TW200417588A - Methanol-containing silica-based CMP compositions - Google Patents

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Description

200417588 玖、發明說明： 【技術領域】 本發明係關於含有一氧化石夕研磨劑之CMP抛光組合物， 以及一種以此類拋光組合物拋光基板之方法。 【先前技術】 平面化或拋光基板表面之組合物及方法係為人所熟知的 技術。拋光組合物（也是已知的拋光漿液）一般係在水溶液中 包含一研磨物質並藉一表面與飽有該拋光組合物之拋光墊 接觸以應用在該表面上。典型的研磨物質包括二氧化矽、 _ 氧化鈽、氧化銘、氧化錯及氧化錫。例如，美國專利第 5,527,423號描述一種藉表面與一拋光漿液接觸以化學機械 拋光一金屬層的方法，其中該拋光漿液係在水性媒介中包 含兩純度的細金屬氧化物粒子。拋光漿液一般係與拋光墊 (如拋光布或盤）結合使用。適合的拋光墊係描述於美國專利 第6,062,968號、第6，117,000號、第6，126,532號及美國專利 第5,489,233號中，其中前三者係揭示具有開口格多孔網狀· 物之燒結聚胺基甲酸酯拋光墊的用途，而後者係揭示具有 籲 表面紋理或圖案之固體拋光墊的用途。或者，將研磨材料 摻入拋光墊中。美國專利第5,958,794號揭示一種固定研磨 抛光墊。 慣用拋光系統及抛光方法一般在平面化半導體晶圓方面 係不全然令人滿意的。特定言之，拋光組合物及抛光塾的 拋光速率或拋光選擇性不盡理想，而且其用於化學機械拋 光半導體表面時所獲得的表面品質不佳。因為半導體晶圓
O:\88\8S006.DOC 200417588 的性能係與其表面的平面性有直接關係，因此使用一種可 獲得高抛光效率、選擇性、均勻度及去除率並留下最少表 面缺陷之高品質拋光的拋光組合物及方法是重要的。 創造一種半導體晶圓用之有效拋光系統的困難度係源自 於半導體晶圓的複雜性。半導體晶圓一般係由一板上已形 成多個電晶體之基板所構成的。積體電路係藉圖案化基板 中之區域及基板上之各層以化學及物理方式連接基板。為 製造可操作的半導體晶圓並最大化晶圓產量、性能及可靠 性，希望旎拋光所選晶圓表面，而對下面結構或地形無不 利〜響事貝上，若程序步驟不是在經適當平面化之晶圓 表面上完成，則半導體製造時可能發生許多問題。 醇類在拋光組合物中的用途在技術上係為人所熟知的。 ^ 5,476,606¾^ 光組合物，其包含研磨劑及含有兩個酸基（如羥基）之陰離子 ，其中該陰離子傳說可控制二氧化矽的去除速率。美國專 利第5,614,444號揭示含有拋光添加劑之拋光組合物，其中該 拋光添加劑具有極性組份（如醇）及非極性組份（如烷基）。該 拋光添加劑係用於抑制介電材料的去除速率。美國專利第 5,733,819號揭示一種拋光組合物，其包含氮化矽研磨劑、 水&及視情況選用之水溶性醇添加劑（如乙醇、丙醇、乙 二醇）。美國專㈣5,738,800號揭卜種水性抛光組合物， 其包含研磨齊卜界面活性劑及含有兩個官能基（如經基）之錯 合劑，其中該錯合劑傳說可錯合二氧化矽及氮化矽層。美 國專利第5,770,103號揭示一種拋光組合物，其含有單 :
