TW200530407A - High-heat-resistant aluminum alloy wiring material and target material - Google Patents

Description

200530407 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 = 月係關於用以構成液晶顯示器的薄 :用二:積：電路之配線等的_配線材料。尤其是 、:二： 度以上之高溫熱處理的低溫製程多 ;:an “ 電日日日體跡 SlileGn Thin Film η—0 ’且具有較佳之高耐熱、低阻抗特性的鋁人金 配線材料。 了丨土日7站口金 【先前技術】 近年來，液晶顯示器代表性之使用例為整，别^ + 腦或行動電話等的電子機…/例為“型個人電 陰極射線管（CRT)的代替顯示裝置：=所一 女查；几 > 4 衣置且此液晶顯示器的 广 南精細化的進展係為相當驚人的。還有，在此 :夜晶顯示器的領域中’不僅薄膜電晶體(1 = :以下簡稱TFT)型的液晶顯示器的 加’而且對於此液晶顯示器所要求的特性也越來越嚴厲。 特別疋隨者液晶顯示器的大晝面化、高精細化，而需要比 的配線材料。此比阻抗之特性要求係為了防止在 生：配線的長線化及細線化之際所產生之信號延遲的發 作為此液晶顯示器的驅動構造之一的是主動式矩陣驅 =，ΤΓ熟知者是稱為所謂的非晶碎形薄膜電 日日體如。__ SuieGn Thln Fllm Transist叫及多 缚膜電晶體。非晶石夕形薄膜電晶體係應用於採用所謂之捲 2169-S854-PF 5 200530407

帶式自動接合（tape automated b〇nding)方式的比較大型書 面的液晶顯示器，雖然以非晶矽為基礎 Z 里速度方面有界限，但是其確可以便宜地製造。而且，夕 晶^薄膜電晶體係應用於採用所謂的晶粒軟膜接合（4 r」m)方式的比較小型晝面的液晶顯示器，由於多晶石夕形 二：比非晶石夕形多將近100倍的電子移動速度，而可適用 :而較佳之高精細•高開口率 雷爷式枘丨击 同口口貝·咼晝質的行動 "或個人數位助理（Personal digital (datU。. 的小型晝面。 g ( ta) assist-ts)f 大的最近的液晶顯示器顯示面積，尺寸有明顯地擴 、在構成打動電話或個人數位助理等個人用資料 ::的電：機器中，前述傾向更可明顯地發現。為此，對 夕曰曰:形賴電晶體也期望有可以對應大晝面化的技術。 白知對此多晶矽形薄膜電晶體所公知的兩種型式分別 為’使用施加攝氏1〇〇〇产乂 f程所尸夕, 度左右之熱處理的石英基板的高溫 I矛王所仔之多晶梦形薄 由s 專胺電晶體，以及使用施加攝氏450 多 仃動電活或個人數位助理中， 要求低價格的雷子趟、哭、 ^ ^ ^ 夕採用使用便宜的玻璃基板的

低溫製程所得的多晶石々游@ w J θ 一 少溥胰電晶體。對於此低溫製程所 付的夕日日碎形薄膜雷曰興 介、…么 “體而舌，對此所使用之配線材料， 亦被之後的課題所要求。 低溫製程所得的多s + ^ ^ ά pL 日日 > 溥膜電晶體，由於在攝氏450 度至攝氏600度的高、、w疮 皿度下鈿加熱處理，因而此多晶矽形

2169-6854-PP 6 200530407 薄膜電晶體的配線材料必須具有高耐熱特性，而主要使用 钥、短或鉻等高熔點配線材料。此鉬等的高熔點配線材料 也可以對攝氏450度至攝氏600度的熱處理展現出穩定的 耐熱特性（非專利文獻1)。 [非專利文獻1] 松本正一所著之「液晶顯示器技術」，產業圖書股份 有限公司發行，2001年6月18曰第3版，第115頁至第 118 頁 '

