TW200537637A - Transport speed monitoring apparatus and semiconductor processing system utilizing the same - Google Patents
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Description
200537637 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於半導體製造設備的領域,特別是一用來監控運送晶圓 進入或離開一半導體反應爐管之速度的機械裝置。 【先前技術】 半導體電路元件的產生通常都疋藉由將一碳(ing〇t)的半導體材料切 割成薄片狀的晶圓,每一薄片狀的晶圓經過處理後,產生許多個別積體電 籲路。這些處理步驟的其中一個就是有關將晶圓送入一高溫爐管内,用以完 成熱氧化(th_al oxidation)、擴散(diffusion)、化學蒸汽沉積(如^ deposition,CVD)和退火熱處理(議aling)等處理。為了達到批次式處 理的目的,要被處理的晶圓都被裝載在一通常稱為晶舟的石英結構上。一 與該爐管相連接的晶舟,其配將裝載在晶舟±的晶圓送域爐管接受熱 處理,且在處理完後從該爐管移出。 就半導體反應爐官麵,晶舟已經是數個美國專主題 u s·
Pat. No. 4,624,638, U.S. Pat. No. 4,721,424, and U.S. Pat No. 6,537,010 〇 這麼多年來,晶舟荷載纽可以由上面習知的技藝中了解,但沒有一個是 能滿足在-個晶舟的運猶,㈣速度監控的絲。—織載晶圓的晶舟 在被運送時應儘可能的平穩的移動,以確保該高價值的產品的安全,像是 經過特別處理過辭導體晶I如果沒有即時監衫紐可關為無預警 ^移=,造成晶舟與爐管互相碰撞’而且任何的意外都可能毀壞或嚴重損 =理中的晶圓。更進-步來說,晶圓的荷載和處理在批次式處理時都 ==自動化’該晶圓的運送速度也可制此鱗有效的晶圓處理時間。 曰曰因運送速賴過高或過低都可能導致不足或過多喊理_, 致-不麵良率。我憤要岐—辦時監 载運晶圓的晶舟在送人或送出-半導體反應猶的運送速度:=^^ 〇503-A30274TWF(5.0) 5 200537637 為了保護昂貴的晶圓不受到像是速度過低或速度過高這類的異常狀況所造 【發明内容】 /本發明係—半導體製程纽和其方法。就本發日絲說,辭導體製程 系統包含-反應室、载具和運送速度監控裝置。該載具用以運送至少一個 晶圓進入或離開該肋處理該晶_反魅。該運送速度監妙置係用以 監控該晶圓的移動量,且當該晶圓的運送速度低於一限制時,致能 • (as_ing) —異常訊號。 本發明更提供具有運送速度監控裝置的—晶舟荷載祕,包括:一個 裝載晶圓的晶舟,進人或離開-爐管的運送速度都藉由該運送速度監控裝 置所監控。該運送速度監控裝置係由一感測器、低速偵測單元、==測 單元、第-和第二比較器、-取樣單元和—開關單摘組成。該感測器用 以積測該裝載晶圓的晶舟的移動量,且因此產生頻率與該裝载晶圓的晶舟 的速度成比例的一訊號。該低速偵測單元係被與該感測器耦接,其用以接 收該輸入訊號。當輸入訊號的頻率低於一下限時,該低速偵測單^便產生 鲁高於-臨界電壓的-第-侧電壓。與該低速翻單元麵接的該第一比較 器,用以比較該第一偵測電壓與該臨界電壓。當該第一偵測電壓超過該臨 界電壓時,該第一比較器致能一低速訊號。