TW200804864A - Illumination system with zoom objective - Google Patents

Description

200804864 九、發明說明： 【發明領域】 、，本發明與一照明系統有關，該照明系統用以照明一場 平面中的場，並同時以來自一光源的輻射照明一光瞳平面。 【發明背景】 在一照明系統或一投影曝光裝置的投影物鏡所建立應 用的光學元件中，一般來說可以被明顯區分為兩類:換言 ^ ’所謂崎光元件與反光元件。折光元件為折射元件或 是鏡片元件，而反光元件則為反射元件或是鏡子元件。具 有專元件的綱纟贼投影物細被稱作為折光照 明系統或是折光投影物鏡，而具有專門反光元件的依系統 則被稱作為反光照明系統或反光投影物鏡。如果在一照明 系統或一投影物鏡中同時使用折射與反射元件，其將被稱 作為反光折光照明系統或是反光折光投影物鏡。 為了在電子組件的結構，特別是次微米範圍中達到進 一步的寬度縮減，對於在微影處理時所使用的光，若具有 較紐的波長是有利的。在這種結構的製造中，較佳的是使 用具有波長‘193奈米的光，換言之，使用所謂非常深的 紫外光（VUV)輻射，或是白色X射線，其也稱作為超紫 外光（EUV)輻射。 在多數參考文獻中，已經發表用於投影曝光裝置的照 月糸統’其使用此形式的輕射。舉例而言，US 6,198,793 與US 6,438，199說明一照明系統，其用於照明一場平面中 的一場以及一出口光瞳的照明，其中該照明系統具有一第 200804864 =面光學元件’其大致上為多數的矩觀柵元件。在根

=^6，198,793與us_，勝的系統中，是糊-掠過 入射鏡的裝置形成該場。 同樣的，從us 6,195,201所知的是一種雙重琢面照明 然而’在此系統中，該場並不由—掠過人射鏡的裝 =形成，而是已經⑽場的職形成該等各自場琢面， 、'之弧形’在此情況中於該場平面中照明-環狀場。 —在該照明系統光瞳中的照明改變，換言之，該照明設 定的改變已經在下述的參考文獻巾所發表。 如同在US 6,658,084中所描述的，可以利 該 =面光學元件的方式，在—雙姆面㈣純光瞳平= 中建立不同的照明，也就是建立所謂的不同照明設定。然 而’此類型的系統所具有的缺點為’通常該第二琢面光學 几件須具有多_第—琢喊學元件的琢面，而其便牵 涉到高製造成本。 *作為先前解決方式的一項可能替代方案，為可以在該 =琢面光學元件，齡之具有多數光曈琢面的該琢面光 子元件料面或一共輛平面中，建造孔徑光圈。而作為 另-可能性，孔徑光目可以絲將來自該第—琢面光學元 件該第-光栅元件的光加以光罩。然而，這導致光的損失。 在US 6,704,095中，發表利用變化該場琢面鏡子照明 的方式’改__設定的—種系統。根據此參考文獻， 在該第-觀φ鏡子上的設定可料㈣録不同方式 完成，舉例而言’利用—掠過入射鏡的裝置或是利用一變 200804864- 焦系統的裝置，透過這钱置，便可以變化該第—場平面 鏡子的照明。

對於折射-換言之，折光-照明系統而言，在US 5,237,367巾騎杨何藉自鶴-錢平面巾琢面折光元 件的方式，而改變在該光瞳中的照明，因此改變該照明設 定的概念。Μ “在W02006/021419中則發表反光群集中用於一投影曝 光裝置的照明系統，利用此裝置便可以變化在該光瞳平面 中的照明。 在一光瞳平面中的照明，也就是所謂的照明設定可以 具有不同的形狀，舉例而言，圓形、環形或是多極形狀。 對於圓形或環形照明而言，在—光瞳平财的照明強度可 以利用一填充比率σ所描述。根據定義，如果該照明系統 的光％被7L全照明，σ=1。如果該光瞳並非被完全照明，該 填充比率便小於1〇 對於忒填充比率的定義而言，則與相關領域中的一般 技術所相似。 對於一圓形照明的填充比率是定義為 其中 r代表在該出口光瞳中的該照明半徑 RNA代表該照明系統的數值孔徑NA半徑，其與一投影 曝光裝置投影物鏡的物鏡侧數值孔徑NA —致。 此發明的目的是克服先前技術的缺點，並提供一種照 200804864 明系統，其特別適用於波長幻93奈米的情況，較佳的是 $100奈米，更佳的是適用於波長<14奈米的超紫外光 (EUV)範圍’其中可以進行在該出σ光瞳中的—照明可 ，設定，而不遭遇到以上所敘述先前技術配 【本發明總結】 根據本發明-第-觀點，此任務是利用設計一昭明系 統所解決，該照㈣統使用來自具有—較佳波長λ的光源

輪射’以-給定照縣度照明—場平面中的場，並在一光 瞳平面中提供具有給定形狀與大小的_被區域。該照 明系統包含大量的元件，其佈置為該輻射可以從該光源導 2至撕平面與該光瞳平面，其巾該照魏統是—種反光 系統，且在該光瞳平面巾·域的大小可以被連 貝又化@日决佳的是，在該光瞳平面巾被照縣域的形 狀f在該場平面中被照縣域的形狀—樣，其大致上維持 不义。缺的是，在該光瞳平面巾被照明區_大小可以 、1〇/6的方4 ’較佳的是以土25%的y式，《更佳的是以 士 40%的方式連續變化。 上η所使用的一般術語”該場平面中的被照明區域”涵蓋在 該場2場形狀、場大小與強度分佈（照明強度）。 、較佳的是，該被照明區域的連續變化是利用一種配置 所達成，其中介於在該大量光學元件之中至少兩光學元件 之間的距離為可變的，且其巾該兩光學元件包含至少一琢 面光學元件。 在此所描述的該照明系統與該投影曝光裝置可以被設 200804864 口十為利用夕種不同波長所操作，舉例而言在該紫外光（UV ) 或是深層紫外光（DUV)範圍中的波長。所給定的多數實 施例只是用於在超紫外光（EUV )波長的較佳設計操作乾 ，。在本發_另—配置中，可以輯以-或多種波長或 是在一波長範圍中所使用的實施例。 較佳的是，所設計的反光照明系統是用於波長λ$193 奈米的情況，較佳的是人‘丨⑽奈米，更佳的是用於λ<ΐ4 奈米的情況。 該照明設定可以具有不同的形狀，像是例如圓形、環 形、或是多極形狀，舉例而言，一種四極形狀。 在本發明的一較佳實施例中，可以預選在一照明系統 該光瞳平面中的該被照明區域形狀，舉例而言像是在us 6,658,084中所描述藉由交換光學元件的方式，像是交換具 有多數光栅元件的該第一琢面光學元件。為了完成此概 念，該第一琢面光學元件可以例如佈置在一自轉輪上。利 用此預選方式，便可以決定該設定的形狀，舉例而言不管 该設定為圓形或環形。本發明允許變化在該光瞳平面中被 照明區域的大小，同時該被照明區域的形狀或是該設定的 形狀則維持大致不變。 較佳的是，該照明系統的該大量元件包含一第一琢面 光學元件與一第二琢面光學元件。在反光元件的配置情況 中，該第一琢面光學元件與該第二琢面光學元件的每一個 都包含一鏡子載物，在該鏡子載物上方則佈置有多數各自 琢面鏡子。 200804864 與掠=:之1交為所―件 是以相對_表面正交方料⑽射線都 更佳的是㈣度，特佳的θ 度H㈣度， 盥該元件表面接觸的-杜疋二度的角度’於該入射點處 件則是-種所有的 是綱度，更佳仏7〇度’較佳的 表面接觸的元件。據點處與該元件 直入射光的光學元件，而一h、 ’牛疋種具有近垂 光以-種韻觸目_的=^順—種由該入射 在賴光源至棘平面的光職巾，鼓量車 的是佈置為對於該照明系統的所有元件而言該^ 向至該場平面與該光瞳平面的光源，是以該最大 2()=較佳岐小於1Q度，而制佳的是小 於5度的料’與母—正向人航件的表面接觸。 利用這種方法，便可以從該照明系 :較^_中，於該照明純場平面前方的該光學路徑 =形成該光源財間影像。該照㈣統的大量元件包含一 第-組光學元件，其將輻射從該光源導向至該 統巧括—第二組光學元件，其將輻射^中 間心像蛤向至5亥場平面與該光瞳平面。 从的疋’该第二組元件包含多數正交入射元件與多 數掠過入射元件’其中對於該等正交入射元件而言，^該 10 200804864 角d:學元件中間平面中的輻射，以該最大入射 掠過入射元件件輪接觸，而對於該等 中的輕射，=射==每:光學谢間平面 2別佳岐切85度㈣式，_光料件的表;接

件，=!:另:觀’該照明系統包括-第-光學組 件，^及且右至〃帛一光柵70件的一第一琢面光學元 仵以及具有具備至少一第-来柵分杜沾铪 元件，其中誠-如^ 弟二琢面光學 離。 人以弟一琢面光學元件彼此相距一段距

