TW200529332A - Window ball grid array semiconductor package and method for fabricating the same - Google Patents

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200529332 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種半導體封裝件及其製法，尤指一種 開窗型球拇陣列（window ball grid array，WBGA)半導體 封裝件’以使晶片接置於基板上且遮覆貫穿該基板之開 孔，並藉多數穿通於該開孔中之銲線電性連接該晶片至基 板，以及一種製造該半導體封裝件之方法。 土 【先前技術】 半導體封裝件係一種承載有如半導體晶片等之主動一 件的電子裝置，其結構主要使至少一晶片接置於基板的一 •並藉多數如銲線等之導電元件電性連接至該基板，且曰 片與銲線以一樹脂材料（如環氧樹脂等）製成之封裝膠體7 覆而能不為外界水氣及污染物所侵害。該半導體封带件^ 可包括多數呈陣列方式排列的銲球植設於基板的另一復 其與接設有晶片與銲線的一側相對。此種具有銲球之2、 體封裝件稱為球柵陣列（b a 1 1 g r i d a r r a y，B G A )封事' 且5玄I干球作為輸入/輸出（inpUt/0UtpUt，I/o)端，养牛 使載a又於封裳件中之晶片得與外界裝置如印刷電路板 人 (printed circuit board, PCB)成電性連接關係。惟 ^封裝件之高度包括用以包覆晶片與銲線之封裝膠體^ f #、基板厚度、及銲球高纟，而使整體封裝件尺寸‘的厚 一步縮小。 雖以進 為能有效縮小半導體封裝件尺寸，遂發展出一種〜 型（window-type)封裝件，以使用具有貫穿其中之開孔開窗 基板為名。第4F圖即顯示一種習知開窗型球柵陣列封裝的

200529332 五、發明說明（2) 件，如圖所示，一半導體晶片1丨藉膠黏劑丨2接置於基板丄〇 的上表面1 0 0上且遮覆基板1 〇之開孔1 〇 2。該晶片丨丨並藉多 數穿通於該開孔102中之銲線13電性連接至基板1〇的下表 面1 0 1。同時，晶片1 1與銲線1 3分別為上封裝膠體丨4及下 封裝膠體1 5所包覆，且多數銲球丨6植設於基板丨〇下表面 1 0 1上未形成有下封裝膠體1 5之區域。 上述開窗型球柵陣列封裝件得以第4A至4F圖之製程步 驟製得。 t 首先，如第4A圖所示（剖視圖及上視圖），製備一由多 數基板1 0組成之基板片1，其中各基板1 〇具有一貫穿其中 之開孔1 0 2 ’該開孔1 0 2較佳呈矩形，具有二相對較長側邊 及二相對較短側邊。接著，進行一置晶（c h丨p _ b 〇 n d i n g )製 程及銲線（w i r e - b ο n d i n g )作業。於置晶製程中，至少一晶 片1 1藉膠黏劑1 2接置於各基板1 0之上表面1 〇 〇上並遮覆該 基板1 0之開孔1 〇 2，該膠黏劑1 2敷設於開孔i 〇 2之二較長側 邊’而於晶片1 1與基板1 〇之間位於開孔1 〇 2之二較短侧邊 處存留有未有膠黏劑1 2填充的空隙G。然後，於銲線作業 中’形成多數穿通於各基板1 〇之開孔1 〇 2中的銲線1 3，用 以電性連接晶片1 1至對應基板丨〇之下表面1 〇 i。 如第4B圖所示（剖視圖及下視圖），製備一封裝模具， 具有一上模1 7及一下模1 8，該上模1 7形成有一向上凹陷空 八1 7 0 ’而該下模1 8形成有多數向下凹陷空穴〇各對應至 一列基板1 0之開孔1 〇 2。該向上凹陷空穴1 7 〇之尺寸足以收 、、内所有接置於基板1 0上之晶片11。各向下凹陷空穴〇之