O:\88\88006.DOC 200417588 -或三取代酚化合物，其中該酚化合物傳說可增加鈦基板層 之去除速率。美國專利第5,895,509號揭示一種拋光組合物 ’其包含研磨劑、異丙醇及水。美國專利申請案第 2001/0013506號揭示一種拋光組合物，其包含研磨粒子、 氧化劑、pH 5至11及視情況選用之有機稀釋劑（如甲醇、乙 醇、乙二醇或甘油）。EP 1 150 341 A1揭示醇類在含有成膜 劑之拋光組合物中作為助溶劑的用途。jP 11116942揭示一 種抛光組合物’其包含二氧化^夕、水、水溶性聚合體化合 物、驗及具有1-1〇個醇系經基之化合物。jp 2000230169揭 示一種水性拋光組合物，其包含二氧化矽、pH緩衝液及水 溶性抛光加速劑（如醇），其中該拋光加速劑傳說可改善抛光 速率。WO 98/48453揭示一種拋光組合物，其包含球形二氧 化矽、氫氧化胺及含有多達9〇/()醇之鹼性液體载劑，其中該 驗性液體載劑傳說可增加拋光速率。w〇 〇1/84613揭示一種 固定研磨物件與一種含有極性組份（如曱醇、乙醇等）之水性 拋光組合物的用途，其中該極性組份傳說可降低拋光組合 物之表面張力並提供疏水基板表面較佳潤濕度。 但是，仍需要另一種呈現令人滿意之拋光特徵如良好去 除速率及低表面缺陷的拋光組合物。本發明係尋求提供此 類拋光組合物及方法。由在此所提供之本發明描述可清楚 了解本發明這些及其他優點。 疋 【發明内容】 本發明係提供一種拋光組合物，其包含（a) 一種二氧化矽 研磨d ’（b)曱醇及（c)一種液體載劑，其中該拋光組合物的
O:\88\88006.DOC 200417588 pH為1至6，而且二氧化矽研磨劑與甲醇間之相互作用可提 供該拋光組合物膠體安定性。本發明也提供一種利用該拋 光組合物拋光基板之方法，其中該基板係包含以二氧化矽 為基礎之介電層。本發明另提供一種藉二氧化矽研磨劑與 甲醇接觸以安定該研磨劑之方法。 本發明係關於-種拋光組合物，其包含二氧切研磨劑 、甲醇及液體載劑。該拋光組合物的pHg丨至6。二氧化矽 研磨劑與甲醇間之相互作用可提供該拋光組合物：體安定 性。 該二氧化矽研磨劑一般係選自由煙燻二氧化矽、 ^ -喂，肢一 氧化石夕、覆有二氧切之研磨粒子、含二氧切之共煙燦 粒子（如錢銘）及其組合物組成之群。覆有二氧化梦之研磨 粒子可包括覆有二氧切之氧化銘或覆有二氡切之聚合 物粒子。含二氧化矽之共煙燻粒子一般包含1〇重量％或更 多石夕。抛光組合物中可存在任何適合量之二氡化石夕。該拋 光組合物-般包含量為(^重量。/。或更多(如〇 5重量％或更 多）之二氧切研磨劑。抛光組合物一般也包含量為5重量％ 或更少（如2重量％或更少或丨重量％ 磨劑。 丈夕）之一虱化矽研 在酸性條件下二氧化矽研磨劑 一種# — 从、甲知間之相互作用成形 ㈣體文定之拋光組合物。膠體安定 羊萨H士叫， 1糸相§於研磨粒 子皈守間保持懸浮狀態。在本發明文章 細八私7嬰 將1 〇〇 *升抛光 、·且5物置於100毫升量筒中並使其未授 ，若晉〜产A 不視许靜置2小時的時間 同底部5〇毫升之粒子濃度㈣，例如以克/毫升為單
O:\88\88006.DOC 200417588 位）與ΐ筒頂部50毫升之粒子濃度（[τ]，例如以克/毫升為單 間的差除以研磨組合物中粒子的初濃度（[c]，例如以克/ 尾升為早位）係小於或等於〇 5(即{[BHT]}/[c]^〇 〇，則該 拋光組合物係視為是膠體安定的。[B]_[T]/[c]之值最好低於 或等於0.3，較佳係低於或等於〇1。 一氧化矽研磨劑的平均粒徑一般為500毫莫耳或更小，如 10¾微米至5〇〇毫微米。較佳地，二氧化矽研磨劑的平均粒 住為250¾莫耳或更小，如1〇毫微米至25〇毫微米。更佳地 ，二氧化矽研磨劑的平均粒徑為150毫莫耳或更小，如1〇毫 U米至150¾微米或10毫微米至12〇毫微米。 拋光組合物中可存在任何適合量之甲醇。甲醇量相對於二 氧化石夕研磨劑之量應足以產生一膠體安定的拋光組合物。 甲醇一般以1〇〇 ppm或更多（如2〇〇 ppm或更多）的量存在於 it光、、且5物中。