麗壯:ρ於反射配置中的销—琢面絲元件也稱作為一蜂 果狀讀子’而在—反射配置中的二光 稱作為-蜂巢狀光瞳鏡子。 ^^#IJ 該照明系統進-步涵蓋該至少—第二光學組件，其位 攸-光源場平_光路徑巾，並佈置在該第一光學 組件之後。 —士根據本發明另—觀點，在該照明系統中提供一第一設 j置，其允許設定在該第—琢面光學元件與該第二琢面 光學7C件之間的距離，該照明純中也提供—第二設定裝 置八允许δ又疋5亥第二組件的焦距。藉由該設定裝置的方 =!!別是在該㈣系統執行的雜也可輯行設定。此 意謂著在該光瞳平面巾的照明設定可以在與該等光學組件 200804864 移動相關的麵作期間中改冑，而不需要中斷操作該系統一 段期間。 本發明者相信藉由移動該等光學元件的位置也可以進 行在反射’換言之反光系統中，於該出口光瞳中的被照 明區域奴與照明設定。直到目前為止，在該領域各個技 術者認為這只能在非常困難的情況下達成，因為在反射系 統中，無法清楚地定義該完整系統的光學轴，特別是對於 该照明系統而言。本發明提供藉由改變該絲組件位置的 方式，給定制是在該.光目#巾被照_域的大小，同 時大致上保存該被照明區域的形狀。 j據本發明第二觀闕解決方式明顯不同的是可以調 整該第二光學組件，其也被稱為光學糖㈣焦距，藉此 便可以k化該照明’制是在—出π光瞳平面中該被照明 區域的大小，並因此變化該照明系統的照明設定。改變該 =二光學組件齡距-般來說也對該場影像具有影響，換 。之物的大小。然而，在本系統中，這種現象可以被 補償，因為藉減_第-義光學元件與該第二琢面光 车元件之間距離的方n該場影像的改變可以獲得補 償，而藉此不影_光瞳影像，因為在—第—琢面光學元 件與-第二琢面光學元件之間距_改變並不對該光瞳影 像造成影響。藉由改變在該第—設定裝置之中該第一琢面 光學元件與該第二琢面光學元件之間轉的方式，即使在 該光瞳照明被改變的時候，該場照明仍舊可以维持固定。 換句話說，此意謂著該紐影射叫硕_場影像的 12 200804864 =下所影響。所使㈣—般術語，，場卿，，涵蓋在該場中 被照明區域的形狀、大小與該場中的強度分佈（照明強 度）。 a ，有多數光柵元件的該第一琢面光學元件所具有的一 ’疋將來自-光源的—抵達人射射線束區分為多數 ，線束，每一個都對應於該等光柵元件之一。每一個對靡 ^亥等光栅元件之-的射線束都具有—中央射線。在本文 έφ ’ :亥中央射線是源自於一第一光栅元件幾何中心的射 一一並被^向至—第二光柵元件的幾何中心。因為該等第 2柵元件決定她嶋統場平面中的影像，其也被稱 3=^件。㈣職佳的是被設計為源自於該不同 應二^ -琢面Mu，的σ亥先拇兀件，其中即使該第 兮等光柵2目對於該第二琢面光學树移動時，介於 射先栅70件之間的相關性並不改變。因此，從-第一光 ㈣件㈣紐聊使㈣麟改變的 >，那=等口 ί通逼的多數射線路徑彼此並不相互平 :一種:;==元=曈光栅元件便應議 該傾斜角度，而在這:·、、置換的方式，可以改變 面之間的相㈣A 7、’月況中介於該場琢面與該光瞳琢 由之間的相難也囉被保存。 如果盡可能的話〇梦包 t ^ 的。在本發明的另光學元件是特別有利 ^展貝軛例中，因此想像該第一設定 13 200804864 裝置只移動該第二琢面光學元件，也就是所謂的光瞳琢面 鏡子，以此方法變化從該第一至該第二琢面光學元件，以 及從該第二琢面光學元件至該第一光學元件的距離。這種 系統型式所具有的優點是只需要移動一光學組件，因此該 機械結構便明顯地容易實作，因為只有一小量的元件進行 一機械移動。 如果該系統是一種實作為剛好兩變焦位置的系統，其 有利的是利用該第一設定裝置的方式將該第二琢面光學元 件從-第-位置移動至-第二位[，讀化該距離，而該 等第-光柵元件齡距是選擇騎該等第—光柵元件所形 成該光源的中間影像，大致上在該第—位置與該第二位置 =間的正財f植處紅’換言之，該巾間影像是位在該 第-與該第二位置的中間。在此情況中，該第二琢面光學 元件相對於該中間影像為雜，而該第二琢面光學元件的 多數各自光瞳光栅元件將接收例如-大至上為橢圓的昭 Γ該橋圓照明發生在—圓形、對稱中間聚焦，且具備縱 仏比不同於1的多數第一光柵树情況中。如果該中間隹 ，是以此綠峡位，在兩者變紐財雜照明區域的 明相等。如果該中間影像為離焦的話，該被照 f或的大小變由該場孔徑光圈的大小所決定。在本範例 ，该孔徑糊是彻該等場光栅元件的大小所決定。利 用具有大小為3x25蒡平拓开5 士 1 AA 杜n 毛水矩形大小的示範多數場光栅元 二X抑17的所有位置處幾乎不改 又， 喊該y方向中延伸。此結果為該光源的中間 14 200804864 影像成為近似橢圓形狀。 i在特別較佳的貫施例中，該等光瞳光柵树的形狀 =整為在邊第二琢面光學元件的該第―及/或該第二位 =各職明。舉_言’該等第二光栅元件或光瞳光 柵兀件可以具有一橢圓形狀。 如同以上所描述…場是在該朗祕的—場平面中 二，。該場的形狀，也稱作為該場形狀則例如為拱形。 笛發明-第—實施例中，該場琢面的形狀，也稱作為該 ，弟—光航件的琢面形狀，則大致上與該被照明區域的 每形狀相等，意思是例如其也為拱形。 明3曰L—照明系統中’其中該場琢面具有基本上與該被照 琢、目同形狀’在如果用來將該等面 系統該出口光瞳之中的該照明系統第二 盘二有絲能力，更具體的是具有折射光學能力一第— 〜弟一光學元件時便是足夠的。 元件果該第—琢面光學树具有的多數場光柵 二弁~ 被照㈣平面中該場的形狀的話，該第 轉切叫料具有光學能力的-第三光學元 換5之，其不具有折射性質，例如-平面鏡子。 女:為-雙重琢面照明系統的替代，其中該等場琢面且 上與_照日崎目_形狀’該等場琢面也可以配 形在此情況中’該第二光學組件具有至少 忒的形狀則是由該第三光學組件的裝 玍其較佳的是一種掠過入射鏡子。 15 200804864 光風乍^於改_該出口光瞳中該照明的裝置，該第二 ^予、、且件的焦距可關__料尋變化 改二 讀該下述光學元件之間的—另外距離（AB): 交 -該第二琢面光學元件與該第一光學元件， -該第一光學元件與該第二光學元件， -該第二光學元件與該第三光學元件，

•該第三光學元件與該場平面。 數光3!，只利用該第二設定裝置的裝置移動上述多 ^予凡之°亥移動元件較佳的是該第二光學组件的 弟，光學元件。藉由移紐光學元件，便可以在該第二光 ^件具有兩光學元件㈣況中，於該第—光學元件與該 第二光學元件之間’以及在該第二光學猶與該場平面= 間，或是在該第二光學元件具有三光學元件的情況中，於 該第二光學元件_第三光學元件之間變傾另一距離 (AB)〇 較佳的是，在根據本發明的該照明系統中，在該照明 系統中間平面中的輻射㈣第-琢面反光元件及/或該第 二琢面反光元件表面上的—㈣平面巾，所具有的最大入 射角(0max(_〇)小於20度，較佳的是小於10度，更加得是 小於5度。 在本發明的一特別實施例中，該另一距離（AB)可以 以小於土 20%的方式變化。 在本發明另一實施例中，該另一距離（AB)則利用使 在該第二琢面反光元件及/該第一光學元件及/或該第二光 16 200804864 學兀件及/或該第三光學元件表面上，於一中間平面中所具 有的最大入射角(0max(max))以小於5度，較佳的是小於3度 改變的方式所變化。 在另一發展實施例中，該第二琢面反光元件包括一表 面，在該表面上則配置有一或多個的該等第二光柵元件， 其中大於該表面的80%，且較佳的是大於該表面的9〇%的 範圍疋被照明的。 除了該照明系統以外，本發明也提供一種變化在一照 明系統入口光瞳中該照明的方法，其中該被照明區域的大 小將進行連續變化，但是該形狀則大致上維持不變。為了 實作此功能，該照明系統具有例如一第一光學組件，其包 含一第一琢面光學元件與一第二琢面光學元件，該照明系 統也具有一第二光學組件，其包含至少一第一光學元件與 一第二光學元件，其中該照明系統照明在一場平面中的 場。用於變化該被照明區域大小的方法則涵蓋下述步驟： 首先，該第二光學組件的焦距是例如以移動該第二光學組 件至少-光學元件的方式所變化，其造成在該照明系統中 於該出π光瞳中_的改變。舉例而言，該移動將造成例 如具有-第-填充比率σ⑴的—圓形形狀照明I技改變成 為具有-第二填充比率σ(2)的-圓形形狀照明設定。然 而在違聚焦見度中的改變不但對該被照明光瞳的直徑造 成影響，而因此對在該光瞳平面中該_形狀設定的照明 或填充比料成影響，也同㈣在騎平面巾被照明場的 大小仏成影響。為了保持在該場平面巾被照明場的大小固 17 200804864 疋二於5亥第一與該第二琢面元件之間的距離便設定為使 =平面中被照明場大致上雉翻定。因為從該第-琢面 光學元件至該第二琢面光學元件的該距離變化並不對該光 瞳平面中触明級的大小造成影響，目紐能夠達到上 述目的。 如同以上職述，如果將允許該被照縣域的大小可 ^連續變化，並同時大致上維持在該光瞳平面中該被照明 區域大小的細方法與用來設定該照明^^狀的方法結合使 用時，是特別有利的。 /在進行這樣的結合時，將預選在該光瞳平面中該照明 的形狀，齡之，細明設定的雜。根據本發明的方法 允口，h明奴的大似根據本發明該變減統的襄置進 行最佳調整，例如根據該光學投影系統的成像性質。該照 明設定的形狀可以例如细交換該等琢面光學組件式 所選擇。 種連、、、|艾化在知、明系統光瞳平面中照明形狀的方 ^ ’其中在該光瞳平面中該被照明場的形狀大致上維持不 k，且其中在該光瞳平面中的該被照明場具有一第一大 小丄該方_以下述步驟騎行：在―第—步驟中，調整 該第二光學組件齡、距，在該光曈平面中造成具有一第二 大小的一被照明區域； — 斤在該方法的次-接續步射，_使在該場平面中以 該第二大小所獲得的照明尊於在該場平面中以該第—大 所獲传的卿方式，調整介於該第—與該第二琢面元件之 200804864 間的距離，反之亦然。 f 4 ^ β所使贿射具麵波長λ為λ<ΐ93大 米，較佳的是如4奈米而使用該方法。 =193奈 在本發明—特別實施例中，該 的方式，較佳的是㈣5%二=== 的是闕0%的方式相對於該第-大小所變化。_土 ，亥光瞳平面中的被照明區域可以例如 或多極，_是雙極或_。 ％形 區域特別實施例中’在該光瞳平面中該被照明 被填充比率〇，且其中在該光瞳平面中該 '、?、月&域的弟-大小對應於—第—填充比率 該光瞳平面中該被照明區域的第二大小對應於—第二 比率σ(2) ’其具有的性質為： /、