然而，鉬、鈕或鉻等高熔點配線材料，不僅高耐熱特 性較佳，而且配線材料本身也具有阻抗值比較大的性質'。’ 但是’在面積較小的小型晝面中，雖然狹窄寬度之配線下， 配線距離’（然使用具有高阻抗值的高溶點配線材料， 也會有信號延遲所產生之實用上問題，而不合標準。然而， 由於顯示晝面大型化且配線長距離化，故在使用比阻抗$ f配線材料之際，會擔心產生信號延遲，4至因多晶矽形 /專膜電晶體而成為朝向大晝面化的對應障礙。 【發明内容】 [每明所欲解決的課題] 本發明基於 高溫熱處理的多 性的配線材料， 合於需進行攝氏 形薄膜電晶體， 線材料及藉此戶斤 上述事情為背景，提供一種適合於需進行 晶矽形薄膜電晶體，且可滿足低比阻抗特 具體而言，本發明之目的係提供一種較適 5〇〇度以上高溫熱處理的低溫製程多晶矽 且具有高耐熱、低比阻抗特性的鋁合金配 形成之標靶材料。 2169-6854-pp 7 200530407 [用以解決課題的手段] 為了 7〇全解決上述問題，本發明者等 鋁合金配魂鉍斗1，4 △ 原先所k出之 口食配線材枓（請茶照專利文 想到本發明，進而得到具有攝氏 耐熱性且低比阻抗的鋁合金組成。 问/皿 [專利文獻1] 曰本專利特開2003_089864號公報 一般而言’使㈣合金作為配線材料，於攝氏300度 的熱處理中’具有10微歐姆公分以下的較佳比阻抗特性， ,1於攝氏4⑻度以上之高溫熱處理的使用眾所皆知是相 當困難的。特別是名：| & 行刎疋在攝氏500度以上之高溫熱處理的情形 下，銘合金配線材料會有無法避免小丘（因熱處理而於配 線表面產生結塊狀突起）發生的疑慮’故在施加攝氏綱 度以上之高溫熱處理的薄膜電晶體用途之配線材料中，不 會積極採用鋁合金。然#，更進一步研究本發明者所提出 之鋁口金（專利文g i)的組成，對含有鎳、鈷、碳的鋁 〇孟而s，只要調整此三種元素的含量，即可具有攝氏 度以上的高耐熱性，並可獲得攝氏300度熱處理時之1〇微 歐姆公分以下之比阻抗值。 本發明之特徵為在含有鎳、鈷、碳的鋁合金配線材料 中，以鎳含量的原子百分率（at%)為χ原子百分率、鈷含量 的原子百分率為γ原子百分率、碳的原子百分率為z原子 百分率時，滿足0·5原子百分率^ 3 〇原子百分率、4 〇 原子百分率$χ+γ^7·0原子百分率、〇1原子百分率 2169-6854-PF 8 200530407 且其餘為紹所構成的紹合金配線 $ 0 · 5原子百分率的關係 材料。 本毛月之ν耐熱性呂合金配現材料係先使鋁含有微量 的碳’亚將IS合金中之銘結晶粒徑全部微細化，再於生成 小丘之際的熱製程了，添加配現材料以緩和壓縮應力。還 有，設含有鎳及鈷時，更有助於耐熱特性之提昇。 鎳係從攝氏200度左右，藉由析出I呂合金中之鎳化三