甲醇一般也為ppm或更少（如6000 ppm或更少，4〇〇〇 ppm或更少或2〇〇〇 ppm或更少）之量存在 於拋光組合物中。較佳為拋光組合物包含1〇〇沖㈤至⑻ ppm甲醇。更佳為拋光組合物包含100 ppm至800 ppm甲醇。 最佳為拋光組合物包含1〇〇 ppm至5〇〇 ppm(如1〇〇 ppm至 400 ppm或200 ρρχτ^ 4〇〇 ppm)。甲醇在撤光組合物中的存 在量係與二氧化矽研磨劑之量有關。例如，拋光組合物中 每重$%之二氧化矽研磨劑可包含2〇〇 ppms4〇〇〇卯㈤（如 200 ppm至 2000 ppm或 2〇〇 沖茁至 16〇〇 ppm)甲醇。 拋光組合物具有一丨至6之酸性pH。較佳係拋光組合物的 pH為1.5至5 (如1.5至4)。拋光組合物視情況另包含1)]9[調整
O:\88\88006.DOC 200417588 劑’例如氫氧化鉀或氫氧⑽、無朗或有機酸。 二氧化石夕研磨劑在較高阳下（如PH高於6)是非常安定的 。但是，在酸性阳下（如pH低於6)，二氧化石夕粒子具有較低 表面電荷’暗示二氧切粒子上所存在㈣基係被質子化 。在酸性條件下，二氧化梦粒子極可能碰撞，結果不可逆 地形切氧㈣及集結。則、量甲醇處理二氧切研磨劑 可使二氧化矽研磨劑在低pH下安定（如降低集結）。甲醇在 酸性條件下與表面石夕院醇基反應。膠體：氧化♦粒子的表 面羥基比煙燻二氧化矽多，因此在酸性？11下更不易安定。 液體載劑係用於幫助二氧化矽研磨劑、甲醇及任何選用 添加劑應用在欲拋光（如平面化）之適合基板表面。液體載劑 一般是水性載體並可只有水，可包含水與可與水互溶之適 合溶劑或為乳液。較佳地，水性載劑係由水組成，更佳係 由去離子水組成。 抛光組合物視情況另包含一氧化劑。該氧化劑可為任何 適合的氧化劑。適合的氧化劑包括無機及有機過_化合物、 溴酸鹽、硝酸鹽、氯酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、鐵及銅鹽（如 硝酸鹽、硫酸鹽、EDTA及檸檬酸鹽）、稀土及過渡金屬氧 化物（如四氧化锇）、鐵氰化鉀、重鉻酸鉀、碘酸及類似物。 過-化合物（如Hawley的濃縮化學字典所定義）是一種含有至 少一個過氧基之化合物或一種含有最高氧化態元 素之化合物。含至少一個過氧基之化合物實例包括（但不限 於）過氧化氫及其加成物如過氧氫脲及過破酸鹽、有機過^ 化物如過氧化苯曱醯、過乙酸及二-第三丁基過氧化物、單 O:\88\88006.DOC -10- 200417588 過硫酸鹽（so/-)、二過硫酸鹽（S2〇82-)及過氧化鈉。含最高 氧化恶元素之化合物貫例包括（但不限於）過礙酸、過蛾酸鹽 、過溴酸、過溴酸鹽、過氯酸'過氯酸鹽、過硼酸、過硼 酸鹽及過鐘酸鹽。該氧化劑最好為過氧化氫。 拋光組合物視情況另包含鉗合或錯合劑。錯合劑可為任 何適合提面欲去除基板層之去除速率的化學添加劑。適合 的鉗合或錯合劑可包括，例如羰基化合物（如乙醯丙酮化物 及類似物）、簡單羧酸鹽（如乙酸鹽、芳基羧酸鹽及類似物） 、含有一或多個羥基之羧酸鹽（如乙醇酸鹽、乳酸鹽、葡糖 酸鹽、沒食子酸及其鹽類和類似物）、二_、三_及多·羧酸鹽 (如草酸鹽、苯二甲酸鹽、檸檬酸鹽、肉桂酸鹽、酒石酸鹽 、蘋果酸鹽、乙二胺四乙酸鹽（如EDTA二鉀）、聚丙烯酸酯 、其混合物及類似物）、含有一或多個磺酸及/或膦酸基之羧 酸鹽及類似物。適合的鉗合或錯合劑也包括，例如二-、三 -或多元醇（如乙二醇、鄰苯二酚、連苯三酚、丹寧酸及類似 物）及含胺化合物（如氨、胺基酸、胺基醇、二…三-及聚胺 和類似物）。較佳地，錯合劑是羧酸鹽，更佳係為草酸鹽。 鉗合或錯合劑之選擇將視欲去除基板層的類型而定。 應了解4多上逑化合物可以鹽（如金屬鹽、銨鹽或類似物） 、酸或部分鹽的型態存在。例如，檸檬酸鹽包括檸檬酸以 及其單…二-和三-鹽；苯二甲酸鹽包括苯二甲酸以及其單 鹽（如苯二甲酸氫鉀）和二鹽；過氯酸鹽包括對應酸（如過氯 酸）以及其鹽類。再者，特定化合物或試劑可完成超過一種 功能°例如’部分化合物可作為钳合劑及氧化劑（如特定石肖