σ(2)是以±40%的方式相對於σ(1)所變化，換言之 位在以下的範圍 U (1 + 〇.4) · σ(1) > σ(2) > (1 - 0.4) · σ(1) 較佳的是，如果該填充比率σ⑺是位在町的 中： (1 + 0.25) · σ(1) > ^2) > (1.025) · σ(1) _最佳的配置設定為如果該填充比率σ(2)是位在以下的 範圍之中： (1 + 〇.1)·σ(1)>σ(2)>(1_〇1) . σ(1) —在根據本發明—_實_的方法中，該第-琢面反 光兀件包含錄第-光柵元件，其巾該#第—光柵元件具 19 200804864 有在該場平面中該場的形狀。 在根據本發明的一方法中，該第二光學組件的焦距是 '用改變該第—光學組件或該第二光學組件的該-或另-下述光學元叙_距齡細輕： -介於該第二琢面光學元件與該第—光學元件之間的

魅’丨於该第-光學元件與該第二光學元件之間 離，或 -介於該第二光學元件與該場平面之間的距離。 且=果在根據本發方法中，該第—琢面反光元件 二有夕數第1栅元件，其中該㈣—光栅元件具有一矩 形形狀的話是較佳的。 拫據本發明—另_觀點，其提出—翻以調整在一反 ^照明系統該光瞳平面中照明的方法，其中在該光瞳平面 :的該照明具有在該光辭财的雜與大小，其中在一 第步驟中，调整在該光瞳平面中該被照明區域的形狀， =在立即物第二步驟中，調整在該光瞳巾該被照明區 /的大小’其中在该光瞳平面中該被照明區域的大小則透 過-連械財式所鋪’啊在該光瞳 區域_狀與在該場平面中該照縣統的 持固定。 2該照明系統以外’本發明也提供—投影曝光裝 太’ ά含此類型的—照明系統，特別是用於波長$193 奈米的微影場。該投影曝絲置·-投影物鏡的、裝置將 20 200804864 佈置在該卿系統麟場平錄的—解，也就是所謂的 標線投影至一物鏡平面中的一光感目標。 如果該光感塗層在該曝光之後進行顯影，便可以獲得 -建構層’例如-積體電路的建構層。到目前為止，本發 月^表種製造-半導體組件的方法，例如製造一積體電 路。 、 本發明之後將麥考實施例範例的方式加以描述，但其 並不意謂著限制於該範例或是該附加圖示之中。 ’、 第la至第id圖將支援在多數實施例中所使用以及與 多數貫施例有關一般概念的後續詳細摇述。 第1圖顯示一微影投影曝光裝置21〇〇的一般結構。該 微影投影曝光裝置包含一光源2110、一照明系絲川、一 投影物鏡2101以及一支撐結構或工作表面2'13〇。另外顯 示的是一卡式x-y-z座標系統。該光源211〇的輻射被導向 至-照明系統2120。該照明系統2120影響源自於該光源 2110的輻射，例如以將該輻射均等化的方式，或是利用將 該輻射的一射線束2122導向至一光罩2140上，該光罩則 位在一物鏡平面2103中。該投影物鏡21〇1藉由投影從該 光罩反射至一基板平面2150上的輻射，形成該光罩2140 的’衫像，5亥基板平面2150則設定在一影像平面2102中 的位置。在遠投影物鏡2101該影像侧上的射線束則以來考 數字2151所標示。該基板2150則由一支撐結構213〇所維 持或承載’其中该之稱結構將該基板2150相對於該投影物 鏡2101移動，因此該投影物鏡2101投影該光罩214〇的_ 21 200804864 影像至該基板2150的多數不同區域上。 該投影物鏡2KH具有一光學轴21〇5。該投影物鏡的 多數各自先學π件則對於該光學轴21〇5以旋轉對稱的方 式所配置。包含該光學軸簡的平面則為該投影物鏡的該 中間平面。如同在第1a圖中所顯示，該投影物鏡2101將 ,亥光罩2140的-部分影像投影至一影像平面職之中， 其並不包含該投影物鏡21G1的該光學軸鳩。在之裡並 奉顯示齡代實施财，其也可能將位在該投影物件該光 學軸2105上的該物件影像’投影至該影像平面鹰之 選擇該光源2110 ,因此其提供具有一操作波長⑼電磁輕 射’亚在該波長下操作該微影投影曝光裝置21GG。在某些 實施例中’該光源211〇是—觀漿來源或雷射電絲源^ 用以在波長;k 9至14奈米的範圍中放射超紫外光（即V) 輻射’或是一種具有波長為193奈米的氟化氯雷射。 、該微影投影曝光裝置的操作波長λ較佳的是位在該電 磁頻請的料光或是超紫外光㈤ν)範圍之巾。該摔作 ^長實際上可以為193奈米或小於193奈米，特別是綱 二米或更少。在實施例的範例中，如果該操作波長位於超 I外光㈤v)的波長範圍中，特別是位在大概η夺米的 鞄圍中時，是特別佳的。 发以-特別短波長的輻射使用實際上是令人滿意的，因 ^在-投影曝域財所使用—投影物鏡的光學解析度， 一般來說是粗糙的’而其正比於所制的操作波長。因此， 相較於使用較長波長的類比投影物鏡情況，如果使用較短 22 200804864 的波長，投影物鏡便可以解析一影像的較小結構。 該照明系統2120包含多數光學組件，其提供具有一大 致上均勻強度剖面的準直平行光束。該照明系統2跡進一 步包含多數光學組件，其肋將該射線束犯2導向至該光 罩2140上。在一特別佳的實施例中，該照明系統2120進 上-步包含多數組件，其提供該射線束的—具體極化剖面。 该照明力㈣每—光學崎都具有—局部的x_y_z座標系 、充/、疋利用在该物鏡平面2103於一中央場點處所定義一 座標系統的旋轉及調動所獲得。在該照明系統中一光 學兀件的"平面為該主軸麟CR反射的平面。該反射 平面例如·_局部z軸期於射央場闕主軸射線 CR所$成。母一光學元件的局部z軸則定義為該主軸射線 CR於入射點處的該表面正交軸。 該影像平面2102具有從該物鏡平面2103的一距離L， 也％作為該投影物鏡21〇1的總體長度。此總體長度一般來 既與該投影物鏡2101的具體設計以及在操作該微影投影 曝光裝置2100所使用的波長有關。在此所描述的範例中， 该總體長度介於—公尺至大概三公尺的範圍巾，較佳的是 介於大概1.5與2·5公尺之間。 第lb圖顯示該光束的多數邊緣射線2152，其在該物 鏡平面中2103的該物鏡處反射，並投影至該影像平面21〇2 之中。該等邊緣射線2152定義一射線錐。 該射線錐的角度與該照明系統出口光瞳的該物鏡侧數 值孔杈NA有關，其也同時與該投影物鏡的入口光瞳有關。 23 200804864

該物鏡側數值孔可以表示為 NA^n〇 · sin0NA 兮拔入❿衣㈣㈣物鏡平面湖的媒介折射指數( f介可以例如是空氣、氮氣、水或是真空。該角声 =等，線所定義的角度。在一具有“ )光線的^明系統特職对，該齡 具有的折射指數為％=1。 〜 ”

