TW200807809A - Microstrip reflection array antenna - Google Patents

Description

200807809 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微帶反射陣列天線，尤指一種具有 較低之交叉極化位準（cross polarization level，XPL)的微帶 反射陣列天線，以應用於衛星通訊的領域中。 【先前技術】 • 广在目前所使用之衛星通訊系統中（如衛星電視），由於 大氣層吸收或其他的原因，實際可應用於訊號傳輸的頻率 10範圍相當有限。但是，隨著所需要傳輸之訊號頻道的數目 大幅增加（如目前數百台的有線電視頻道），傳統利用不同頻 率來分別傳輸不同頻道的方法（頻率多工）以不足以應付此 if况。為此，目前除了頻率多工的方法以外，業界已使 用一種利用具有不同極化方向的數個訊號（具有相同頻率） 15來分別傳輸不同頻道的節目内容（極化多工）。如此，衛星通 _ tfL系統可傳輸之節目頻道便可大幅地增加，而無需發射新 的通汛衛生上太空以擴充頻道容量，節省下鉅額的金錢。 但是，由於在同一個衛星通訊頻率中，不同極化方向 的訊號分別代表不同節目頻道的訊號，所以如果衛星接收 20天線無法明確地辨別出所欲接收之訊號的極化方向時，使 用此衛生接收天線的接收系統便可能同時接收到兩個不 同即目頻道的訊號（分別具有不同的極化方向）。如此，雖然 所欲接收節目頻道的訊號強度較強，但另一節目頻道（利用 5 200807809 另-極化方向傳輸）的訊號仍會造成如絲等的雜訊，不利 於收視。

一圖1 A係習知之微帶反射陣列天線的示意圖。如圖丨八所 不，習知之微帶反射陣列天線包括一接地板u、一反射板 12、四個支撐單元13及一號角天線14。其中，反射板以係 藉由四個由絕緣材質構成之支撐單元13的支撐，而與由鋼 板構成之接地板11保持一特定距離。此外，習知之微帶反 射陣列天線在反射板12之上表面121佈設有複數個微帶天 線單70複數個微帶天線單元15，每一個微帶天線單元15分 別由一内環151與一外環152構成。另一方面，每一個微帶 天線單元15的尺寸（如外環152所具之第一直徑的長度）係與 其位於反射板12之上表面121的位置有關。此外，這些微帶 天線單元15更具有下列特徵·· 1 ·在同一個微帶天線單元15中，内環151所具之第 二直徑的長度與外環152所具之第一直徑的長度之間 存在有一特定比例關係。 2.在同一個微帶天線單元15中，外環152與内環 151均具有相同的寬度（4 mm)。 圖1B係習知微帶反射陣列天線經過IE3D軟體模擬所 2〇 得到之平面波散射場的示意圖。從圖1B中可以看出，習知 之微帶反射陣列天線仍具有顯著的交叉極化位準^意即， 當所欲接受之訊號為Y極化方向的訊號時’習知之微帶反射 陣列天線仍會較本發明之微帶反射陣列天線相對而言接收 6 200807809 到杈強之x極化方向（具有相同頻率）的訊號，即前述之問 題。 因此，業界亟需要一種只能接收到單一極化方向之高 頻訊號（如節目頻道訊號）的微帶反射陣列天線，即一種具有 5較低之父叉極化位準的微帶反射陣列天線，以提升衛星通 訊系統之衛星接收天線的接收品質。 【發明内容】

10 15 20 本發明之微帶反射陣列天線，係用以發射及接收一高 頻訊號，包括：-接地板；—具有—上表面之反射板，此 上表面佈設有複數個微帶天線單元，且每一此等微帶天線 單元具有一内環與一外環；複數個支撐單元，此等支撐單 元支撐此反射板於此接地板之上方，使此反射板與此接地 板之間維持一特定距離；以及一訊號發射單元，係位於反 射板之上方，以發射及接收此高頻訊號；其中，每一此等 微帶天線單元之外環的尺寸係依據此外環位於此反射板之 上表面的位置而定；每一此等微帶天線單元之外環具有一 苐直徑，母一此等微帶天線單元之内環具有一第二直 徑，且同一微帶天線單元之外環的第一直徑與内環的第二 直徑之間存在有-第一比例關係；每—此等微帶天線單元 之外環挖設有至少一第一溝槽，每一此等微帶天線單元之 内環挖設有至少一第二溝槽。 