TW200529371A - A manufacturing method of a stamper - Google Patents

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Ga-Lane Chen
Tai-Cherng Yu
Charles Leu
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0015Production of aperture devices, microporous systems or stamps

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

200529371 五、發明說明α) 【發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種壓模製造方法。 【先前技術】 目前’隨著熱壓印技術之發展,壓模之應用範圍愈趨 廣泛,許多行業中均需用到壓模,如汽車行業,顯示器行 業等。各行業對壓模之要求亦愈來愈高。傳統壓模之製造 方法製得之壓模硬度較低,使用壽命較短。雖,壓模之製 造方法在逐步改良,其硬度及使用壽命均有所提高,仍i 法滿足生產需求。 一種先前技術,係2 0 0 3年3月1日公告之台灣專利公告 第5 2 2,2 6 3號所揭示之一種壓模之製造方法。請一併參閱 第一圖至第六圖,係該壓模之製造方法圖示。該壓模> 之製 造方法包括如下步驟: 衣 請參閱第一圖,提供一導電性基板1 〇 ; 請參閱第二圖,在該導電性基板10之—面形成負光阻 劑層2 0 ; 、 t ® ’利^罩(圖未示)對該光阻劑層2〇進 I : 曝光後該光阻劑層2〇上含有已曝光部份24與未曝 請參閱第四圖,對該光阻劑層20進行顯影, 曝光部份22 ; ,合解这禾 δ月癸閱弟五圖,進4亍電麵1步驟。於箭、+、 溶解該未曝光部份22之該導電性基板】〇上开L 步驟中已 I’人tr工办成雷揸· 請參閱第六圖,將光阻劑層2 〇之已曝氺 ’ 嗓先部份24去除, 200529371 五、發明說明(2) 形成由該導電性基板10與該電鑄體12製得之壓模1,其 中,該電鑄體1 2係形成該壓模1之圖案部份。 然’此種製造方法中需經過電鑄步驟才可完成壓模之 製造,製得之壓模係由導電性基板與電鑄體組成,由於電 鑄體之厚度很難大於2mm,故其所能承受之壓力較低,容 易產生變形,進而使其使用壽命較短。 有4監於此’提供一種可承受較高壓力,不易產生變 形,且可具較長使用壽命之壓模製造方法實為必要。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種可承受較高壓力,不易產 生變形’且可具較長使用壽命之壓模製造方法。 本發明提供之壓模製造方法包括以下步驟:提供一基 板;於該基板之一面塗佈一均勻光阻層;利用一具預定圖 案之光罩對該光阻層進行曝光顯影步驟;進行蝕刻;去除 剩餘光阻,形成壓模。 相較於先前技術,本發明之壓模製造方法採用蝕刻步 驟代替電鑄步驟,所製得之壓模僅由基板組成,其厚度可 根據實際需要選擇,可提高壓模之承受力,不易產生變 形,進而可延長使用壽命。 【實施方式】 請參閱第七圖,係本發明壓模製造方法之流程圖。本 發明壓模製造方法包括以下步驟:提供一基板(步驟 201 );於該基板之一面塗佈一均勻光阻層(步驟202 );利 用〆具預定圖案之光罩對該光阻層進行曝光顯影步驟(步
200529371
五、發明說明(3) 驟2 0 3 );進行蝕刻(步驟2 04 );去除剩餘光阻,形成壓模 (步驟20 5 )。 ' 請一併參閱第八圖至第十一圖,對本發明壓模製造# 法存細纟兄明如下:
提供一基板30,其中,該基板30係拋光之鎳材質。將 基板3 0置於真空或氮氣環境中進行去水烘烤,其烘烤溫度 為100 °C〜120 °C,時間為4〜6分鐘。於該基板30上均勻塗^ 一光阻層5 0,如第八圖所示。其中,所塗佈之光阻層5 〇厚 度可根據實際所需而設計,塗佈之光阻為有機光阻劑材 質,可採用正光阻劑,亦可採用負光阻劑。本實施方式係 採用正光阻劑。塗佈光阻之方法採用旋塗方法,亦可採用 喷塗方法。於真空中將該基板3 〇吸附至一轉盤(圖未示) 上’將光阻劑滴於該基板3 〇上,旋轉該基板3 〇並加速至一 固定之旋轉速度,持續2 〇秒鍾使光阻層5 〇均勻附著於該基 板30表面。為增強該光阻層50與該基板30間之附著性,將 塗佈好光阻層50之基板30置於一墊板上加熱烘烤,即軟 烤。其中’烘烤溫度為90。〇100艺,烘烤時間為2〇〜3()分 鐘〇
、声如第九圖所示,利用預先設計圖案之光罩6 0進行曝 =、顯影步驟。將預先設計好圖案之光罩6〇與基板3〇對 与’進饤曝光步驟。其中,曝光之光源為紫外線,採用投 :式曝光技術曝光,即,該光罩6〇平行於基板3〇。光源發 之,線經光學系統(圖未示)透過光罩60照射至光阻層50 又到光線照射之光阻發生光敏反應,生成易溶於顯影
200529371 五、發明說明(4) Ϊ之ί Ϊ。曝光後將基板30置於—墊板上加熱烘烤,即硬 Φ ’扯座阻進一步硬化,使其未曝光部份52較難溶解。a :,共烤溫度為mim。。之間,供烤時間為2。〜二, +進行顯影步驟,得到預先設計之絲圖案。於 ί 夜,其中,顯影液為二甲苯,且基板3°ί於, ί :二已曝光部份之光阻充分溶於顯影液 光阻層50之未曝光部份52留於基板 圖案轉移。 双® 办成光罩60之 太4°: t圖所示,採用姓刻方法對該基板30進行姓刻 兮採用乾姓刻,且以反應離子蝕刻方法為例。將 3=置於一反應室(圖未示)内,電壓為3〇〇〜! 物\ 购町之間,其中,氣體離子可為氣化至 由於二n(cc」4)、三氯化幫叫)及氣氣(a)等。 A板30夺* :文到兩壓的影響,加速轟擊至基板30表面, 未曝光部份52覆蓋基板3。表面之部而 部份52受到氧俨錐早之4墼,郴士 :又到保護’僅未曝光 =孔體屬子之森擊,形成光阻圖案之轉移 壓模at十—圖所示,將殘留之未曝光部㈣去除,得到 得壓ΐ於本f明之塵模製造方法無須經過電鑄步驟即可f ;匕;:可提高壓模之承受力,不易產生變…“ 1 第7頁 200529371 五、發明說明(5) 且,為 層前於該基 另’本 中,該基板 設計,如圓 於乾蝕刻方 綜上所 利申請。惟 凡熟悉本案 修飾或變化 進一步提 板上塗佈 發明壓模 亦可為拋 柱狀結構 法,亦可 述,本發 ,以上所 技藝之人 ,皆應包 高蝕刻圖案之質量,亦可於 一二氧化矽層。 佈光随 製造方法並不限於上述實施方 光之鋼基板;壓模之圖案可根據;^ 、半球狀結構等4刻基板時亦= 採用濕I虫刻方法。 又 =合發明專利要件,菱依法提出專 $者僅為本發明之較佳實施方式,舉 在援依本案發明精神所作之等效 3於以下之申請專利範圍内。
200529371 圖式簡單說明 第一圖至第六圖係一種先前技術壓模製造方法之示意圖 其中 第一 第二 第三 第四 第五 第六 第七 第八 第九 第十 第十 圖係先前技術壓 圖係先前技術壓 圖係先前技術壓 圖係先前技術壓 圖係先前技術壓 圖係先前技術壓 圖係本發明壓模 圖係本發明壓模 意圖。 圖係本發明壓模 示意圖。 圖係本發明壓模 圖0 模製造方法之基板提供示意圖 模製造方法之光阻塗佈示意圖。 模製造方法之曝光示意圖。 模製造方法之顯影示意圖。 模製造方法之電鑄示意圖。 模製造方法之光阻去除示意圖。 製造方法第一實施方式之流程圖。 製造方法第一實施方式之光阻塗佈示 製造方法第一實施方式之曝光、顯影 製造方法第一實施方式之蝕刻示意 圖係本發明壓模製造方法第一實施方式之光阻去除 不意圖。 【主要元件符號說明】 基板 3 0 未曝光部份 52 光阻層 光罩 50 60
第9頁