兮般親，由-鏡子所反_補辦分是變化為在 以鏡子表面上該人㈣的函數。因為通過—反先系統的該 成像射線是沿著-多數不同路㈣傳播，在每_鏡子上的 該輻射入射肢可以變化。這在第le圖中顯示，其描述在 、中間部分中一鏡子2300的部分，也就是在該鏡子的中間 平面中。射間平面為含有該㈣光學元件局部z軸以及 屬於該場中央場點的主軸射線CR的該光學元件平面，其 例如在第id圖中顯示。該局部座標系統則在第lc圖中指 明。該鏡子具有一凹面反射鏡子表面23〇1。沿著多數不同 路徑抵達該表面2301的該成像輻射持包含例如由射線 2310、2320、2330所代表的多數路徑。該等射線231〇、2320 與2330落在該鏡子表面2301的一部分上。在該鏡子表面 上的表面正交方向可以在該鏡子表面2301的此區域中變 化。在此區域中的的該表面正交方向則以線段2311、2321 與2331所指明，其與該等射線2310、2320與2330有關。 該等射線2310、2320與2330則以角度Θ2310、〇2320及Θ233〇 與該表面接觸。該所有多數線段2311、2321與2331都位 24 200804864 於該中間平面中，其由該局部座標系統的z軸與該主輛射 線CR (在此圖不中未顯示）所定義。 對於該照明系統212〇或該投影物鏡21〇1的每一元件 而言，其可能代表沿著-多數路徑該成像射線的入射角 度三表現的-種T能形式是透過落於肖各別元件中間平面 中每-鏡子上該等射線的各別最大角度所表示。此最大角 度則標示為Θ_。-般來說可以在概縣統或該投影物 鏡2101的多數不同鏡子之間變化。在本發日月的某些實施例 中’對於該朗祕或該投影物鏡财鏡子的該總體最大 數值(Omax)max較彳土的為2〇度或小於2〇度，特別是.Μ度或 更小，特別是13度或更小，而最佳的是1〇度或更小; 在反射系統之中，-般可區分為所謂的正交入射元件 :、掠過入射元件。正父人射元件為—種所有的人射射線都 是以= 目對於該表面正交方向為<3G度，較佳的是<2()度，更 佳的是<10度’特佳的是<5度的角度，於該人射點處與該 元件表面接_元件。掠獻射元制是—種所有的入射 射線都是以相對於該表面正交方向為⑽度，於該入射點 處與該元件表面接觸的元件。 一般來說，形成在該照明系統物鏡平面2103中的該場 形狀可=變化。在某些實施例中，該場可以具有拱形形狀， 舉例而5-種環狀部分的形狀，也就是所謂的環形場。第 id圖顯示-環形部分·，也稱作為一環形場。該環形部 刀2700則具有x方向尺度、y方向尺度Dy以及半徑尺 ^ r X轉Dy分別為在該影像平面2102或該物鏡平面 25 200804864 2103、▲中局部座標系統的x方向與y方向中所測量的場尺 度這些尺度的大小將在後續描述中給定。舉例而言，在 該影像平面中為18x1平方毫米的場中，該尺度_ 米，而Dy為！毫米。該尺度Dr代表從該光學轴2應至該 場2700的内部邊緣所測量的環狀半徑。該環狀場部分· 則對於由該線段271〇所指明的平面對稱，該平面平行於該 乃又不^兄，JJX、JJy興

- ,4 /,>J πσ ^ ^ 統與該投影物鏡2101的設計所變化。一般來說，Dx大私 在該物鏡平面湖與影像平面2搬中該場尺度或塌 測1 Dx、Dy# Dr的相對大小則變化為該投影曝光裝置投 影物鏡2101的擴大或縮減比例函數。在某些範例巾，在該 影像平面2102中的Dx是相對大的。 一般說來，任意場職岭，在該影像平面2搬 :的場可以最有—最大場尺度或場測量，舉例對於一 環狀場而言’Dx可以大於1絲，佳的是3毫米，較佳 4耄米、大於5毫米、大於6 f、大於7毫米、大於8絲、大於9絲、大於1〇毫 大於11宅米、大於12毫米、大於13毫米、大於14 :米大1 15笔米、大於18毫米、大於20毫米，或最多 於25毫米。對於一環狀場而言，該另—場測量，例如 :則介於G.5毫米與1G毫米的範圍中。較佳岐，根據本 ^明的賴日騎統是用來照明在該影像平面巾的區域F， 二中f>4平方氅米，較佳的是F>i〇平方毫米，特別是 平方笔米與特難的是Fa平方絲。對於依矩形場而 26 200804864 言，該區域為F=：DxXDy 〇 丰=於一環形場而言，在該影像平面搬中，該環形場 可以大於15毫米或甚至更多。 Μ如果_影物鏡是—種賴投影物鏡，例如具有4Χ的 率’如果該影像場具有尺度為1毫米χ25毫米的話， 將具有尺度為4絲·毫米。細該投影物鏡 祕口喊比率，其較佳的為4Χ，而特別的是h，本領 ^職術者便可以從該影像場的尺度推論該物鏡場的尺 形場部分2700中，如果該照明系統是使用在如 圖中所顯示類型的—掃喊微影投影系統時，該座標 =的y軸標示該所謂的掃财向116，而該x軸標示垂直 二==向的方向。集體掃猫量，換言之沿著該y方向 可以叙柄x位置的凡數，其也稱作 一照明的多種量都為場相關的量。這樣的—種 =關里則例如是所謂的細能量（SE)其獨大小是根 ^亥場高度X所建立，意謂著該掃翁量為該場高 數，亚可以以下述形式所—般表示 SE(x)= jE(x?y)dy 其中，E代表賴x_y場平财的強度分佈，其與χ y相關。對於-均勻，換言之均一分佈照 特徵置而έ ’如果14些量具有大致上沿完整場古声 為相同的數值，而僅具有—小量誤差時，這是有利^χ 27 200804864 第le ik貝不應用本發明的一投影曝光裝置圖示，舉例 而言’用於製造微電組件的裝置，其中描述該照明系統與 該投影物賴多數各自元件。在此所表示的錄統唯一反 光系統，其具有—反光照明系統_與-反絲影物鏡 128。因為·述的纽違反光錢，因此财_等光學 組件或元㈣為㈣絲，例如好錄子元件。 在此範财的練科光裝置包含—錢或是 一光源 1的中間衫像Z。從該光源1所放射❺光則由—集合器3 所收木八L括大置的鏡子外殼。在此所顯示的該投影 曝，裝置卞’該集合H之後是另—光學元件，在此情況中 其疋由平面鏡？ 300所建構。來自該集合器並落入該平 面鏡子300的多數射線則被給定一方向中的改變，特別是 用來提供位在配置有該晶圓台的—物鏡平面114中的該機 械與光學組件顺要的空間。_顯示在該物鏡平面中的 該x-y-z座標系統。在該物鏡平面114中可以佈置一光罩， 也稱作為-標線（未顯示），其影像則利用該投影物鏡128 的裝置投影到-影像平面124之中。該平面鏡子·也可 以配置為-種繞射頻譜濾光元件。此形式的繞射頻譜濾光 轉則例如是在US雇舰㈣A1巾所發⑽一種繞射 格树。與靠近該光源1中間影像z的-孔徑光圈3〇2 一起， 此型式的格栅元件鱗不想要的輻射，例如波長大於想要 波長的輻射避免進入位於該孔徑光圈3G2之後的該照明系 統306部分。 該孔徑光圈302也可以實作分離該空間3〇4的功能， 28 200804864 4玉間包含5亥光源與该集合器3及該平面鏡子300，其從 該照明系統306部分開始’沿著該下游方向配置為格栅。 如果該兩郎是在靠近財間魅處佈置—閥的方式 所分離的話，便可以達到一種壓力差異狀態。壓力用一空 間分離或-動差異，便可避統自於該光㈣可能貫穿 在該孔徑光圈302之後區域中該照明系統〗的污染。 由5亥集合益3所集合並由該平面鏡子3〇〇所重新導向 的光，則被導向至該照明系統的一第一光學組件7〇。該第 -光學組件70 &含-第-琢面光學元件搬與一第二琢面 光學元件104。該第一琢面光學元件1〇2在此情況中為一 琢面反光元件，具體來說是-種具有—乡數第-反光光拇 元件的一鏡子，也就是所謂的場琢面鏡子。此形式的第一 琢面光學元件設計則在第2圖中描述。 在本情況中，該等光栅元件大致上具有矩形形狀，並 配置為多數各自鏡子琢面。為了達到在該第二光學元件1〇4 中或#近该二光學元件104處形成該光源的第二影像，如 在第2圖中所顯示的該第一光栅元件，其也稱作為場琢 面，具有一正折射能力。在佈置該第一琢面光學元件1〇2 的平面中的該照明大致上為圓形形狀。該集合器的每一鏡 子外殼都照明一圓形區域，而所有的被照明區域則在該平 面103中直接彼此靠近。對於一集合器的此形式照明則例 如在US 2003/0043455 A1中描述除該。 除了忒第一琢面光學元件1〇2以外，該照明系統3〇6 的第一光學組件包含一第二琢面光學元件1〇4,其具備多 29 200804864 數第二光柵元件’也就是所謂的光瞳琢面。第2圖顯示在 兩位置104.1、104.2中的該第二琢面光學元件。該第二琢 面光學元件為一第二琢面反光元件’具體來說是―種鏡 子，其具有大量第二反光光柵元件，也就是所謂的光瞳琢 面鏡子。 具有多數場琢面的該第一琢面光學元件將來自該 光源的入射光區分為許多光束（未顯示）。該各自光束的每 一個都屬於一各別的場琢面，並落於該等光瞳琢面之一 上。因此，在該第一琢面光學元件的每一個場琢面與該第 一琢面光學元件的一特定琢面之間具有一種一對一的關 係。如同在 US 2002/1036351 A1 或 US 6,658,084 中所顯 不，此關係可以決定該照明的形狀，換言之，決定在該照 明系統出口光瞳中的照明設定。在該出口光瞳中的該照明 或該照明設定可以具有傳統的形狀(換言之，—種填滿的 圓形）、環形（換言之，一種封閉圓形環）、雙極形狀（彼 此相對的兩點）或是四極形狀（彼此以90度相偏移的四 點)。 叙來說’該照明系統的出口光瞳是以該交叉點S所 給定，其中屬於在該場平面114中被照明場中央場點的主 軸射線CR與一投影物鏡的光學轴〇A交叉，該投影物鏡 位於一投影曝光裝置中，位在該照明系統之後的光路徑下 游處。對於此型式的系統而言，該照明系統的出口光瞳與 。亥才又衫物叙的入口光曈一致。在本範例中，此出口光瞳則 由參考數字140所標示。 30 200804864 在所描述的Η?、明糸統中’介於該第一琢面光學元件1〇2 與該第二琢面光學元件104之間的距離a可以變化。該距 離A則由沿著屬於在該場平面中中央場點的主軸射線 CR,從該第一琢面光學元件102到該第二琢面光學元件1〇4 之間的光路徑長度所決定。在本範例中，該距離A則利用 移動該第一琢面光學元件102 —距離dzl的方式所獲得， 例如以一第一調整裝置80進行移動。該第一琢面光學元件 102在此過程中維持固定。該第一琢面光學元件1〇2可以 佈置於一會聚、發散或是平行的光束之中。在本情況中的 該第一琢面光學元件102則佈置於一發散光束中。在該第 一琢面光學元件102之後，介於該第一琢面光學元件1〇2 與該第二琢面光學元件1〇4之間的射線圖形所具有的性質 為，源自於該第一琢面光學元件1〇2多數各自場琢面的該 等射線束所有中間射線彼此平行前進，因此即使當該第二 琢面光學元件104從一第一位置ι〇4·1移動至一第二位置 104.2中時，該等光束仍由該第二琢面光學元件1〇4的多數 光瞳琢面所接收，其與該第一琢面光學元件1G2的多數各 別場琢面相關連。改變介於第一琢面光學元件1〇2與該第 面1學元件104之間的距離只影響該場影像，而不影 曰^亥光目里衫像，意謂著該光瞳影像無法由改變位置的方式 所改變。 在本範例中，该弟二光學元件具有三個光學元件，換 口之，第光學元件、一第二光學元件IQg與一第 三光學元件11〇。在該描述照明中的第三光學元件11〇大致 31 200804864 上是為了在该物鏡平面114中形成該場的目的。在該物鏡 平面114的％叙來說是如同第w圖中所顯示一圓形的部 分。該第二光學組件72的焦距則由該光學能力與該各別的 距離所決定 '介於該第一組件的第二琢面光學元件1〇4與該第一 光學元件106之間，