因此，藉由在本發明之微帶反射陣列天線之每一微帶 天線單元之外環及内環挖設兩個第一溝槽及兩個第二溝槽 7 200807809 (即兩個第-溝槽之連線方向平行於兩個第二溝槽之連線 方向），當本發明之微帶反射陣列天線處於其「接收狀態」 時，本發明之微帶反射陣列天線可利用這些溝槽有效地隔 絕其微帶天線單元因一極化方向垂直於兩個第一溝槽之連 5線方向的高頻訊號而產生之感應電流，使得本發明之微帶 反射陣列天線僅能接收一極化方向平行於兩個第一溝槽之 連線方向的尚頻訊號，大幅減低本發明之微帶反射陣列天 線接收到一極化方向垂直於兩個第一溝槽之連線方向之高 頻訊號的機會，有效地降低其交叉極化位準。所以，藉由 10使用本發明之微帶反射陣列天線，衛星通訊系統便可以利 用同一個頻率同時傳送兩種或兩種以上之訊號（每一種訊 號均具有不同之極化方向），大幅提升衛星通訊系統之容量 及訊號的接收品質。 本發明之微帶反射陣列天線可使用任何種類之訊號發 15 射單元，其較佳為一號角天線。本發明之微帶反射陣列天 線可接收及發射任何頻率範圍之高頻訊號，其頻率範圍較 佳介於9 GHz及12 GHz之間。本發明之微帶反射陣列天線可 具有任何材質的接地板，其材質較佳為銅、鋁或金。本發 明之微帶反射陣列天線可具有任何材質之反射板，其較佳 20 為一 FR-4材質的微波基板、一 Duroid材質的微波基板、一

Teflon材質的微波基板、一 Rohacell材質的微波基板、一 GaAs材質的微波基板或一陶瓷材質的微波基板。本發明之 微帶反射陣列天線可具有任何材質之支撐單元，其材質較 佳為絕緣材質。本發明之微帶反射陣列天線之反射板與接 8 200807809 、板之間可具有任何長度之距離，兩者之間的距離較佳介 於4 mm及10 mm之間。本發明之微帶反射陣列天線的反射 板可具有任何材質的微帶天線單元，其材質較佳為銅、銘 或金^形成於本發明之微帶反射陣列天線之反射板的微帶 5天線單元可具有任何形狀之内環，其形狀較佳為圓形、擴 圓形、方形或多邊¥。形成於本發明之微帶反射陣列天線 ,反射板㈣帶天線單元可具有任何形狀之外I，其形狀 f佳為圓形、橢圓形、方形或多邊形。形成於本發明之微 π反射陣列天線之反射板的微帶天線單元所具之内環可具 10有任何長度之第二直徑，其長度較佳介於同一微帶天線單 元^外環之第一直捏的〇·4倍及〇·8倍之間。形成於本發明之 微帶反射陣列天線之反射板的微帶天線單元所具之外環可 挖設有任何數目之第—溝槽’其數目較佳介於2至4。形成 於本發明之微帶反射陣列天線之反射板的微帶天線單元所 15具之内環可挖設有任何數目之第二溝槽，其數目較佳介於2 至4。 、

【實施方式】 -圖2Α係本發明第-較佳實施例之微帶反射陣列天線的 20示吻圖#中，本發明之微帶反射陣列天線包括一接地板 2卜一反射板22、四個支撐單元23及一號角天線24。其中， 反射板22係藉由四個由絕緣材質構成之支撐單元23的支撐 而與由銅板構成之接地板21保持一特定距離。在本發明第 一較佳實施例之微帶反射陣列天線中，反射板22與接地板 200807809 21之間的距離約為6mm。但是，在不同的應用場合中，反 射板22亦可藉由調整四個支禮單元23之長度的方式而與接 地板21保持另一不同長度之距離。此外，本發明第一較佳 實施例之微帶反射陣列天線在反射板22之上表面221佈設 5有複數個微帶天線單元25，且每一個微帶天線單元25分別 由一内環251與一外環252構成，如圖2B所示。 圖2B係本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線之 反射板的示意圖，其中，每一個微帶天線單元25的尺寸（如 • 外環252所具之第一直徑的長度）係與其位於反射板22之上 10表面221的位置有關，以便將號角天線24所發射之高頻訊號 正確地反射至外界（當本發明第一較佳實施例之微帶反射 陣列天線處於發射狀態時），或將來自外界之訊號（如衛星下 傳之訊號）正石雀地反射至號角天線24(當本發明第一較佳實 施例之微帶反射陣列天線處於接收狀態時）。 15 此外，在本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線 中，形成於反射板22之上表面221的微帶天線單元25更具有 下列幾項特徵： _ 1 ·在同一個微帶天線單元25中，内環251所具之第 二直徑的長度與外環252所具之第一直徑的長度之間 20 存在有一特定比例關係，且此特定比例關係會依據應 用領域的不同而改變。