TW200529453A

TW200529453A - Liquid crystal display and panel therefor

Info

Publication number: TW200529453A
Application number: TW093139470A
Authority: TW
Inventors: Dong-Gyu Kim
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-12-19
Filing date: 2004-12-17
Publication date: 2005-09-01
Also published as: US20050134540A1; CN100592177C; KR20050063016A; CN1629705A; JP2005182048A; US7538842B2

Description

200529453 九、發明說明：【發明戶斤屬之技術領域】發明領域本發明有關於一液晶顯示器及其面板。 5 【#支冬奸】發明背景液晶顯示器（LCD)係為最廣泛使用的平板顯示器之一。一LCD係包括兩個設有諸如像素電極及一共同電極等場產生電極之面板及-介於其間之液晶（LC)層。lcd利用 10施加電壓至場產生電極來在Lc層中產± 一電場而決定… 層中LC分子的定向以調整入射光的偏振，藉此顯示影像。田LCD之一負板上的一主動區域太大而無法使用一曝光罩幕時，藉由重覆一稱為步進及重覆程序的分部曝光來達成整體曝光。一分部曝光單元或區域係稱為一擊區 15 (sh〇t)。因為在曝光期間產生轉換、旋轉、扭曲等，擊區並未精確地對準。為此，訊號線與像素電極之間所產生的寄生電容係依據擊區而不同，這造成擊區之間的亮度差異，在位於擊區間的一邊界之像素上將辨識出此現象。因此，由於擊區之間的亮度不連續性，LCD的螢幕上係產生綴縫 20 缺陷（stitch defects)。同時，強調一種垂直對準(VA)模式]LCD，因為其具有高對比比值及寬廣的參考觀視角度且其中參考觀視角度係定義為一使對比比值等於1 : 1〇之觀視角度或一對於灰色間的亮度倒反之限制角，故其對準LC分子使得LC分子長軸線 200529453 在缺乏電場時垂直於面板。可藉由場產生電極中的切口及場產生電極上的突部來貝現VA模式LCD的寬廣觀視角度。因為切口及突部可決定 LC分子的斜傾方向，斜傾方向可利用切口及突部分佈於數 5個方向中藉以加寬參考觀視角度。 VA模式LCD通常係採用一正常為黑色的模式來獲得高的對比比值。然而，這可能降低側向可見度使得所顯示的影像隨著前往側邊而看起來較亮且較白。【發明内容】 !〇發明概要本發明之一目的係在於解決習知技術的問題。 15 提供一薄膜電晶體陣列面板，包括：一第一訊號線· 一第二訊號線，其與第_訊號線相交；一薄膜電晶體，其連接至第一訊號線及第二訊號線；一像素電極，其連接至 4膜電晶體，及-對準構件，其延伸大致平行於第二訊號線、重覆於第二訊號線、且具#_比第二訊號線更接近像素電極之邊緣。豕對準構件及像素電極可配置於相同層上。對準構件可連接至第二訊號線。提供一薄膜電晶體陣列面板，包括：一第一第一訊號線，其與苐一訊號線相交；訊號線；薄膜電晶體，复連接至第一訊號線及第二訊號線；一 ^ 1豕京電極，苴遠接電極且具有薄膜電晶體；及一對準構件，其連接至像素 /、及錢主比弟二訊號線更接近像素電極之邊緣。 20 200529453 :準構件及第二訊號線可配置於相同層上。薄膜電晶财包括—連接轉素電極及料構件之沒 5 提供一液晶顯示器，包括··_第一一弟面板，其包括一第二、一與第-訊號線相交之第二訊號線、一連接至第雜及第_喊線之薄膜電晶體、_連接至薄膜電 MM素電極、及—延伸纽平行於第二訊號線且具有一比弟二職較接近像素電極之邊緣之解構件；一第 -面板’其面對第—面板且包括_形成於其上之共同電極；及-液晶層，其配置於第—面板與第二面板之間。 15 電極提供一液晶顯示器，包括：一第一面板，其包括一第 ϋ線、-與第_訊號線相交之第二訊號線、—連接至第&號線及第一訊號線之薄膜電晶體、一連接至薄膜電晶體之像素電極、及—連接至像素電極且具有—比第二訊號線更接近像素電極之邊緣之對準構件；一第二面板，其面對第一面板且包括一形成於其上之共同電極；及一液晶層，其配置於第一面板與第二面板之間。液晶顯示器可進一步包括一斜傾方向決定構件，其配置於第H面板的至少一者上制以決定液晶層的液晶分子之斜傾方向。液晶層可具有負介電異向性且受到垂直對準。斜傾方向決定構件可包括一形成於像素電極或共同電極上之切口。斜傾方向決定構件可具有一位於約9-12微米範圍的寬 20 200529453 度。斜傾方向決定構件可與第一訊號線構成一約45度角。斜傾方向決定構件可包括-形成則象素電極或共同電極上之突部。 