Claims (1)

  1. 200529371 六、申請專利範圍 1 · 一種壓模製造方决,其包括以下步驟: 提供一基板; 於該基板之/面塗佈一均勻光阻層; 利用一具預定圖案之光罩對該光阻厣推A^ Θ W也 _ · 1增進仃曝光顯影步 , 進行蝕刻; 去除剩餘光阻,形成壓模。 其中該 其中該 其中該 其中該 其中塗 其中塗 2 ·如申請專利範圍第1項所述之壓模製造方法 基板之材質為抛光錄。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之壓模製造方法 基板之材質為拋光鋼。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之壓模製造方法 光阻層之塗佈方法係採用喷塗方法。 5 ·如申請專利範圍第丨項所述之壓模製造方法 光阻層之塗佈方法係採用旋塗方法。 尺如申請專利範圍第1項所述之 佈之光阻係負光阻材質。 七皮、隹一 8·如申請專利範圍第丨頊所述之壓模製造方》,/、 步包括一軟烤夺驟,其係於塗佈光阻步驟之後進订。 9.如申靖專#丨^ ^ a g所述之壓模製造方法,,、進 步包;te ^ ^ 皮係於曝光步驟之後進仃 v匕括一硬烤步驟,兵1 6 ·如申請專利範圍第1項所述之壓模製造方法 佈之光阻係正光阻材質。 〜壓模製造方法
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