一般而言，此一特定比例關係， 即内環251所具之第二直徑除以外環252所具之第一直 徑所得之比值介於〇·4至0.8之間。但是，在本發明第一 車父佳實施例之微帶反射陣列天線中，此一直捏比值約 25 為 0.6。 200807809 2.在同一個微帶天線單元25中，外環252與内環 251均沿著相同的方向（如圖2B所示之Y方向）分別挖 設兩個第一溝槽253及兩個第二溝槽254，使得此一微 帶天線單元25之外環252及内環251均分為兩部分。 5 3.在同一個微帶天線單元25中，外環252與内環 251均具有相同的寬度，在本發明第一較佳實施例之微 帶反射陣列天線中，每一個微帶天線單元25所具之外 環252與内環251的寬度均約為4 mm。 另一方面，以下將藉由實際量測並配合IE3D軟體的模 10 擬，證明本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線（如圖 2A所示）相較於習知之微帶反射陣列天線（如圖1A所示）確 實具有較低之交叉極化位準（cross polarization level， XPL)，以使衛星通訊可使用之頻道數大量增加。 在進行實際量測及利用IE3D軟體模擬之前，量測及軟 15 體模擬之設定條件如下所述： 1. 由號角天線發射至反射板之平面波（plane wave) 係為極化之訊號（polarized signal)，且其極化方向係平 行於圖1A、圖2A及圖2B中所示之Y方向。此外，此一 訊號在瞒準線角（bore-sight angle)的交叉極化位準 20 (XPL)約為 30dBi。 2. 反射板係由一 FR-4材質的微波基板構成，且其 長寬分別為24 cm X 24 cm，而其厚度約為0.8mm。 3. 反射板與接地板之間的距離約為6 mm。 4. 反射板之上表面係以1.5 cm的間距佈設有 25 256個微帶天線單元，且每一個微帶天線單元均具有一 11 200807809 内環及一外環，兩者的寬度，均約為0.4 mm。此外， 每一個微帶天線單元所具之内環之第二直徑係為同一 微帶天線單元所具之外環之第一直徑的0.6倍。 5. 位於習知之微帶反射陣列天線之反射板上表 5 面的每一個微帶天線單元所具之内環與外環均未挖 槽，且兩者之間存在一同心環的關係。 6. 位於本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列 天線之反射板上表面的每一個微帶天線單元所具之内 環與外環沿者相同的方向（如圖2B所示之Y方向）分別 10 挖設第一溝槽及第二溝槽，且第一溝槽與第二溝槽的 寬度均為0.4 mm。 經過模擬之後，習知之微帶反射陣列天線之平面波散 射場（plane wave scattering field)如圖1B所示，而本發明第 一較佳實施例之微帶反射陣列天線之平面波散射場則如圖 15 3A所示。另外，為了比較方便兩者之間的差異，圖3B係由 圖1B與圖3A合併而成。 如圖3B所示，從這兩個微帶反射陣列天線（習知之微帶 反射陣列天線與本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天 線)反射而出之高頻訊號之具有Y極化方向的部分在各個角 20 度值（0)下的強度分佈（即散射場）大致相同，且代表兩個微 帶反射陣列天線的兩條曲線（分別以” ◊”及”一“表示）並 無顯著差異。由於號角天線發射至這兩個微帶反射陣列天 線之反射板的訊號係為具Y方向極化的高頻訊號，所以此一 現象顯示出這兩個微帶反射陣列天線不論在任何角度值 12 200807809 (0 )下，兩者的共極化位準（co-polarization level)大致相 同。 但是，需注意的是，如圖3B下半部分所示，從這兩個 微帶反射陣列天線（習知之微帶反射陣列天線與本發明第 5 一較佳實施例之微帶反射陣列天線)反射出之高頻訊號之 具有X極化方向的部分在各個角度值（0 )下的強度分佈（即 散射場)卻存在者顯著差異，兩條曲線不僅相差甚多，且本 發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線之曲線（以”〇” 表示）顯著低於習知微帶反射陣列天線之曲線（以” ”表 10 示）。此外，由於號角天線發射至這兩個微帶反射陣列天線 之反射板的訊號係為具Y方向極化的高頻訊號，所以本發明 第一較佳實施例之微帶反射陣列天線的交叉極化位準不論 在任何角度值（0 )下均顯著低於習知微帶反射陣列天線的 交叉極化位準。 