-介於該第一光學元件106與該第二光學元件108之 間， -介於該第二光學元件108與該第三光學元件11〇之 間，以及 -”於該第三光學元件110與該物鏡平面114之間。 因此可以藉由利用一第二設定裝置82的裝置改變$ 述距離之4方法，改變該第二光學組件的焦距，例如 用移動該第二光學元件一距離dz2的方式。如果該第二> =件_距被改㈣話，這將造成該場影像以及該細 〜像的改μ。該場影像的改變可以彻改變介於該第一拜 面光學树與鄕二琢聽學元叙間麵的方式，如^ = 于補仏’因此在該場平面中被照明的場大致』 嫌與該照度上並不受到影響，換言之，不改變 像’絲改魏紐影像。在該第二光 情況㈣使用-第 ^又疋衣置82移動該第二光學元件—距離妃。這在第】^ 圖中以相二光學元件的位置⑽」與购所標示。 在該物鏡平面114中伟置有-光罩，具體來說為_ 32 200804864 線’其利用該照明裝置的裝置所照明，並利用該投影物鏡 128的裝置投影至一影像平面124中。如果該裝置是一種 掃瞄系統，該標線便佈置在該物鏡平面114中，因此其可 以在與y方向一致的該掃瞄方向中移動。該照明系統的出 口光瞳則與該投影物鏡128的入口光瞳一致。 在描述實施例中的該投影物鏡128具有六個鏡子 128·1 ' 128·2、128·3、128.4、128.5 與 128.6，並具有例如 在US 6,600,552Β2中所描述的配置。 該投影物鏡128將該物鏡平面114中的標線（未顯示） 影像投影至該影像平面124之中。 第2圖代表第1圖的該第一琢面光學元件1〇2。由第j 圖集合裔3所照明的該總區域Α1則利用該最外侧鏡子外殼 所ό又疋的一邊緣400.1以及來自於該最内側孔徑元件的一 内部邊緣400.2所定義。 在描述實施例中的該場琢面由於該集合器3的緣故呈 現為一環形。另外可以辨識第le圖該琢面光學元件1〇2的 多數反射場琢面2005。.在此情況中，該等各自場琢面2〇〇5 為鏡子元件，以佈置在一載架上（未顯示）。在本實施例中 的該等場琢面2005具有一場成形鏡子，其大致上具有矩形 的形狀。同樣在該圖示中所顯示的是來自一中間射線（未 顯示）所產生的一場琢面中央MF，其被導向至第3圖中所 顯示一光瞳琢面的中央點MP。 第3圖描述一種在該第二琢面光學元件上具有兩第二 光柵元件，換言之，光瞳琢面2007的佈置，其利用在第 33 200804864 le调中的參考數字104所標註。在該顯示實施例中的該光 瞳琢面2007則佈置為使得從每一場琢面至該相關連光瞳 琢面的各自多數射線束的中間射線，大致上為彼此平行前 進。該等中間射線為那些從第2圖一場琢面2〇〇5的中央 MF導向至第3圖中所顯示-光瞳琢面中央的射線。由於該 等中間射線平行前進的情況，即使在例如該第二光學組件 的位置被改變之後，介於該等場琢面與光瞳琢面之間的相 互關係仍售可以保存。為了顯現該第一琢面光學元件的多 數各自場琢面2005是如何與該第二琢面光學元件的多數 光瞳琢面2007相關連，第3圖所顯示的該第一區塊2〇〇9 事由該等光瞳琢面2007.1、2007·2、2007.3所構成，其分 別與第2圖以破碎線描述的該第一琢面光學元件的多數場 琢面2005.1、2005.2、2005.3相關連。該等各別場琢面也 具有在第2圖中的相同參考數字。如同可以在第3圖中所 見，每一光瞳琢面的中央點ΜΡ都與該各別場琢面的中間 點]ViF —致。此需要從該等場琢面2005的每一個至該等各 別光曈琢面2007的多數射線束中間射線，為彼此平行前 進。如在第3圖中可以進一步所見，在區塊2〇〇9中該等光 瞳琢面的佈置大致上與區塊2〇11中該等場琢面的佈置相 符。在第3圖中也顯示該x_y_z座標系統。該等光瞳琢面 2007的形狀較佳的是與該第二光源的形狀相符，該第二光 源則位在佈置有具備多數光瞳光柵元件的該第二琢面光學 凡件的平面中。該等光瞳琢面與該等場琢面則例如像是佈 置在一載架結構上的多數各自鏡子。 34 200804864 第4與第5圖顯示兩種該光瞳的照明或照明設定，已 描述該第一組件的第二琢面光學元件與該第二組件的第二 光學元件設定在兩不同位置之中的情況。在第4與第5圖 中所顯示的該照明或照明設定為一種環形設定，其具有描 述該照霄纽度的填充時σ ’換言之，在該光瞳平面 中該照明II域的大小。本領域—般技術者將可㈣白瞭解 該填充比率σ的定義。 如同可在第4與第5圖中所見，該兩照明設定之間的 不同基本上為该填充比率σ的差異，也就是該照明覆蓋的 大小量，然而，該照明設定的形狀基板上為相同，換言之 環形形狀。 、° 如在第4與第5圖中所顯示，在該出口光瞳平面中的 出口光瞳具有錄各自次光瞳，也就是說第三光源31〇〇。 在第4與第5 ®巾照蓋各職度之_差異只是由於 該等各自次光瞳3100影像比率的改變，目此僅採取一種正 改變的動作，其造成該尺度比率的改變。另—方面，在該 出口平面中該被照明次光瞳3100的數量並不改變。特別是 其造成的絲為在該Hi π光瞳㈣整體絲度大致上對於 兩照明設定而言為_ ’換言之，在該_祕場平面中 的照明強度並不會因為改變該照明設定而改變。當在照明 設定中進行改請’其在像是例如該照9騎統物鏡平面的 場平面中以及在量是例如該_系統出口光瞳的光瞳平面 中大致維持固定。在第4圖中，標註此處該照明系統的％ 與以及R(NA)。在第5圖中則顯示 <與 <。該％ 35 200804864 ，質上描述該環狀照明的半徑，並因此定義該環狀 照明覆蓋的強，換言之，定義該填充比率σ。 如果在第1圖中的第二琢面光學組件ι〇4與第丨圖中 的第二光學組件108是位在其第一位置時，便得到第4圖 抑斤顯不的照明。如果該第二琢面光學組件刚是以一距 j dzi移動，而該第二光學組件1〇8是以dz2移動時，便 斗于到第5圖中所顯示的照明。利用dzl的位置改變，該第 豕面光學組件便從該位置1〇41移動至該位置1⑽·〕。如 果該第二光學組件1〇8是以dz2移動，該第二组件 便從該位置應场動涵位置腿2。 t 如果該兩照明都正好以先前敘述的系統實作時，換言 之之，該兩照明設定分別具有例如在第4與第5圖中所^ 不的不同填充比率σ，如果該折射能力是選擇為第6圖相 符時是有利的，此時由該等場琢面所產生的第二光源便大 致位在該第二琢面光學元件51〇4的第一位置·丨與該第 二琢面光學元件5104的第二位置5002之間的中央。此具 有的結果為由於在該第二琢面光學元件第一與第二位置中 的離焦’、?、明，在§纟第__琢面光學元件巾的被照明區域便具 有-種橢_狀。因絲該光源實際第二影像的距離大致 上對於兩位置而謂鱗，在該光瞳琢面鏡子上的被照明 區域形狀在兩位置中也相同。該各自光瞳琢面可以適應於 該照明，例如藉由給予該光曈琢面一橢圓形狀的方式。 第7與第8圖為本發明兩範例的結構描述，其中所描 述的系統部分則由該中間影像z開始。 36 200804864 如同在第le圖顯示的系統中，根據第7圖的系統同樣 的也包括具備大致上為矩形配置的多數場琢面，以及用以 塑形該場的一第三光學組件611〇。其組件是類比於第丨圖 的系統，並以相同的參考數字.，但加上6000所識別。如同 在第1圖的系統中’介於該第一琢面光學元件6102與該第 二琢面光學元件6104之間的距離a，在第7圖中是藉由移 動該第二琢面光學元件6104—距離dzl.l的方式所改變。 為了設定該第二光學組件的焦距，該第二光學組件的第一 光學元件6106與第二光學元件6刚則分別以一距離蚁！ 與dz2.2所移動。如同可在第7晒見，該光學組件不只沿 著該局部光學軸飾，換言之在該光學元件的z方向中移 動’同時也以相對於該z軸一角度的方式移動，而不像是 在折射光學元件巾稀況。只有侧對_ z軸-角度的 移動，換言之對於該局部光學軸偏斜，便可以達到該光源 中間聚焦z的位置並不對於該標線平面中ιΐ4的標線改變 的結果，並因此在該先學組件的位置改變的時候，並不· 要移動該光源。在第7與第8 ®中，觸示祕該照^ 統多西數琢，學元件61。2、刪、、71。4的局部咖 座標系統疋藉由利用該z平面中 # 角度γ對於該光學元件局; 獲得。 猶局口ρ χ轴疑轉該χ-y平面的方式所 在第8圖系統中的該等場琢 致為拱形形狀。如同可在第8 有物的城，其大 的修光學元二Γ1 所見，該第二光學組件 的，亥弟一“轉711〇為—平面鏡子，因為其並不 37 200804864 行場形成。與第7圖的系統相比之下，該第二光學組件的 聚焦寬度是利用沿著屬於該中央場點的主軸射線CR方 向，以距離dz2.3與dz2.4移動該第一光學組件7106及該 第二光學組件7108的方式所改變。此外，介於該第一琢面 光學組件7102與該第二琢面光學組件7104之間的距離是 利用移動該第二琢面光學組件一距離dzL2的方式所改 變。在如第6圖所顯示以一掠過入射靜的裝置進行場塑形 的過程中，所遭的問題是此鏡子並不位於一長平面中， 而是位在該場平面前方大概300至400毫米的位置。因此， 該鏡子將額外惡化該光瞳性質，而除此之外也造成多數場 幵>狀彼此之間些微的不同。來自兩不同光瞳琢面的多數射 線在不同的位置以及不同的入射角度處與該場成形鏡子接 觸。因此’便得到些微不同的場形狀。 如同在第9a與第9c中以及後續表格}中所呈現的本 發明範例’其中可能藉由相對於該第二光學組件第—光學 元件移_光瞳琢面鏡子的緣故，所造成在該光瞳平面; 形成被照域的差異，齡之造成不同的設定〇，則列