該超速偵測單元亦與該感測器 _接,用以接收該輸入訊號。當該輸入訊號的頻率超過一上限時,該超速 偵測單元便產生高於該臨界電壓的一第二偵測電壓。與該超速偵測單元耦 接之第一比較器,用以比較該第二<貞測電壓與該臨界電壓。當該第二偵測 電壓超過該臨界電壓時,該第二比較器便致能一超速訊號。此外,與一驅 動器輕接之該取樣單元’在該裝載晶圓的晶舟被運送時,取得從該驅動器 傳來的電壓訊號’且將該訊號放大。_接在該取樣單元和該低速彳貞測單元 之間的開關早元和麵接在該取樣皁元與該超速偵測單元之間的開關是相同 0503-A30274TWF(5.0) 6 200537637 的口應該被放大後的電壓訊號出現,該開關單元因此被啟動,也因此啟 動該超速偵測單元與該低速偵測單元。 本發明更提供一運送速度監控裝置,其包含一感測器、一異常偵測電 路、一比較器電路、一取樣單元和一開關單元。該感測器用以偵測一晶圓 的移動量,且因此產生頻率與該晶圓運送速度成比例的一訊號。該異常偵 測電路係接收由該感測器送出的輸入訊號。一但該輸入訊號的頻率低於一 預定範圍時,該異常細電路便產生高於-臨界電壓的-細電壓。在比 較該制賴_轉電壓後,如果該制電壓締該臨界電壓,該比較 籲器電路便致能-異常訊號。與一驅動器耦接之該取樣單元在該晶圓被運送 時從該驅動H取得-電壓城,並且放大該訊號。減在該取樣單元與該 異常細電路之間的該關單元,_該被放大後的霞訊號的出現而被 啟動,且因此啟動該異常偵測電路。 本發明更提供-個半導體處理方法一開始至少有—個晶圓要被運送 到-反應室内’接著—個運送速度赌程序就被執行0該監控程序包含: 偵測該晶圓的移動量’且當該晶圓的運送速度低於一限制時,致能一異常 訊遽如果在運送期間,該異常訊號沒有被致能的話,該晶圓可以在反應 •室被處理。除此之外’當一異常訊號被致能時,-緊急程序因此被執行。 【實施方式】 第1圖為根據本發明的—個實施例的—半導體處理系統⑺的簡易方塊 圖。該半導體處理系統1()主要包含—载具『—反應室21 (如 ==送速度監_觸。該載具„ _運送—晶舟3ι進入祕 ^用以處理該晶圓的反應室21。如第丨圖所述,該運送速度監控裝置⑽ ’:舟tr二二::盗110耦接,該驅動器110係用以驅動裝载晶圓的該 曰曰舟31 U裝置⑽·責監控該晶舟31的移 的運送速舰於-關時,致能_料喊。請參考第 0503-A30274TWF(5.0) 7 200537637 本毛月的κ關勒仔的—流程圖。在步驟咖巾,要被處顯複數個晶 圓先被裝載在5亥晶舟3卜接著在步驟S22〇中,該載具^運送該晶舟Μ 软該反應室21。同―時間,在步驟S230中,執行-速度監控程序。該監 控私序包3·搞測該晶舟31的移動量,且當該晶舟的速度低於一限制時, 致.異常訊號。在步驟S232中,該異常訊號會再次被確認是否在該運送 ,間被致㈣。如果是的話,在步驟S24Q中,被運送進人該反應室21的該 日日舟31所何載的晶圓在反應室中被處理的時間就無法符合所要求的時間。 此外在JS234中,對於該異常訊號的致能期間,一緊急程序因此被執 行。在本實施例中,該緊急程序可能包括警告操作員或是緊急關閉電源。 晶圓處理結束後,在步驟S250中,該載具n運送該晶舟31離開該反應室 21。同樣地’步驟S230的該監控程序再次被執行。一但該異常訊號被致能, 該緊急程序就會被執行來保護該部分被處理的晶圓。 第3圖為根據本發明另一實施例中,該運送速度監控裝4⑽的方塊 圖。