5圖式簡單說明藉由詳細地參照圖式來描述本發明的實施例將更清楚地瞭解本發明，其中第1圖為根據本發明的一實施例之一 L C D的一 T F τ陣列面板之佈局圖； 10 弟2圖為根據本發明的一實施例之一 LCD的一共同電極面板之佈局圖；弟3圖為一包括有第1圖所示的tft陣列面板及第2圖所示的共同電極面板之LCD的佈局圖；第4及5圖為第3圖所示的LCD沿線IV-IV，及V-V，所取之 15剖視圖；第6圖為根據本發明另一實施例之一lcd的佈局圖；第7圖為第6圖所示的LCD沿線VII-νΐΓ所取之剖視圖；第8圖為根據本發明另一實施例之一LCD的佈局圖；第9圖為第8圖所示的LCD沿線ΙΧ-ΐχ’所取之剖視圖； 20 第1〇圖為根據本發明另一實施例之一LCD的佈局圖；第11及12圖為第10圖所示的LCD沿線XI-XI，及xn-χπ，所取之剖視圖；第13圖為根據本發明另一實施例之一 LCD的佈局圖；第14圖為第13圖所示的LCD沿線ΧΙΠ-ΧΙΙΙ ’所取之剖視 200529453 圖。【實施方式】較佳實施例之詳細說明見在將於下文蒼照顯示本發明較佳實施例之圖式來更 5兀正地“逑本發明。然而，本發明可以許多不同形成實施且不應視為侷限於此處所提供的實施例。 β弋中為π疋起見絝大顯示層、膜及區的厚度。類 u扁戒係心各圖中類似的元件。請瞭解當提及一諸如層、膜、區或基材等元件位於另一元件“上㈣，，時，直直接 10 =件上或亦可能出現有中介科。反之，當提及一直接位於另一元件“上(directly on)，，時，則未出現有中介元件。在將芩知、圖式描述根據本發明實施例之用kLCD 之液晶顯示器及_電晶體(TFT)陣列面板。 15 冑參照第卜5圖詳細地描述根據本發明的—實施例之一 LCD 〇第1圖為根據本發明的一實施例之 — LCD的一tft陣列一布局圖，第2圖為根據本發明的一實施例之一LCD的 s電極面板之佈局圖，第3圖為一包括有第1圖所示的 2〇 TFT陣列面板及第2圖所示的共同電極面板之的佈局圖而第4及5圖為第3圖所示的LCD沿線IV-IV，及V-V，所取之剖視圖。據本赍明的~實施例之一LCD係包括一TFT陣列面板共同電極面板2〇〇、及一介於面板1〇〇與2〇〇之間 200529453 的LC層3。現在參照第1及3-5圖詳細地描述TFT陣列面板1〇〇。複數個閘線121及複數個儲存電極線131係形成於一諸如透明玻璃等絕緣基材110上。 5 閘線121大致在一橫方向中延伸且彼此分離並傳輸閘訊號。各閘線121係包括用以形成複數個閘電極124之複數個突件且可延伸以連接一可整合在TFT陣列面板1〇〇上之驅動電路。各閘線121可包括一端部，此端部具有一大面積以接觸另一層或一外部驅動電路。 1〇各儲存電極線131大致在橫方向中延伸且配置於相鄰兩個閘線121之間且接近兩閘線121的一上者。各儲存電極線131包括複數組分支133&-133(1及用以連接分支133心133(1 之複數個連接部133e。組分支133a-133d係包括兩縱向分支，其形成第一及 15第二儲存電極133a&133b且彼此分隔開來；及兩歪斜分支，其形成第三及第四儲存電極133c及133d且連接於第一及第二儲存電極133&及1331)之間。詳言之，第一儲存電極 133a具有一自由端部及一固定式端部，此固定式端部連接至儲存電極線131且具有一突件。第三及第四儲存電極13允 20及133d分別近似從第一儲存電極133a的一中心及第二儲存電極133b的上及下端點延伸。各連接部133e係連接於一組儲存電極133a_133d的一第一儲存電極133a及與其相鄰之另一組儲存電極133a_133d 的一第二儲存電極133b之間。 200529453 儲存電極131被供應一諸如共同電壓等預定電壓，且其施加至LCD的共同電極面板200上之一共同電極270。各儲存電極線131可包括在橫方向中延伸之一對桿部。閘線121及儲存電極線131較佳係由諸如A1及A1合金等 5含A1金屬、諸如Ag及Ag合金等含Ag金屬、Cu及Cu合金等含Cu金屬、諸如等m〇&m〇合金等含Mo金屬、Cr、Ti或Ta 製成。閘線121及儲存電極線131可具有一多層式結構，其包括兩個具有不同物理性質之膜。兩膜中的一者較佳係由包括含A1金屬、含Ag金屬及含Cu金屬等低電阻係數金屬製 10成以降低閘線121及儲存電極線131中的訊號延遲或電壓降。另一膜#父佳係由諸如具有與諸如氧化銦錫(IT〇)或氧化銦鋅(ΙΖΟ)等其他材料的良好物理、化學及電性接觸特徵之含Mo金屬、cr、Ta或Ti等材料製成。兩膜之組合的良好範例係為一下Cr膜及一上Al-Nd合金膜以及一下Ai膜及一上 15 Mo 膜。此外閘線121及儲存電極線131的側向側係相對於基材的一表面呈現傾斜，而其傾斜角位於約2〇_8〇度的範圍。一較佳由氮化矽（SiNx)製成之閘絕緣層140係形成於閘線121及儲存電極線131上。 