TW200804578A - Selective barrier slurry for chemical mechanical polishing - Google Patents

Description

200804578 • 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ^ 本發明係關於半導體晶圓的研磨，尤其係關於在某一 « 層（例如··低-k介電質層）存在下移除晶圓之另外層（例如： 阻障材料）之組成物及方法。 【先前技術】 典型地，半導體基材具有矽基底層及介電質層，該介 電質層含有多個排列成電路互連圖案之溝槽（trench)。這 ⑩些溝槽圖案具有鑲嵌（damascene)結構或雙鑲嵌（dual damascene)結構。此外，典型地，1層至多達3層或更多 層之覆蓋層（capping layer)被覆於以溝槽圖案化的介電質 層上，且以阻障層（barrier layer)覆蓋該或該等覆蓋層。 最後，以金屬層覆蓋阻障層且填滿圖案化溝槽。該金屬層 形成與介電區連接之電路互連線且形成積體電路。 覆蓋層可用於不同用途。舉例言之，被覆介電質層之 @覆蓋層如碳氮化石夕可作為研磨阻擋層，以保護其下的介電 層，使其於研磨時免於被移除。碳氮化矽的氮濃度依製造 商而異；且其可包含達到約50原子百分比的氮-若氮含 量為零，則阻擋層（stopping layer)具有碳化石夕的化學特 性。此外，二氧化矽層、氮化矽層或此兩層的組合可校正 阻檔層上方之形貌（topography)。典型地，阻障層，例如： 组或氮化组阻障層’包覆覆蓋層且金屬導電層（metal conductive layer)覆蓋該阻障層以形成互連金屬。 化學機械平坦化（CMP)法通常包括多個研磨步驟。例 5 93982 200804578 • 化步驟係將金屬層從其下方的阻障介電層 ‘在晶圓上留下…/ 步驟研磨係移除金屬層，而 f二 滑平坦的表面及填充有金屬的溝槽，兮埴 ·=有金f的溝槽在經研磨之表面上形成平面的電路= 線。該弟一步驟研磨音円一 連 金屬，例如：銅。^ 過量的互連 磨係將阻阻障層。該第二步驟研 早滑攸其下方的介電層上移除，以在介 :供::：研磨表面。第二步驟的研磨可終止於覆： 上、或者移除所有覆蓋層或移除一些其下方的介電匕層 =地，CMP製程常非所期望地造成金屬從電路轉 源或導致「淺碟效應（dishing)」。此淺碟效應可 "、弟一卜驟研磨及第二步驟研磨兩者 声 致電路互連線之尺询…在電:：:： 々此寻缚區會減弱電訊號且損害雙㈣結構的連。 CMP製程除了引起淺碟效應外，常移除過量的介電質^ 侵钕」。發生在互連接金屬鄰近之侵钱會在曰電 1、、-良中引起尺寸缺陷。再者，侵钱為低_k介電質 問題。與淺碟效應同樣地，這些缺陷導 致电戒唬減弱及損害隨後雙鑲嵌結構之製造。 層阻=除=層及任何不f要的覆蓋層之後’第-覆蓋 宜η卜石反鼠化石夕阻擋層’常可防止⑽製程損 二2阻藉由控制移除速率而保護其 、曰以避免或缓和介電質層之侵蝕。阻障層 93982 6 200804578 ΐΐΓί蓋層（例如：氮切及二氧切）的移除速率對阻 率之比為選擇性的範例。就本申請案而言， 率之_。曰/則件之以埃（邮叫/分鐘為單位之移除速 視；:f用1上於w〇專利公告開第〇3/。7267。號中揭露 =使用㈣子性、陰離子、陽離子以及兩性離子界面 選擇性。然而’此專利公開案並未揭露用於 限制低_k介電質層侵蝕的特定配方。 對於選擇性地移除阻障材料以及覆蓋材料（例如：氮 :石夕及二氧化石夕)而不會移除過量介電質層(例如低-k介電 貝層）之組成物之需求尚未獲得滿足。此外，對於研磨半導 體晶圓之槳液之需求如下：移除阻障材料；減少互連線之 欠業放應’減少介電質層侵姓；避免介電質層剝落；以及 於存在或不存在碳氮化矽阻擋層下運作。 