-晶舟荷載系統包含了該裝置100,其用以監控裝載晶圓的一晶舟在被 運送進入或離開-半導體反應爐管的速度。舉例來說,該晶舟藉由一直流 馬達或舰馬辆動,該驅動H以第3圖中數字編號 •該運送速度監控裝置綱包含-感測請,其用以_該晶舟的鬼=且 因此產生一頻率與該晶舟的速度成比例的輸入訊號,%。該感測器14〇包 含(並非限制該感測器)一 CCD感測器陣列或其他相似物,用以偵測一移 動物品的速度和轉換該偵測結果為一電子訊號。如第3圖所示,一取樣單 元120被耦接在該驅動器110。該取樣單元120在運作時從該驅動器14〇取 知一電壓訊號,vm,且放大該訊號vm。被放大後的該電壓訊號,係廡用 在一開關元件130。該開關單元130為耦接在該取樣單元12〇和一異常偵測 電路150之間,該開關單元回應被放大後的該電壓訊號Vm,的出現而被啟 動,也因此讓一電流I輸入該異常偵測電路150。在這期間,該異常偵測電 路150接收從該感測器140傳來的該輸入訊號Vr。一但該輸入訊號的該頻 °503-A30274TWF(5.0) 8 200537637 率低於-預定範圍時,該異常偵測電路15〇會產生高於一臨界電壓的一谓 測電C vd。為了判斷該晶舟是低速還是超速,與該異常細電路⑽輕 接的-比鮮電路160用以比較該伽彳電壓%和該臨界錢。一異常訊號 S ’其為該比較器160的輸出’當該翻電壓%超過該定臨界電壓時就會 被致能。-緊急服務綠170便是喊該異常職s賊能喊行程序, =確健處理t的高價晶_安全。舉例來說,該程序可能包含警告操作 員甚至是警急關。然:而這僅是—緊急服射、統和本發明—實施例的例 子,並非將本發明限制在此方面。 _ 第4 ®為本發_運送速度監控裝置的-實施例,且其_關訊號的 關聯性也在第5A和5B圖中說明。如第4圖所示,該取樣單元12〇包含一 負回授運算放大H (底下縮寫為⑽)112和—B類推挽式(push_puii)放 大器m。注意到-電阻R1從該〇PA 112的輸出端被連接到該〇則2的 反向輸入端’且_電阻R2被連接在該反相輸人端和—訊號源^之間。此 外’該OPA 112的非反相端接地。在一實施例中,該B類減式放大器叫 包含了電晶體Q1和Q2。該電晶體Q1的集極被連接到一+ 12V的正相電源 供應器’且該電晶體Q2的集極被連接到一 —12V的負相電源供應器。該電 •晶體Φ和Φ錄極與該0PA 112的輸出連接在-起。該電晶體Q1的射 極被連接到該電晶體Q2的射極,在此該放大器114輸出該被放大的電壓訊 號Vm然而k僅疋-取樣單元和本發明一實施例的例子,並非將本發明限 制在此方面。在另—實施例中,該開關單元13G係-常開模式繼電器,在 第4圖中以RLYi表示。由習知技藝可得知只要供給能量給一繼電器就可 、關閉該申開模式、’M電器的接點(c〇ntact),但會打開該常關模式繼電器的 接點因此該t的出現供給了該繼電器虹幻能量,也因此關閉該常開 模式、,塵電器的接點’並將該電流㈣入該異常偵測電路⑽。這也使得該異 常偵測電路150開始運作。 〃 繼續參考第4圖。該異常_電路150包含-低速债測單元152和一 〇503-A30274TWF(5.0) 9 200537637 高速侧單元154。該麵铜單元152包含_f 式繼鞋和擁有一預 定時間常數的-RC電路。該常開模式繼電器簡藉由從該感測器送出的 訊號%輸入到-電晶體q3來控制。該RC電路包含一電阻R3和與該繼電 器RLY2連接的-電容C1,當該繼電器㈣被關閉(被停止供給能量) 時,對跨越該電容C1的一第__電壓%充電,且當該繼電器㈣啟 動(被供給能量)時,對該健%放電。