TW200529129A - A current driven display device - Google Patents
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- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 241001634851 Apaturinae Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010356 tongguan Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
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- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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200529129 五、發明說明(1) 【發明所屬之技術領域 本發明係有關於一種電流驅動顯示裝 -種可防止電致遷移效應之電致發光顯示裝置於 【先前技術】 通常在導線中電流係靠電子的移 差跨在-導線(例如為一金屬線)的兩端,=,::電壓 金屬線,使電流流動並在導绫中逢4f子開始流經該 高以及舍w道ί ϊ Ϊ 。當導線的溫度升 回以及田電机机過導線而產生質量遷移時备开 效應’因為移動電子所產生動量互換以及; 響結合所產生的雙重效應會產生上述的電斤; 置遷移。此質量遷移會導致導線内之部分導線離子自原本 的晶粒位置脫離,脫離後會在導線内會留下空位或者空 缺;或者是導線離子的沉積而成一小丘(hiu〇cks)或晶^ (whiskers)。如此即會造成在導線内之開路或短路的情、 形;並進一步影響到電流驅動顯示器之效能。 電致遷移會進一步影響到半導體元件中其他的問題, 舉例來說,當一鈍化層(passivation layer)(例如:玻 璃、氮化矽(Si3N4)、或二氧化矽(Si02)層)形成在一半導體 裝置上時,會因移動或沉積的金屬原子造成斷裂,導致裝 置中一些元件曝露在空氣中而腐蝕。 引起電致效應的原因有二,溫度以及電流密度。一般 來說,電流密度低於104安培/平方公分(A/cm2),電致遷 移效應對於導線之生命週期之影響較小。當電流密度大於 _1 0632-A50144™F(5.0IK) · AU0304045 ; mike.ptd 第6頁 200529129 五、發明說明(2) 1 05 A/cm2時,電致遷移效應則為造成電路退化之主要原 因,目前知道的是電致遷移效應會發生於例如鋁(A 1 )、銅 (Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)或其組成物。 苐1圖顯示了在一 I呂線上因電致遷移效應所量測之曲 線圖,該鋁線包括一第一墊片,該第一墊片接收一電流密 度為2· 5 X 105 A/cm2之定電流(1 ),及一第二墊片接地。如 第1圖所示,在接近80 0 0秒處,鋁線兩端的跨壓從7. 9伏升 至9伏,從歐姆定律(v=IR)看來,因為其為一定電流,所 以此電壓的增加應該是鋁線中的電阻值增加所導致,而此 電阻值增加則因電致遷移效應所引起。 一傳統用以減輕金屬導線中電致效應的技術係將鋁 (A1)混合銅(Cu)、鈦(Ti)、鈀(Pd)或矽(Si)。另外一傳統 的方式則為提供一覆蓋結構(layere(j structure)。又一 習知的方式則為使用多條電源供應線去輪流抑制過度的電 流或過高的熱。然而,上述這些方式並未特別對電流驅動 顯示裝置(current-driven display device)(例如電致發 光顯不裝置)之電源線給一明確的設計規範。 【發明内容】 有鑑於此’本發明提供一裝置及方法,可解決習知所 遇到的問題而造成的限制或缺點。 為達上述優點’及根據本發明之目的,本發明提供一 電μ驅動裝置,係包括:複數條資料線;複數條掃描線,依 序垂直於該等掃描線形成;一受電流驅動之畫素陣列,各 該晝素係相鄰於其中一資料線及一掃描線而設置;至少一
200529129 五、發明說明(3) 電源供應線,係耦接至該該等晝素;其中,該 橫截面上之平均電流密度係不大於趨近丨〇5 "平;二線 (A/cm2)。 口/ 十万 a 分 其中,該電源供應線之橫截面更包含一寬 另,每一晝素更包含一電致發光元件。X子又。 =發明另提出一電致發光顯示裝置,係包括一畫素陣 列,每一晝素包含一驅動及控制電路以及一電致發光元 件;至少一第一電源供應;至少一第一電源供應線7係轉接 至該等晝素及該至少一第一電源供應;至少一第二電源供 應線;及至少一第二電源供應線,係耦接至該等畫素及該 至少一第一電源供應;其中該第一或第二電源供應線橫截 面上之平均電流密度係不大於趨近丨〇5安培/平方公分 (A/cm2)。 一方面,該電致發光元件進一步包括一有機發光二極 體。 本發明更長:出一抑制電流驅動顯示裝置内電源供應線 中電致遷移效應之方法,係包括:提供一畫素陣列,每一 晝素係包括一電致發光元件;提供至少一第一電源供應線; k供至少一第二電源供應線;將每一畫素電性耦接至該至 少一第一電源供應線其中一第一電源供應線及該至少一第 二電源供應線其中一第二電源供應線;提供一電流經該至 少一第一及該第二電源供應線至該等畫素中;測量該第一 或第二電源供應線橫截面上之最大平均電流密度係不大於 趨近105安培/平方公分(A/cm2)。
0632-A50144TWF(5.0版);AU0304045 ; mike.ptd 第8頁 200529129