200529332 五、發明說明（3) 尺寸覆蓋住該對應列之所有基板1 0開孔1 〇 2並容納突出於 基板1 0下表面1 0 1上的鲜線1 3線弧。該封裝模且觸接至基 板片1上’以使上模1 7接置於基板1 0之上表面1 〇 〇上，而下 模1 8接置於基板1 0之下表面1 〇 1上。 如弟4 C圖所示（二剖視圖），進行一第一模辦 (mo 1 d i ng )作業，將一習知樹脂材料（如環氧樹脂）注入下 模1 8之向下凹陷空穴1 8 0中以形成多數下封農膠體1 5，各 下封裝膠體1 5填充於對應列之開孔1 〇 2並包覆對應之銲線 1 3，而位於晶片1 1與基板1 〇間之空隙g往往無法完全為該 塌_旨材料所填滿。 / 70 然後’如第4D圖所示’進行一第二模壓作業，將該樹 脂材料注入上模1 7之向上凹陷空穴1 7 〇中以形成一上封裝 膠體1 4用以包覆所有接置於基板i 〇上的晶片丄}。 " 完成第一及第二模壓作業後，自基板片丨上移除上模 1 7及下模1 8，而使基板丨〇之下表面！ 〇丨上未為下封裝膠體 1 5所覆盖之區域外露。 如第4E圖所示，植設多數銲球丨6於基板丨〇之下表面 1 〇 1上的外露區域。最後，當基板片1完成上述置晶、銲 1、模壓及植球作業後，進行一切單（singulati〇n)作 :、’切割上封裝膠體i 4、基板片1及下封裝膠體i 5以分離 各基板10而形成多數半導體封裝件各具有單離之基板1〇、 日日片1 1及多數銲球1 6，第4F圖所示。 、而上述半導體封裝件之製法會產生諸多缺點。其 一為切割遮覆於各列基板之開孔的下封裝膠體時，由於下

17435 聯測.ptd 第8頁 200529332 五、發明說明（4) 封裝膠體與基板以不同材料製成，下封裝膠體與基板邊緣 交界部分會承受極大應力而易產生脫層（delamination)。 再者，下模之向下凹陷空穴的尺寸需隨基板開孔之尺寸而 變化以使該向下凹陷空穴能完全覆蓋住該開孔且不會遮覆 到基板上預定用以植設銲球之區域。換言之，當使用具有 不同尺寸開孔之基板時，需製備新的下模開設有適合尺寸 之向下凹陷空穴，故會大幅增加生產成本。此外，模壓製 程需分二階段進行，包括第一模壓作業以形成下封裝膠體 用以填充基板開孔及包覆銲線，以及第二模壓作業以形成 上封裝膠體用以包覆晶片。該二階段之模壓作業不僅使製 程更為複雜，且易造成樹脂溢膠問題。於形成下封裝膠體 之第一模壓作業中，基板下表面上圍繞開孔且位於晶片下 方之區域往往缺乏來自上模之支撐而無法為封裝模具穩固 箝制住，因而使注入下模之向下凹陷空穴中的樹脂材料易 經由開孔邊緣漏出或溢膠至該難以穩固箝制住的區域。樹 脂溢膠可能會污染基板下表面上預定用以植設銲球之區 域，而使銲球無法穩固地銲接或電性連接至基板，而有損 半導體封裝件之信賴性。另外，位於晶片與基板之間且基 板開孔之較短側邊處的空隙通常無法完全為樹脂材料所填 滿，易使氣洞殘留於該空隙中而導致氣爆（popcorn)現 象，使封裝件結構受損。注入下模之向下凹陷空穴中的樹 脂材料時會產生極大模流衝擊而造成銲線偏移及相鄰銲線 間之接觸，導致短路現象，更降低半導體封裝件之信賴 性。