O:\88\88006.DOC 200417588 酸鐵及類似物）。 拋光組合物可以任何適合方式製得。一般，將製得在此 所描述之拋光組合物’而且含有二氧切研磨劑及液體載 劑之拋光組合物將藉由⑴提供二氧化矽研磨劑，（ϋ)提供一 種二氧化矽研磨劑用之液體載劑及（iii)該二氧化矽研磨劑 與甲醇接觸，最好在PhU6下形成—安^抛光組合物而安 定。甲醇可在製備（或安定化）拋光組合物時任何適合點與二 氧化矽研磨劑接觸（並相互作用）。因此，例如，可將甲醇加 至含有二氧化矽研磨劑及液體載劑之拋光組合物中。或者 或^且，甲_可在二氧化石夕研磨劑加A液體载劑之前與該 一氧化吩研磨劑接觸。 在此所描述之拋光組合物可用於拋光（如平面化）基板。拋 光基板之方法係包括⑴提供拋光組合物，（ii)令基板與該抛 光組合物接觸，及（iii)以該拋光組合物磨掉至少一部分基板 以拋光該基板。該拋光組合物最好可用於一種拋光一包含 至少-個介質層之基板的方法中’藉此使基板與該抛光組 合物接觸並磨掉至少—部分基板之介質層，使該介質層變 光滑。該基板可為任何適合的基板（如㈣電路、記憶體或 硬碟、金屬、ILD層、半導體、微電機械系統、鐵電、磁頭 、聚合膜及低和高介電常數膜）並可包含任何適合的介質層 (如絕緣層）。-般介質層是—时為基礎的物質，例如二^ 化石夕。介質層也可為多孔金屬氧化物、玻璃、有機聚合物、 氟化有機聚合物或任何其他適合的高或低_k介質層。該介 質層最好包含氧化石夕、氮化石夕、氧氮化石夕、碳化石夕、氧化
O:\88\88006.DOC -12- 200417588 :或"電’數為3·5或更低之物質。該基板一般另包含一或 夕層’包括金屬或抛光終止層（如氮化外例如，金屬可為 、烏銅！呂或鎳。較佳地，金屬是鎮或銅。相較於許多慣 用拋光組合物，該拋光組合物可提供良好的拋光效率、選 擇性、均W及/或去除速率以及較低的基板表面腐姓和較 少表面缺陷。 本發明拋光組合物係特別適合用於拋光含鎢基板。更明 確地’已發現曾以本發明抛光組合物拋光過之含鎢基板所 呈現的總表面缺陷比曾利用不含甲醇之類似拋光組合物拋 光過的基板少。特別地，本發明拋光組合物在金屬導線及 絕緣層（如氧化層）上產生較少腐蝕缺陷、較少粒子殘留及較 少缺陷。本發明拋光組合物也呈現明顯降低鎢心缺陷的數 目；、、：而不希^文任何特定理論所限制，相信總缺陷的減 少邵分係由於甲醇與二氧化矽研磨劑間的相互作用。也相 信鎢心缺陷的減少部分係由於基板表面上甲醇與鎢間的相 互作用。 【實施方式】 下列實例進一步說明本發明，但當然不應解釋成可以任 何方式限制其範圍。 實例1 此實例說明經甲醇處理之二氧化矽粒子在酸性{)11下是膠 體安定的。 令含有水及1.72重量％膠體二氧化矽研磨劑（Akz〇 N〇bel 6111(12丨1 50/80观二氧化石夕）之拋光組合物在1〇〇毫升試管中 O:\88\88006.DOC -13 - 200417588 pH 2 ·3下靜置2星期。抛光組合物1A(控制組）不含任何添加 劑。拋光組合物1B及1C(本發明）分別包含150及750 ppm甲 醇。拋光組合物1D及1E(控制組）分別包含150及750 ppm乙 醇。拋光組合物1F及1G分別包含150及750 ppm三甲基氫氧 化銨。