和其他目的、特徵、和優點能更 佳實施例,並配合所附圖示,作 五、發明說明(4) 為了讓本發明之上述 明顯易懂,下文特舉一較 詳細說明如下: 【實施方式】 接:士介紹本發明之詳細實施例,及其相關實施例之 圖不:中,圖示中相同元件將使用相同標號。 第2 A圖係顯示本發明一電流驅動顯示裝置丨〇 一較佳每 ,例之電路圖,此電流驅動顯示裝置丨〇係包括一資料驅& Is 1 2、一掃描驅動器1 4、一晝素陣列丨6、以及至少一第一 電源供應線1 8-2以及至少一第二電源供應線2〇-2耦接至該 晝素陣列16。第一電源供應線18_2係麵接至一第一供應電 源(fir st power supply ),例如:電壓VDD,第二電源供應 線2 0 - 2係麵接至一第二供應電源,例如v § s,其中該第一 或第二電源供應線橫截面上之平均電流密度滿足不大於趨 近105安培/平方公分(A/cm2)。 ' 在本發明一較佳實施例中,第一電源供應線丨8 — 2或第 二電源供應線20-2之截面積包括一寬度(w)及一厚度(T), 當一電流(I )流經弟一電源供應線1 8 - 2或第二電源供應線 2 0-2時,電流密度=I/WT,由厚度(W)及寬度(Τ)需確保其 橫截面之最大平均電流密度係不大於l〇5A/cm2。在此實施 例中,寬度(W)係約介於1 0 0微米至4 0 0 0微米之間。厚度 (T)則介於2 0 0 0至6 0 0 0埃之間。第一電源供應線18-2或第 二電源供應線20-2可以包含鋁(A1)、銅(Cu)、銀(Ag)、金 (Au)、顧(pt)或其合成物。
0632-A50144TWF(5.(^);AU0304045;mike.ptd 第9頁 200529129
請再參閱第2A圖,一代 一資料線1 2 - 2及交錯之其中 線及每一掃描線係實質上呈 一驅動及控制電路1 6-4以及 後詳細敘述。 表畫素1 6 - 2係形成鄰近於其中 一掃描線1 4 - 2之間,每一資料 垂直設置’代表畫素16 — 2包括 一電致發光元件16-6,將於稍 16 2Π圖係為第2'圖中電流驅動顯示裝置代表書辛 16-2之部分放大圖,在實施一常 控制電路16-4包括有一開關雷曰 义旦素2中之驅動 芬一妙六帝—。 Ί關電日日體2 2、一驅動電晶體2 4、 至掃e6二開關f晶體22包括—閘極(未標號)搞接 —2,一源極(未標號)耦接至資料線12-2,以及 ^極轉接至儲存電容26之—端(未標號)。驅動電晶體^ ^隸(閘極(^標號)搞接至儲存電容26之一端(未標號卜 源極(未払唬)耦接至第一電源供應線18 — 2,以及一 (未標號)耦接至電致發光元件16 —6。儲存電容“的另^端 搞接至第一電源供應線1 8-2。 運作時’請參閱第2 A圖,掃描驅動器1 4啟動其中一掃 描線14-2,並藉由開啟連接至一掃描線14_2上之開關電Z 體22以選擇一對應列之晝素16。接著資料驅動器。藉由;】 啟驅動電晶體24以啟動其中一資料線12-2俾儲存資料。 致電發光元件16-6包括一第一端(未標號)經由驅動及 控制電路16-4耦接至第一電源供應線18-2。電致發光元件 16-6的數個第二端係互相連接以形成一共同電極,並經 由接觸孔30耦接至第二電源供應線2 〇-2。在本發明一實: 例中,電致發光元件16-6包含一電致發光層,此電致^ =
200529129 五、發明說明(6) 層包含一有機電致發光物質。第2C圖係為晝素μ中包括有 機發光二極體(0LED)34當作一電致發光元件。如第2C圖所 示’有機發光一極體3 4具有一正極3 4 - 2經由驅動及控制電 路16 4以及弟一電源供應線18-2 _接至電壓,以及一 負極34-4耦接至電壓VSS。
弟3圖係為一電流驅動顯示裝置4 〇另一較佳實施例之 電路示意圖。第3圖中的電流驅動顯示裝置4〇 ^大部分電 路係與弟2 A圖中之電流驅動顯示裝置1 〇相同,除了供應電 源外。電流驅動顯示裝置4 〇包括第一供應電源4 2 _ 2及4 2 一 4,例如電壓VDD,以及第二供應電源44 —2及44-4,例如 VSS。第一電源供應線42連接第一供應電源42 —2及4 2-4, 或第二電源供應線44連接第二供應電源2以及44 —4,並 在其各自電源供應線的橫截面上確保其平均電流密度滿足 不大於趨近1〇5安培/平方公*(A/cm2)。 本發明亦提供一抑制電流驅動顯示裝置内電源供應線 ^電致遷移效應之方法。提供一晝素陣列1 6,每一晝素1 6 括一電致發光元件i 6 —6。提供至少一第一電源供應線 “一,以及提供至少一第二電源供應線2〇-2,每一畫素16
電陡連接至其中一第一電源供應線丨8 — 2以及其中一第二電 應線20-2,接著,電流經由該至少一第一電源供應線 旦:及該至少一第二電源供應線2 〇 _ 2流經畫素丨6中,並測 里^第或第一電源供應線橫截面上之最大平均電流密度 不大於趨近1〇5安培/平方公*(A/cm2)。 雖;、、、:本卷明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以
200529129 五、發明說明(7) 限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神 和範圍内,當可作各種之更動與潤飾,因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
0632-A50144TWF(5.0版);AU0304045 ; mike.ptd 第12頁 200529129 圖式簡單說明 第1圖係顯示一在鋁線中產生電致遷移效應之量測曲 線圖; 第2 A圖係顯示本發明電流驅動顯示器一較佳實施例之 電路不意圖; 弟2B圖係顯不弟2A圖中電流驅動顯不益之晝素電路的 部分放大圖; 第2 C圖係顯不弟2 A圖中電流驅動顯不裔之畫素電路電 路圖;