相同參考數字所識別:但:^ 第1圖中的 毫米該第-琢面組件_2的多數場琢面半徑為㈣425 38 200804864 该第二琢面光學元件的多數光瞳琢面半徑則為 R=1090.3毫米，其可以被移動至三個位置81〇41、81〇4 2、 8104.3。該第二光學組件的第一光學元件半徑則為r=；25〇 6 毫米，其可以被移動至位置8106J、8106.2、8106.3。 该第二光學組件的第二光學元件半徑為R=_8294毫 米，其可以被設定在位置81〇81、81〇8·2與81〇8 3之中。 该场成形鏡子8110為一種非球面鏡子，其具有在χ方向中 的半位為Rx—3〇5.3宅米，以及在y方向中的半徑為

Ry 47165宅米。有關該等光學元件各別局部座標統的資 料則利用一橫向位移與該座標系統的旋轉所獲得，其具 有的原始位置貞彳位於該物鏡平面8114的該巾央場點中。 第9a、％與9c圖進一步顯示在該物鏡平面8114中的 局部座標系統。载此情況中同時標註該y方向與該Z方向 ^方向。在第9a至第9c圖的呈現中’該系統是顯示於 中間平面中’換言之，顯示於包含該等各自局部座 面中^同以上所描述以及由本相關領域 夫者奸 該局部座齡統是彻在該物鏡平面中的 >坐不系統，經過橫向位移與旋轉之後所獲得。 圖中另外指出的是在該物鏡平面謝 值 == 該主軸概⑺ί 牛之間的距離’其定義為沿著 床由夕 k過在禮場平面中中央場點，並介於在該 7夕數各自光學元件之間的距離且^ 在該光傳播的方財_制躲路徑。料A遇 39 200804864 9 /m r的是該照明設定的填充比率“及在第 a弟c圖中所顯不實施例多數各自組件的上述定義距 離。该照微定為—種_照明設定。 連,^敕。月二:以利用以上描述改變該距離的方式加以 八::气:：:格1中並作為範例的是具有-填充比率 刀別為σ-0·3、㈣·5與㈣.8三種設定下的正確數值。實 以具有多於4〇%的設定變化。在此領域中熟練的人員可以 在前述說_協助之下對於，產生任何其他的數值

際上如同所見的，·— _真紐率為㈣.5的情況可 圖 σ 第一琢面 第二琢面 第一光學 第二光學 掠過入 號 組件 組件 元件 元件 射鏡子 (8102) (8104.1、 (8106.1、 (8108.1 > (8110) 與 8104.2、 8106.2、 8108.2、 與 第二琢面 8104.3) 8106.3) 8108.3) 標線 組件 與 與 與 (8114) (8104.1 > 第一光學 第二光學 掠過入射 8104.2、 元件 元件 鏡子 8104.3) (8106.1、 (8108·卜 (8110) 8106.2、 8108.2、 200804864 1 *—- 8106.3) 8108.3) lua ink 0.3 A Γ 913 1470 600 515 320 lUD 0.5 957 T〇70~ 550 632.8 320 10c 0.8 tl〇38 f935 1909.45 利用本發明，首先呈現一反光系統，其中可以藉由一 ，簡單位移以及改變介於該照明系統多數光學元件之間距 _的方式’達成該被照明光曈區域，特別是該設定的調整。 特別是，本發明首先能夠在反光照明系統，換言之反 射照明系統中，例如對於超紫外光（EUV)微影而言所使 用的形式中，以一連續的方式調整照明設定。與傳統系統 相比之下，此形式的連續調整一方面可以避免例如由孔徑 光圈所造成的強度損失，而其第二個優點為允許一種連續 δ又疋0 此外’在此描述的該設定連續調整在實作上是簡單易 懂的 作為另一優點，該等次孔徑的數量大致上在該設定改 變時維持不變，其能夠確保在該照明系統場平面中的照明 強度大致上維持不變。 41 200804864 【圖式簡單說明】 在該圖示中： 第la圖代表一微影曝光裝置的一般結構； 第lb圖描述该物鏡侧數值孔徑να的定義； 第lc圖描述在一鏡子表面上該入射角度的定義； 第Id圖顯示在該物鏡平面中的一場； 第1 e圖顯示根據本發明具有該等各自光學元件的一投 影曝光裝置圖示； 第2圖顯示具有多數場琢面的一第一琢面光學元件； 第3圖顯示具有多數光曈琢面的一第二琢面光學元 件； 第4至第5圖描述在該照明系統一光瞳平面中的不同 照明； 第6圖顯示在具有大致上至該第二光源為相等距離的 兩位置中，該光瞳琢面的配置； 第7圖顯示根據本發明具有多數場形成鏡子的一系統 弟一實施例； 第8圖顯示根據本發明具有多數弧形場琢面的一系統 第二實施例； 弟9a至弟9c圖代表利用變化從該場琢面鏡子至該光 瞳琢面鏡子的距離方式，改變在該光瞳中的該照明及該設 定的實施例。 42 200804864

【主要元件符號說明】 χ-y-z卡式座標系統 L投影物鏡總體長度 2101投影物鏡 2103物鏡平面 2110光源 2120照明系統 2130支撐結構 2150基板平面 2ΘΝΑ多數邊緣射線角度 CR主軸射線 2100微影投影曝光裝置 2102影像平面 2105光學軸 2112輕射 2122輻射射線束 2140光罩 2152邊緣射線

®23ΐ〇、®232〇、Θ·射線與表面接觸的角度 2301凹面反射鏡子表面 2310、2320、2330 射線 2311、2321、2331 正交方向

Dxx方向尺度 Dr半徑尺度 2705場中央 S交叉點

Dyy方向尺度 2700 場 2710環狀場對稱平面線段 OA投影物鏡光學轴 A第一琢面光學元件與第二琢面光學元件之間的距離 Z中間影像 1光源 dzl、dz2移動距離 3集合器 70第一光學組件 80第一調整裝置 102第一琢面光學元件 72第二光學組件 82第二設定裝置 103平面 43 200804864 104第二琢面光學元件 104.1、 1〇4·2第二琢面光學元件的位置 100第一光學元件 1〇8第二光學元件 108.1、 108.2第二光學元件的位置 110第三光學元件 114物鏡平面 116掃瞄方向 124影像平面 12δ反光投影物鏡

128.1、128.2、128.3、128.4、128·5、128·6、2300 鏡子 140出口光瞳 300平面鏡子 302孔徑光圈 304空間 ΜΡ光瞳琢面中央點 Α1照明總區域 400.1邊緣 2005反射場琢面 306反光照明系統 MF場琢面中央點 102第一琢面光學元件 400.2内部邊緣 2005.1、2005.2、2005.3 場琢面