链（Α13Ν〇相，以給予構成小丘原因之壓縮應力的緩和，進 而更進-步提高鋁合金本身的耐熱特性。此鎳的析出相在 更高溫下，例如溫度上昇到攝氏彻度左纟，鎳化三無相 會過度析出’而開始產生鎳化三⑽目的凝集，依據此現象， 確涊會產生與鋁合金配線材料上之小丘同樣的突起。為了 方止此種攝氏400度左右所發生之鎳化三鋁相的過度析 出本毛月在鋁合金配線材料中含有鈷。在含有鎳的同時 也含有料，即可防止攝氏彻度左右開始產生之鎳化三 ，相的過度析出及錦化三紹相的凝集，而進一步實現在高 ’皿側的耐熱特性。藉由此種鎳與鈷的共同作用，本發明之 紹合金配線材料不會在攝氏度以上之高溫熱處理發生 小丘。 本發明之高耐熱性鋁合金配線材料中，J^含量的原 八。率為X原子百分率、鈷含量的原子百分率為Y原子 ^、厌的原子百分率為z原子百分率時，鎳含量是0.5 后百力率^ 3 〇原子百分率、鎳與錯的總和含量是4 〇 、 刀率$ X+Y$ 7·0原子百分率。設鎳含量不足ϋ·5原

2169-6854-PF 9 200530407 子百刀率日矿，耐熱性的提升不明顯，而鎳含量超過3 · 〇原 子百刀率日丁，則鎳與鈷含量間的平衡會有不良的傾向，也 有比阻抗.交大的傾向。又，鎳與鈷的總和含量不足4.0原 子百分率時’於適應於攝氏500纟、1小時的高溫熱處理 後，發生小丘的傾向會變得強烈，而鎳與鈷的總和含量超 過7·0原子百分比時’比阻抗值會變高，而無法滿足1〇微 歐姆公分以下的比阻抗特性。而且，設碳含量不足原 刀匕$因石厌而發生的結晶粒微細化的效果變低，且 有易發生小丘的傾向。而碳含量超過〇.5原、子百分比時， 雖有結晶粒微細化的效果’然會強烈影響含有鎳及鈷的相 而致比阻抗變大。 遂有由本發明者的研究可知，上述組成 敍、碳的含量進—牛、黑g 77 、 果 里進步滿足1_5原子百分率各χ$2 原子百分率™•。原子百分率、。子百分 百分率等條件日夺，確認可以獲得高耐熱性 、曰"配線材料，此高耐埶 J…f王姑D金配線材枓具有攝氏550 二、小％的高耐熱特性，且攝氏則度熱處理後的比阻 抗約為5微歐姆公分左右。 由上述可知，由於本發明之鋁 500 L7 μ ΛΑ . G、艰材料具有攝氏 又乂上的耐熱特性，1比阻抗值也比較 常適用於構成fI ' 口此，非 體的配線材Π 低溫製程多晶石夕形薄膜電晶 勺配線材枓。特別是，不論是利用多 或是利用習知的方十 乂潯膜電晶體 用本發明之鈕人人 日日4不裔，皆可使 月之鋁合金配線材料，以解決低 I且柷時，因配線 2169-6854-ΡΡ 10 200530407 的長距離化而發生信號延遲的疑慮。 且下=!到上述本發明之紹合金配線材料，較佳是使用 :百八^所構成之縣㈣，此•㈣間含量的原