20 較佳由氫化非晶矽（簡稱為“a-Si”）或多晶矽製成的複數個半導體條紋151係形成於閘絕緣層U0上。各半導體條紋151大致在縱方向延伸且具有朝向閘電極124分又出來之複數個突件154。半導體條紋⑸接近間線⑵及儲存電極線 131變寬使得半導體條紋151覆蓋住閘線121及儲存電極線 200529453 131的大區域。較佳由重度摻雜有諸如磷等η型雜質的11+氫化a_Si或矽化物製成之複數個歐姆接觸條紋及島部161及165係形成於半導體條紋151上。各歐姆接觸條紋161具有複數個突件 5 163，而突件163及歐姆接觸島部165係以成對方式定位在半導體條紋151的突件154上。歐姆接觸部161及165以及半導體條紋15][的側向側係相對於基材的一表面呈現傾斜，且其傾斜角較佳位於約 30-80度之間的範圍中。 10 複數個資料線丨71、與資料線171分離的複數個汲電極 175及複數個經隔離金屬件172係形成於歐姆接觸部161及 165以及閘絕緣層14〇上。用於傳輸資料電壓之資料線171係大致在縱方向延伸且交會閘線121、儲存電極線131及連接部1336，使得各資 15料線171在儲存電極線丨31的鄰組分支133a-133d中配置於第一及第二儲存電極133a及133b之間。各資料線171係包括一端部179且其中端部179具有用於接觸另一層或一外部裝置之一大面積，以及複數個朝向汲電極175突起之源電極。各汲電極175包括一端部且其中端部具有一大面積以 20接觸另一層以及配置於一閘電極124上且被一源電極173部分地包圍之另一端部。一閘電極124、一源電極173、及一 /及電極175係連同一半導體條紋丨5丨的一突件丨54形成一 TFT ’此TFT係具有一形成於源電極173與汲電極175之間所配置的突件154中之通路。 12 200529453 金屬件17 2在接讀存電極丨3 3 a的端部處配置於閑線 121 上。資料線m、沒電極175及金屬件172較佳係由諸如&、 Mo、Τι、Ta或其合金等耐火金屬製成。然而，其可能亦有 5 -多層式結構，此多層式結構包括一低電阻係數膜(未圖示) 及-良好接觸膜。組合的-良好範例係為一偷膜、_中間 A1膜、及一上Mo膜，亦包括一下Cr膜及一膜以及一下A1膜及一上Mo膜等上述組合。就像閘線121及儲存電極線131，資料線171及汲電極 1〇 I75具有推拔狀側向側，而其傾斜角位於約則〇度的範圍中。歐姆接觸部161及165只介於下方时導體條紋⑸與上方的貝料線171及其上方的及電極175之間並降低其間的接觸電阻。半導體條紋⑸係包括未覆有資料線m及沒電 15極Π5之複數個經暴露部，諸如定位於源電極173與沒電極 175之間的部分。雖然半導體條紋i5i在大部分地區比資料線171更窄，半導體條紋151的寬度如上述在接近間線⑵及儲存電極線131處變大，以撫平表面輪廊，藉以防止 Π1中斷連接。、科線 2〇一鈍化層180形成於資料線171、汲電極175、全 ^ +導體條紋151的經暴露部上。鈍化層180較佳係由诸如鼠化石夕及氧化石夕等無機材料、具有良好平坦感光有機材料、或具有低於4.〇介電常數的低介電絕緣二： (諸如電渡強化化學氣相沉細CVD)形成.Si:c^科 13 200529453

Si 〇 F)衣成。鈍化層18〇可具有一雙層式結構，其中包括一下無機膜及—上有機膜。 —純化層18G具有複數個接觸孔182及185且其分別暴露出貝料線171的端部179及沒電極⑺的端部。鈍化層180及閘絕緣層14G係、具有複數個接觸孔183而暴露出接近第一儲存電極133a的固定式端部之儲存電極線η 1部分’及複數個接觸㈣4而暴露出第—儲存電極133a的自由端部之突件。複數個像素電極刚、複數個對準構件例、複數個接觸輔助物82、及較佳由諸如IT〇或IZ〇等透明導體或諸如或^等反射性導體製成之複數個跨橋i94係形成於純化層 180上。 +像素電極19G係經由接觸孔185物理性及電性連接至沒電極175，使得像素電極19〇從汲電極⑺接收資料電壓。 15 接受資料電虔供應之像素電極190係與共同電極27〇合作產生電場，而決定出液晶層3中液晶分子310的定向。 -像素電極_及共同電極27〇係形成—用以在衍關，後儲存所施加之液晶電容器。提供—稱為“儲存電容 =之額外的電容器（其並聯式連接至液晶電容器）以增強電 =存能量。藉由將像素電極】㈣疊於儲存電極線⑶且匕括儲存f極133a-133樣實行儲存電容器。各像素電極刚在其左方角落加以去角且像素電極⑽ 勺去角狀邊緣與閘線121構成約45度角。各像素電極卿具有—下切口191、—中心切口⑼及一上切口 193，其將像素電極⑽隔成複數個隔間。切口 20 200529453 191-193相對於一條對分像素電極19〇的想像性橫向線大致具有倒反對稱性。