此外,該超速伽單幻Μ包含 -常開模式繼電器,-常關模式繼電器和擁有另一預定時間常數的一此電 路為開模式、,k電器RLY3和該常關模式繼電器此科都透過從該感測器 送出的訊號v1•輸人到-電晶體Q4來控制。該rc電路包含—與該繼電器 RLY3連接在-起的R4,這如同與該電晶體财4連接在一起的—電阻奶 和-電容C2 -樣,都是被啟動(供給能量),跨越該電容c2的―第二_ 電壓Vd2則透過該RC電路來充電,當該繼電器财3和似4都被關閉(被 停止供給能量)時,該電壓Vd2透過該RC電路放電。至於該比較器電路· 則與兩個比車乂裔162和164有關。該比較器162係與該低速細單元152 織,^魏賴姻龍Vdl和該轉電壓%。該味器⑽係與該超 速制單το 154耦接’翻以比較該侧賴%和誠界電壓%。該比 較器162和164的該輸出訊號被傳送到第3圖令的該緊急服務系統—更 進步來說該運送速度監控裝置包含提供該臨界電壓%的一分壓器 180。該分壓器180包含電阻R6和R7。在一實施例中,該電阻R3、%和 R7為可變電阻,S此該時間常數與該臨界縣都是可關整的。 第5A和5B圖為表不Vr、Vdi和v也在不同情況下的波形圖,對於了解 該運迗速度&控裝置是非常有用的。第5A和5B圖中的波形31〇表示該輸 入減Vr ’該訊雜指在—允許的範圍内_被偵測的物體(晶舟)的速度。 該波形310的週期為τ’換言之與該被運送的晶舟速度成比例的頻率為 1/Τ。在該輸入訊號Vr的一高準位狀態時,該電晶體φ和以倾打開, 這也使得讎電ϋ RLY2、RLY3和RLY4都被供給能量,如此—來該跨越 0503-A30274TWF(5.0) 10 200537637 該電容Cl的電壓vdl被放電且該跨越該電容02的電壓v禮充電。在該輸 入訊號vr的-低準位狀態時,該電晶體Q3和Q4都被關閉,這也使得麵 電Is RLY2、RLY3和RLY4都被停止供給能量,如此一來該跨越該電容C1 的電壓vdl被充電且該跨越該電容02的電壓%被放電。該波形32〇和现 為根據該波形310分別表示該電壓%和%。可以發現到,如果該晶舟的 速度被控制在可允許範_時,該侧電壓%和%便不會超過臨界電壓 Vth。該輸人訊號Vr的週期隨著被綱的物體(晶舟)崎度減慢而增加。 在第5A圖中,該波形bo表示該擁有低於一該可允許範圍下限的頻率W 鲁的一輸入訊號。該波形圖34〇為根據該波形圖MO的侧電壓%。在本實 施例中,該繼電器RLY2被停止供應能量的時間過長導致該rc冑路對高過 該臨界電壓vth的該偵測電壓Vdi充電。因此,一低速訊號心由該比較器 162致能。換句話來說,該輸入訊號^的週麵著該被制的物體(晶舟) 的速度、曰加而減v在帛5B 11中,該波形圖360係表示該擁有高於該可允 許範圍嫌頻率1/T的-輸人訊號Vf。該波形圖別係根據該波形圖36〇 用以表示該摘測電壓\^。由上面可以發現該繼電器^γ3和虹料被停止 供應能量的時間都不符合原本要求的時間。這導致該Rc電路無法充分的將 #該侧電壓%放電,導致在該電容的一個電荷累積效應。如此一來該 侧電壓\^便南於該臨界電壓%,且由該比較器收致能一異常訊號。 如上所述’本發明提供一半導體處理系統和方法,其藉由監控一晶舟 之運送速度來保證該晶圓的處理時間符合所要求的時間。本發明更進一步 提供-即時監控系統,其用以監控裝載晶圓之—晶舟運送進人或離開一反 f爐g的運送速度。使用本裝置可有效保護該處理中昂貴的晶圓,不被像 是低速或鬲速問題的異常狀況所損壞。 