17435 聯測.ptd 第9頁 200529332 五、發明說明（5) 因此，如何發展出一種WBGA半導體封裝件得以解決上 述缺點而能避免脫層、防止樹脂溢膠、避免銲線偏移、及 降低生產成本與製程複雜性，實為重要課題。 【發明内容】 本發明之一目的在於提供一種開窗型球柵陣列半導體 封裝件及其製法，使用一平坦下模及一成本低之間隔件 (s p a c e r )以進行單一步驟（ο n e - s t e p )之模壓製程，該間隔 件可適用於具有各種尺寸開孔之基板，故得有效較低生產 成本及簡化製程。 _ 本發明之另一目的在於提供一種開窗型球柵陣列半導 體封裝件及其製法，進行單一步驟之模壓製程，且晶片與 基板之間的空隙作為樹脂模流通道以供樹脂流入該空隙而 填充於基板之開孔中，因而不會對銲線產生過度模流衝 擊，故能避免銲線偏移及樹脂溢膠。 本發明之又一目的在於提供一種開窗型球柵陣列半導 體封裝件及其製法，各基板之開孔中為單獨封裝膠體所填 充，故不需再對該單獨封裝膠體進行切割或分離，而能避 免脫層（del ami nation)現象。 本發明之又一目的在於提供一種開窗型球栅陣列半導 ΐΛί裝件及其製法，使一整合封裝膠體包覆晶片與銲線以 及填充於基板之開孔中，因而增進半導體封裝件之機械強 度。 為達成上揭及其他目的，本發明揭露一種開窗型球栅 陣列半導體封裝件，包括：一基板，具有一上表面及一相

17435聯測.ptd 第10頁 200529332 5 並 開 設 有 接 置 於 該 基 開 孔 中 之 銲 基 板 之 間 存 料 製 成 之 封 覆 該 晶 片 及 的 空 隙 而 填 y 植 設 於 該 外 露 0 窗 型 球 柵 陣 • 製 備 一 包 及 一 相 對 之 黏 劑 接 置 至 而 使 該 晶 隙 9 形 成 多 銲 線 電 性 連 通 孔 之 間 隔 中 各 該 通 孔 厚 度 大 於 該 形 成 於 各 該 的 基 板 開 孔 及 — 下 模 而 面 上 其 中 晶 片 收 納 於 少一晶片， 孔，並藉多 下表面，而 充之空隙； 之上下表面 通過該晶片 空隙中；以 有該封裝膠 述製程步驟 各該基板具 其中之開 上表面上且 為該膠黏劑 孔中的銲 表面；製備 該基板之下 之開孔，且 面上的線弧 應的間隔件 使用一具有 膠體於該基 板之上表面 置於該間隔 五、發明說明（I 對之下表面 藉一膠黏劑 數穿通於該 使該晶片與 一以樹脂材 上，用以包 與基板之間 及多數銲球 體的區域並 上揭開 製得，包括 有一上表面 孔，精一膠 遮覆該開孔 所填充之空 線’以猎該 一具有多數 表面上，其 該間隔件之 高度，以使 通孔及對應 空穴之上模 板之上下表 上而使所有 一貫穿其中 板之上表面 線電性連接 留有未為該 裝膠體，形 銲線，其中 充於該基板 基板之下表 列半導體封 括多數基板 下表面並開 少一晶片於 片與基板之 數穿通於各 接該晶片至 件，並接置 對應於並大 銲線突出於 晶片上的辉 中；進行一 以樹脂材料 該上模接置 該空穴中， 之開孔；至 且遮覆該開 至該基板之 膠黏劑所填 成於該基板 該樹脂材料 之開孔及該 面上未形成 裝件可以下 之基板片， 設有一貫穿 各該基板之 間存留有未 該基板之開 該基板之下 該間隔件至 於各該基板 基板之下表 線收納於對 模壓製程， 形成一封裝 於該多數基 且該下模接