15 圖4係顯示實際量測此兩種天線(習知微帶反射陣列天 線與本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線）在9 GHz 至12 GHz的頻率範圍内在瞄準線上輻射增益值，亦即比較 兩者在瞒準線上共極化增益（bore sight co-polarization gain) 與交叉極化增益（cross-polarization gain)的結果，其中，在 20 此頻率範圍内（9 GHz至12 GHz)，由於代表這兩個微帶反 射陣列天線（習知之微帶反射陣列天線與本發明第一較佳 實施例之微帶反射陣列天線）之瞄準線上共極化增益的兩 條曲線（分別以”▽”及”一“表示）在整個頻率範圍内（9 GHz至12 GHz)並無顯著差異，所以這兩個微帶反射陣列 13 200807809 天線瞄準線上共極化增益在整個頻率範圍内（9 GHz至12 GHz)内大致相同。 但是，如圖4下半部分所示，代表這兩個微帶反射陣列 天線（習知之微帶反射陣列天線與本發明第一較佳實施例 5 之微帶反射陣列天線）之交叉極化增益的兩條曲線在在整 個頻率範圍内（9 GHz至12 GHz)内則存在者顯著差異，兩 條曲線相差甚大，本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列 天線之曲線（以”〇”表示)顯著低於習知微帶反射陣列天線 之曲線（以表示）。因此，在整個頻率範圍内（9 GHz至 10 12 GHz)内，本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線的 交叉極化增益均顯著低於習知微帶反射陣列天線的交叉極 化增益。 圖5係實際量測此兩種天線（習知微帶反射陣列天線與 本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線）在10.4GHz 15 的頻率下，兩者在磁場平面（H-plane)上所具有之共極化輻 射圖樣（co_polarization radiation pattern)與交叉極化輻射圖 樣（cross-polarization radiation pattern)0 如圖 5戶斤示，在此 一頻率下（10.4 GHz)，由於代表這兩個微帶反射陣列天線 (習知之微帶反射陣列天線與本發明第一較佳實施例之微 20 帶反射陣列天線）之位於磁場平面之共極化輻射圖樣的兩 條曲線（分別以” 一”及”表示）在各個角度值（0)下並無 顯著差異。所以，這兩個微帶反射陣列天線的不論在任何 角度值（0 )下，位於磁場平面之共極化輻射圖樣大致相同。 但是，如圖5下半部分所示，代表這兩個微帶反射陣列 25 天線（習知之微帶反射陣列天線與本發明第一較佳實施例 200807809 之微帶反射陣列天線）之位於磁場平面之交又極化輻射圖 樣在各個角度值（θ)下則存在差異，且本發明第一較佳實施 例之微帶反射陣列天線之曲線（以，，鲁，，表示）低於習知微帶 反射陣列天線之曲線（以，，〇，，表示）。因此，在此一頻率 5 〇 〇.4 GHz)，本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線之 位於磁場平面交叉極化輻射圖樣不論在任何角度值)下 均顯著低於習知微帶反射陣列天線之位於磁場平面交又極 化輪射圖樣。 另一方面，除了使位於微帶反射陣列天線之反射板上 10表面的每一個微帶天線單元所具之内環之第二直徑為同一 微帶天線單元所具之外環之第一直徑的比值的〇·6倍外， 兩者之間的比值（第二直徑的長度除以第一直徑的長度）亦 可為〇·4至〇·8之間的任何數值。但是，當此一比值改變的 時候，此微帶反射陣列天線之交叉極化位準也會隨之改 15變二以本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線為例， 其每一個微帶天線單元之第二直徑/第一直徑比值為Q6, 而其交叉極化位準則約為36dB 。但是，若將每一微帶反 射/車列天線之反射板所具之每一微帶天線單元之第二直徑 /第一直徑比值改變為〇·8，則此一微帶反射陣列天線的交 20叉極化位準便會衰退為2()dB，即此一微帶反射陣列天線所 接收到的雜訊（一具有另一極化方向之訊號)較大。 