雖」本發明已以具體實施麵露如上,離僅為了級說明本發明之 技術内合’而麟將本發縣義地限定補實關。任何熟習此技藝者, 在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明 0503-A30274TWF(5.0) 11 200537637 之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 ’ 第1圖為根據本發實施例的-半導體反應系統之功能方塊圖。 第2圖為根據本發_ —實施例的該铸體反麟、統,其主要運作步 驟的流程圖。 乂 第3圖為根據本發明的一實施例的一第丨圖的運送速度監控裝置方塊 圖。 第4圖為本發明的運送速度監控裝置之一實施例的電路圖。 第5A為第4圖中Vr、Vdl和Vd2在不同情況下的波形圖。 第5B為第4圖中Vr、Vdl和Vd2在不同情況下的波形圖。 【主要元件符號說明】 100〜運送速度監控裝置; 11〜載具; 110〜驅動器; 31〜晶舟,· 21〜反應室; S210〜將要被處理的晶圓裝載至一晶舟; S220〜運送該晶舟至一反應室; S230〜執行一運送速度監控程序; S232〜是否有異常訊號被致能? S234〜執行一緊急程序; S240〜在反應室内處理該晶圓; S250〜處理完後運送該晶圓離開該反應室; 110〜驅動器; 120〜取樣單元; 130〜開關單元; 140〜感測器; 150〜異常偵測電路; 160〜比較電路; 170〜緊急服務系統。 0503-A30274TWF(5.0)
Claims (1)
- 200537637 十、申請專利範圍: 1·一半導體製程系統,其中包括: 一反應室,用以處理晶圓; -載具’肋運送至少-個晶圓進人或細該反應室;以及 -運送速度監控裝置,肋侧該晶_鶴量且當 速度低於一限制時,致能(asserting) 一異常訊號。 U的该運达 2=申請專利細第i項所述之半導體製^統,其中該運送速度 衮置包含·一感測器,用以偵測該晶圓的移動量且產生一與該晶 成比例的輸入訊號; 圓的該運送速度 -異常_電路,用以接傾輸人職且#該輸人訊號鮮低於一預 定範圍時,產生一超過一臨界電壓的偵測電壓;以及 -比較器f路,用⑽較賴異常侧電路傳來的軸啦壓與該臨 界電壓,且當該侧電壓超過該臨界電壓時,致能該異常訊號。W 3·如申請專利翻第2項所述之半導體製㈣、統,該載具包含_用以運 送該晶圓的驅動器,且該運送速度監控裝置進一步包含·· 一耦接在該驅動器的取樣單元,其為取得及放大一由該取樣單元送出 之電壓訊號;以及 一耦接在該取樣單元與該異常偵測電路之間的開關單元,回應該被放 大後電壓的出現而被啟動(activated),且因此啟動該異常偵測電路。 4·如申請專利範圍第2項所述之半導體製程系統,該異常偵測電路包含 了: 一耗接到該感測器的低速债測裝置(un(jer-speed detection ),其用以接 收該輸入訊號’且當該輸入訊號的頻率落在該預定範圍的下限時,產生一 在該預定定限電壓之上的第一偵測電壓;以及 一麵接到該感測器的超速偵測裝置(〇ver_Speed diction detection),用 0503-A30274TWF(5.0) 13 200537637 以接收e亥輸入訊號,且當該輸入訊號的頻率超過該預定範圍的上限時,產 生一超過該預定定限電壓的第二偵測電壓。 