TW200804171A - Micro scanner and manufacturing process, driving structure and driving method therefor - Google Patents

Description

200804171 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本案與一種磁感應元件及其製程、驅動架構以及驅動方 法有關，尤其是與以勞倫茲力驅動的磁感應元件及其製程、 驅動架構以及驅動方法有關。 【先前技術】

以矽基材所製作的微掃描面鏡在西元1980年首先發 表，自此，微掃描面鏡變成為微光學機電系統中相當重要白^ -個研究課題；微掃描面駐要可應用在掃描器(seanner)、條 碼機(bar code)、雷射硬表機(laser inter) 等等。其中在應用於投影顯示‘ 又可分為三類型，⑴二維矩陣:這部分最 州儀器所發展製造的DMD陶talMicr〇mirr〇rDJ；$^ 麗霜，DLP)技術；⑺―維掃描系統：如 ^ J反射原理的GLV(G她g Light Val順統；以及⑶循 統(Raster-scanned):此類型的顯示器主要配合光源控 子做垂直及水平掃描或由―面鏡子同時掃描 prefect 1丨 ^在虛擬投影顯料、_耐 LS; plays)及雷射投影顯示系統 理是鱗1於循序掃㈣統，其作動原 打到ίϊΞΪ Γ = #控制電子束的偏折方向，電子束 術發i之後發ϊί幕上的螢光粉而發光，當微機電技 If ^方彳^ ^職影方式的掃描面鏡便陸續開發出來， -錢方式包括體型微加卫技術以及面型微加工技術。木 動及S等面鏡許多’較常見的包_ 、，而由於叉限於尺寸效應的影響，因此由磁力 5 200804171 致動的微面鏡較少受到注意。 事貝上，g電流與磁場方向垂直時，合 (Lorentzforce)^^ , 第一二閱第7匕’4其為一個習知的微面鏡結構*意圖。如 -所不，以石夕基材經兹刻技製: bar)*入彳越面〗上，電额磁場方.向贿^ 產生勞儉兹力，由於電流通過扭轉軸 因此所產生的勞倫茲力方向也轉=二=有;專:生 =ίί(=)，’大當輸^訊號為交流時，婦描面鏡^產生高 上產Γ的隹源為電流’因此為了降低在導線 低導線方式把_厚，降 式常會以螺旋方式佈線並以立體交叉方 式料線拉出，例如透過跳線〇聰脾)4來連結。又方 然而，在傳統中使用勞倫茲力 點，-是必須製作線_線，而存有兩大缺 需避免大電赫經線_所產生^ 成本，另外則是 加導線厚度，進而增加產二，以龍方式增 則各雷、、六女& 0士，隹f、、果成本，而右疋佈線厚度不足， 必i石sH Hij、^、、又會使導線燒斷。另外，為了導線 甲而出％•線結構’而使得製作成本提高。 有鑑於習知技藝仍存有許多缺 ,^^ ^ 透過磁_元件(含:二中，驅動方法是 寸J因毛磁感應時所引發的電流 6 200804171 與外加磁場_互_麵動顿應元件。 【發明内容】 就本案的一方面而言，安

製備方法，該製财法包含二，”-種祕應元件的 板上形成-黏著層；e)在^’”^a)提供-基板；b)在該基 一部分該晶種層以露出—部成—晶種層；d)移除 露出的黏著層上形成一光阻層;e)在該晶種層與該 著層上形成-磁感應層；）日種層與該露出的黏 分該基板从-物錄邊錢阻層，·収h)移除—部 根據上述構想，其中該步驟b)與e)是藉沈積法來實施。 根據上述構想，其中該步驟d)、§)與h)是藉侧來實施。 根據上述構想，其中該步驟Q是藉電錢法來實施。 方牛!本案也提出了—種製作磁感應元件的 的一其=· M.a)提供具有一晶種層以及一黏著層 :-土板’ b)祕-部分該晶種層以在該出二 ；C)摘第一區域中以及該晶種層上形成2以石兹 以及"一第-磁感應層 根據上述構想，其中步驟b)是藉蝕刻法來實施。 就本案的另一方面而言，本案也提出了一種磁感應 件，該磁感應元件包含：一基板；一黏著層，位於該基^反1 . 一晶種層，位於該黏著層上；以及一磁感應層，位^該晶種 層上，其中磁該感應層包含一致動部與一第_轉軸，1 致動部與該第一轉軸相連。 ^ 根據上述構想，其中該磁感應層為一金屬層。 根據上述構想，其中該金屬層為一鎳金屬層或其合金声。 7 200804171 其中該基板為一石夕基板。 其中该黏著層為一鈦層。 其中该晶種層為一銅層。 其中該磁感應元件更包含與該第—轉軸 綠缸根ίί述構想，其中該磁感應層更包含—環部與-第二 ^ ，/、中忒致動部藉該第一轉軸與該環部相連。