拋光組合物1H及II分別包含150及750 ppm氨。拋光 組合物1J及1K分別包含150及750 ppm石肖酸銘。兩星期結束 時，記錄各拋光組合物之沈降研磨粒子的體積（以毫升表示） 及位於100毫升試管頂端之澄清溶液的體積（以毫升表示）。二 氧化矽研磨劑在拋光組合物中的總體積為7毫升。在沈降體 積大於7毫升之實例，粒子體積係因吸附添加劑分子間的排 斥而脹大。結果係概述於表1中。 表1 抛光組合物 添加劑 沈降體積 頂端之澄清溶液 1A 無 6.5 93.5 1B 150 ppm MeOH 2 6 1C 750 ppm MeOH 0 3 1D 150 ppm EtOH 2.5 8 1E 750 ppm EtOH 2.5 8 1F 150 ppm [Me3NH]OH 9 50 1G 750 ppm [Me3NH]OH 13 87 1H 150 ppm 氨 5.5 12 11 750 ppm 氨 4 10 1J 150ppmAl(NO3)3 13 87 1K 750ppmAl(NO3)3 6.5 93.5 O:\88\88006.DOC -14- 200417588 表1中所提結果證明含有甲醇之以二氧化矽研磨劑為基 礎的拋光組合物（拋光組合物1B及1C)在酸性條件丁呈現膠 體安定性。不含甲醇如不含任何添加劑或含乙醇、三甲基 氣氧化錢、氨或硝酸銘之類似以二氧化矽研磨劑為基礎的 拋光組合物（拋光組合物1A及1D-1K)係如較大沈降體積所 證明的，呈現較差的膠體安定性。 實例2 此實例說明經甲醇處理過之二氧化矽粒子在酸性pH下是 勝體安定的。 _ 令含有水及1.72重量❶膠體二氧化矽研磨劑（Akz〇 Bindzil 50/80™二氧化矽）的拋光組合物在1〇〇毫升試管中 pH 2.3下靜置1星期。拋光組合物2A(控制組）不含任何醇添 加劑。拋光組合物2B-2H(本發明）分別包含5〇、1〇〇、25卜 5〇〇、75〇、1500及2500啊甲醇。一星期結束時記錄各 拋光組合物之沈降研磨粒子的體積（以毫升表示）及位於1〇〇 毫升試管頂端之澄清溶液的體積（以毫升表示）。二氧切研- 磨劑在拋光組合物中的總體積為7毫升。結果係概述於幻 # 中〇
O:\88\88006.DOC -15- 表2 拋光組合物 甲醇(ppm) 沈降體積 頂端之澄清溶液 2A 0 6.5 93.5 2B 50 1 7 2C 100 0 3 2D 250 0 3 2E 500 0 3 2F 750 0 3 2G 1500 0 3 2H 2500 1 3 200417588 表2中所提結果證明含有甲醇之以二氧化矽研磨劑為基 礎的拋光組合物（拋光組合物2B-2H)不像不含甲醇之類似 以二氧化矽研磨劑為基礎的拋光組合物（拋光組合物2A)在 酸性條件下係呈現膠體安定性。 實例3 此實例說明含有二氧化矽研磨劑及甲醇之拋光組合物具 有較低腐餘發生率。 在類似條件下利用不同拋光組合物（拋光組合物3A-3C) 拋光含有鎢及氧化物層之類似圖案晶圓。拋光組合物3A-3C 各包含水、1.5重量％煙燻二氧化矽及4重量％ H202。拋光組 合物3A(控制組）不含曱醇。拋光組合物3B及3C(本發明）分 別包含250及750 ppm甲醇。各拋光組合物係用於拋光鎢圖 案晶圓。測量各拋光組合物清理50%線密度（間隔0.35微米 之0.35微米線）、72%線密度（間隔0.35微米之0.9微米線）及 O:\88\8S006.DOC -16- 200417588 83%線密度（間隔0·5微米之2.5微米線）等區域中之鎢圖案特 徵以及氧化物腐蝕的時間。結果係概述於表3中。 