200529332 五、發明說明（7) 件上，而使該間隔件夾置於基板與下模之間’以使該封裝 膠體填充於該空穴中而包覆晶片並流過該晶片與基板之間 的空隙以填充於該基板的開孔、該間隔件之通孔、及該空 隙中而包覆該銲線；自該基板上移除該上下模及間隔件； 植設多數銲球於各該基板之下表面上未形成有該封裝膠體 的區域並外露；以及切割該形成於基板上表面上的封裝膠 體部分以及該基板片以分離各該基板，而形成多數個別的 半導體封裝件各具有一單離之基板。 晶片具有大於基板開孔之表面積而能完全遮覆住該開 該基板開孔可呈矩形，具有二相對較長側邊及二相對 較短側邊，而晶片與基板之間的空隙位於開孔之二較短側 邊處。再者，該空隙具有與膠黏劑之厚度相同的預定高 度’以使用以形成封裝膠體之樹脂材料粒子得通過該空 隙。下模具有一平坦面以與間隔件觸接。該間隔件可以堅 硬材料製成。 上述半導體封裝件及其製法具有諸多優點。位於晶片 與基板之間及基板開孔之二較短側邊處未敷設有膠黏劑的 空隙 '供用以形成封裝勝體之樹脂材料流通的通道。當 封脂材料注入上模之空穴中時，其流入該空隙而填充於 反開孔中並包覆銲線，同時該空隙亦為該樹脂材料所填 充’因而避免習知氣洞或氣爆現象。因此，流入空隙之樹 脂模流不會對銲線產生過度衝擊或壓力，而能避免銲線偏 移或短路現象。再者，由於降低脂模流衝擊或壓力，該衝 擊或壓力較不會經開孔邊緣而溢膠至基板下表面上不需形

17435 聯測.ptd 第12頁 200529332 --------------- 五、發明說明（8) ""^^^^^ 成有封裝膠體的區域，故能確保製成封裝件之信賴性。 外，使用具有通孔之間隔件，該通孔尺寸對應^板 ^ 尺寸，而使間隔件箝制於基板下表面與具有平碎表面L ^ 模之間。該通孔中亦填充有該包覆銲線之樹脂材料。 隔件之製造成本低，故當使用開設有不同尺寸門孔之=間 時，可用具有對應尺寸之通孔的間隔件而不會：幅增 產成本。因此，該平坦下模配合適當間隔件可適用於= 基板。此外，藉一整合封裝膠體包覆晶片與銲線及填 = 基板開孔中’故能增進半導體封裝件之機械強产。該 f 膠體分別填充於各基板之開孔中，故不需切割^切單形$ 於基板下表面上的封裝膠體部分，故可避免封裝膠體與基 板間產生脫層。 & 【實施方式】 以下係藉由特定的具體實例說明本發明之實施方式， 熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之内容輕易地瞭解 本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具 體實例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於 不同觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾 與變更。 (弟一實施例） 如第1圖所示，本發明第一實施例所揭露之開窗塑球 柵陣列（WBGA)半導體封裝件使用一基板20作為晶片承載件 (chip carrier)，包括：具有一上表面20 0及一相對之下 表面2 0 1的基板2 0，該基板2 0並開設有一貫穿其中之開孔

17435 聯測.ptd 第13頁 200529332 五、發明說明（9) 2 0 2 ;至少一晶片2 1，藉一膠黏劑2 2接置於該基板2 0之上 表面2 0 0且遮覆該開孔2 0 2，並藉多數穿通於該開孔2 0 2中 之銲線2 3電性連接至該基板2 〇之下表面2 0 1，而使該晶片 2 1與基板2 0之間存留有未為該膠黏劑2 2所填充之空隙2 5 ; 一封裝膠體2 4，形成於該基板2 0之上下表面2 0 0、2 0 1上， 用以包覆該晶片2 1及銲線2 3並填充於該基板2 0之開孔2 0 2 及該晶片21與基板2 0之間的空隙2 5中；以及多數鲜球2 6， 植設於該基板2 0之下表面2 0 1上未形成有該封裝膠體2 4的 區域並外露。 上述開窗型球柵陣列半導體封裝件得以第2A至2G圖所 示之製程步驟製得。 如第2A圖所示，首先，製備一由多數基板20組成之基 板片2，其係以習知樹脂材料例如環氧樹脂、聚亞醯胺 (polyimide )樹脂、BT(bismaleimide triazine )樹脂、 FR4樹脂等製成。各基板20具有一上表面2 0 0及一相對之下 表面2 0 1並開設有一貫穿其中之開孔2 0 2，其中該開孔2 0 2 較佳呈矩形，具有二相對較長側邊及二相對較短側邊。基 板片2之製造採用習知技術，故予此不予贅述。 如第2 B圖所示（剖視圖及上視圖），接著，藉一膠黏劑 ~ 2¾置至少一晶片2 1於各基板2 0之上表面2 0 0上且遮覆該 .基板2 0之開孔2 0 2。該晶片2 1具有一形成有多數電子電路 (未圖示）與銲墊2 1 1之作用表面2 1 0以及一相對之非作用表 面2 1 2。該晶片2 1之表面積大於基板2 0之開孔2 0 2，而使晶 片2 1能完全覆蓋住該開孔2 0 2。晶片2 1係以面朝下