構想’其巾制錢元件更包含-外框，盆中 μ衣邛猎δ亥弟二轉軸與該外框相連。 含.·?: 提出了—種磁感應元件，該磁感應元件包 注槿‘甘連結結構；以及—磁感應層，與該連姑 中姐動部與該第—轉軸相連。 釉，、 -第構想，其中該連結結構包含—第―金屬層以及

根據上述構想 根據上述構想 根據上述構想 根據上述構想 相連的一外框。 根據上述構想，其巾該磁感應層為_第三金屬層。 «t上述構想，其巾該第三金屬層為—鎳金屬層或其合 一古;^者，本案還提出了一種驅動架構，該驅動架構包含： 二ii包ΐ—第—承載部、一第二承载部以及—第三承載 ^ ^ 5亥第二承載部用以承載一磁感應元件；一第一磁性 位於該第一承載部；一第二磁性褒置，位於該第二承 t 磁場產生裝置，對該磁感應元件提供—可變磁場； ，與該磁場產生器電連結；以及一電流源，與該混 δ斋電連結。 根據上述構想，其中該第一磁性裝置與該第二磁性裝置 8 200804171 為磁極不同的永久磁鐵。 =康上述構想’其中該磁場產生裝置使該磁 生一感應電流。 τι 根據上述構想，其中該電流源包含一第一電流產生 以及一第二電流產生裝置。 、

口就另;-方面而言，本案也提出了一種驅動架構，該驅動 木構包3·—支架，其承載一磁感應元件、一第一磁性裝 以及-第二雜裝置；_磁場產生裝置，對該磁感應元件提 供一可變磁場，·以及一電流源，與該磁場產生裝置電連結。 、 根據上述構想，其中該第一磁性裝置與該第二磁性穿罟 為磁極不同的永久磁鐵。 x =艮據上述構想，其中該磁場產生裝置使該磁感應元件產 生感應。 、根據上述構想，其中該電流源包含—混合器與一第—命 流產生裝置以及一第二電流產生裝置。 ’ 电

的古、1尤另Γ方面而言’本案也提出了—種驅動-^减應元件 U法’该方法包含步驟：a)架設一驅動架構，其包含 一 磁性裝置、—第二雖裝纽及—承載部，1㈣承载 二J該磁感應元件，且該第—磁性裝置與該第二磁鮮 =有-水久磁場；b)架設-磁場產生裝置，A中該磁感應J 所產生—磁場中；以及__場 2其中，因為该感應電流與該永久磁場 = 力而驅動該磁感應元件。 曰產生泠“紙 根據上述構想，其中該第一磁性裝置邀兮楚/说}4壯 為磁性不同的永久磁鐵。 昂一兹丨生衣置 9 200804171 裝置 根據上述構想，其t該電流由-混合器提供。 產生想’其巾㈣流由—混合11以及複數個電流 根據上述構想’其中該磁感應元件為一雙軸元件。

-成ϋί本案的另一方面而言’本案也提出了一種驅動 二1應法’該方法包含步驟:a)將該磁感應元件 位於該磁懸絲麵以其巾办錢應兀件 補異⑷產1兹場中；以及c)藉由調控 虛兩治衣甘產生的該第二磁場以使該磁感應元件產生 了Γ，、巾’11為喊應電流與該永久磁場間會產生 一勞倫炫力而驅動該磁感應元件。 曰座生 根據上述構想，其中該第一磁場為一永久磁場。 裝置射財驟e)是11㈣流人該磁場產生 根據上述構想，其中該電流由一混合器提供。 產生=述構想，其巾_由—混合如及複數個電流 根據上述構想，其中該磁感應元件為一雙 -磁in鏡卽了—種投m騎料、統包含. "亥磁感應兀件位於該第一磁性裝置與該第二磁，、 且該磁感應元件位於制生裝置職生的—磁^中置間， 根據上述構想’其中該第一磁性裝置與該第二磁性裝置 10 200804171 為磁性不同的永久磁鐵。 在構想，其中該第—磁性裝置與該第二磁性 I存有-水久磁場，且該磁感應元件至於該永久磁場中。 根據上述構想，其巾藉改變該磁場產生裝置所產生 磁％以使該磁感應元件產生一感應電流。 邊 υϋ1述構想 其中該感應電流與該永久磁場間會產生 劳偏炫力而,驅動該磁感應兀件。