表3 抛光 甲醇(ppm) 清理需時間 50%腐蝕 72%腐蝕 83%腐蝕 組合物 (秒） (埃） (埃） (埃） 3A 0 141 538 464 1770 3B 250 119 305 282 1550 3C 750 136 431 383 1704 表3中所提結果顯示含有二氧化矽研磨劑及甲醇之拋光 組合物在酸性pH下具有比不含甲醇之類似拋光合物更快的 清理時間並產生較少腐蝕。 實例4 此實例說明含有二氧化矽研磨劑及甲醇之拋光組合物具 有較低腐姓發生率。 在類似條件下利用不同拋光組合物（拋光組合物4A-4D) 拋光含有鎢及氧化物層之類似圖案晶圓。拋光組合物4 A及 4B包含水、1.5重量％煙燻二氧化矽及4重量％ H202。拋光 組合物4C及4D包含水、0.5重量％煙燻二氧化矽及4重量％ H202。拋光組合物4A及4C(控制組）不含甲醇。抛光組合物 4B及4D(本發明）包含600 ppm甲醇。各拋光組合物係用於拋 光鎢晶圓。測定三個基板區域，包括50%線密度（間隔0.35 微米之0.35微米線）、72%線密度（間隔0.35微米之0.9微米線） 及83%線密度（間隔0.5微米之2.5微米線）等區域在利用各拋 光組合物拋光基板期間所發生之氧化物腐蝕量（以埃表示）。 O:\88\88006.DOC -17- 200417588 結果係概述於表4中。 表4 抛光組合物 甲醇(ppm) 50%腐蝕(埃） 72%腐蝕(埃） 83%腐蝕(埃） 4A 0 570 505 1695 4B 600 376 372 1796 4C 0 498 453 1251 4D 600 404 231 1186 表4中所提結果顯示含有二氧化矽研磨劑及甲醇之拋光 組合物在酸性pH下所產生的腐蝕少於不含甲醇之類似拋 光組合物。 實例5 此實例說明本發明拋光組合物當用於拋光含鎢基板時， 相較於不含甲醇之類似拋光組合物係呈現較少鎢心缺陷。 在類似條件下利用 6種不同拋光組合物（拋光組合物 5A-5F)拋光含有鎢及氧化物層之類似圖案晶圓。拋光組合 物5A不含甲醇，拋光組合物5B-5F與拋光組合物5A完全 相同，除了其分別包含170、250、290、500及750ppm甲 醇外。利用拋光組合物5A進行36次拋光以測定拋光組合 物所呈現之平均鎢心缺陷。利用AIT 2檢測系統（加州聖荷 西市之KLA-Tencor)測量各已抛光晶圓上之鎮心缺陷。這些 測量結果係概述於表5中。 O:\88\88006.DOC -18- 200417588
^~~~__if — _1^1 =口中所列結果顯示經本發明拋光組合物抛光過之含嫣 I 現的鵁心缺陷比經不含甲醇之類似減組合物拋 光過的基板少。 將本文所引用之所有夂 妥 ♦考又獻，包括公開案、專利申請 財式併人本文中，㈣用程度就如同已 特足地t個別地將各參考文獻以引用方式併入及本文所陳 述之整體揭7F内容一般。 描寫本發明之文章中 又早中（特別係在下列申請專利範圍文 中），’’ 一”及”該，，和類似浐 ，、似扣不同的使用係被解釋為 及複數，除非文中另外浐_彳、、+ * 識早數 ” ，， ^卜^不或又中清楚地限制之。，，包含，，、，， 八有。括及含有，，等詞係被解釋為開放式名詞（即，，勺 括’但不限於，，），险非、 乙 除非另外狂明。本文所列數值範入 圖作為個別論及落在此範 /、止 法，除非文中另外指示，二口 * 、 衣達万 4、而且各獨立係被併入此專利今日 書中’就如同本文個別敘述般。所有本文所描述之方：月 以任何週合順序進行，除非文中另外指示或文中另心