2009、2011區塊 2007光瞳琢面 2007.1、2007.2、2007·3 光瞳琢面 σίη、環狀照明半徑 R(NA)數值孔徑半徑 3100第三光源 5001第一位置 5002第二位置 5007中間影像 5102第一琢面光學元件 5104第二琢面光學元件 dzl.l、dz2.2、dz2.2 移動距離 6102第一琢面光學元件 6104第二琢面光學元件 6106第一光學元件 6108第二光學元件 44 200804864 6110第三光學組件 dzl.2、dz2.3、dz2.4 移動距離 7102第一琢面光學組件 7106第一光學組件 7110第三光學元件 卯〇1光源 8102第一琢面組件 7104第二琢面光學組件 7108第二光學組件 Z中間影像 8003集合器 8104.1第二琢面光學元件位置 8106.1第二光學組件第一光學元件位置 8Π4物鏡平面 8001光源 8102第一琢面組件 8108.1第二光學組件第二光學元件位置 8110 成形鏡子 8300中間影像 8003集合器 8104.2 8106.2 8108.2 8104.3 8106.3 8108.3 弟一琢面光學元件位置 第—光學組件第一光學元件位置 第二光學組件第二光學元件位置 第一琢面光學元件位置 第二光學組件第一光學元件位置 第二光學組件第二光學元件位置 45

Claims (1)

1. 200804864 十、申請專利範圍： 種反光照in其具有放射—輻射的一光源 其中該輻射照明_場平面⑽)中的一場，並同時於一 光瞳平面中提供一照明，其中在該光瞳平面中被照明區域 的大小可以連續變化，

   且其中該照明系統包括複數光學元件，其排列成使該 輕射從該光源⑴被導向至該場平面(114)與該光瞳平面， „且其巾該等絲元件巾至少兩光學元件之咖距離是 °雙的’且_絲元件包含至少-琢面光學元件。 2·如申請專利朗第}項的反歧日縣統，其中在該 ^瞳平面中的該被照明區域具有一種形狀，且其中該光瞳 平面中的該被照·域的該雜轉不變。 3卢如申請專利範圍第w或第、的反光照明系統， /、宁在该場平面中的該照明維持不變。 明=如中請專利範圍約項至第3項中任一項的反光照 =0=中該光瞳平面中的該被照明區域的該大小可以 2如巾請專利範圍“項至第3财任—彻反光照 月糸統，其中該光瞳平面中的該被照明區域 化±25%。 4 明=如申請專利顧第1項至第3項中任-項的反光照 月糸統’其中該光瞳平財的該被照明區 化士40%。 7.如申請專利範㈣丨項至第6項中任_項的反光照 46 200804864 明系統’其中該輻射具有-波長λ，且該波長的大小為 193奈米。 、8.如中請專利顧第7_反光照明祕，其中該波 長為λ‘14奈米。 /9.如申請專利範圍第1項至第8項中任一項的反光照 明系統’其巾献瞳平面巾的該被照明區域賴形狀為 形。 二1〇·根據申請專利範圍第1項至第8項中任-項的反 光，明系統，其中該光瞳平面中的該被照明區域的該形狀 為環形。 r 如中請專利範圍第9項或第1G項中任一項的反光 :、月系統’其中絲瞳平面中的該被照明區域的大小的特 /支在於填充比率σ’且其中該填充比率〇可以變化_外。 12.如申請專利範圍第9項或第10項中任一項的反光 _系統’其中該光瞳平面中的該被照域的大小的特 Μ在於-填充比率σ’且其巾該填充比率。可以變化桃。 刀1，如中請專利範圍第9項或第1()項中任—項的反0 知明系統，其巾該光瞳平財的該被照域的 徵在於-填充比率σ’且其中該填充比率σ可以變化蝴^ R如申請專利範圍第1項至第8項中任—項的反^ 照明系統，其中該光瞳平面中的該被照籠域為多極。 15. 如申請專利範圍第1項至第8項中任_項的 照明系統’射該光曈平面巾_被酬_為雙極。 16. 如申請專纖圍第〗項至第8項巾任—項的反光 47 200804864 照明系統，其巾該光瞳平面巾的魏照日胳域為四極。 17.根據申請專利範圍第丨項至第16項中任一項的反 光照明祕，射鱗光學元件包括―另—琢面光學元件 (104.1 ^ 104.2) 〇 18·如申請專利範圍第i項至第17項中任一項的反光 照明系統’其巾解光學元件包括至少—具有-近正交入 射光之光學元件。 19.如申睛專利辄圍第18項的反光照明系統，其中該 等光學元件包括至少-具有-掠人射光之絲元件。 2〇.如申請專利範圍第i項至第19項中任一項的反光 照明系統’其巾該聽可以賴方式加以改變。 π如申請專利細第丨項至第2G項中任—項的反光 照明系統’其巾該至少兩光學元件為兩琢面光學元件。 22. 如申請專利範圍第！項至第21項中任一項的反光 照明系統’其巾在該場平面(114)前的該照鴨統中，由該 光源(1)形成一中間影像(Z、8300)。 23. 如申請專利範圍第22;員的反光照明系統，其中該 等光學纽包括-第-組光學元件，其將來自該光源的輕 射導至該㈣影像’該等絲系統也包括—第二組光學元 件，其將來自該中間影像⑻的輻射導至該場平面⑴4)與該 光瞳平面，且其中該第二組光學元件包括至少—具有一近 正交入射光之光學元件。 24. 如申請專利範圍f 23項的反光照明系統，其中該 第二組光學元件包括至少—具有—掠人射光之光學元件/ 48 200804864 25·如申請專利範圍第1項至第24項中任一項的反光 …、月系統’其中該光瞳平面中之該被照明區域的形狀係可 預先設定。 26·如申請專利範圍第乃項的反光照明系統，其中在 該光瞳平面中之該被照明區域的形狀可以藉由交換該等光 學元件的一光學元件而改變。 ^ 27·如申請專利範圍第26項的反光照明系統，其中該 光學元件為一琢面光學元件。 28· —種投影曝光裝置，其具有根據申請專利範圍第1 項至第27項中任一項的一照明系統以及一投影物鏡，其在 該影像平面中產生該場平面中之該場的一投影影像。 29·如申請專利範圍第28項的投影曝光裝置，其中該 投影物鏡的影像侧數值孔徑NA大於0.2。 30·如申請專利範圍第28項或第29項中任一項的投 衫曝光裝置，其中在目標側上的該場(114)的一最大尺度 (Dx、Dy)大於1〇毫米。 1.如申明專利乾圍弟30項的投影曝光裝置，其中在 該目標側上的該場(114)的該最大尺度(Dx、Dy)大於8〇毫米。 32·如申請專利範圍第31項的投影曝光裝置，其中在 該目標侧上的該場⑴4)的該最大尺度(Dx、Dy)大於1〇4毫 米。 33· —種用於一投影曝光裝置的照明系統，其用於利 用一光源(1)的輻射來照明一場平面(114)中的一場，該照明 系統包括： 49 200804864 一第一光學組件C7〇)，其包括 一第一琢面反光元件(102)，其具有一第一光柵元件 (2005)，以及 一第二琢面反光元件(104.1、104.2)，其具有一第二光 辆元件(2007) ’其中$亥弟一與该弟—反光兀件之間相距'-距 離(A); 一第二光學組件(72)，其位於一光源⑴至該場平面^句 的光路徑中，並排列在該第一光學組件(70)之後，其中該照 明系統包括一第一調整裝置(80)，藉以調整該第一琢面反光 元件(102)與該第二琢面反光元件(104.1、104.2)之間的該距 離(A)，以及 其中該照明系統包括一第二調整裝置(82)，藉以調整該 Μ一光學組件(72)的一焦距。 34·如申請專利範圍第33項的照明系統，其中該輻射 具有一波長λ，且其中該波長的大小為χ^193奈米。 35·根據申請專利範圍第34項的照明系統，其中該波 長的大小為λ$14奈米。 36.如申請專利範圍第33項至第35項中任一項的照 明系統，其中該第一調整裝置(70)移動該第二琢面反光元件 (104.1、104.2)的位置，藉以改變該第一與該第二琢面反光 元件之間的該距離(Α)。 37·根據申請專利範圍第33項至第36項中任一項的 照明系統，其中用於改變該距離的該第一調整裝置(70)在一 第一位置(5001)與一第二位置(5002)之間移動該第二琢面 50 200804864 反光元件(5ι〇4) ’其中該光源的一中間影像(5〇〇7)係位於該 第一與該第二位置中間。 / 38·如申請專利範圍第％項至第37货中任—項的照 • 日1钱’其巾顧明系統以—場形狀照明在該場平面中的 ^ 人两'、中"亥第一光柵元件具有一琢面形狀，且其中該琢 面形狀與該場形狀相同。 〃39·如申請專利範圍第％項的照明系統，其中該場與 _ 该第一光栅元件是配置於一拱形形狀。 40/如申請專利範圍第33項至第39項中任一項的昭 明^統’菩中該第二光學組件⑼包括具有折射光學能力的 -第-光學it件(1G6)與-第二光學請⑽卜1〇82)。 "41.如申請專利範圍第4〇項的照明系統，其中該第二 光學組件(72)包括一第三光學元件(711〇)，其係配置為一平 面鏡。 '42.如申請專利範圍第33項至第37項中任一項的照 聽統’其巾雜—光栅元件(勘5)具有-矩形配置。 “43.如申請專利範圍第42項的照明系、统，其中該第二 光學元件包括具有折射光學能力的一第一、一第二以及一 第三光學元件。 — "44.如申請專利範圍第43項的照明系統，其中該第三 光，7G件(6110、110)為一場鏡，其在該場平面中形成一拱 形場。 45.如申請專利範圍第4〇項的照明系統，其中該第二 調整裝置㈣用於改變在該第二組件(92)或該第一組件的 51 200804864 一或多個該光學元件之間的一另一距離(AB)，以設定該第 二光學組件(72)的該焦距’該另一距離(AB)具體上是介於以 下範圍之間： _該第二琢面反光元件(1〇4·1> 104.2)與該第一光學元 件(106)， -該第一光學元件(106)與讓第二光學元件(i〇n、 108.2)， •該第二光學元件(108.1、1〇8·2)與該場平面(114)。 46·如申請專利範圍第41、43或44項中任一項的照 明系統，其中該第二調整裝置(82)用於改變該第二組件(92) 或該第一組件的一或多個該先學元件之間的一另一距離 (ΑΒ)，以設定該第二光學組件(72)的該焦距，該另一距離 (ΑΒ)具體上是介於以下範圍之間： -該第二琢面反光元件(104.1、1〇4·2)與該第一光學元 件(106)， -該第一光學元件(106)與該第二光學元件(ι〇81、 108.2)， -該第二光學元件(108.1、ι〇8·2)與該第三光學元件 (110)之間， -該第二光學元件(110)與該場平面(114)之間。 47.如申凊專利範圍第33項至第46項中任一項的照 明系統，其中在该照明系統的一子午線平面中，該輻射在 該第-琢面反光元件及/或該第二琢面反％元件的一子午 線平面中的-平面上的—最大人射角度(Θ_(腿))小於2〇 52 200804864 度。 48·如申請專利範圍45項的照明系統，其中該另一距 離(ΑΒ)可以變化小於±20%。 49·如申請專利範圍46項的照明系統，其中該另一距 離(ΑΒ)可以變化小於士20% 〇 50·如申請專利範圍第45項或第48項的照明系統， 其中該另一距離(ΑΒ)係可改善以使該第二琢面反光元件 (104.1、104.2)及/或該光學第一元件(106)及/或該第二光學 元件(108.1、108.2)的一平面上之一子午線平面中的一最大 入射角度(@max(ma}〇)的變化小於5度。 51·如申請專利範圍第46項或第49項的照明系統， 其中該另一距離(AB)係可改善以使該第二琢面反光元件 (104.1、104.2)及/或該光學第一元件(106)及/或該第二光學 元件(108.1、108.2)的一平面上之一子午線平面中的一最大 入射角度(®max(max))的變化小於5度。 52·如申請專利範圍第49項或第50項的照明系統， 其中該最大入射角度(0max(max))的變化小於3度。 53·如申請專利範圍第48項至第52項中任一項的照 明系統，其中該第二琢面反光元件(104.1、104.2)包括一表 面’在該表面上排列有一或多個該等第二光柵元件，且其 中該表面的80%以上係由該照明填滿。 54·如根據申請專利範圍第53項的照明系統，其中該 表面的90%以上係由該照明填滿。 55· —種連續改變一被照明區域的方法，該被照明區 53 200804864 域具有-照明系統之-光瞳平面中的1狀，其中在該光 瞳平面中之該被照日服域的該形狀係維持大部分不變，且 在該光瞳平面中的該被照明區域具右—结 t f ^ 、方一弟一大小，其中該 照明系統包括: 一光源，其放射一輻射， -第-光學組件(7G)，其具有—第―琢面反光元件(ι〇2) 與一第二琢面反光元件(1〇4·ΐ、i〇4 2)， -第二光學組件(72)，其具有至少—第一光學元件(1〇6) 與一第二光學元件(108.1、108.2)， 其中利用该照明系統照明在一場平面(114)中的一場， 且該方法包括： _調整該第二光學組件(72)的該焦距，藉以產生在該光 瞳平面中具有一第二大小的一被照明區域， -調整該第一琢面反光元件(1〇2)與該第二琢面反光元 件(104.1、104.2)之間的一距離，使在該場平面中所獲得之 具有该第二大小之該照明大致上等於在該場平面中所獲得 之具有該第一大小的該照明，反之亦然。 56·如申請專利範圍第55項的方法，其中該韓射具有 一波長λ，且該波長的大小為λ$193奈米。 57·如申明專利範圍第56項的方法，其中該波長的大 小為λ $ 14奈来。 、58.如申請專利範圍第55項至第57項中任一項的方 法’其中該第二大小相對於該第一大小的變化為±娜。 59.如申請專利範圍第％項至第57項中任一項的方 54 200804864 法’其中该弟二大小相對於該第一大小的變化為士Μ%。 60·如申請專利範圍第55項至第57項中任一項的方 法，其中該第二大小相對於該第一大小的變化為士4〇%。 ‘ 61·如申請專利範圍第55項至第6〇項中任一項的方 ' 法’其中在該光瞳平面中的該被照明區域為圓形。 62·如申請專利範圍第55項至第6〇項中任一項的方 法’其中在該光瞳平面中的該被照明區域為環狀。 _ 63·如申請專利範圍第55項至第60項中任一項的方 法’其中在該光瞳平面中的該被照明區域為多極。 64·如申請專利範圍第55項至第60項中任一項的方 法’其中在該光瞳平面中的該被照明區域為雙極。 65·如申請專利範圍第55項至第6〇項中任一項的方 法’其中在該光瞳平面中的該被照明區域為四極。 66·根據申請專利範圍第61項或第62項任一項的方 φ 法，其中在該光瞳平面中之該被照明區域的該大小的特徵 在=一填充比率σ，其中在該光瞳平面中該被照明區域的 該第一大小與一第一填充大小σ(1)相關，而在該光瞳平面 巾該被照明區域的該第二大小與一第二填充大小〇⑺相 關，且其中σ⑺相對於σ(1)的變化為±4〇%，以不同的方式 表示，σ(2)落在以下的範圍 二 (1+0.4) · σ(1)>σ(2)>(ΐ.〇β4) . σ(1) 67·如申請專利範圍第61項或第62項任一項的方 去’其中在該光瞳平面中該被照明H域的該大小的特徵在 ；/、充比率σ，其中在該光曈平面中該被照明區域的該 55 200804864 弟一大小與一苐一填充大小σ(1)相關，而在該光瞳平面中 該被照明區域的該第二大小與一第二填充大小σ(2)相關， 且其中σ(2)相對於σ(1)的變化為土25%，以不同的方式表 示，σ(2)落於以下的範圍 (1 + 0·25) · σ(1) > σ(2) > (1 - 〇·25) · σ(ΐ) 68·如申請專利範圍第61項或第62項任一項的方 法，其中在該光曈平面中該被照明區域的該大小的特徵在 於一填充比率σ,其中在該光瞳平面中該被照明區域的該 第一大小與一第一填充大小σ(1)相關，而在該光瞳平面中 該被照明區域的該第二大小與一第二填充大小σ(2)相關， 且其中σ(2)相對於σ(1)變化為士1〇%，以不同的方式表示， σ(2)落在以下的範圍 (1+0.1) · σ(1)>σ(2)>(1-〇·1) · σ⑴ 69·如申請專利範圍第55項至第68項中任一項的方 法，其中該第一琢面反光元件（102)包括第一光柵元件 (2005)，且其中該等第一光柵元件(2〇〇5)具有在該場平面中 该場的該場形狀。 70·如申請專利範圍第55項至第邰項中任一項的方 法其中ϋ亥弟一光學組件(72)的该焦距是藉由改變該第一光 學組件或該第二光學組件中的其中一個與另一個平滑光學 元件之間的距離而加以調整： •該第二琢面反光元件(104.1、104·2)與該第一光學元 件之間的該距離， -該第一光學元件(106)與該第二光學元件(1〇81、 56 200804864 108.2)之間的該距離，或 _該第二光學元件(脈卜108.2)與該場平面(114)之間 的該距離。 71.如申請專利範圍第55項至第68項中任一項的方 法，其中該第-琢面反光元件_包㈣_光栅元件 (2005)，且其中該等第一光柵元件(2〇〇5)具有矩形形狀。

