TW200811545A - Light emission device and display device using the light emission device as light source - Google Patents

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TW200811545A
TW200811545A TW096107155A TW96107155A TW200811545A TW 200811545 A TW200811545 A TW 200811545A TW 096107155 A TW096107155 A TW 096107155A TW 96107155 A TW96107155 A TW 96107155A TW 200811545 A TW200811545 A TW 200811545A
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Description

200811545 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 1本發明與顯示裝置有關,更特別地與使用電子發射區 及里光層將光發射的發光裝置有關,以及與使用發光裝置 作為光源的顯示褒置有關。 【先前技術】 Φ 一種包括以一個在其間的間距彼此面對的第一及第二 基板、設置在第一基板上的複數個電子發射區、以及設置 在第二基板上的螢光層及陽極之發光裝置是眾所周知的。 該發光裝置有一簡化的光學構件並且比冷陰極型螢光管 (CCFL)的發光裝置及發光二極體(LED)型的發光裝置具有 更低的功率消耗。 第一及第二基板在它們的邊緣使用一個密封構件而密 封在一起,以形成真空封殼。在發光裝置裡,從電子發射 φ 區發射的電子由施加於陽極的陽極電壓使電子朝向螢光層 加速,然後激發螢光層發射出可見光。 該發光裝置可以用作為非自發光顯示面板之顯示裝置 的光源。不過,當發光裝置朝顯示面板發光時,一部分的 發射光沒有通過顯示面板朝向觀看者傳送,而是從顯示面 板反射回到發光裝置。朝向發光裝置的反射光無法重新利 用而造成光損失。 此外,當驅動顯示裝置時需要將發光裝置驅動,以使 整個發光表面上方保持預設的亮度。因此,很難將動態對 5 200811545 比以及顯示品質改進到要求的水準。 因此,提供一個可以克服傳統發光裝置缺點的發光裝 置是合乎需要的,這樣可以更佳地使用反射光以及/或是改 進顯示裝置所顯示之影像的動態對比。 • 【發明内容】 根據本發明的範例實施例,其係提供一種發光裝置可 _ 以透過反射來自裝置外面的入射光而提升它的發光效率, 以及提供一種使用該發光裝置作為光源的顯示裝置。 根據本發明的範例實施例,其亦提供一種發光裝置可 以獨立地控制複數個發光表面的分開的區域光強度,並且 提供一種透過使用發光裝置作為光源來提升螢幕動態對比 的顯示裝置。 根據本發明的一個範例實施例,一種發光裝置包括: 彼此面對的第一及第二基板並且形成一個真空容器;一個 • 放置在第一基板上的電子發射單元;以及一個放置在第二 基板上的發光單元。該發光單元包括放置在第二基板上的 複數個螢光層並且彼此分開,一個在螢光層之間的反射層 以及放置在螢光層以及光反射層之一侧的陽極。 光反射層可以由從一組包括鋁、鉬及其合金中選出的 金屬形成。 螢光層可以用四角形來形成並且光反射層可以用一種 格子圖案形成。 陽極可以包括一個放置在螢光層以及光反射層上的金 6 200811545 屬層,其係在朝向第一基板之一侧。或是,陽極可以包括 一個放置在螢光層以及光反射層上的透明導電層,其係在 朝向第二基板之一侧。 根據本發明的另一個範例實施例,一種顯示裝置包括: 用於顯示影像的一個顯示面板;以及用於朝顯示面板發射 ^ 光的發光裝置。該發光裝置包括:彼此面對的第一以及第 、 二基板以形成一個真空容器;放置在第一基板上的一個電 鲁 子發射單元;以及一個發光單元,其包括複數個放置在第 二基板上並且彼此分開的螢光層、一個放置在螢光層之間 的光反射層、一個放置在螢光層以及反射層之一侧的陽 極0 電子發射單元可以包括第一電極以及跨過第一電極的 第二電極,其中第一電極係與第二電極絕緣,並且電子發 射區係與第一電極或是第二電極電連接。 