【發明内容】 ⑩ 本發明的—態樣係包括用於研磨半導體基材之水性研 磨組成=，其包含：0.05至5G重量％的研磨料，·及〇·_ 重畺/〇的〖型鹿角釆膠，該（型鹿角菜膠具有可加速 钽、氮化鈕及其他含鈕材料之移除速率的濃度。 本發明的另一態樣係包括用於研磨半導體基材之水性 研磨組成物，其包含：01至50重量％的研磨料；及0 01 至2重量％的 < 魏角菜膠ϋ鹿角菜膠具有可加速 阻障層之移除速率以及可減少選自Sic、SiCN、以#4及 CDO所組成群組中之至少一種被覆層之移除速率的濃度。 93982 7 200804578 本發明的另一態樣係包括用於研磨半導體基材之水性 研磨組成物，其包含:0.1至50重量％的二氧化矽研磨料； 及0.05至1重量％的€型鹿角菜膠，該6型鹿角菜膠具有 可加速阻障層之移除速率以及可減少選自Sic、SiCN、

Si3N4及CDO所組成群組中之至少一種被覆層之移 去 的濃度。 ，、卞 —本發明的再一態樣係包括研磨半導體基材的方法，其 包含以水性研磨組成物研磨的步驟，該組成物包含〇·〇5 ^ %重量％的研磨料；及0·001至5重量％的乙型鹿角菜膠， h型鹿角菜膠用於移除叙、氮化组及其他含叙材料以及 ，持選自SlC、SiCN及Si3N4中之至少—種所構成之硬質 罩幕層。 、 【實施方式】 本發明之漿液與方法未預期到地選擇性 ，组、氮化叙及其他含峨)，而不會二 ㈣質材料⑽如摻魏化物（咖))。研磨液靠著〖型= :::送擇性地移除鈕、氮化鈕及含鈕阻障層，而停在或 磾：：土 夕層。此選擇性可減少互連金屬的淺 此外’_液可移除阻障材 七、復皿層，例如··氮化矽、有機罩與介電質 :導體晶圓剝落或脫落脆弱的低_,介電質層。、^ 力另：個優點是組成物具有停輪氧化… 料之漿液中可增加阻障 已發現將鹿角菜膠加在含研磨 93982 200804578 材料的移除速率。鹿角菜膠係萃取自紅藻之硫酸化多酶體 的天然複合物之混合物。更特定而言，鹿角菜膠為高分子 ‘量多醣體，該多醣體由重覆的半乳糖單元及3,6•脫水 糖（3,6-AG)組成’此兩者可經琉酸化或未經硫酸化。市 售鹿角菜膠有三種類型：Μ—) q (1則 (Lambda)。此等單元藉由交替的α u與々w聽苦鍵而連 接此等之主要差兴（會影響《型、6型與入型之特性）為 ，錄單元上硫_基團的數量及位置。λ型鹿角菜敎 =個皁70包含平均約！.5個硫酸基團；^型鹿角菜膠每個 早7L包含平均約i個硫酸基團；以及Κ型鹿角菜膠每個單 凡包含平均約0.5個硫酸基團。基本上，帶有較多硫酸化 基，的又型具有較低的膠化可能性。又型鹿角菜膠典型每 個早疋，有一個以上的硫酸基圈。帶有較多脫水鍵結的《 型鹿角菜躁，由於具有較大的“扭結,，結構，所以且有較 南的膠化可能性。在商業運用上，λ型鹿角菜膠適用於增 進黏性。/C型形成易碎且堅實的膠體，在膠體破壞後，其 「無法恢復」…型形成「彈性」膠體，在膠體破壞後， …、可再者，含有較多韻基團者㈣溶於水或 具有較高的水溶性。加幻型鹿角菜谬可增進阻障層的移 除速率。 ，型座角菜膠以重量％至5重量％的量存在。在 本說明書中，除非特別指定，所有濃度的值皆係以研磨組 ”之重量％表示。，型鹿角菜膠較佳以〇別至2重 量％的量存在，且更佳為0 05至！重量％。 93982 9 200804578 研磨組成物包含0.05至50重量％的研磨料，以協助 移除阻障層或一併移除阻障層及遮罩/覆蓋層（視集成方式 -而定），研磨組成物適用於移除阻障層或首先移除阻障層， 1隨後移除覆蓋層。研磨料較佳為膠狀研磨料。研磨料之\列 子包括：無機氧化物、金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮 化物、聚合物粒子以及含有上述中之至少一者的混合物二 適合的無機氧化物包括，例如：二氧化矽（Si〇2)、氧化鋁 # (A1203)、氧化鍅（Zr〇2)、氧化鈽（Ce〇2)、氧化錳 或含有上述氧化物中之至少一種的組成物。