   、〜正久7〇狀明系既之该光瞳平面中的 -被照龍域的方法，其巾在該光瞳平財的該被照明區 域在該光瞳平面巾具有—形狀與—大小，且射在—第— 步驟中’，膽在該光瞳區域巾之麵照明區域的該形狀， 其中在該光瞳區域中該被照明區域的該大小是藉由連續鐵 =，關整’且其中在該光瞳區域中該被照明區域的該 形狀祕該場平面中該照日縣統_照明_持固定。 如申請專利範圍第72項的方法，其中該照明系統 已括一光源，其放射具有波長為λ 長的大小細3奈料別長4λ的—細’轉中該波 小二4=_圍第73項的方法，其中該波長的大 =·如申請專利範圍第72項至第74項中任一項的方 ’〜、中在該光瞳平面巾_侧_域具有圓形形狀。 笊如申請專利範園第72項至第74項中任一項的方 /，其中在該光瞳平財_被朗_具有環形形狀。 77.如㈣專利範圍第72項至第74項中任一項的方 其中在該光瞳平面巾的麵照麵多極。 57 200804864 78·如申請專利範圍第乃項至第％ 法，其中在該光瞳平面中㈣、/ 貞中任一項的方 79.如__帛 法，=在該光瞳平面中的該被照縣域項的方 33項至第f4=，/，其_軸專利範圍第

   其將在該場平財投影物鏡， Λ】· 一種用於製造象f至该影像平面中。 請專利範圍第28項至蜜^子、、且件的方法，其使用根據申 光裝置，並包括下迷項或第80項中任一項的投影曝 ，由该照明系统㈣ 場平面中該光罩的〜先罩，赭由一投影物鏡將在該 塗層上，使得在象投影至在該影像平面中的一光感 構。 ，顯影步驟後，該光感塗層產生一結 58