下及上切口 191及193係從接近一右上角落處之像素電極190的一右邊緣歪斜地約略延伸至像素電極19〇的一左邊 5緣中心，並重疊於第三及第四儲存電極133c及133d。下及上切口 191及193分別配置於可由想像性橫向線分割之像素電極190的下及上半部。下及上切口 191及193對於閘線^^ 構成一約45度角，且其大致彼此垂直延伸。中心切口 192沿著想像性橫向線延伸且具有來自像素 10電極190右邊緣之一入口，此入口具有分別大致平行於下切口 191及上切口 193之一對傾斜狀邊緣。為此，像素電極19〇的下半部係由下切口 191隔成兩個下隔間，而像素電極190的上半部亦由上切口 193隔成兩個 t隔間。隔間數或切口數依據諸如像素大小、像素電極的 ^橫向邊緣及縱向邊緣之比率、液晶層3的類型及特徵等設計因素而變。、 20 對準構件198沿著資料線171延伸衫全覆蓋住資料線 171使得對準構件198”_171更接近像素電極190。對 ^牛m為浮動式’但其可經由穿相及純化 s 〇的接觸孔(未圖示）而連接至資料線17卜像素電極之間及對準構件198與像素電極咖之_ =電容幾乎係岐者決定。此外，料電極均觸 =為㈣層製成，故可㈣地纟師料電極19t 率構件敎_距離。為此，可使像素電極具有均勾的子 15 200529453 生迅合’且因此可降低由於一分部曝光所造成之綴縫缺陷。對準構件198可作為未連接的資料線171之一迂迴部，且一對準構件198的長度可比兩或更多個像素電極19〇更長。 5 接觸辅助物82經由接觸孔182連接1資料線171的端部 179。接觸輔助物82係保護端部179且補足了端部179及179 及外部裝置的黏著性。 5橋194係板跨閘線121並分別經由相對於閘線I。呈彼此相對配置之接觸孔i 83及i 84連接至儲存電極線m的 10 、、二暴路邛及第一儲存電極133a的固定式端部之經暴露突件。跨橋194重疊於金屬件172且可電性連接至金屬件口二。利用儲存電極線131並包括儲存電極133a-133d連同跨橋 194及金屬件172來修理閘線121、資料線^丨或丁^^^中之缺 P曰利用Μ射束來照射閘線121及跨橋194的交點以將閘 15線121電性連接至跨橋194,藉以獲得用於修理閘線121之位於閘線121及儲存電極線131間的電連接部。在此例中，金屬件172係增強閘線121及跨橋194之間的電連接部。下文參照弟2-5圖描述共同電極面板2〇〇。一稱為黑矩陣之用於防止光洩漏的光阻擋構件22〇係 20形成於一諸如透明玻璃等絕緣基材210上。光阻擋構件220 可包括面對像素電極190之複數個開口並可具有大致與像素電極190相同的形狀。或者，光阻擋構件220可包括對應於資料線171之線性部及對應於TFTs之其他部分。複數個色濾片230形成於基材210上並大致配置於被光 16 200529453 阻擋構件220包圍之區域中。色濾片230可大致沿著像素電極190的縱方向延伸。色濾片230可代表諸如紅、綠及藍色寺原色的其中一者。一用於防止色濾片230露出且提供一平坦表面之覆塗 5 物250係形成於色濾片230及光阻擋構件220上。一較佳由諸如ITO及IZO等透明傳導材料製成的共同電極270係形成於覆塗物250上。共同電極270具有複數組切口 271-273。 10 15 20 一組切口 271-273係面對一像素電極19〇且包括一下切口 271、一中心切口 272及一上切口 273。各切口 271_2乃係配置於像素電極190的相鄰切口 19M93之間或者一切口 191或193與像素電極190的一去角狀邊緣之間。此外，各切口 271-273具有與像素電極19〇的下切口 191或上切口 I%呈平行延伸之至少-歪斜部。切σ271_273相對於將像素電： 190對分之上述橫向線大致具有倒反對稱性。各下及上切口271及273係包括—歪斜部，其約略從像素電極刚的-左邊緣歪斜地延伸至像素電極⑽的下或上並與歪斜以及橫向及縱向部’其從歪斜部的各別端點沿著像素電極190邊緣延伸、重疊於像素電極19〇邊緣部構成純角。中心切口 272係包括__中央橫向部，其約略存電極133c從像素電極190左邊緣延一一中央橫向部的-端點約略延伸至像素電極的::!缘= 中央橫向部構成鈍角;及一對終端縱向部，其從=斜 17 200529453 部的端點沿著像素電極190右邊緣延伸、重疊於像素電極 190右邊緣、並與各別歪斜部構成鈍角。切口 271_273的數量可依觀計因素而變，而光阻播構件220亦可重疊於切口271-273以阻擒住經由切口抓功的 5 泡漏光線。垂直配向性之對準層U&21係塗覆在面板1〇〇及2〇〇的内表面上，而偏光板12及22設置於面板1〇〇及2〇〇的外表面上，使其偏振軸線可交叉且一透射軸線可平行於閘線丨^。此LCD為反射型LCD時，可省略一個偏光板。 10 L C D可進一步包括用以補償L c層3的阻滯之至少一阻滯膜（未圖示）。