如需要，也可 利用這些無機氧化物之經修錦形態，例如：以聚合物㈣ 的無機氧化物粒子及以無機物塗佈的粒子。適合的金屬碳 化物、金屬雜物及金屬氮化物包括，例如：碳化石夕、= 化矽、山碳氮化石夕（sicN)、碳化爛、石炭化鎮、碳化錯、雜 紹、石反化！旦、碳化鈦或含有上述金屬石炭化物、金屬删化物 及金屬氮化物中之至少一種之組成物。如需要，鑽石也可 •:為研磨料。替代的研磨料亦包括聚合粒子及經塗佈的聚 合粒子。較佳的研磨料為二氧化矽。 期望研磨料之用量為〇.i至5〇重量％。在這個範 ，，研磨料用量以大於或等於〇.2重量％為宜，以大於或 等於0.5重1 〇/0為較佳。同樣在這個範圍内，以少於或等 於15、重量％為宜，以少於或等於1()重量％為較佳。 ，為防止過度的金屬淺碟化及介電質侵蝕，研磨料之平 二未子大小為少於或等於j 5〇奈米（nm)。在本說明書中， 攻子大小係指研磨料之平均粒子大小。以使用平均粒子大 93982 10 200804578 小少於或等於100 nm的膠狀研磨料為宜，以少於或等於 50 nm為較佳且以少於或等於4〇 nm為更佳。用平均粒子 ~大小少於或等於40 nm的膠狀二氧化矽時，介電質侵敍及 1金屬淺碟化極少發生。降低膠狀研磨料尺寸至少於或等於 40 nm傾向增進研磨組成物的選擇性；但其也傾向降低阻 障層移除速率。此外，較佳的膠狀研磨料可包括添加劑， 例如··分散劑、界面活性劑及用來增進膠狀研磨料在酸性 ⑩PH範圍時的安定性之緩衝液。此類膠狀研磨料之一為來自 AZ Electronic Materials 的膠狀二氧化矽。 右研磨組成物不包含研磨料，則研磨墊選擇及研磨條 件對化學機械平坦化（CMP)法而言將變得更為重要。例 如··對一些不含研磨料的組成物而言，固定的研磨墊會增 進研磨成效。 曰 研磨組成物視需要可含有阻障物移除劑，例如：胍、 甲月:或其衍生物以增進例如：组、氮化组、欽及氮化欽等 φ阻障物的移除。化學機械平坦化組成物視需要可包含錯合 ^、螯合劑、pH緩衝液、除生物劑及消泡劑。 視需要，阻障層例如··短、氮化组、鈦及氮化欽的移 除速率可藉由使用氧化劑而最佳化。適合的氧化劑包括， 例如·過氧化氫、單過硫酸鹽、碘酸鹽、過鄰苯二曱酸鎂 (magnesium perphthalate)、過醋酸及其他過酸、過硫酸鹽、 臨夂孤過峨酸鹽、硝酸鹽、鐵鹽、鈽鹽、猛（Μη) (III) (IV)鹽及Μη (VI)鹽、銀鹽、銅鹽、鉻鹽、钻鹽、 鹵素、次氯酸鹽或含有上述氧化劑中之至少一種的組合 93982 11 200804578 物。較佳的氧化劑為過氧化氯。值得注意的是 型於即將使用之前加入研磨組成物，且在此類白^子= -化劑是含於分離的包裝中。 礼 、化=乳：劑之：量為0至1〇重量％。在這個範圍中， :圍I且：二或寻於ο·1 ”%之量使用。同樣在這個 :圍内’減制宜以少於或等於5重量％的量使用。組成 物以含有〇·1至5 氧化物)之量之調整亦可"二廛取t乳化劑(例如：過 .、， T 1^工制孟屬互連線的移除速率。钿 如：增加過氧化物濃度可增進鋼的移除速率。不過 劑過度增加會對研磨速率造成不利的影塑。 乳匕 研磨組成物可為酸性邱值或驗性阳值 ^之金屬包括’例如：銅、銅合金、金、金合金、錦= :金、翻族金屬、鈾族金屬合金、銀、銀合金、鶴:、鶴： 孟及含，上述金屬中之至少—種的混合物。較佳的互^ =3。錢用氧化劑（例如過氧化氫）之酸性研磨組= ^性研磨組成物及漿液而言，銅移除速率及靜態則速 率兩者均高，其主要係由於銅的氧化。為了減少互連：屬 =除逮率，研磨組成物採用腐餞抑制劑。腐餘抑制劑有 〇互連金屬之移除速率之功用。其藉由減少互 淺碟化而可增進研磨成效。 鱼屬的 典型抑制劑典型以至多6重量％之 ^ 可為單種互連金屬抑制劑或抑制劑混合物。在此 抑制劑之量以大於或等於請25重量％為宜，以=於或等 於0.15重量％為較佳。同樣在此範圍中，以少於或等於、 93982 12 200804578 重量。