17435 聯測.ptd 第14頁 200529332 五、發明說明（ίο) (face-down)方式接置於各基板20上，以使晶片2 1之作用 表面2 1 0朝向基板2 0之開孔2 0 2，並藉該膠黏劑2 2黏置於基 板2 0之上表面2 0 0上，其中該膠黏劑2 2係敷設於晶片2 1與 基板2 0之間且通常沿著開孔2 0 2之二較長側邊，而使晶片 2 1與基板2 0之間且位於開孔2 0 2之二較短側邊處存留有未 為膠黏劑2 2所填充之空隙2 5。該敷設之膠黏劑2 2具有一預 定厚度’而使晶片21與基板2 0之間的空隙2 5之高度與膠黏 劑2 2之厚度相同，該預定之厚度或高度得使用以形成封裝 膠體（未圖不）之樹脂材料粒子得順利通過該空隙2 5。 然後，進行一銲線（w i r e b ο n d i n g )作業以形成多數穿 通於各基板2 0之開孔2 0 2中的銲線2 3，該銲線2 3係一端連 接至晶片2 1上的銲墊2 1 1，而另一端連接至基板2 0的下表 面2 0 1，藉之以使晶片2 1電性連接至基板2 0。銲線2 3可以 金（g ο 1 d )製成，故可稱為金線。銲線作業係屬習知技術， 故予此不予贅述。 如第2 C圖所示，製備一較佳以堅硬材料製成之間隔件 2 7，具有多數貫穿其中之通孔2 7 0，並接置該間隔件2 7至 該多數基板2 0之下表面201上，其中各通孔27 0對應於並大 於各基板2 0之開孔2 0 2，且該間隔件2 7之厚度大於該銲線 2 3突出於基板2 0之下表面2 0 1上的線弧高度，以使形成於 各晶片2 1上的銲線2 3線弧收納於對應的間隔件2 7通孔2 7 0 中 〇 如第2 D圖所示（剖視圖及上視圖），進行一模壓 (mo 1 d i ng )製程以使用一樹脂材料（如環氧樹脂等）形成一