百:;率=子百分率，量的原子百分率為J 子二的原子百分率為Ζ原子百分率時，滿足05原 子百分率SXS3.0原子百分率、4 .5原 7 0原子石八$ ·ϋ原子百分率gX+Yg ’、刀率、0.1原子百分率0.5原子 係，且其餘為銘。更甚之，設具有攝氏、：率的關 古^士 度 1 小時的 同耐熱特性，且攝氏300度熱處理後 姆公分产士 AA 一上 ）丨且抗約為5微歐 範圍中：2 合金為配線材料之際。上述組成 ，桌、鈷、妷的含量較佳是h5原子百分 原子百分率、2』原子百分㈣⑴·g = 5 子百分率<7<n7店2 、百刀率、〇·ι原 二：3原子百分率。使用此組成的標乾材料， …、娜疋成膜條件在多少左右，均可_ 與標歡材制-組成的銘合金薄膜。…讀方式形成 [發明效果] 4“ ί上述中，本發明之較佳的銘合金配線材料’具有习习 、呂口金配線材料無法實現的攝氏500 八白 :，且可以實現低比阻抗特性。特別是藉由=熱二 $至攝氏650度熱處理的低溫製程多以 可於形成比較大型液晶顯示器之 、電曰曰體， 配線材料。 成為Μ合的銘合金 【實施方式】 接著以實施例及比較例說明用以實施本發明之最佳實 2169-6854-pp 200530407 施例。 首先’在碳掛錯（純度99 9 、rb , 〇/从， ）中，投入純度99.99 义的銘，亚加熱至攝氏16〇〇度 ^ _ 又王攝氏25〇〇度的溫度範圍 ，洛解鋁。在此碳坩鍋中鋁的溶 洛颅、+ > 合鮮係在虱虱氣氛氣（大 汛£)中進行。保持此溶解溫浐 ^ ^ 」3刀鐘左右，於碳坩鍋 内生成鋁-碳合金後，將此溶湯投 仪八反麵杈具中，以放置方 式進行自然冷卻鑄造。 從此碳鑄模具中取出鋁_碳合全 ^ b 火口筮％塊，於添加既定量之 錄與始後，投入再溶解用的碳坩 』反柯蜗甲，加熱至攝氏800度 至攝氏900度再溶解之，並攪拌 卜产 规讦、习1分鐘。此再溶解也於 風氣氣氛氣中且氣氛氣麼力為大氣廢下進行。授掉後，將 溶湯料於銅水冷鑄模具中，即得到既定形狀之銘合金鑄 塊。遇有’對_塊昼延加工’即可得到施加有既定形狀 加工的爾料。最終的標革巴材料尺寸約為内徑Y"(inch) (約200公釐(mm)x厚度6公釐。利用上述製造方法，製 作各組成的標革巴材料’再以之後的賤鑛條件，形成由各實 施例、比較例之銘合金配線材料所構成的紹合金薄膜，並 评估丽述鋁合金薄膜的特性。 形成薄膜的減鑛條件，係使用基板厚為0.8公釐的康 道寧公司製標號為# 1737號玻璃板，輸入電力為3瓦特/ 平方公分’氬氣流量為刚平方公分/分鐘，氬氣壓力為I 帕（Pa)’使用單晶片型磁電管.濺鍍裝置，於成膜時間約 60秒下，在前述玻璃板上形成厚度約2〇〇〇埃左右⑼ο』 微米）的薄膜。基板溫度為攝氏1〇〇度至攝氏2⑻度。

2169-6854-PF 12 200530407 比阻抗特性·首先，對關 丁關於本發明之鋁合金配線材料 之比阻抗特性調查的結果谁兵_ α 運仃祝明。在表1中，係一覽表 示對實施例1至實施例4及屮.7 叹比較例1至比較例4所量測之 膜組成、比阻抗值的結果。 表1 膜 [組成（原 子百分 率） 脾卜l· R日抗彳微龄懈/入八、 鎳 鈷 _錬+銘 濺鍍後 攝氏300度 實施例1 0.56 3.44 0.21 4.00 14.02 4 67 實施例2 0.51 3.68 0.19 4.19 20.98 5 95 實施例3 0.56 5.41 _0.29 5.97 3? 93 7 QQ 實施例4 1.95 3.30 0.24 5.25 22.03 / .yJ 6 94 比較例1 0.50 - (0.5 鎳） 6.11 Vj.Z/Π^ 7 ΠΠ 比較例2 1.80 - - α·8 鎳） 7.20 Q Of) 比較例3 0.43 1.31 0.08 1.74 8.90 J.UU ^ QO 比較例4 2.04 0.62 ------— 2.66 11.72 ------- 4.31 表1所不之各薄膜組成是利用感應偶合電漿發光分析 刀兀刀斫去）疋夏鎳、鈷，利用碳分