顯示面板包括第一像素並且發光裝置包括第二像素。 _ 第一像素的數量可以少於第一像素的數量,並且第二像素 的發光強度可以獨立地控制。顯示面板可以是一個液晶顯 示面板。 【實施方式】 本發明現在將參考伴隨附圖更完全地描述,並且在其 中顯示本發明的範例實施例。然而,本發明可以用許多不 同的形式實現並且不應該被解釋為只限於在此闡述的實施 例;而是提供這些實施例以使得本揭露内容將是徹底並且 7 200811545 完整的,並且將完全地把本發明的概念傳達給熟習該項技 術者。 圖1是根據本發明之一個實施例的發光裝置之剖視 參考圖1,本實施例的發光裝置10包括第一及第二基 板12及14,其以之間的一個預設距離彼此面對。在,第一 及弟二基板12及14的邊緣提供一個密封構件16以將它 們密封在一起,因此形成一個密封封殼(或是一個密封的容 器)。密封封殼的内部保持在大約1 〇·6托的真空。因此,基 板12、14以及密封構件16可以說是形成一個真空封殼(或 是一個真空容器)。 在密封構件16圍繞的區域中,第一及第二基板12及 14之每一個都具有一個發射可見光的主動區以及一個圍繞 在主動區周圍的非主動區。一個發射電子的電子發射單元 1 8係被設置在第一基板12的主動區上,並且一個用來發 射可見光的發光單元20係被設置在第二基板14的主動區 上。 圖2疋圖1的發光裝置之主動區的部分分解立體圖。 芩考圖1及2,電子發射單元18包括透過絕緣層24 彼此絕緣的第一電極22以及第二電極%,並且電子發射 區28係免連接到第一電極22。在其他實施例中,電子發 射區28可以電連接於第二電極%。 β當電子發射區28在第一電極22上形成時,第一電極 是用以將電流施加於電子發射區28的陰極,並且第二 8 200811545 =極26疋用來感應電子發射的閘極,其透過在電極發射 2 28周圍、根據陰極及閘極之間的電壓差所形成的一個 電場來感應。相反地,當電子發射區28在第二電極26上 形成日守第一電極26是陰極並且第一電極22是閘極。 ^在第一及第二電極22及26中,沿著發光裝置10的列 文排的私極係作用為掃描f極,並且沿著行安排的電極係 作用為資料電極。 在圖1及2裡,在第一電極22上形成電子發射區 ,範例中,將第-電極22沿著發光裝置1G的行安排(也就 在圖1及2裡的y軸方向),並且將第二電極%沿著發 光裝置10的列安排(也就是在圖1及2裡的x轴方向)。不 過電子發射區28以及第一及第二電極22及26的安排 不限於上述情況。 開口 241及261在第一及第二電極22 & %的交叉區 =別穿過絕緣層24以及第二電極26形成以部分暴露第一 电極22的表面。電子發射區28在第-電極22上通過絕 緣層24的開口 241形成。 電子發射區28是由-種材料形成,該材料在真空條件 :當被施加—個電場時發出電子,例如-種碳基材料或是 -種奈米大小的材料。電子發㈣28可以由奈米碳管、 :墨、石墨奈米纖維、鑽石、類鑽石碳、C6。、矽奈米線或 是其結合而形成。例如,電子發射區28彳以透過—個絲 網印刷過程、直接生長、化學氣相沉積或是濺鍍過程而形 成0 9 200811545 或疋’電子發射& 2 8可以用尖端結構形成,尖^端結構 是由鉬基或是矽基材料形成。 第一及第二電極22及26的一個交叉區可以對應於發 光裝置10的一個像素區。或是,第一及第二電極22及% 的兩個或是更多交叉區可以對應於發光裝置1〇的一個像 • 素區。在這情況下根據一個實施例,放置在一個像素區的 兩個或是更多第一電極22以及/或是兩個或是更多第二電 _ 極2 ό係彼此電連接以接收一個共同的驅動電壓。 發光單元20包括在第二基板14上(例如以四角形)形 成的複數個螢光層30,並且以一個預設的圖案彼此分開, 一個光反射層32係在螢光層之間形成,並且一個陽極34 係在螢光層30及光反射層32上朝向第一基板12的一邊(或 是表面)形成。 螢光層30可以是白色的螢光層。一個或是更多螢光層 可以對應於一個像素區。或是,一個螢光層可以對應於兩 鲁個或疋更多像素區。在所有的情況裡,每個螢光層3 〇可 以如圖3所示以一個四角形的形狀形成。 