第3圖係顯示本發明電流驅動顯示器另一較佳實施例 之電路示意圖。 【主要元件符號說明】 電流驅動顯示裝置〜1 0 ; 資料驅動器〜1 2 ; 掃描驅動器〜1 4 ; 晝素陣列〜1 6 ; 至少一第一電源供應線〜1 8 - 2 ; 至少一第二電源供應線〜2 0 - 2 ; 代表畫素〜16 - 2;
驅動控制電路〜1 6 - 4 ; 開關電晶體〜2 2; 驅動電晶體〜2 4 ; 儲存電容〜2 6 ; 掃描線〜1 4 - 2 ;
06324501441^(5.0版);人110304045;1^1^以(1 第 13 頁 200529129 圖式簡單說明 資料線〜12-2; 電致發光元件〜1 6 - 6 ; 共同電極〜2 8 ; 接觸孔〜3 0 ; 第一供應電源〜42-2及42-4; 第二供應電源〜44-2及44-4。
0632-A50144TWF(5.0tK) ; AU0304045 ; mike.ptd 第14頁 1^
Claims (1)
- 200529129 六 申請專利範圍1 · 一電流驅動顯示裝置,係包括: 複數條資料線; 禝歎條輙袖琢,入餵垂直於該等掃描線形 . 受電流驅動之畫素陣列,各該晝素係相i 甘 貧料線及一掃描線而設置; 於其中 至少一電源供應線,係耦接至該等晝素;及 其中該電源供應線橫截面上之平均電^资 ^ 趨近105安培/平方公分(A/cm2)。 ’丨L在又係不大於 2 ·如申請專利範圍第1項所述之電流驅動 其中該電源供應線之橫截面更包含一寬度及厚、、、产不裝置,3·如申請專利範圍第1項所述之電流驅+又一° 其中各該畫素進一步包含一電致發光元件。、、示裝置’ 4·如申請專利範圍第3項所述之電流驅動 其中該電致發光元件包含一正極、一負極及:、广裝置 極及負極間之電致發光層。 t成於該 5·如申請專利範圍第4項所述之電流驅動顯厂 該電致發光層更包含一有機發光物質。 、、示裝置 6·如申請專利範圍第4項所述之電流驅動一 該電致發光元件之正極係經由一驅動及控制雷 攻置 第一電源供應線。 j電路輕接至7.如申請專利範圍第4項所述之電流驅動 其中該負極係耦接至一第二電源線。 衣罝 8 ·如申請專利範圍第2項所述之電流驅動顯示 其中該寬度係介於1〇〇微米至4〇〇0微米。 v、裝置200529129 六、申請專利範圍 9 ·如申請專利範圍第2項所述之電流驅動顯示裝置, 其中該厚度係介於2 000埃至6000埃。 I 〇 · —電致發光顯示裝置,係包括·· 一晝素陣列,各該畫素更包含一驅動及控制電路以及 一電致發光元件; 至少一第一供應電源; 至少一第一電源供應線,係耦接至該等晝素及該至小 一第一供應電源; 至少一第二供應電源;及 至少一第二電源供應線,係麵接至該等晝素及該至丨 一第二供應電源; 電流密 其中該第一或第二電源供應線橫截面上之平均 度係不大於趨近1〇5安培/平方公分(A/cm2)。 寬度 II ·如申請專利範圍第1 〇項所述之電致發光顯示裝 置,其中該第一或第二電源供應線之橫截面更包含〜 及厚度。 置,其中該電致發光元件包含一正極、一負極及 該正極及負極間之電致發光層。 1 3 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之電致發光顯示筆 該電致發光層更包含一有機發光二極體。 & 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項所述之電致發光顯示筆 該電致發光層更包含一有機發光物質。 X 1 5 ·如申請專利範圍第丨2項所述之電致發光顯禾筆 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之電致發光顯示裝 ϊ及〜形 置 置0632-A50144TWF(5.(^);AU0304045;mike.ptd 第16頁 200529129 六、申請專利範圍 置,該電致發光元件之正極係經由一驅動及控制電路耦接 至一第一電源供應線。 16 置,其 少一第 17 遷移效 提 提 提 將 第 電源供 提 等畫素 測 流密度 18 置内電 光元件 成一電 19 置内電 發光層 •如申請專利範圍第1 2項所述之電致發光顯示裝 中該電致發光元件之負極係經由一接觸孔耦接該至 二電源供應線上。 • 一抑制一電流驅動顯示裝置内電源供應線中電致 應之方法,係包括: 供一畫素陣列,各該晝素係包括一電致發光元件; 供至少一第一電源供應線; 供至少一第二電源供應線; 每一晝素電性耦接至該至少一第一電源供應線其中 電源供應線及該至少一第二電源供應線其中一第二 應線; 供一電流經該至少一第一及該第二電源供應線至該 中;以及 量該第一或第二電源供應線橫截面上之最大平均電 係不大於趨近1〇5安培/平方公分(A/cm2)。 •如申請專利範圍第1 7項所述抑制電流驅動顯示裝 源供應線中電致遷移效應之方法,更包含在電致發 上形成一正極、一負極、以及在該正極及負極中形 致發光層之步驟。 •如申請專利範圍第1 8項所述抑制電流驅動顯示裝 源供應線中電致遷移效應之方法,更包含在該電致 中形成一有機電致發光材質。0632-A50144TWF(5.0版);AU0304045 ; mike.ptd 第17頁
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/785,100 US6998790B2 (en) | 2004-02-25 | 2004-02-25 | Design methodology of power supply lines in electroluminescence display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200529129A true TW200529129A (en) | 2005-09-01 |