阻滯膜係具有雙折射性且產生與1^層3提供者相反之阻滯。阻滯膜可包括單軸或雙軸性光學補償膜，且特別是負單軸性補償膜。 LCD可進一步包括一背光板單元（未圖示）以經由偏光 15 板12及22、阻滯膜及面板100及200供應光。 LC層3較佳具有負的介電異向性且受到垂直對準以使 LC層3中的LC分子310被對準使其長轴線在缺乏電場時垂直於面板的表面。為此，入射光無法穿過交又的偏光系統 12及 22。 20 如第3圖所示，一組切口 19M93及271-273將一像素電極190分割成複數個次區域，且各次區域具有兩主邊緣。切口 191-193及271-273係控制LC層3中之LC分子的斜傾方向。這將詳細加以描述。共同電壓施加至共同電極270且一資料電壓施加至像 200529453 素電極190時，產生一大致垂直於面板100及200表面之電場。LC分子31〇傾向於回應電場來改變其定向使其長軸線垂直於電場。電極190及270之切口 19M93及271-273以及像素電極 5 1的邊緣係扭曲電場以具有一大致垂直於切口 191 _ 193及 271-273的邊緣及像素電極190的邊緣之水平分量。為此，各次區域上的LC分子係藉由水平分量在一方向中產生斜傾，且斜傾方向的方位分佈係局部化成為四個方向，藉以增加LCD的觀視角度。 10 切口 191-193及271-273的寬度較佳位於約9微米到約12 微米之間的範圍中。切口 191-193及271_273的至少一者可由突部（未圖示）或凹陷（未圖示）加以代替。突部較佳係由有機或無機材料製成且配置於場產生電極190或270上或底下並具有約5微米 15到約1 〇微米的一寬度。可以修改切口 191-193及271-273的形狀與排列。因為所有分域的斜傾方向係與對於面板1〇〇及2〇〇邊緣呈平行或垂直之閘線121構成一約45度角，偏光板12及22的透射軸線與斜傾方向的45度交會係提供最大透射，而偏光 20 板12及22可附接以使偏光板12及22的透射軸線平行或垂直於面板100及200的邊緣且降低製造成本。現在，將參照第6及7圖詳細地描述根據本發明另一實施例之一LCD。第6圖為根據本發明另一實施例之一LCE)的佈局圖，而 19 200529453 第7圖為第6圖所示的LCD沿著線VII-VII，所取之剖視圖。

麥照第6及7圖，根據此實施例之一LCD亦包括_TFT 陣列面板100、一共同電極面板200、一介於面板1〇〇與2〇〇之間之LC層3、及附接至面板1〇〇及2〇〇外表面上之一對偏光 5 板12及22。根據此實施例之面板100及200的層式結構幾乎係與第 1-5圖所示者相同。關於TFT陣列面板1〇〇，包括複數個閘電極124之複數個閘線121及複數個儲存電極線131係形成於一基材ιι〇 10上，而其上順序性形成有一閘絕緣層140、包括突件154之複數個半導體條紋151、及包括突件163及複數個歐姆接觸島部165之複數個歐姆接觸條紋161。包括源電極173及端部 179之複數個資料線17卜複數個汲電極175、及複數個經隔離金屬件172係形成於歐姆接觸部161及165上，而其上形成 15有一鈍化層180。複數個接觸孔182-185設置於鈍化層180及閘絕緣層140上。具有複數個切口 191-193之複數個像素電極190、複數個對準構件198、複數個接觸輔助物82、及複數個跨橋194係形成於鈍化層180上，且其上塗覆一對準層 11 〇 0 關於共同電極面板20〇，一光阻擋構件220、複數個色濾片23〇、一覆塗物250、一具有複數個切口 271-273之共同電極270、及一對準層21係形成於一絕緣基材21〇上。不同於第1-5圖所示的LCD，根據此實施例之tfT陣列面板100的半導體條紋151係具有與資料線171及汲電極175 20 200529453 且亦與下方歐姆接觸部161及165幾乎相同之平面性形狀。然而，半導體條紋151的突件154係包括未覆蓋有資料線171 及汲電極175之某些經暴露部，諸如定位在源電極173與汲電極175之間的部分。 5 尚且，tft陣列面板1〇〇進一步包括複數個半導體島部 (未圖示）及配置於其上之複數個歐姆接觸島部（未圖示），且其配置於金屬件172上。尚且，儲存電極133b具有三角形突部，該等三角形突部係具有大致平行於切口 192的歪斜邊緣之邊緣。 10 此外，閘線121分別具有擴張式端部129。為此，用以暴露出閘線121的端部129之複數個接觸孔181係設置於閘絕緣層140及鈍化層18〇上，且額外地設置經由接觸孔連接至端部129之複數個接觸輔助物81。根據一實施例之TFT陣列面板的一製造方法係利用一 15光微影術程序同時地形成資料線171、汲電極175、金屬件 172、半導體151、及歐姆接觸部161及165。用於光微影術程序之-光阻圖案係具有位置依存性厚度，且特定言之，其具有減小厚度之第一及第二部。