根據上述構想，其中該驅動裝置更包含一混合器。 穿置根據上迷構想，其巾該驅動n置更包含複數個電流產生 根據上述構想，其中該驅動裝置更包含一電流產生裝置。 根據上述構想，其中該磁感應元件為一雙軸元件。 根據上述構想，其中該磁感應元件為一單軸元件。 本案得藉由下列圖式及詳細說明，俾得更深入之了解· 【貫施方式】 本案所提出的磁感應元件及其製程、驅動架構及驅動方 法，將可由以下的實施例說明而得到充分暸解，並使得熟習 本雙#之人士可以據以完成。另外，雖然本案以微掃描面^ 為實施例，然本案之實施並不應受限於微機電元件之領域， 而應亦適用於其他元件。 請參閱第二圖，其為本案所提出的一單軸掃描面鏡實施 例示意圖。如第二圖所示，本案的單軸掃描面鏡Μ包含致動 部21、第一轉軸22以及外框23。 请參閱第三圖，其為本案所提出的一雙軸微掃描面鏡實 施例示意圖。如第三圖所示，本案的雙軸微掃描面鏡Μ包含 200804171 ίΪ ΐ 3卜環部32、第一轉軸33、第二轉軸34以及外框35 ; 然在此實施例中第—轉軸33與第二轉軸34垂直，但 =貫施時其實調整任意角度都可達到不同效果，例如角度 二ί Γ立度、88度、85度或是80度或是其他角度等等。另外， ，仔^的是第-轉轴33與第二轉軸34的設計樣態與 乃可依需要而調整。 ，參閱第四圖(Α)-⑼，其為本案的雙軸微扭轉面鏡 =性製作流程圖。如第四圖(A)_(G)所示，在操作時， 4日了先取-絲41 (本f施例叫基板為例），接著先在該基 板41上以電子蒸鑛方式沈積一鈦層42 (當作黏著層）， 沈積-銅層43 (當作晶種層），結果如第四圖⑷所示；接著， 則飿刻銅層43以形成-開口 43卜如第四圖⑻所示。接著， 在鈦層42、銅| 43上形成光阻44(在本實施例中所使用的光 阻為AZ4620)並經圖樣化，其結果如第四圖(c 磁感應層45卜452、453 (在本實施例中是。電鐘 鎳至屬當作磁感應層），如第四圖(D)。增厚磁感應層452與光 阻44，如第四圖(E)，其中磁感應層452的厚度大於磁感^層 與453的除可提供較大的剛性外，也可產生較多磁感應渦 電流（eddy current)。接著則移除光阻44，並進一步移除g二 到銅層43保護的鈦層42 (在本實施例中是以b〇E來移除鈦 層），其結果如第四圖(F)所示。最後以TMAH對基板41進行 蝕刻而形成雙轴微掃描面鏡M，其結果如第四圖(G)所示。其 中，值得留意的是，第四圖（G)的結構剖面圖可視為是第三 =中沿A-A’直線的剖面結構圖，其中第三圖中的致動部3〗相 ^於第四圖中的磁感應層452，而第三圖中的環部32則包含 第四圖中的磁感應層451與453。此外，雖然在此實施例中1 以鈦層42為黏著層，以銅層43為晶種層，並以鎳層為磁^ ，層451、452、453，但是實際操作時，所使用的材料是有^ 能依不同需要而調整的，也就是說本案也適用於其他可當作 12 200804171 黏著層、晶闕以及顯應層 屬（例如錄齡金、錄鐵合金）取如可用其他金 外，本實施例是製作雙軸微搞=桌層$作磁感應層）。此 層452與基板41分離，;僅戶 =需要促使磁感應 鏡，那麼則只需要在卜#^^乍:僅萬製作單軸微掃描面 成磁感應料可達著層、晶種層，再形 :碑：其本