/〇的量為宜，以少於或等於〇·5重量％之量為較佳。 佳的腐姓抑制劑為苯并三唾（BTA)。於酸性組成物中抑^ ‘劑的最佳量可高於在驗性PH研磨組成物中抑制劑之最= '額外的腐蝕抑制劑包括界面活性劑，例如：陰離子界 面活性劑、兩性離子界面活性劑、非離子界面活性劑、兩 f生4面居性劑及聚合界面活性劑’或有機化合物，例如. 唑類。適合的陰離子界面活性劑包括，例如：具有官能基 的2面活性劑’例b:磺酸鹽、硫酸鹽、羧酸鹽、磷酸鹽 或這二S I基的衍生物，或含有上述界面活性劑中之至少 Ha 口物。較佳的陰離子界面活性劑為十二基苯石备酸 納:適合的非離子界面活性劑包括，例如：_化合物、 :糸化合物、酉旨、環氧乙烧、醇、乙氧化物、醚、醣苦或 :化口物的衍生物，或含有上述非離子界面活性劑中之 y -種的組合物。適合的兩性界面活性劑或聚合物包 如：_酸黯其魅物、聚㈣醯誠其衍生物、 、義=、聚乙烯醇及其衍生物，以及聚乙烯料制及其 =物。可作為抑制劑或加在抑制劑混合物中之適合嗤類 例如.甲苯基二唑（tolytriazole) (TTA)、咪唑及豆 混合物。最佳的第二腐财p制劑為甲苯基三心 ，、 、々、且成物亦包括無機或有機pH調節劑，以降低研 ^。t的值至酸性PH值，或增加pH值至鹼性pH 鹽酸2::無機PH值降低劑包括，例如:石肖酸、硫酸、 機pH值降低劑中之至少一種 93982 13 200804578 的組合物。適合的pH值增加劑包括下列者之—：金屬氡 氧化物、氫氧化銨或含氮有機鹼或上述？11增加劑之組合。 - 研磨組成物於酸性PH值或鹼性ph值下運作。研磨3組 •成物的pH值較佳為介於！至14之間。在這個範圍内^ 動巧於或等於2且低於或等於12為宜。就研磨組成物而 吕，最佳的pH值為3至1〇。 視需要，研磨組成物可含有螯合劑或錯合 ==屬移除速率之銅移除速率。聲合劑藉著與銅 乂螯σ孟屬禝合物而增進銅移除速率。適合的螯合 括，例如：羧酸、胺基缓酸及其衍生物，或含;二 劑了之至少-種的組合物。在研磨組成㈣ :::::於尸量%為較佳。視需要，研磨^ 、、’片例如·各種有機與無機酸及胺基酸，$ 介於DH佶1 ς s ！㈤夂，或pKa P值h5至少於13範圍内的鹽。視需 物復可包括消泡劑，例如： ^ ，研磨組成 ® ^ , "面活性劑，該非齙不 界面活性劍包括：sl、環氧乙n 言非離子 物、氟化合物Hum & 、、广化物、石夕化合 界面活性劑。 . 八叮。消泡劑亦可為兩性 研磨組成物使得CMp裝置可於2 的低壓下運作。在此範圍内，以3 千帕(咖) ⑽研磨㈣力藉著減少刮擦及其他不希？較佳。低 二，增進研磨成效以及減少對脆弱材二二研磨缺 二恭路在高財時，低介電常數的材料會破=告。例如： 成物而传之快速阻障金屬移除逮率使得使用 93982 14 200804578 ' ^ 及3虱化矽層（例如：TEOS)移除速率。 ·=爾體實施例中，可將研磨組成物調節或調整成可 ^ *層移除料，但不會«蓋層造成任何損宝。苴 ^可有^地調整成可移除覆蓋層但不會對低-k介電質層或 超低-k介電質層造成任何損害。 曰/ 於曰了少於21·7kPa (3 psi)的研磨麗力（於正交 、曰曰®之方向所測得的多孔聚胺基㈣醋研磨墊 :，該：成物可加速阻障層的移除以及減少選自沉娜 = 斤組成群組中之至少一種被覆層的移除。該選白 =、^=及⑽4所組成群財之至少—種被覆層以覆 皿層為幸父么。在本說明書中’相對移除係指在正交於晶圓 之方向所測得的多孔聚胺基甲酸醋研磨塾壓力下，所測得 ，移除速率。可用於測定選擇性的特定研磨墊為IC1010™ 夕孔聚胺基甲酸醋研磨墊。既然組成物可於各種研磨塵力 下運作’這些數據係說明此組成物的效能，而非描述使用 此組成物時的特定操力。於至少—種少於21.^ Γ二 ==(於正交於晶圓之方向所測得的多孔聚胺 曰:磨塾之壓力)下，研磨組成物所具有之阻障層對 =層之运擇性為2:1。