圖6係位於本發明第二較佳實施例之微帶反射陣列天 線之反射板上表面之微帶天線單元的示意圖。在本發明第 二較佳實施例之微帶反射陣列天線中，位於微帶反射陣列 25天線之反射板上表面的每一個微帶天線單元61均具有一正 15 200807809 2圖之中内^-62與方形之外環63 ’且内環62之幾何中心 m不）與外環63之幾何中心點（圖中未示）重合。此 夕2環63與内環62分別挖設有兩個第一溝槽料及兩個第 5 ΐ=15,使外環63與内環62均分隔成兩段。最後，位於 月弟二較佳實施例之微帶反射陣列天線之反射板上表 1 之母—個微帶天線單元之外環63的邊長係依據其位於反 射扳上表面的位置而定。 圖7係位於本發明第三較佳實施例之微帶反射陣列天 、”之反射板上表面之微帶天線單元的示意圖 1〇三^佳實施例之微帶反射陣列天線中，位於微帶反射^ 天線之反射板上表面的每一個微帶天線單元Η均且有一丄 角形之内環72與一六角形之外環73’且内環72之幾何中: 點（圖中未不）與外環73之幾何中心點（圖中未示）重合。此 外外73與内ί哀72分別挖設有兩個第―溝槽74及兩個第 15二溝槽75，使外環73與内環72均分隔成兩段。最後，位於 本么明第二較佳實施例之微帶反射陣列天線之反射板上表 之每-個微帶天線單元之外環7微帶反射陣列天線之3的 邊長係依據其位於反射板上表面的位置而定。 ，此，藉由在本發明之微帶反射陣列天線之每一微帶 Λ單元之外％及内壞挖設兩個第—溝槽及兩個第二溝槽 (即兩個第-溝槽之連線方向平行於兩個第二溝槽之連線 f向），當本發明之㈣反輯列天線處於其「接收狀態」 % ’本發明之微帶反射陣列天線可利用這些溝槽有效地隔 絕其微帶天線單元因一極化方向垂直於兩個第一溝槽之連 25線方向的高頻訊號而產生之感應電流，使得本發明之微帶 16 200807809

反射陣列天線僅能接收一極化方向平行於兩個第一溝槽之 連線方向的高頻訊號，大幅減低本發明之微帶反射陣列天 線接收到一極化方向垂直於兩個第一溝槽之連線方向之高 頻訊號的機會，有效地降低其交叉極化位準。所以，藉由 使用本發明之微帶反射陣列天線，衛星通訊系統便可二利 用同一個頻率同時傳送兩種或兩種以上之訊號（每一種訊 號均具有不同之極化方向），大幅提升衛星通訊系統之容量 及訊號的接收品質。 上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所 主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限 於上述實施例。 【圖式簡單說明】 圖1A係係習知微帶反射陣列天線的示意圖。 15 圖1B係模擬所得之習知微帶反射陣列天線之平面波散射場 的示意圖。 圖2A係本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線的示意 圖。 圖2B係本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線之反射 20 板之上表面的示意圖。 圖3A係模擬所得之本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列 天線之平面波散射場的示意圖。 17 200807809 圖3B係圖1B及圖3A結合所得之習知微帶反射陣列天線與 本發明第一較佳實施例之微帶反射陣列天線之平面波散射 場的示意圖。 圖4係實際量測習知微帶反射陣列天線與本發明第一較佳 5 實施例之微帶反射陣列天線在9 GHz至12 GHz的頻率範圍 内，兩者所具有之瞄準線上共極化增益與交叉極化增益之 結果的示意圖。 圖5係係實際量測習知微帶反射陣列天線與本發明第一較 佳實施例之微帶反射陣列天線在10.4GHz的頻率下，兩者在 10 磁場平面上所具有之共極化輻射圖樣與交叉極化輻射圖樣 之結果的示意圖。 圖6係位於本發明第二較佳實施例之微帶反射陣列天線之 反射板上表面之微帶天線單元的示意圖。 圖7係位於本發明第三較佳實施例之微帶反射陣列天線之 15反射板上表面之微帶天線單元的示意圖。 【主要元件符號說明】 11接地板 13支擇單元 151内環 22反射板 24號角天線 252外環 61微帶天線單元 12反射板 14號角天線 152外環 221上表面 2 5微帶天線單元 253第一溝槽 62内環 121上表面 15微帶天線單元 21接地板 23支撐單元 251内環 254第二溝槽 63外環 200807809 64第一溝槽 65第二溝槽 71微帶天線單元 72内環 73外環 74第一溝槽 75第二溝槽