(感應偶合電漿發光分光分柄、本、Α θ 析裝置定量碳。還有，比阻括梢县免丨田 I且ί几值疋利用4端子阻抗測量裝 此阻抗值係將濺鍍後 的物質與各薄膜貼附 置測量（測量電流為1 〇〇毫安培） (以下簡稱as-dope，表與圖面皆同 玻璃板，在真空中，進行摄庆.r , 疋玎攝久：5ϋ0度、1小時的熱處理， 再測量前述熱處理後的產物。此結果顯示於表工。 在第1圖中，係為由纟！的始及錄的總和含量與攝氏 300度熱處理後之比阻抗值所繪製的圖形。還有，在第2 圖中，係為由銘含量與⑽後且攝氏3⑽度熱處理後的比 阻抗値所繪製的圖形。第！圖及第2圖各點例如是將實施 例1的結果以『實1』記載於圖示中。還有，帛2圖中塗 2169-6854-PF 13 200530407 黑的點係表示錢鑛後的比阻抗值，空白的點表示攝氏· 度熱處理後的比阻抗值。 依第1旦圖所見進行判斷時，可明顯的判斷出隨著錄及 鈷的總和含罝增加的比例，攝氏3〇〇度熱處理後的比阻抗 值也會增加。從此第！圖可明確的判斷出，為了使攝氏则 度熱處理後的比阻抗值在10微歐姆公分以下，鎳及鈷的總 和含量必須在7.0原子百分比以下。 還有由第2圖中濺鍍後的比阻抗值點的結果可知， 確認各實施例之鎳含量不—定時，隨著銘含量之增加，賤 鑑後的比阻抗值也會增加。由此推測是始本身的阻抗值較 大的緣故。另一方面，攝氏3⑽度熱處理後的比阻抗值判 斷為由於各貫施例之{士人旦日日 員⑪例之鈷含里的關係，而實現1〇微歐姆公分 以下的比阻抗特性。由此結果可知，銘與錄、碳同時固溶 於銘口金中之際’隨著銘含量的增加，比阻抗值成為上昇 的傾向，推測為經熱處理開始析出鋁_鎳_鈷合金相，且合 金基負為s含鋁的相，而可使比阻抗降低至1〇微歐姆公分 以下。 接者，對比阻抗值與熱處理溫度（退火溫度）之關係 調查的結果進行說明。於第3圖中，係顯示測量實施例2 至貫施例4於攝氏2〇〇度至攝氏5〇〇度的各溫度（以攝氏 50度為-刻度）下，進们小時之熱處理之際的比阻抗值 的結果。由此結果可知，確認實施例2至實施例4全部在 進打攝氏300度以上之熱處理後，仍具有1〇微歐姆公分以 下的比阻抗值。

2169-6854-PF 14 200530407 藤·^··接著，對進行耐熱特性 明。耐熱性評估 庄矸估的結果進行說 ’、知柄式電子顯微鏡（ 察各溫度下1小日士勒♦ ( SEM 一萬倍）觀 h熱處理後的膜表面規 態調查。在第4圖至第 進仃小丘之發生狀 表性掃描式電子_^圖巾’係顯4行小丘觀察之代 _3·。原子百分=T、片。第4圖至第8圖係顯示在- 口刀比的鎳-〇· J原早 較例〇之情形的碳之組成（表2比 月屯弟9圖至第13圖係 比的鎳-2.9原、子百分比的姑_〇 .原子百分 (表2實施例8)之情形。 ”比的蚊之組成 、由第4圖至第8圖所示判斷’未含有鈷的銘合金薄膜， ^订:氏450度、攝氏5〇〇度熱處理之情形下 在表面發生白的突起物。在攝氏㈣度（第5圖）及攝； 楊度（弟6圖）熱處理之情形下，確認表面有白的班點 狀物體，尚未成長成突起物。第5圖與第6圖所見之白的 班點狀物體係為鎳化三銘的析出相，第7圖及第8圖所見 之白的突起物係析出的鎳化三紹相凝集的結果，而形成於 表面的物體。還有’從第8圖之表面可知’確認有與白的 突起物相反漣漪的凹部’此推測為鎳化三鋁相凝集之際， 凝集部位周邊發生體積減少而形成。另一方面，於實施例 8中，認定攝氏350度（第10圖）、攝氏4〇〇度（第^ 圖）之熱處理沒有任何變化。而於攝氏45〇度（第12圖）、 攝氏500度（第13圖）的熱處理中，僅確認有白的班點狀 鎳化三紹相’且明確判斷出沒有形成突起物。 在表2中’係表不各組成薄膜進行各溫度之熱處理 2169-6854-PF 15 200530407 後，進行薄膜表面掃插， 钿式t子顯微鏡觀察，以★ 生之有無的結果。表2中 巧查小丘發 有小丘發生的物體記載 沒有小丘發生的物體記载 ’、'、，全然 發生，但認定有因鋅化- 令』丘 m ^ ^ ^ 杲化二鋁相之凝集而於表面上產生漣漪 凹部的物體記載為△。還 &有，在此评估中，判定為小丘的 物體係加上鋁本身的突如 ’也含有弟7圖及第8圖所示之 减集而成之鎳化三鋁相突起物。