O:\88\88006.DOC -19- 200417588 二斤提供任何及所有實例，或示範性言語的 限制，發;:解釋得更好，並不對本發明範園造成 釋成指+ 寻利況明書中典任何言語應被解 編如貫施本發明必要之任何非主張元争。 已:= 圭具體實施例已描述於本文中，包括本發明者 後，明<取佳以。待熟諳此技者閱讀前面描述 =廷些較佳具體實施例之變化例對其是顯而易見。本發 :!=請此技者適當利用此類變化例，而且本發明者 打异使本發明以異於本文特別描述之方式實施。因此，本 發明包括如適用法律容許到此所附申請專利範圍中所述主 題之所有改良和同等物。此外，在其所有可能變化例中任 何上述元素之組合皆涵蓋在本發明内’除非文中另外指示 或文中另外清楚地限制之。 O:\88\88006.DOC 20-

Claims (1)

  1. 200417588 拾、申請專利範園： 1 · 一種拋光組合物，其包含： (a) 二氧化石夕研磨劑； (b) 甲醇；及 (c) 一種液體載劑； 其中4抛光組合物的pH為1至6，而且該二氧化矽研磨 劑與甲醇間之相互作用可提供該拋光組合物膠體安定 性。 2. 如申請專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該二氧化矽 研磨劑係選自由煙燦二氧切、膠體二氧化梦、覆有 二氧化矽之研磨粒子及其組合物組成之群。 3. 如申請專利範圍第1項之拋光組合物，其中該拋光組合 物的pH為1.5至4。 申月專利範圍第1項之拋光組合物，其中該液體載劑 包含水。 5·如申睛專利範圍第1項之拋光組合物，其中該甲醇的存 在里為 100 PPm至 1500 ppm。 6.如:請專利範圍第5項之拋光組合物，其中該甲醇的存 在置為 100 Ppm至 800 ppm。 7·如申請專利範圍第1項之拋光組合物，其中該二氧化石夕 研磨劑的存在量為〇·5重量％至5重量％。 8· ^申請專利範圍第5項之撤光組合物，#中每重量％二 氧化矽研磨劑中存在200 PPm至3000 ppm甲醇。 如申明專利範圍第6項之拋光組合物，其中每重量％ O:\88\88006.DOC 200417588 —氧化石夕研磨劑中存在200 ppm至1600 ppm甲醇。 10·如申請專利範圍第1項之拋光組合物，其中該組合物另 包含一氧化劑。 11 ·如申請專利範圍第1項之拋光組合物，其中該組合物另 包含一錯合劑。 12· 一種拋光基板之方法，其包括⑴一基板與申請專利範 圍第1項之拋光組合物接觸，其中該基板包含一以二氧 化矽為基礎之層，及（ii)以該拋光組合物磨掉至少一部 分基板以拋光該基板。 13.如申請專利範圍第12項之方法，纟中該基板另包含一 嫣層。 14·如中請專利範圍第12項之方法，其中該基板另包含_ 銅或鎳層。 15.如申請專利範圍第12項之方法，其中該以二氧化矽為 基礎之層是二氧化石夕，而且該基板另包含一氮化石夕層 其中該拋光組合物包含 而該方法係包括⑴提供 氧化石夕研磨劑用之液體 劑舆甲醇接觸以形成一 ，其中該拋光組合物的
    1 6. —種安定拋光組合物之方法， 二氧化碎研磨劑及液體載劑， 二氧化石夕研磨劑，（ii)提供該二 載背i ’及（iii)令該二氧化石夕研磨 安定化的拋光組合物。 17.如申請專利範圍第16項之方法 pH為1至6。 O:\88\88006.DOC -2- 200417588 柒、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（ ）圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明·· 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） O:\88\88006.DOC
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