光反射層32是由一種具有南的光反射率的材料形成。 例如’光反射層32可以包括一種由鋁、鉬及其合金組成 的群組中選出的材料。光反射層32可以在螢光層30之間 以種相對於螢光層3 0圖案所形成的格子圖案而形成。 陽極34可以由例如鋁的金屬形成並且覆蓋螢光層% 及光反射層32。陽極34是一個加速電極,其係接收高電 反以使螢光層3 0保持在一個高電位狀態。陽極3 4作用為 200811545 透過可見光的反射來提升亮度,可見光係從螢光層3〇朝 向第一基板12發射而反射到第二基板14。 在第一及第一基板12及14之間安排間隔物(未顯示) 以均勻地在第一及第二基板12及14之間保持一個對抗外 部力量或是壓力的間距。 • 上面描述的發光裝置10是透過在第一及第二電極22 及26施加驅動電壓以及在陽極34施加數千伏特的正直流 φ 電壓而被驅動。在圖1裡,元件符號36及38分別指示從 第二電極延伸的第二電極導線,以及從陽極延伸的陽極導 線。 然後’ 一個電場係在像素區的電子發射區2 8周圍形 成/、中在弟一及弟一電極22及26之間的電壓差係超過 一個臨界值,因此電子係從電子發射區28發射。發射的 笔子疋猎由施加於1¼極34的南電壓加速,然後撞擊相靡 的螢光層30,因此激發螢光層30。在每一個像素的螢光 • 層30的發光強度是對應於相對應的像素的電子發射量。 圖4是圖1的發光裝置10的第二基板14以及發光單 元20的部分放大剖視圖 。 參考圖1及4,當發光裝置10被驅動時,從發光裝置 10發射的一部分光是由一個放置在發光裝置1〇前面的構 件(例如一個顯示面板或是擴散片)反射並且重新導引到發 光衣置1 〇。在這時候,在螢光層3 0之間所形成的光反射 層32再次將光朝第二基板14反射。 因此,從發光裝置10發射的光量變成為從螢光層3〇 11 200811545 發射朝向第二基板之光量、從陽極34反射之光量以及從 反射層32反射之光量的總合。因此,本實施例的發光裝 置1 〇的亮度與沒有光反射層的傳統發光裝置相比較時是 提升的。 圖5是根據本發明的另一個實施例之發光裝置的第二 基板14以及發光單元20’的部分放大剖視圖。 茶考圖5,本實施例的發光單元2〇,包括一個陽極34,、 _ 複數個螢光層30’以及在螢光層30’之間形成的光反射層 32’,其中陽極34’係使用一種透明導電材料例如銦錫氧化 物(ITO)在第二基板14·上面形成,而螢光層3〇,是在陽極34, 上形成並且以一種預設的圖案彼此分開。 在一個實施例中,一個額外的光反射層4〇在螢光層3〇, 以及光反射層32,上形成。 螢光層30’以及光反射層32’的材料及形狀實質上與上 述實施例中的螢光層30及光反射層32的材料及形狀相 φ 同。額外的光反射層40可以由例如鋁的一種金屬形成。 在這個實施例中,光反射層32,不僅將放置在發光裝置前 面之裝置(例如一個顯示面板或是擴散片)所反射的光反 射,也將從陽極34’反射的光反射朝向第二基板ι4,,因此 提升了亮度。 在上述實施例中,在第一及第二基板12及14(或是14,) 之間的間距可以在例如5-20毫米的範圍内,其比傳統場發 射類型之为光單元的範圍大。陽極3 4經由陽極導線3 8接 收至少10千伏的高電壓。在一個實施例中,高電壓是在 12 200811545 大約10千伏至,J 15千伏範圍内。因此,本發明㈣光裝置 10在主動區的中央部分實現一個超過! 〇〇〇〇cd/m2的亮 度。 圖6是根據本發明之一個實施例的顯示裝置的分解立 體圖。圖6的顯示裝置只是範例的,並不是限制本發明。
參考圖6,此實施例的顯示裝置1〇〇包括一個發光裝 置丨〇以及安排在發光裝置10前面的一個顯示面板5〇 於均勻地擴散從發光裝董10朝向顯示面板5〇發出的光之 擴散片6〇可以設置在顯示面板5〇與發光裝置1〇之間。 擴散片60可以以一個預設的距離與發光裝置1〇分開。一 個上架框62係安排在顯示面板5〇的前面,並且一個底架 框64係安排在發光裝置10的後面。 顯示面板50可以是一個液晶顯示面板或是任何其他非 自發光的顯示面板。在下列的描述中係以液晶顯示面板作 為範例。 顯示面板50包括一個薄膜電晶體(TFT)基板52,其包 括複數個TFT、安排在TFT基板52上的彩色濾光片基板54 以及安排在TFT基板52與彩色濾光片基板54之間的一個 液晶層(未顯示)。