第一部係定位在將由資料線m、沒電極⑺及金屬件Μ伯用之導線區域上，而第二部定位在TFTs的通路區域上。利用數種技術獲得光阻的位置依存性厚度，譬如藉由將半透明區域且亦將透明區域和光阻擔性不透明區域:置於曝光罩幕上。半透明區域可具有一狹縫圖案、—格_ 木、一或多個具有中間透射率或中間厚度之薄膜。使用一 21 200529453 狹縫圖案時’狹縫的寬度或狹縫之間的距離較佳係小於一用於光微影術之曝光器的解析度。另一範例係使用可迴流式光阻詳言之，一旦利用一只具有透明區域與不透明區域的正常曝光罩幕來形成由—可迴流材料製成的光阻圖 5案，則其文到迴流程序以在無光阻的區域上流動，藉以形成薄部。 …果藉由省略一光微影術步驟來簡化製造程序。第1-5圖所示的LCDi許多上述特性係可適合於第6及 7圖所示的TFT陣列面板。 10 將茶照第8及9圖詳細地描述根據本發明另一實施例之一 LCD。第8圖為根據本發明另一實施例之一 Lcc^〇佈局圖，而第9圖為第8圖所示的LCD沿線IX-IX，所取之剖視圖。

麥照第8及9圖，根據此實施例之一LCD亦包括一TFT 15陣列面板100、一共同電極面板200、一介於面板100與2〇〇間之LC層3、以及附接至面板1〇〇及2〇〇外表面之一對偏光板 12及 22。根據此實施例之面板1〇〇及200的層式結構幾乎係與第 1-4圖所示者相同。 20 關於TFT陣列面板100，包括閘電極124之複數個閘線 121及複數個儲存電極線131係形成於一基材11〇上，而其上順序性形成有一閘絕緣層14〇、包括突件I54之複數個半導體條紋151、及包括突件163及複數個歐姆接觸島部165之複數個歐姆接觸條紋161。包括源電極173及端部179之複數個 22 200529453 資料線171、複數個汲電極175、及複數個經隔離金屬件172 係形成於歐姆接觸部161及165上，而其均成有—純化層複數個接觸孔182-185設置於純化層j 8〇及間絕緣層 140上，而具有複數個切口 191-193之複數個像素電極19〇、 5複數個對準構件198、複數個接觸輔助物82、及複數個跨橋 191係形成於鈍化層18〇上。關於共同電極面板2〇〇，一光阻擋構件22〇、一覆塗物 250、一包括複數個切口 271-273之共同電極27〇、及一對準層21係形成於一絕緣基材210上。 10 不同於第U圖所示的LCD，TFT陣列面板1〇〇包括配置於鈍化層180底下之複數個色濾片條紋230,而TFT陣列面板100則沒有色濾片。色濾片條紋230係沿一縱方向延伸而相鄰兩色濾片條紋230的邊緣在資料線171上確切地彼此匹配，但色濾片230可彼此重疊以阻擋住像素電極190之間的 15 光洩漏、或可彼此分隔開來。當色濾片230彼此重疊時，可省略一配置於一共同電極面板200上之光阻擋構件220。光阻擋構件220亦可配置於TFT陣列面板100而非共同電極面板200上。第1-5圖所示的LCD之許多上述特性係可適合於第8及 20 9圖所示之TFT陣列面板。現在將參照第10-11圖詳細地描述根據本發明另一實施例之一LCD。第10圖為根據本發明另一實施例之一LCD的佈局圖，而第11及12圖為第10圖所示的LCD沿著線ΧΙ-ΧΓ及ΧΙΙ-ΧΙΓ 23 200529453 所取之剖視圖。參照第10-12圖，根據此實施例之一LCD係亦包括一 TFT7車列面板1〇〇、一共同電極面板200、一介於面板1〇〇與 200之間的LC層3、及附接至面板1〇〇及200外表面之一對偏 5 光板12及22。根據此實施例之面板100及200的層式結構幾乎係與第 1-5圖所示者相同。關於TFT陣列面板1〇〇，包括閘電極124之複數個閘線 121及複數個儲存電極線131係形成於一基材11 〇上，而其上 10 順序性形成有一閘絕緣層140、包括突件154之複數個半導體條紋15卜以及包括突件163及複數個歐姆接觸島部165之複數個歐姆接觸條紋161。包括源電極173及端部179之複數個資料線171以及複數個汲電極175係形成於歐姆接觸部 161及165及閘絕緣層140上，而其上形成有一鈍化層180。 15 複數個接觸孔182及185設置於鈍化層180及閘絕緣層140 上。具有複數個切口 191-193之複數個像素電極190及複數個接觸輔助物82係形成於鈍化層180上且其上塗覆有一對準層11。關於共同電極面板200，一光阻擋構件220、複數個色 2〇濾片230、一覆塗物250、一包括複數個切口 271-273之共同電極270、及一對準層21係形成於一絕緣基材210上。不同於第1-5圖所示的LCD，儲存電極線131大致為線性且對於相鄰閘線121大致呈等距。儲存電極線131具有往上及往下突起之複數個擴張部。尚且，不具有跨橋，無相 24 200529453 關的接觸孔，且無經隔離的金屬件。