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Claims (1)

1. 200807809 十、申請專利範圍： 1. 一種微帶反射陣列天線，係用以發射及接收一高頻 訊號，包括： "接地板， 5 具有一上表面之反射板，該上表面佈設有複數個微 f天線單元，且每一該等微帶天線單元具有一内環與一外 環； _ 彳复數個支撐單元’該等支撐單元支撐該反射板於該接 地板之上方，使該反射板與該接地板之間維持一特定距 10 離；以及 一訊號發射單元，係位於反射板之上方，以發射及接 收該高頻訊號； η其中，每一該等微帶天線單元之外環的尺寸係依據該 外，位於該反射板之上表面的位置而定；每一該等微帶天 15線單兀之外具有一第一直徑，每一該等微帶天線單元之 • 内環具有一第二直徑，且同一微帶天線單元之外環的第一 直&與内％的第二直徑之間存在有一第一比例關係；每一 該等微帶天線單元之外環挖設有至少一第一溝槽，每一該 等微帶天線單元之内環挖設有至少一第二溝槽。 2〇 2·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中該訊號發射單元係為一號角天線。 复3·/申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， /、中該阿頻訊號之頻率範圍係介於9 GHz及之間。 20 200807809 4·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中該接地板係為銅板。 5.如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中該反射板係為FR-4材質的微波基板。 5 6.如申請專利範圍第丨項所述之微帶反射陣列天線， 其中該等支撐單元係由絕緣材質構成。 7·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中該接地板與該反射板之間的距離係介於4 mm及10 mm 馨 之間。 10 8·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中該接地板與該反射板之間的距離係藉由改變該等支撐 單元之長度的方式而調整。 9·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中每一該等微帶天線單元之内環係為圓環。 15 10·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中每一該等微帶天線單元之外環係為圓環。 • Π·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中每一該等微帶天線單元之内環與外環係為同心環。 12·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 20 其中每一該等微帶天線單元之内環的第二直徑係介於同一 微帶天線單元之外環之第一直徑的0.4倍及0.8倍之間。 13·如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中每一該等微帶天線單元之内環的寬度係與同一微帶天 線單元之外環的寬度相同。 21 200807809 14.如申請專利範圍第1項所述之微帶反射陣列天線， 其中母一該等微帶天線單元之外環挖設有兩個第一溝槽。 15·如申請專利範圍第14項所述之微帶反射陣列天 線’其中該兩個第一溝槽係形成於該外環之第一直徑的兩 5 端點。 16·如申請專利範圍第15項所述之微帶反射陣列天 線其中每一該等微帶天線單元之内環挖設有兩個第二溝 槽。 ’ 17·如申請專利範圍第16項所述之微帶反射陣列天 ^ ^中"亥兩個第二溝槽係形成於該内環之第二直徑的雨 端點。 18·如申凊專利範圍第17項所述之微帶反射陣列天 、其中該外壤之第—直徑係與該内環之第二直徑重合。 15 22