偏光板(未顯示)係貼附在彩色濾光片基板 54的上表面以及TFT基板52的底部表面,以將通過顯示 面板50的光偏極化。 TFT基板52是一個玻璃基板,在其上TFT以一個矩 陣圖案安排。一條資料線係連接到一個TFT的源極端並且 一條閘極線係連接到該TFT的閘極端。此外,由透明導電 13 200811545 層形成的一個像素電極係連接到該TFT的汲極端。 當電信號從電路板總成56及58輸入到各自的閘極線 及資料線時,電信號係輸入到TFT的閘極以及源極端。然 後TFT根據輸入其中的電信號而導通或是關斷,並且輸出 一個像素電極所要求的電信號到汲極端。 RGB彩色濾光片係在彩色濾光片基板54上形成,以 在光通過彩色濾光片基板54時發出預設顏色的光。一個 由透明導電層形成的共同電極係在彩色濾光片基板54上 的整個表面沈積。 當電力施加到TFT的閘極及源極端而導通TFT時,在 TFT基板52的像素電極以及彩色濾光片基板54的共同電 極之間形成一個電場。由於該電場,液晶層的液晶分子的 方向可以改變,因此每一個像素的透光率可以根據液晶分 子的方向而改變。 顯示面板50中的電路板總成56及58分別連接到驅動 1C封裝561及581。為了驅動顯示面板5〇,閘極電路板總 成56傳达一個閘極驅動信號,並且資料電路板總成58傳 送一資料驅動信號。 發光裝置10的像素數量少於顯示面板5〇的像素數量, 因此發光裝置10的一個像素係對應於顯示面板5〇的兩個 或是更多像素。每-個發光裝置1G㈣素係響應於顯示 面板50之對應的像素中最高的灰階值而發光。發光裝置 可以代表在每一個像素的2〜8個位元灰階值。 為了方便起見,顯不面板5〇的像素將被稱為第一像 14 200811545 素’並且發光裝置1〇的像素將被稱為 :應[個第二像素的複數個第—像素將被稱為第二:素 為了驅動發光裝置10,一個 信號控制單元(未顯示)係偵測工1顯示面板別的 的最高灰階值,根據所㈣以b 、且的第-像素中 很艨所偵測的灰階值計算 要求的灰階值,把計算的灰階值轉變成:=素發光所 用該數位資料產生發光穿置1〇 & 數位-貝_ ’然後使 的驅動信號係包括一個掃L動:Γ信號。發光裝置10 號。 们“驅動仏琥以及-個資料驅動信 發光裝置1〇的電路板總成(未顯示)係—個掃 總成以及資料電路板總成’其分別連接到驅動ic封裝441 及^卜為了驅動發光裝置1(),掃描電路板總成係傳送一 個知描驅動信號,並且資料電路板總成係傳送—個資料驅 動信號°第-及第二電極中的其中—個接收掃描驅動信號
並且另一個接收資料驅動信號。 口此^衫像由弟一像素組顯示時,發光裝置1 〇之相 對應的第二像素係與第一像素組同步,以預設的灰階值發 射光線。發光裝置10具有安排成列及行的像素。安排^ 每一列中的像素數量可以從2到99並且安排在每一行之 中的像素數量可以從2到99。 如在上面描述的,在發光裝置10之中,發光裝置1〇 之像素的發光強度係獨立地控制以發射適當的光強度到顯 示面板5 〇的每一個第一像素組。結果,本發明的顯示裝 15 200811545 置100可以提升螢幕的動態對比以及影像品質。 雖然本發明的範例實施例已經在上面詳細描述,應該 清楚理解在此所教示的基本發明概念的报多變化以及/或是 修改仍然落人本發”精神及範圍中,即如所附的申請: 利範圍以及它們的等同範圍所定義的。 月 【圖式簡單說明】 筝考以上的詳細描述並與伴隨附圖一起考慮時可以更 /月楚地理解本發明,本發明的更完整理解及其中更多的仵 點及特徵將變得更明顯,而相同的元件符號係指 二 構件,其中: 圖1是根據本發明之一個實施例的發光裝置的剖視 圖; 圖2是圖〗的發光裝置之主動區的部分分解立體圖; 圖3疋圖1的發光裝置之發光單元的部分俯視圖; • 圖4是圖1的第二基板以及發光裝置之發光單元的部 分放大剖視圖; ° 圖5是根據本發明的另一個實施例之發光裝置的第二 基板及發光單元的部分放大剖視圖;以及 〜 圖6是根據本發明之一個實施例的顯示裝置之分 體圖。 立 【主要元件符號說明】 10發光裝置 16 200811545 12第一基板 14第二基板 14*第二基板 16密封構件 18電子發射單元 20發光單元 20*發光單元 22第一電極 24絕緣層 26第二電極 28電子發射區 241 、 261 開口 30螢光層 30’螢光層 32光反射層 32’光反射層 34陽極 341陽極 36第二電極導線 38陽極導線 40光反射層 50顯示面板 52薄膜電晶體(TFT)基板 54彩色濾光片基板 17 200811545 56、58電路板總成 561、581驅動1C封裝 441、461驅動1C封裝 60擴散片 62上架框 64底架框 100顯示裝置