所選擇的集成方式控制阻障層選 释性。 同樣地，製程可止於介電質芦。並 括源自^的含氧化㈣料(例如、^二質材料包 (TE0S))、低_k介電質及/或超有 I四乙酯 )丨'®貝有機材料，以及 93982 15 200804578 商業上可自Novellus獲得的CORAL(r) CVD SiOC。 實施例 ‘ 實施例1 1 所測試的水性研磨液含有自FMC，Philadelphia供應 的Marine Colloids™鹿角菜膠。特定的/c型鹿角菜膠為 Gelcarin GP 911 (樣品B)及兩者皆來自FMC的6型鹿角 菜膠：Gelcarin GP-379 (樣品 1)與 Seaspen PF (樣品 2) 〇 此實驗係在各種鹿角菜膠類型及濃度下測定研磨組成物的 研磨成效。此實驗與所有其他實驗均係使用Strausbaugh 研磨機與 IC1010 研磨塾（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies)，於下壓力約 2 psi (13·8 kPa) 及研磨液流速200 cc/min、平台速率120 RPM及載體速率 114 RPM的條件下研磨樣品晶圓（200 mm)。所有研磨漿液 的pH值以KOH與HN〇3調整及所有漿液之餘量以去離子 水補足。於實施例中，字母代表比較組成物而數字代表本 春發明的具體實施例。 表1 樣 品 二氧化矽 (重量％) 添加劑 (wt%) GHN (wt%) TaN (A/min) Ta (A /min) TEOS (A/min) CDO (A/min) SiCN (A /min) Cu (A/min) Si3N4 (A /min) A 4 0.0 1 1264 490 213 219 397 277 436 B 4 0.10 1 1304 517 245 183 116 451 143 1 4 0.30 1 1852 850 337 159 75 488 186 2 4 0.30 1 1485 610 254 150 125 538 164 GHN=硝酸氫胍。所有樣品皆含有來自AZ Electronic Materials的PL150H25(平均粒子大小30 nm的二氧化石夕）、 0.15重量％苯并三唑及〇·5重量％11202，]^ = 4且000 為來自 Novellus Systems，Inc.的 CoralTM 介電質。 93982 16 200804578 • 此實施額示1鹿角轉增加lVTaN移除 減少SiCN與Si3N4的移除逮率且對咖的速率益不$ ‘響1型及 <型鹿角菜膠對·s移除逮率無顯著影響二 •纟上述實驗可見，於研磨組成物中，型鹿角菜膠之使 用使得對阻障層的移除速率與對覆蓋層的移除速率間存在 差異。此利於快速移除覆蓋於一層上的另一層，例如··相 ，於SiCN可快速移除Ta/TaN。例如：對含有阻障層與覆 I層的半導體’視需要使得阻障層相對於覆蓋層的選擇性 大於或等於2比卜或甚至大於或等於5比2。選擇率可應 用於沉積在沉、％〇、邮4或8咖覆蓋層上的含钮層: ^可應用於如下表2所示之單—遮罩。研磨組成物亦可 ::至：助於移除阻障層而不對低·W電質層或超低吨介 貝層w成任何損害。這些研磨組成物移除各種半導體基 。二而不對低_k介電質層及/或超低_k介電質層造任 知告的能力於下表2所示。 93982 17 200804578 表2