流產生器57，其中磁場產生壯生态56以及第一電 圖式）k仏丁交磁％，因此只要 夠改’其設置位置是可以調整卜 士與兹性裝置52都是使用永久磁 作時，亦可使用其他設計，只要能在持續產 =32U 架53乃包含第一承載部531、第二承 ，部532 f及弟三承載部533，以分別承載第一磁性裝置51、 第一磁性衣置52以及喊應元件（未圖式）。另外，雖然 貫施例使用兩個電流產生裝置與—個混合器，但是實際操作 時可以僅制-個電流源控姆置來調控磁場產生裝置的磁 場變化。 請爹^第六圖，其為本案所提出的一投影系統實施例示 意圖。如第。六圖所示，本案所提出的投影系統S包含微掃描 面鏡Μ與第五圖的第一磁性裝置51、第二磁性裝置52、支架 53、磁％產生裂置54 (例如螺線管（s〇ien〇id))、混合器55^ 第一電產生器56以及第二電流產生器57，其中，支架53 乃包含第一承載部531、第二承載部532以及第三承載部 533，以分別承載第一磁性裝置51、第二磁性裝置52以及微 掃描面鏡Μ。 13 200804171 請參閱第三圖、第六圖蛊μ 掃描面鏡的一驅動方法實施圖，其中弟七圖為本案微 說明，僅繪出雙軸微掃於而」示思圖。在第七圖中，為方便 圖中的磁感應層452)，= Μ中的致動部31 (相當於第四 磁性裝置52、磁場產生裴$軸33二第一磁性裝置51、第二 裝置54發出的磁力線如第七圖所示，當磁場產生 渦電流EC。因為第1兹性壯^改變時，致動部31上會產生 磁力MF，且出現了渦電产^ 51與第二磁性裴置52間存有 力出現而以第一轉轴33 ^輛而致，部31上將有勞倫茲 由上述内容可知，本安 才 件，另外，因為渦電流屬於木本可達到完全以超距力來致動元 =ΐΐ心 王不1要’封閉迴流的渦電流既自行流經微掃 的結構，而電與磁訊號都由感應產生， 此乃有效―去白知技”要形成導線而花費的高額成本。 …请^閱第二圖、第六圖與第人圖，其中第人圖為本案微 掃描面鏡的-驅動方:¾:實施例示賴。在第八圖巾，為方便 說明，僅繪出^雙軸微掃描面鏡M中的致動部31、環部32、第 一轉軸33、第二轉軸34、第一磁性裴置51、第二磁性裝置 5?、磁3#產生，置54、混合器55、第一電流產生器％以及 弟一電流產生為57。由於雙軸掃描面鏡μ的第一轉軸％與 第二轉轴34可以具有不同剛性（製作時可形成不同粗細或是 形狀的第一轉軸與第二轉軸）·，而因為致動源為同一個磁場產 生裝置54，因此，若同時輸入兩種訊號（分別來自第一電流 產生器56與第二電流產生器57)，將可同時致動兩軸。經試 14 200804171 驗發現’當第一轉轴33的方向與第—磁 磁 = ί生的磁力的方向不為正交時，雙軸微掃^面鏡 M31與環部32可同時朝向不同方向發生扭轉（例 银描’—為垂直方向掃描)。另外’經過試驗 也發現透雜電流產生器56以及第二電流產生器57 的頻率將可㈣騎描面鏡M的水铸描以及垂直掃描狀 況0 、⑽似力驅動的微掃描面鏡因為有電流的直接 ==焦：綠uleheat)，熱的產生會使結構變形甚至影響 2於本論文中電流不直接施加於鏡面，而是利用 感怎式產生，因此微掃描面鏡的交變磁場功率相當小，隹 «產生^目對下降，如第九圖所示，當量測時間為田二g %，以不同父變磁場頻率（900HZ、] 000HZ、2000HZ、、 400(I=T所量淑度的絲有鶴增加，111此可知本案使 2測感應電絲驅输掃描面鏡將可有效的降健耳熱的產 面提出—種新的以勞倫茲力輯的微掃描 '疋·種不而要在鏡面上繞線線圈的微掃描面鏡 SC_ngm_);當配合外部磁場產生裝置與磁力產 擺設’可貫施單-轉源同時以完全非觸方式致動^或 動方法。另外，因為磁場產生裝置、磁 有^增加了應用範圍。另外，因為本案實施例中所提^ 磁感應兀件、製程、驅動架構以及麟 枯 性、非顯而易見性以及產業利用性。再者=^= 曰中疋以微#描面鏡為實施例，然本案的製程、驅動架構與 15 200804171 方法並不受限於微機電元件領域”應·於其他領域 縱，本案已壯述之實施例所詳細敘述，而可由在此領 ，具，知識者任施匠思而為諸般修飾，然皆猶如附申請 專利範圍所欲保護者。 本案部分内容已公開於國際研討會論文集：『19th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, pp. ηη^ηηη^ January 22-26,