此外，各沒電極175係延伸以形成—對準構件178，此對準構件178係包括大致與資料線171平行延伸且與各別資料線171相鄰配置之—對縱向部、及—像素電極刚、及一 5用於連接姚向部且重疊於—儲存電極線丨3丨的擴張部之橫向部177。縱向部具有比資料線171更接近像素電極⑽之邊緣。易言之，縱向部具有配置於像素電極19〇與資料線Pi 之間的邊緣。為此，像素電極19〇與資料線171之間的寄生電容大致係等於對準構件178與資料線171之間呈現均勻的 10 寄生電容。第1-5圖所示的LCD之許多上述特性係可適合於第 10-12圖所示之TFT陣列面板。現在將參照第13及14圖詳細地描述根據本發明另一實施例之一LCD。 15 第13圖為根據本發明另一實施例之一 LCD的佈局圖，而第14圖為弟13圖所不的LCD沿者線χΐΐΐ-χιιι’所取之剖視圖。參照第11及I2圖，根據此實施例之一LCD亦包括一TFT 陣列面板100、一共同電極面板200、一介於面板1〇〇與2〇〇 2〇之間的LC層3、及附接至面板1〇〇及200外表面之一對偏光板 12及 22。根據此實施例之面板100及200的層式結構幾乎係與第 13及14圖所示者相同。關於TFT陣列面板1〇〇，包括閘電極124之複數個閘線 25 200529453 121及複數個儲存電極線131係形成於一基材11〇上，而其上順序性形成有一閘絕緣層140、包括突件154之複數個半導體條紋151、及包括突件163及複數個歐姆接觸島部165之複數個歐姆接觸條紋161。包括源電極173及端部179之複數個 5貝料線17i、複數個汲電極175、及複數個經隔離的金屬件 Π2係形成於歐姆接觸部161及165上，而其上形成有一鈍化層180。複數個接觸孔18厶185設置於鈍化層18〇及閘絕緣層 140上具有複數個切口 191-193之複數個像素電極及複數個對準構件198、複數個接觸輔助物82、及複數個跨橋194 10係形成於鈍化層180上。關於共同電極面板200，一光阻擋構件22〇、一覆塗物 250、一包括複數個切口 271-273之共同電極27〇、及一對準層21係形成於一絕緣基材21〇上。 15 —不同於第卜5圖所示的LCD，鈍化層180具有用於暴露 15出資料線171之複數個接觸孔188,而對準構件198經由接觸孔188連接至資料線171。此外，共同電極面板200包括配置於共同電極27〇上且面對對準構件198之複數個短路防止構件28〇。短路防止構 2〇件防止共同電極270與對準構件198之間的直接接觸。利 2〇具有位置依存性光透射之罩幕，短路防止構件280可連 5直挺狀間隔件一起形成以在面板丨〇〇與之間維持—間 P系0 第1-5圖所示的LCD之許多上述特性係可適合於第13 及14圖所示之TFT陣列面板。 26 200529453 雖然已經爹考較佳實施例詳細地描述本發明，熟習該技術者瞭解可作出各種不同的修改及替代而不脫離申請專利範圍所衫之本發日㈣精神與範圍。【圖式簡單說明】 5 苐1圖為根據本於日月Μ ^ 又的—只方也例之一 LCD的一丁ft陣列面板之佈局圖；第2圖為根據本發明的一實施例之— 的—共同電極面板之佈局圖；第3圖為一包括有第1圖所示的TFT陣列面板及第2圖 10所不的共同電極面板之LCD的佈局圖；第4及5圖為第3圖所示的LCD沿線IV-IV，及V-V，所取之剖視圖；第6圖為根據本發明另一實施例之一 LCD的佈局圖；第7圖為第6圖所示的LCD沿線VII-νΐΓ所取之剖視圖； 15 第8圖為根據本發明另一實施例之一 LCD的佈局圖；第9圖為第8圖所示的LCD沿線IX-IX，所取之剖視圖；第1〇圖為根據本發明另一實施例之一 LCD的佈局圖；第11及12圖為第1 〇圖所示的LCD沿線XI-XI，及ΧΠ-ΧΙΙ，所取之剖視圖； 20 第13圖為根據本發明另一實施例之一LCD的佈局圖；第14圖為第13圖所示的LCD沿線ΧΙΙΙ-ΧΙΠ，所取之剖視圖。 27 200529453 【主要元件符號說明】 3…液晶層 310···液晶分子 11，21…對準層 12,22···偏光板 82…接觸輔助物 100,200···面板 110,210···絕緣基材 121，129···閘線 124···閘電極 131，133…儲存電極線 133a-133d…儲存電極 140···閘絕緣層 151，154···半導體 161，163，165…歐姆接觸部 171，179···資料線 172…金屬件 173…源電極 175···汲電極 177，178…對準構件 180···鈍化層 181_185，188···接觸孔 190···像素電極 191-193···切口 194…跨橋 198···對準構件 220···光阻擋構件 230···色濾片 250···覆蓋物 270…共同電極 271-273···切口 310···液晶分子 28

Claims