17435 聯測.Ptd 第15頁 200529332 五、發明說明（11) 封裝膠體2 4於基板2 0之上下表面2 〇 〇、2 〇丨上。利用一具有 上模2 8 0及下模2 8 1之封裝模具2 8，該上模2 8 0開設有一空 ^ 2 8 2其尺寸足以覆蓋所有基板2 〇，而下模2 8丨為一具有一 平坦頂面2 8 3之平坦模具以與間隔件2 7觸接。於模壓製程 進行時，上述完成置晶（接置晶片2 i )及銲線作業之基板片 2置入並箝制於封裝模具2 8的上模2 8 0與下模2 8 1之間，其 中上模2 8 0觸接所有基板2 0之上表面2 0 0，以使所有接置於 基板2 0上的晶片2 1收納於上模2 8 0之空穴2 8 2中，而下模 281的平坦頂面2 8 3則與間隔件27觸接，以使間隔件27夾置 板2 0之下表面2 0 1與下模2 8 1的平坦頂面2 8 3之間，藉 此銲線2 3係收納於各基板2 0開孔2 0 2與間隔件2 7通孔2 7 0中 且為下模2 8 1所封閉。此時，該樹脂材料即注入上模2 8 0之 空穴2 8 2中以填充於整個空穴2 8 2中及包覆所有接置於基板 2 0上的晶片2卜且該樹脂材料亦自上模2 8 0之空穴2 8 2流入 晶片2 1與基板2 0之間的空隙2 5至基板2 0的開孔2 0 2及間隔 件2 7之通孔2 7 0中。空隙2 5之高度如上定義足以使樹脂材 料粒子順利通過其中，而使樹脂材料能包覆銲線2 3並填充 於基板2 0的開孔2 0 2、間隔件2 7之通孔2 7 0、及晶片2 1與基

0之間的空隙2 5 (位於開孔2 0 2之二較短側邊處且未數設 黏劑2 2)中。當樹脂材料固化後，即形成整合之封| 膠體2 4於基板2 0之上下表面2 0 0、2 0 1上，其中形成於基板 2 0上表面2 0 0上的封裝膠體2 4部分係單一膠體包覆所有晶 片2 1，而形成於基板2 0下表面2 0 1上的封裝膠體2 4部分包 括多數單獨膠體各填充於一對應之基板2 0開孔2 0 2、間隔

17435聯測.卩士(1 第16頁 200529332 五、發明說明（12) 件2 7通孔2 7 0、及晶片2 1與基板2 0之間的空隙2 5中。由於 間隔件2 7的厚度大於銲線2 3突出於基板2 0下表面2 0 1上的 線弧高度，填充於間隔件2 7之通孔2 7 0中的樹脂材料得完 全包覆住鮮線2 3線弧。再者，由於間隔件2 7以堅硬材料製 成且下模2 8 1之頂面2 8 3平坦，故間隔件2 7可穩固地箝制於 基板片2與下模2 8 1之間，而能避免樹脂材料溢膠至間隔件 2 7與下模2 8 1頂面2 8 3間之介面及基板2 0之下表面2 0 1上不 需形成有封裝膠體2 4的區域。 如第2E圖所示’當封裝膠體24完成後，自基板2〇上移 除封裝模具28及間隔件27(第2D圖），而使基板2〇之下表面 2 0 1上未形成有封裝膠體2 4的區域外露並進入後續植球 (bal 1 imp ian ting)製程。如上所述，收納於基板2〇之開 孔2 0 2與間隔件2 7之通孔2 7 0中的銲線2 3完全為封裝膠體2 4 所包覆而不會外露。 如第2F圖所示，進行植球作業以形成並植設多數銲球 2 6於各該基板2 0下表面2 0 1上之外露區域。 最後，如第2G圖所示，進行一切單（singulati〇n>ft 業’切割形成於基板20上表面2 0 0上的封裝膠體24部分以 及基板片2以分離各基板20，而形成多數個半導 裝件各具有一單離之基板20及多數銲球圖導所體封 示）°亥麵球2 6作為輸入/輸出端以使晶片2 1與外界裳置 (如印刷電路板）成電性連接關係。 " 上述半導體封裝件及其製法具有諸多優點。位於晶片 與基板之間及基板開孔之二較短側邊處未敷設有膠黏劑的