集成方式 層 互連結構 CMP用之集成 方式 移除速率(RR) 需求 1 雙被覆層 TaN/TEOS/SiCN/ 低k或超低k介 電層 研磨TaN層及 TEOS層，於 SiCN層及低k或 超低k介電層終 止研磨 對於TaN層及 TEOS層而言高 RR ’ 對於 SiCN 層及低k或超低 k介電層而言低 RR 2 單被覆層 TaN/Si3N4(或 SiCN)/低k或超 低k介電層 研磨TaN層，於 Si3N4(或 SiCN) 層及低k或超低 k介電層終止研 磨 對於TaN層而言 高RR，對於 SisN4(或 SiCN)層 及低k或超低k 介電層而言低 RR 3 無被覆層 TaN/低k或超低k 介電層 研磨TaN層，於 低k或超低k介 電層終止研磨 對於TaN層而言 南RR ’對於及低 k或超低k介電 層而言低RR 表2顯示可採用各種集成方式以自半導體基材選擇性 地移除某些期望的層。例如：集成方式1顯示如何有效地 利用研磨組成物自含有TaN、TEOS、SiCN及超低-k介電 質層的互連結構分別選擇性地移除TaN及TEOS層。研磨 組成物以比移除SiCN及CDO層高的速率移除TaN及 TEOS，因此保存SiCN及超低-k介電質層。 利用研磨組成物以調整從積體電路裝置中的互連結構 移除阻障層之速率。可調節或調整以達高速阻障層移除且 減少對互連金屬的淺碟效應，或移除止於覆蓋層，例如： SiCN或SisN4覆蓋層。此外，若覆蓋層為沉積在底層上之 TEOS頂層且底層為SiC、SiCN、Si3N4或SiCO，則該組成 93982 18 200804578 * 物可移除頂層且留下至少一部份的底層。此選擇性的 TEOS移除特別有用於保護具覆蓋層的低-k介電質與超低 • -k介電質。

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Claims (1)

1. 200804578 十、申請專利範圍·· 種用於研磨半導體基材的水性研磨組成物，包含： ‘ 0.05至50重置％的研磨料；及 1 〇·001至5重量〇/〇的6型鹿角菜膠，該（型鹿角菜 膠具有可加速鈕、氮化鈕及其他含鈕材料之移除速率的 濃度。 2.如申請專利範圍第丨項之組成物，其中該（型鹿角菜膠 可減少選自SiC、SiCN、SisN4及CDO所組成群組中之 至少一種被覆層之移除速率。 •如申明專利範圍第1項之組成物，其中該研磨料係選自 热機氧化物、金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物及 聚合物粒子中之至少一種。 4· 一種用於研磨半導體基材的水性研磨組成物，包含·· 〇·1至50重量％的研磨料；及 〇·〇1至2重量％的〖型鹿角菜膠，該〖型鹿角菜膠 • 具有可加速阻障層之移除速率及可減少選自Sic、 SiCN、SijN4及CDO所組成群組中之至少一種被覆層之 移除速率的濃度。 •如申明專利範圍第4項之組成物，其中該《型鹿角菜膠 可減少SiCN的移除速率。 •如申清專利範圍第4項之組成物，其中該研磨料係選自 氧化鋁、氧化鈽及二氧化矽所組成群組中之至少一種。 7· —種用於研磨半導體基材的水性研磨組成物，包含·· 0.1至50重量％的二氧化石夕研磨料；及 93982 20 ,200804578 I 0.05至1重量％的《型鹿角菜膠，該z型鹿角菜膠 具有可加速阻障層之移除速率及可減少選自SiC、 % SlCN、Sl]N4及CD0所組成群組中之至少一種被覆層之 ^ 移除速率的濃度。 8·如申請專利範圍第7項之組成物，其中該〖型鹿角菜膠 可減少SiCN的移除速率。

   9·如申請專利範圍第7項之組成物，其中該組成物包含苯 弁二σ坐腐钱抑制劑。 10.-種研磨半導體基材的方法，包括以水性 磨之心該組成物包括^至^^^^研 =.〇〇1至5重量％的< 型鹿角菜膠，該6型鹿 移除鈕、氮化鈕及其他含鈕材料以及垃呢多 &C、SiCN與中之至少一種所構成之硬質罩幕^自 93982 21 200804578 馨 七、指定代表圖：本案無圖式 (一)本案指定代表圖為：第（）圖。 . (二)本代表圖之元件符號簡單說明: 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

   本案無代表化學式

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