200529453 十、申請專利範圍： 1· -種薄膜電晶體陣列面板，包含：一第一訊號線； 5 第二訊號線，其與該第一訊號線相交；薄膜電晶體，其連接至該第一訊號線及該第二訊號線； —像素電極，其連接至該薄膜電晶體；及 β 對準構件，其大致與該第二訊號線平行延伸、重且於忒第一訊號線、且具有一比該第二訊號線更接近該像素電極之邊緣。、申明專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該皆準構件及該像素電極配置於同層上。如申清專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 15 對準構件連接至該第二訊號線。 4· 一種液晶顯示器，包含：一第一面板，其包括一第一訊號線、一與該第一訊號線相交之第二訊號線、一連接至該第一訊號線及該第二訊號線之薄膜電晶體、一連接至該薄膜電晶體之像素電極、及一大致與該第二訊號線平行延伸且具有一比該 20 第二訊號線更接近該像素電極的邊緣之對準構件；第一面板其面對該第一面板且包括一形成於复上之共同電極；及 '^ 一液晶層，其配置於該第-面板與該第二面板之間。 29 200529453 5. 如申請專利範圍第4項之液晶顯示器，進一步包含一斜傾方向決定構件，其配置於該等第一及第二面板的至少一者上且決定該液晶層的液晶分子之斜傾方向。 6. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示器，其中該液晶層具 5 有負介電異向性且受到垂直對準。 7. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示器，其中該斜傾方向決定構件包含一形成於該像素電極或該共同電極上之切口。 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示器，其中該斜傾方向 10 決定構件具有位於約9-12微米範圍的一寬度。 9. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示器，其中該斜傾方向決定構件對於該第一訊號線構成一約45度的角度。 10. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示器，其中該斜傾方向決定構件包含一形成於該像素電極或該共同電極上之 15 突部。

11. 一種薄膜電晶體陣列面板，包含：一第一訊號線；一第二訊號線，其與該第一訊號線相交；一薄膜電晶體，其連接至該第一訊號線及該第二訊 20 號線；一像素電極，其連接至該薄膜電晶體；及一對準構件，其連接至該像素電極且具有一比該像素電極更接近該第二訊號線之邊緣。 12.如申請專利範圍第11項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 30 200529453 對準構件及該第二訊號線配置於同層上。 13.如申請專利範圍第11項之薄膜電晶體陣列面板，其中該薄膜電晶體包含一連接至該像素電極及該對準構件之 >及電極。 5 14. —種液晶顯示器，包含·· 一第一面板，其包括一第一訊號線、一與該第一訊號線相交之第二訊號線、一連接至該第一訊號線及該第二訊號線之薄膜電晶體、一連接至該薄膜電晶體之像素電極、及一連接至該像素電極且具有一比該像素電極更 10 接近該第二訊號線的邊緣之對準構件；一第二面板，其面對該第一面板且包括一形成於其上之共同電極；及一液晶層，其配置於該第一面板與該第二面板之間。 15 15.如申請專利範圍第14項之液晶顯示器，進一步包含一斜傾方向決定構件，其配置於該等第一及第二面板的至少一者上且決定該液晶層的液晶分子之斜傾方向。 16.如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中該液晶層具有負介電異向性且受到垂直對準。 20 17.如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中該斜傾方向決定構件包含一形成於該像素電極或該共同電極上之切口0 18.如申請專利範圍第17項之液晶顯示器，其中該斜傾方向決定構件具有位於約9-12微米範圍的一寬度。 31 200529453 19. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中該斜傾方向決定構件對於該第一訊號線構成一約45度的角度。 20. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中該斜傾方向決定構件包含一形成於該像素電極或該共同電極上之 5 突部。

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