Istanbul，Turkey, 2006』。 ’

【圖式簡單說明】 第一圖為習知的微面鏡結構示意圖。 第二圖為本案所提出的一單轴掃描面鏡實施例示意圖。 第二圖為本案所提出的一雙軸掃描面鏡實施例示意圖。 第四圖(A) - (G)為本案的雙軸微扭轉面鏡的示範性製作流程 圖。 第五圖為本案驅動架構的一示範性實施例示意圖。 第六圖為本案所提出的-投影系統實施例示意圖。 第七圖為本案微崎的—麟方法實施例示意圖。 第八圖為本麵面鏡的_驅動方法實施例示意圖。 變磁場頻率驅動本案微面鏡時，微面鏡％ 【主要元件符號說明】 A-A’截線 D驅動架構 EL渦電流 16 200804171 Μ單轴微掃描面鏡、 雙軸掃描面鏡 MF磁力 MFD磁場方向 ML磁力線 S投影系統 1微面鏡 2扭轉軸 21致動部 22第一轉軸 23外框 3導線 31致動部 32環部 33第一轉轴 34第二轉軸 35外框 4跳線 41基板 42鈦層 43銅層 431 開口 44光阻 451、452、453磁感應層 51第一磁性裝置 52第二磁性裝置 53支架 531第一承載部 532第二承載部 533第三承載部 54磁場產生裝置 55混合器 56第一電流產生器 57第二電流產生器 17

Claims (1)

1. 200804171 卜、申請專利範圍： 1· 一種製備一磁感應元件的方法，包 a) 提供一基板； , b) 在該基板上形成一黏著層； c) 在該黏著層上形成一晶種層； d·! 部分該晶種層以露出—部分該黏著層； 3 ί:Γ:Βϊί與該露出的黏著層上形成-光阻層； 該露出的黏著層上形成-磁娜 g)移除该光阻層；以及