| TWI285858B TWI285858B (en) | 2007-08-21 |
Family
ID=34861560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW093127267A TWI285858B (en) | 2004-02-25 | 2004-09-09 | A current driven display device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6998790B2 (zh) |
| CN (1) | CN100524415C (zh) |
| TW (1) | TWI285858B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI288377B (en) * | 2004-09-01 | 2007-10-11 | Au Optronics Corp | Organic light emitting display and display unit thereof |
| KR100725492B1 (ko) * | 2005-09-24 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 |
| JP5146090B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2013-02-20 | ソニー株式会社 | El表示パネル、電子機器及びel表示パネルの駆動方法 |
| CN109243348B (zh) * | 2018-11-09 | 2021-09-14 | 惠科股份有限公司 | 量测讯号电路及其量测方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6459153B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Compositions for improving interconnect metallization performance in integrated circuits |
| KR100675622B1 (ko) | 1999-08-16 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 전계발광표시장치 |
| JPWO2002075710A1 (ja) * | 2001-03-21 | 2004-07-08 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス型発光素子の駆動回路 |
| JP3788916B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2006-06-21 | 株式会社日立製作所 | 発光型表示装置 |
| US6891319B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-05-10 | Motorola, Inc. | Field emission display and methods of forming a field emission display |
| CN1407525A (zh) * | 2001-09-10 | 2003-04-02 | 翰立光电股份有限公司 | 有机发光二极管的驱动电路与方法 |
| JP3671012B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2005-07-13 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| KR100484092B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP3985736B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2007-10-03 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
-
2004
- 2004-02-25 US US10/785,100 patent/US6998790B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-09 TW TW093127267A patent/TWI285858B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-22 CN CNB2004100824525A patent/CN100524415C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6998790B2 (en) | 2006-02-14 |
| US20050184673A1 (en) | 2005-08-25 |
| CN1645457A (zh) | 2005-07-27 |
| CN100524415C (zh) | 2009-08-05 |
| TWI285858B (en) | 2007-08-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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