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五、發明說明（13) 空隙’係供用以形成封裝膠體之樹脂材料流通的通道。舍 該樹脂材料注入上模之空穴中時’其流入該空隙而填充二 基板開孔中並包覆鲜線’同時該空隙亦為該樹脂材料所填 充，因而避免習知氣洞或氣爆現象。因此，流入空隙之 脂模流不會對録線產生過度衝擊或壓力，而^避=鲜線^ 移或短路現象。再者，由於降低脂模流衝擊或壓力，該衝 擊或壓力較不會經開孔邊緣而溢膠至基板下表面上不=^ 成有封裝膠體的區域，故能確保製成封裝件^信賴性二^ 外’使用具有通孔之間隔件’該通孔尺寸對應^板開孔之 •寸，而使間隔件箝制於基板下表面與具有平坦表面的下 模之間。該通孔中亦填充有該包覆銲線之樹脂材剩；。該間 隔件之製造成本低，故當使用開設有不同尺寸開孔之基板 時，可用具有對應尺寸之通孔的間隔件而不會大幅增=生 產成本。因此’該平坦下模配合適當間隔件可適用於各種 基板。此外，藉一整合封裝膠體包覆晶片與銲線及填充於 基板開孔中，故能增進半導體封裝件之機械強度。該封I 膠體分別填充於各基板之開孔中，故不需切割或切單形^ 於基板下表面上的封裝膠體部分，故可避免封農膠體與義 板間產生脫層（delamination)。 土 •二實施例） 第3圖顯示本發明第二實施例之半導體封裝件。如圖 所示，此半導體封裝件之結構大致與第一實施例所揭露° 封裝件（第1圖）相同，其不同處在於晶片2 1之非作用表面 2 1 2不為封裝膠體2 4所包覆而外露。該外露之非作用^面

17435聯測.口*|；(] 第18頁 200529332 五、發明說明（14) 2 1 2得有效助於散逸晶片2 1運作所產生之熱量，因而增加 半導體封裝件之散熱效率。 上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效， 而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不 違背本發明之精神與範疇下，對上述實施例進行修飾與變 化。因此，本發明之權利保護，應如後述之申請專利範圍 所歹1J 。

17435聯測.ptd 第19頁 200529332 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述及其他目的、特徵以及優點能更明 顯易懂，將與較佳實施例，並配合所附圖示，詳細說明本 發明之實施例，所附圖示之内容簡述如下： 第1圖係本發明第一實施例之半導體封裝件之剖視 圖， 第2 A至2 G圖係第1圖所示之半導體封裝件的製程步驟 不意圖， 第3圖係本發明第二實施例之半導體封裝件之剖視 以及 第4A至4F圖係習知半導體封裝件的製程步驟示意圖。 1 基 板 片 10 基 板 100 上 表 面 101 下 表 面 102 開 孔 11 晶 片 12 膠 黏 劑 13 銲 線 14 上 封 裝 膠 體 15 下 封 裝 膠體 16 銲 球 17 上 模 170 向 上 凹 陷 空 穴 18 下 模 1零0 向 下 凹 陷 空 穴 2 基 板 片 20 基 板 200 上 表 面 201 下 表 面 202 開 孔 21 晶 片 210 作 用 表 面 211 非 作 用 表 面 22 膠 黏 劑

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Claims (1)

1. 200529332 六、申請專利範圍 1. 一種開窗型球柵陣列半導體封裝件，包括： 一基板，具有一上表面及一相對之下表面，並開 設有一貫穿其中之開孔； 至少一晶片，藉一膠黏劑接置於該基板之上表面 且遮覆該開孔，並藉多數穿通於該開孔中之銲線電性 連接至該基板之下表面，而使該晶片與基板之間存留 有未為該膠黏劑所填充之空隙； 一以樹脂材料製成之封裝膠體，形成於該基板之 上下表面上，用以包覆該晶片及銲線，其中該樹脂材 春料流入該晶片與基板之間的空隙而填充於該基板之開 孔及該空隙中；以及 多數銲球，植設於該基板之下表面上未形成有該 封裝膠體的區域並外露。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中該形成於 基板上表面的封裝膠體部分具有小於該銲球高度的厚 度。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中該晶片具 有一作用表面及一相對之非作用表面，該作用表面朝 向該開孔且與該銲線連接，而使該作用表面完全為該 0膠黏劑及封裝膠體所包覆。 4. 如申請專利範圍第3項之半導體封裝件，其中該晶片之 非作用表面係外露出該封裝膠體。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中該晶片之 表面積大於該基板之開孔而完全遮覆住該開孔。