   9 除:部分該基板以及—部分該黏著層。 圍第1項所述的方法’其中該步驟胸是 恤娜，射酬㈣與 4· 卿1項_%其中卿㈣電 5. 細絲树的方法，包含步驟： ^提供具有-晶種層以及—黏著層的—. b)移除一部分該晶種層以在二丄 0在該第-區域中以及層上定義出一第一區域； 及-第二磁感應層；ϋ曰種層上形成一第一磁感應層以 d) 餘刻在該第一磁感應層 6. 根據申請專利範圍第5項所ϋ者層以及基板。0 法來實施。 、 去，其中步驟b)疋藉餞刻 一種磁感應元件，包含： 一基板； 一黏著層，位於該基板上； 一晶種層，位於該黏著層上；以及 一磁感應層，位於該晶種層上， 18 200804171 其中磁該感應層包含一致動部與一第一轉軸，其中該致動部 與該第一轉轴相連。 8. 如申請專利範圍第7項所述的磁感應元件，其中該磁感應層 為一金屬層。 9. 如申請專利範圍第8項所述的磁感應元件，其中該金屬層為 一錄金屬層或其合金層。 10. 如申請專利範圍第7項所述的磁感應元件，其中該基板為 一碎基板。 11. 如申請專利範圍第7項所述的磁感應元件，其中該黏著層 • 為一鈦層。 12. 如申請專利範圍第7項所述的磁感應元件，其中該晶種層 為一銅層。 13. 如申請專利範圍第7項所述的磁感應元件，更包含與該第 一轉轴相連的一外框。 14. 如申請專利範圍第7項所述的磁感應元件，其中該磁感應 層更包含一環部與一第二轉轴，其中該致動部藉該第一轉軸 與該環部相連。 15. 如申請專利範圍第14項所述的磁感應元件，更包含一外 框，其中該環部藉該第二轉軸與該外框相連。 _ 16. —種磁感應元件，包含： 一基板，具有一連結結構；以及 一磁感應層，與該連結結構相接， 其中磁該感應層包含一致動部與一第一轉軸，其中該致動部 與該第一轉軸相連。 17. 如申請專利範圍第13項所述的磁感應元件，其中該連結結 構包含一第一金屬層以及一第二金屬層。 18. 如申請專利範圍第13項所述的磁感應元件，其中該磁感應 層為一第三金屬層。 19. 如申請專利範圍第15項所述的磁感應元件，其中該第三金 19 200804171 屬層為一鎳金屬層或其合金層。 20. —種驅動架構，包含： 一支架，包含一第一承載部、一第二承載部以及一第三承載 部，其中該第三承載部用以承載一磁感應元件； 一第一磁性裝置，位於該第一承載部； 一第二磁性裝置，位於該第二承載部； 一磁場產生裝置，對該磁感應元件提供一可變磁場； 一混合器，與該磁場產生器電連結；以及 一電流源，與該混合器電連結。 φ 21.如申請專利範圍第20項所述的驅動架構，其中該第一磁性 裝置與該第二磁性裝置為磁極不同的永久磁鐵。 22. 如申請專利範圍第20項所述的驅動架構，其中該磁場產生 裝置使該磁感應元件產生一感應電流。 23. 如申請專利範圍第20項所述的驅動架構，其中該電流源包 含一第一電流產生裝置以及一第二電流產生裝置。 24. —種驅動架構^包含. 一支架，其承載一磁感應元件、一第一磁性裝置以及一第二 磁性裝置； 一磁場產生裝置，對該磁感應元件提供一可變磁場；以及 • 一電流源，與該磁場產生裝置電連結。 25. 如申請專利範圍第24項所述的驅動架構，其中該第一磁性 裝置與該第二磁性裝置為磁極不同的永久磁鐵。 26. 如申請專利範圍第24項所述的驅動架構，其中該磁場產生 裝置使該磁感應元件產生一感應電流。 27. 如申請專利範圍第24項所述的驅動架構，其中該電流源包 含一混合器與一第一電流產生裝置以及一第二電流產生裝 置。 28. —種驅動一磁感應元件的方法，包含步驟： a)架設一驅動架構，其包含一第一磁性裝置、一第二磁性 20 200804171 且該第—磁性裝置與該第二磁亥磁感應元件， 裝置所產生-磁^ r/及辦應元件錄該磁場產生 =該=1^電流躺永久磁場間會產生—勞倫茲力而 29·如申請專利範圍第烈項 30與Λ第^性裝置為磁性不同的永久磁鐵一磁性裝置 制流入該磁場產生裝朗-施物_ G)是藉控 31.器專利範圍第3〇項所述的方法，其中該電流由一混合 玟如申請專利範圍第3〇項所述的 器以及複數個電流產生器調控。 〃中“肌由此合 33. -利範圍第28項所述的方法，其中該磁感應元件為 34. -種驅動一磁感應元件的方法，包含步驟： a) 將該磁感應元件置於一第一磁場中； b) 產^裝置，其中該磁感應元件位於該磁場產生 衣置所產生一第二磁場中；以及 C) ^雛該磁懸錢置生的該第二磁場以使該磁 感應元件產生一感應電流， 其中，因為該感應電流與該永久磁場間會產生—勞儉兹力而 驅動該磁感應元件。 35. 如申請專利範圍第34項所述的方法，其中該第一磁場為一 永久磁場。 36. 如申請專利範圍帛34項所述的方法，其中該步驟c)是藉控 21 200804171 制流入该磁場產生裝置的一電洁央命 37= 綱娜糊由一現合 39-=^瓣34項所相方法，綱峨元件為 40· —種投影系統，包含··

   一磁感應元件；以及 ”-驅動裝置，承載該磁感應元件，包 弟二磁性裝置以及-磁場產生步 f雜衣置、- 第-磁性裝置與該第二磁性裝^間，應兀件位於該 場產生裝置所產生的—磁場中\ s〜域感應70件位於該磁 該第-磁性 42.裝 至於該永久磁場中。 久磁场’且该磁感應元件 述的觸統，其中藉改變該磁 】產生衣置所產生的该磁場以使該磁感應元件產生一感應電 44·盘圍 =項所述的投影系統，其中該感應電流 更包含一弟項所达的投影糸統，其中該驅動裝置 队更如包申第45項所述的投影系統，其中該驅動裝置 更包3¾數個電流產生裝置。 其+魏動裝置 22 200804171 48. 如申請專利範圍第40項所述的投影系統，其中該磁感應元 件為一雙軸元件。 49. 如申請專利範圍第40項所述的投影系統，其中該磁感應元 件為一單轴元件。

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