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比較例11 比較例10 比較例9 比較例8 比較例7 比較例6 比較例5 實施例14 ' 實施例13 實施例12 實施例11 實施例10 實施例9 實施例8 實施例7 實施例6 實施例5 2.80 2.50 2.00 0.51 0.50 3.00 2.00 3.00 1 3.10 3.00 3.00 2.00 2.10 2.10 1 2.00 ο 0.50 玀 4.20 2.00 2.90 4.00 3.20 1 I 4.00 3.00 2.10 〇 4.90 4.20 2.90 2.10 4.10 4.10 \ίΗ> Lhh 丨莫組成(原子百分率） 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.10 0.30 0.21 0.21 0.21 δ )~1 0.21 0.21 δ δ δ 0.21 7.00 4.50 4.90 4.51 3.70 (3.0 鎳） (2.0 鎳） 7.00 6.10 5.10 4.00 6.90 1 6.30 ί 5.00 ! 4.10 I_ 5.10 4.60 錬+姑 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 濺鍍後 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏300度 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏350度 〇 〇 〇 〇 1> 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏400度 〇 〇 〇 〇 X X X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏450度 0 Ο > 0 X X X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 攝氏500度 X X > X 1 1 ! > > > 〇 〇 〇 〇 t> t> 攝氏550度 »2 200530407 表2所見判冑’比較例5及比較例6中未含有鈷的 銘…膜在攝氏45〇度以上之熱處理中被認定小丘發 生。還有’比較例7至比較例11中，係為關於本發明铭合 金配線材料組成範圍以外的物體’對攝氏5〇〇度以上之熱 處理’被認^為在表面上有小丘發生或有因鎳化三紹㈣ 嘁集而產生之漣漪。另一方面’關於實施例5至實施例", 也沒有因攝氏400度至攝氏·度熱處理的小丘發生。接 著，對攝氏500度熱處理中被認為沒有小丘發生的各實施 例’進—步施加攝& 550度、1小時的熱處理，再進行耐 熱特評估，結果發現實施例7至實施例ι〇的組成完全沒 有U小丘的發生。還有，對於此耐熱特性評估，關於 錄及钻的總和含量A 7G原子百分比以上的組成，由於考 慮到第i圖所示之結果為10微歐姆公分以上的比阻抗值， 判斷不適合作為實用上的配線材料，故在評估中沒有含在 内0 基於U上所不之表丨及表2的結果，研究具有微歐 姆公分以下的比阻抗值且可適應攝氏5⑽度以上之熱處理 的高耐熱特性的鎳與鈷之含量範圍時，發現第14圖所示之 斜線部分之含量範圍即可符合要求。再者，對於攝氏55〇 度的熱處理，用以維持高耐熱性的含量範圍，較佳是考慮 網狀部分的區域。 w 最後’對本實施例鋁合金配線材料之 自然電位測量的結果進行說明。於玻璃基板上形成實施例 8組成的薄膜（〇_2微米），再切割此玻璃基板，以作為電 2169-6854-PF 18 •200530407 位測量的試樣。還有， 方式形成電位測量的試樣二6::成:爾以同樣的 測量試樣表面並露出相當於接著，遮蔽電位 量用電極。自然電位係使用百:刀的面積，以形成測 溫為攝氏27度），並刀·5風化鈉水溶液（液 量。還有，作為歐姆接入為參考電極進行測 . 的對手方的氧化銦錫膜，係使用 組成為三氧化二銦-1〇 係使用 士斗 _ 里百刀比的二氧化錫的物質。 此、、*口果顯示氧化銦錫膜 還有，實施例8之自然電位為二：位為-82°毫伏左右。 …、 為960宅伏左右，確認自然電 位罪近氧化銦錫膜。另 、 ^面，比較例6之自然電位為-U)8〇 笔仇左右，確認比較例 土 之自然電位比實施例8之自然電 位逷运離氧化銦錫膜的自然電位。 【圖式簡單說明】 f1圖係％示鎳及始總和含量與比阻抗值的關係圖。 2 2圖係緣示鈷含量與比阻抗值的關係圖。 第3圖係緣示實施例3、5、6之熱處理温度與比阻抗 值的關係圖。 弟4圖係為比較例6之濺鍍後狀態的掃描式電子顯微 鏡觀察照片。 第5圖係為比較例6之攝氏350度X丨小時熱處理後的 掃描式電子顯微鏡觀察照片。 第6圖係為比較例6之攝氏400度X 1小時熱處理後的 掃描式電子顯微鏡觀察照片。 第7圖係為比較例6之攝氏450度X 1小時熱處理後的