如申請專利範圍第4項所述之半導體製程系統,該比較器電路包含· 一輕接到該低速偵測裝置單元的-第-比較器,其用來比較該第一偉 測電壓與該臨界«,且當該第η貞測電壓超過該臨界電壓時,致能—低 速訊號;以及 ~ 一輕接到該超速侧裝置單元的-第二比較器,其用來比較該第二價 測電壓與該臨界電壓,且當該第二侧電壓超過該臨界電壓時,致能、 •速訊號。 吳 6.如申請專利細第4項所述之半導體製程系統,其中該低速姻 單元包含: \夏 一常開模式繼《,其受控於該❹輪人訊號;以及 一 RC電路,其包含與該常開模式繼電器麵接的一電阻和一電容,當該 常開模式繼電器被關(deactivated)時,對跨越該電容的該第—細^ 充電’且當該常開模式繼電器被啟動(activated)時,對跨越該電容的^ 一 4貞測電壓放電。 X 一=申請專利範圍第4項所述之半導體製程系統,其中該超速細道置 早凡*包含· 一常開模式繼電贿-常薩式繼電器,兩者較控於該感測器 輸入訊號;以及 W 一 RC電路,其包含-與該常開模式繼電器輕接之電阻與一與常關 繼電器输之電容,當該常開模式繼電器與該f關模式繼電器都被啟二 時,對跨越該電容的該第二偵測電壓充電,且當該常開模式繼電器邀 關模式繼電器都被酬時,對跨越該電容的第二伽彳電壓放電。…吊 一8.如申請專利範圍第1項所述之半導體製程系統,該反應室包括— 體咼溫爐管(semiconductorfhmace)。 0503-A30274TWF(5.0) 14 200537637 9.一晶舟荷載系統(wafer boat loading system)係利用一運送速度監控 裝置來監控一由驅動器所驅動之晶舟,搬運晶圓進出一高溫爐管的速度, 該運送速度監控裝置包括: 一感測器’其用來谓測該晶舟的該移動量,且產生一輸入訊號,其頻 率與該晶舟的該速度成比例; 一與該感測器耦接之低速偵測裝置,其用來接收該輸入訊號,且當該 輸入訊號之頻率低於一下限時,產生一超過該臨界電壓的第一偵測電壓; 一與該感測器耦接之超速偵測裝置,其用來接收該輸入訊號,且當該 ®輸入訊號之頻率超過一上限時,產生一超過該臨界電壓的第二偵測電壓; 一與該低速偵測裝置耦接之第一比較器,其用來比較該第一偵測電壓 與該臨界電壓,且當該第一偵測電壓超過該臨界電壓時,致能一低速訊號; 一與該超速偵測裝置耦接之第二比較器,其用來比較該第二偵測電壓 與該臨界電壓’且當該第二债測電壓超過該臨界電壓時,致能一超速訊號; -搞接在該的取樣單元,其用來轉和放大娜動器送出之一 電壓訊號;以及 -耦接在絲樣單元與該低速細裝置之間的_單元,關關單元 _ 與祕在該取鮮元無超速侧裝置之間的關單元相同 ,且回應被放 大後電[訊说的出現而被啟動,也因此啟動該低賴測單元與該超速债測 單7G。 10=申凊專利細第9項所述之晶舟荷載系統,該低速侧裝置包含: 吊開松式繼電n,其受控__器的該輸人訊號,·以及 Rc電路’其包含與該常開模式繼電ϋ偶接之-電阻和-電容,當該 常開模式繼電器被關閉時,對跨越該電容的該第 一偵測電壓充電,且當該 $開核式繼電㈣啟鱗,對跨越該電容_第—侧電壓放電。 二t申f專利範圍第9項所述之晶舟荷載系統,該超速偵測裝置包含: 吊開核式繼電器與—常關模式繼電器,兩者皆受控於該感測器的該 0503-A30274TWF(5.0) 15 200537637 輸入訊號;以及 RC電路私含—触常_麵電 式繼電器雛之電容,W 紋4阻與-與該常關模 大接^田該节開換式繼電器與該常關模式繼電号都#_ 時,對跨越該電容的該第二侧電壓充電H “都被啟動 關模式繼電器都被關閉時,對跨越該電容的第二貞測電:電與該常 