18

Claims (1)

  1. 200811545 十、申請專利範圍: ι一種發光裝置,其係包括: 一個第一基板; 一個面對第一基板的第二基板,其中該第一及第二基 板形成一個真空容器; 一個放置在該第一基板上的電子發射單元;以及 一個放置在該第二基板上的發光單元,該發光單元包 ' 括: 在该第二基板上放置的複數個螢光層,並且其係 彼此分開; 一個在該些螢光層之間放置的光反射層;以及 一個放置在該些螢光層以及光反射層之一侧的陽 極。 2·根據申請專利範圍第丨項的發光裝置,其中該些光 反射層係由金屬形成。 φ 3·根據申請專利範圍第2項的發光裝置,其中該些光 反射層係由一種從鋁、鉬及其合金組成的一群組中選出的 金屬形成。 4·根據申請專利範圍第丨項的發光裝置,其中每一個 金光層係以四角形形成,並且該光反射層係以一種格子圖 案形成。 5·根據申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該陽極 包括一個放置在該些螢光層以及光反射層上的金屬層,並 且該側係面對該第一基板。 19 200811545 6·根據申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該陽極 匕括们放置在β亥些螢光層以及光反射層上面的透明導電 層,並且該侧係面對該第二基板。 7·根據申請專利範圍第6項的發光裝置,其中該發光 單兀更進一步包括在該些螢光層以及反射層上放置的一個 額外反射層。 8.根據申請專利範圍第1項的發光裝置,其中該發光 φ單兀更進一步包括彼此交叉的第一電極以及第二電極,其 中该第一電極與第二電極絕緣;並且包括電連接到該第一 電極或第二電極中的一個之電子發射區。 9·根據申請專利範圍第8項的發光裝置,其中該電子 發射區包括碳基材料或是奈米大小的材料中之至少一種。 10.—種顯示裝置,其係包括: 一個用來顯示影像的顯示面板;以及 一個用來朝該顯示面板發光的發光裝置,其中該發光 φ 裝置包括: 一個第一基板; 一個面對該第一基板的第二基板,其中該第一及 第二基板之間形成一個真空容器; 一個放置在該第一基板上的電子發射單元;,以及 一個發光單元,其包括放置在該第二基板上並且 彼此分開的複數個螢光層、一個放置在該些螢光層之間的 光反射層、以及一個放置在該些螢光層及光反射層之一側 的陽極。 20 200811545 11 ·根據申請專利範圍第i 〇項的顯示裝置,其中該光 反射層包括一種從由鋁、鉬及其合金組成的—群組中選出 的金屬。 12·根據申請專利範圍第項的顯示裝置,其中陽極 包括一個放置在該些螢光層以及光反射層上的金屬層,並 且其中該側係面對該第一基板。 • 13·根據申請專利範圍第1〇項的顯示裝置,其中陽極 φ 包括一個放置在該些螢光層以及光反射層上的透明導電 層’並且其中該側係面對該第二基板。 14_根據申請專利範圍第13項的顯示裝置,其中該發 光單元更進-步包括一個額外的光反射層,其係在朝向該 第一基板的一側放置在該些螢光層以及光反射層上。 15·根據申請專利範圍第1〇項的顯示裝置,其中該電 子發射早兀包括第一電極以及與第一電極交叉的第二電 極,其中該第-電極係與第二電極絕緣,並且其包括電連 φ 接到第一電極或是第二電極的電子發射區。 16·根據申請專利範圍第1〇項的顯示裝置,其中該顯 示面板包括第一像素,並且該發光裝置包括第二像素,其 中該第二像素的數量少於該第一像素的數量,並且該第二 像素的發光強度係獨立地控制。 17·根據申請專利範圍第1〇項的顯示裝置,其中該顯 示面板是一個液晶顯示面板。 21
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