2169-6854-PF 19 200530407 帚祂式％子顯微鏡觀察照片。 第 § 、 ^ 圖係為比較例6之攝氏500度X 1小時熱處理後的 帚祂式電子顯微鏡觀察照片。 鏡觀L:片圖係為實施例8之賤錄後狀態的掃描式電子顯微 的掃圖係為實施例8之攝f度χι小時熱處理後 v 4田式毛子顯微鏡觀察照片。

第u圖係為實施例8之攝氏4⑻度. 的播> 4 ^ 又1小時熱處理後 v #田式黾子顯微鏡觀察照片。 時熱處理後 時熱處理後 第12圖係為實施例8之攝氏45〇度χ1巧 的掃描式電子顯微鏡觀察照片。 弟1 3圖係為貫;^例8之攝氏5 〇 〇度X 1巧 白勺掃描式電子顯微鏡觀察照片。 第丨4圖係繪示鎳及鈷之有效含量範圍的關係圖 【主要元件符號說明】 無 2169-6854-PP 20

Claims (1)

1. 200530407 十、申請專利範圍： 1甘一種高耐熱性铭合金配線材料，含有鎳、钻及碳， 其特徵在於·· 以錄含量的原子百分率為 工 " 原子百分率、錯含量的原 子百为率為γ原子百分 、參士 、 反的原子百分率為z原子百分 率日可’滿足〇·5原子百分率幺X ^ \七 手原子百分率、4.0原子 百分率^Χ+γ^7 () 広7 曰刀丰0·1原子百分率0.5 原子百分率的關係，且其餘為鋁。 ㈣2: Γ申請專利範圍第1項所述的高财熱性銘合金配線 :/、中4 *耐熱性紹合金配線材料係使用於低溫製程 的多晶矽形薄膜電晶體。 料1. 士一種高耐熱性銘合金配線材料形成用的標革巴材 枓，含有鎳、鈷及碳， 其特徵在於： 子百:= = Γ原子百分率為Χ原子百分率、钻含量的原 ST:足。分率、碳的原子百分率…子百分 革日“足〇.5原子百分率…3 〇 百分率SX+Y<7〇月；百八玄 手4·〇原子 肩子百八$ — 百分率、〜1原子百分hU〇.5 ”子百刀率的關係，且其餘為鋁。 2169-6854-PP 21