   17435 聯測.ptd 第22頁 200529332 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第5項之半導體封裝件，其中該開孔係 呈矩形，具有二相對較長側邊及二相對較短側邊。 7. 如申請專利範圍第6項之半導體封裝件，其中該晶片與 基板之間的空隙位於該開孔之二較短側邊。 8. 如申請專利範圍第1項之半導體封裝件，其中該空隙具 有與該膠黏劑之厚度相同的預定高度，以使該樹脂材 料之粒子得通過該空隙。 9. 如申請專利範圍第7項之半導體封裝件，其中該空隙具 有與該膠黏劑之厚度相同的預定高度，以使該樹脂材 料之粒子得通過該空隙。 1 0. —種開窗型球柵陣列半導體封裝件之製法，包括下列 步驟： 製備一包括多數基板之基板片，各該基板具有一 上表面及一相對之下表面並開設有一貫穿其中之開 孔； 藉一膠黏劑接置至少一晶片於各該基板之上表面 上且遮覆該開孔，而使該晶片與基板之間存留有未為 該膠黏劑所填充之空隙； 形成多數穿通於各該基板之開孔中的銲線，以藉 該銲線電性連接該晶片至該基板之下表面； 製備一具有多數通孔之間隔件，並接置該間隔件 至該基板之下表面上，其中各該通孔對應於並大於各 該基板之開孔，且該間隔件之厚度大於該銲線突出於 基板之下表面上的線弧高度，以使形成於各該晶片上

   17435 聯測.ptd 第23頁 200529332 六、申請專利範圍 的銲線收納於對應的間隔件通孔及對應的基板開孔 中； 進行一模壓製程，使用一具有空穴之上模及一下 模而以樹脂材料形成一封裝膠體於該基板之上下表面 上，其中該上模接置於該多數基板之上表面上而使所 有晶片收納於該空穴中，且該下模接置於該間隔件 上，而使談間隔件夾置於基板與下模之間，以使該封 裝膠體填充於該空穴中而包覆晶片並流入該晶片與基 板之間的空隙以填充於該基板的開孔、該間隔件之通 參孔、及該空隙中而包覆該銲線； 自該基板上移除該上下模及間隔件； 植設多數銲球於各該基板之下表面上未形成有該 封裝膠體的區域並外露；以及 切割該形成於基板上表面上的封裝膠體部分以及 該基板片以分離各該基板，而形成多數個別的半導體 封裝件各具有一單離之基板。 11.如申請專利範圍第1 〇項之製法，其中該形成於基板上 表面的封裝膠體部分具有小於該銲球高度的厚度。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之製法，其中該晶片具有一作 ®用表面及一相對之非作用表面，該作用表面朝向該開 孔且與該銲線連接，而使該作用表面完全為該膠黏劑 及封裝膠體所包覆。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之製法，其中該晶片之非作用 表面係外露出該封裝膠體。

   17435 聯測.ptd 第24頁 200529332 六、申請專利範圍 1 4 .如申請專利範圍第1 0項之製法，其中該晶片之表面積 大於該基板之開孔而完全遮覆住該開孔。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之製法，其中該開孔係呈矩 形，具有二相對較長側邊及二相對較短側邊。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之製法，其中該片與基板之間 的空隙位於該開孔之二較短側邊。 1 7 .如申請專利範圍第1 0項之製法，其中該空隙具有與該 膠黏劑之厚度相同的預定高度，以使該樹脂材料之粒 子得通過該空隙。 1 8 .如申請專利範圍第1 6項之製法，其中該空隙具有與該 膠黏劑之厚度相同的預定南度，以使該樹脂材料之粒 子得通過該空隙。 1 9 .如申請專利範圍第1 0項之製法，其中該下模具有一與 間隔件觸接之平坦面。 2 0 .如申請專利範圍第1 0項之製法，其中該間隔件以堅硬 材料製成。

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