12·—運送速度監控裝置,包括·· -感測器,其用以監控—將被運送之晶圓(础de)的移動量,且 生一輸入訊號,其頻率與該晶圓的運送速度成比例;一-異常偵測電路’其用以接收該輸人訊號,且#該輸人訊號的該頻率 局於-預定祕時,產生超過—臨界電壓之—細電遷; ” -比較器電路,其用以比較該―常細單元的該_電壓與該臨界電 壓,且當該偵測電壓超過該預定定限電壓時,致能一異常訊號; -取樣單S,其與_運送該晶圓之驅動器織,該取樣單元用以取得 一來自該驅動器的電壓訊號,且放大該電壓訊號;以及 -耦接在該取樣單元和該異常侧電路之_卿單元,_該被放 大後電遂訊號的出現而被啟動,且將一電流送入該異常谓測電路。 13·如申請專利範圍第12項所述之運送速度監控裝置,其中該異常偵測 電路包含: ' 一與該感測器耦接之低速偵測單元,其用以接收該輸入訊號且藉由該 開關單元接收該電流,且當該輸入訊號的頻率低於一預定範圍的下限時, 產生高於該臨界電壓的一第一偵測電壓;以及 一與該感測器耦接之高速偵測單元,其用以接收該輸入訊號且藉由該 開關單元接收該電流,且當該輸入訊號的頻率高於一預定範圍的上限時, 產生高於該臨界電壓的一第二偵測電壓。 14·如申請專利範圍第13項所述之運送速度監控裝置,該比較電路包 含: 0503-A30274TWF(5.0) 16 200537637 速偵測早元她之第—比較11,其用以比較該第—偵測電墨 與該臨界電壓,且當兮笛_ 、 偵测電壓超過該臨界電壓時,致能一低速訊號; 以及 ’ 一與該超速偵測單元勉 與該臨界電壓,且料第^^ 器,其用以比較該第二侧電屋 ^罘一偵測電壓超過該臨界電壓時,致能一超速訊號。 包含· 3專利圍第13項所述之運送速度監控裝置,該低速伯測單元 _吊開权式繼電益,其受控於該感測器的該輸入訊號,·以及 …電路其包含與該常聰式繼電ϋ耦接的-電阻和-電容,當諸 吊開模式繼電器被關閉昧啦政 β>< 常開模式繼雷考對7越該電容的該第一細電壓充電,且當該 、動時’對_該電容的該第—侧電壓放電。 勺入·冑月專利範圍第13項所述之運送速度監控裝置,該超速積測單元 =開模式繼電器與一常關模式繼電器,兩者皆受控於該感測器的該 輸入訊3虎,以及 式繼電器含:與,常開模式繼電器麵接之電阻與一與該常關模 齡=,祕齡雷―各§該韦開板式繼電器與該常關模式繼電器都被啟動 ’ ’ ’ 5〜電谷的該第二_電麗充電’且當該常開模式繼電器盘該常 關模式繼《都被_時,對跨越該電容的仏侧電壓放電。 Π.如申請專利難第12_述之運送速度監控裝置 一負回授運算放大器和一 B類推挽式(push_pull)放大器。早 。18.如申請專利範圍第12項所述之運送速度監控裝置,其更包含一分壓 器,該分壓器係用以提供該臨界電壓。 19.一半導體製程方法,其包括: 運送至少一個晶圓到一反應室; 執行一運送速度監控程序,其包括: 0503-A30274TWF(5.0) 17 200537637 w I 谓測該晶圓的移動量,·且 當該晶圓的速度低於一限制時,致能一異常訊號; 針對該異常訊號的致能執行一緊急程序;以及 如果在運送中,該異常訊號沒有被致能,則在該反應室内處理該晶圓。 20·如申請專利範圍第19項之半導體製程方法,其更包括: 在處理完畢後,將該晶圓運送離開該反應室; 執行該運送速度監控程序;以及 當該異常訊號被致能時,執行該緊条程序 0503-A30274TWF(5.0) 18
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