源功率至该线圈，并引入制程气体进入该反应器腔室，以使得在该工件上实施等离子处理，其中等离子处理由等离子处理参数特征化，该等离子处理参数具有跨越该工件表面的空间分布；
相对于该工件或者相对于该腔室沿着一径向倾斜轴旋转至少该外部线圈，藉以将所述制程参数的分布从非对称的非均一分布转变为关于该对称性的圆柱形轴对称的非均一分布；
通过下述之一而通过相对于该腔室的对称性的圆柱形轴而对称地改变该空间分布以减小该空间分布的非均匀性：
(a)沿着该对称性的圆柱形轴，相对于该外部线圈或者相对于该顶壁或者相对于该工件移动该内部线圈；
(b)调整施加到该内部和外部线圈的相对射频功率层级；
(c)相对于彼此调整至该工件上方的制程区域的径向的内部及外部部分的制程气体流速。
12.如权利要求11所述的方法，其中该旋转和移动是在施加步骤之前实施。
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