TW200416609A - Memory device - Google Patents
Memory device Download PDFInfo
- Publication number
- TW200416609A TW200416609A TW092135444A TW92135444A TW200416609A TW 200416609 A TW200416609 A TW 200416609A TW 092135444 A TW092135444 A TW 092135444A TW 92135444 A TW92135444 A TW 92135444A TW 200416609 A TW200416609 A TW 200416609A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- area
- replacement
- memory
- memory device
- patent application
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/1666—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware where the redundant component is memory or memory area
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/004—Error avoidance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
- G11C29/4401—Indication or identification of errors, e.g. for repair for self repair
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/76—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
- G06F11/2053—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements where persistent mass storage functionality or persistent mass storage control functionality is redundant
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0407—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals on power on
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0409—Online test
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2229/00—Indexing scheme relating to checking stores for correct operation, subsequent repair or testing stores during standby or offline operation
- G11C2229/70—Indexing scheme relating to G11C29/70, for implementation aspects of redundancy repair
- G11C2229/72—Location of redundancy information
- G11C2229/723—Redundancy information stored in a part of the memory core to be repaired
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
Description
(1) (1)200416609 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於記憶裝置的可靠性提升技術,特別是關 於有效地使用於利用非揮發性半導體記憶體所構成的記憶 裝.置的資料救援之技術。 【先前技術】 記憶卡作爲個人電腦或多功能終端機等之記憶裝置, 正急速普及中。伴隨近年來的高性能化之要求,搭載於記 憶卡之半導體記憶體係使用例如可電性整批抹除、改寫, 不用電池可保持大容量資料之快閃記憶體。 在此種記憶卡中,有於半導體記憶體發生不良之際, 則更換該不良半導體記憶體和代替用半導體記憶體,以救 援記憶卡變成無法使用之記憶卡(例如,參考專利文獻1 )° [專利文獻1 ] 日本專利特開平3 -1 9 1 4 5 0號公報 【發明內容】 可是,在如上述之記憶卡的不良救援技術中,由本發 明者發現存在有如下之問題點。 即並非在事前將發生不良的半導體記憶體與代替用半 導體記憶體更換,而是在半導體記憶體發生不良了時,才 與代替用半導體記憶體更換,由於採取此種事後方式的對 (2) (2)200416609 應故,所以存在有發生不良處所的資料無法獲得保I登之問 題。 本發明之目的在於提供:檢測半導體記憶體的異常區 域,藉由通知、救援可以大幅提升可靠性之記憶裝置。 由本說明書的記載以及所附圖面,本發明之上述以及 其他目的和新的特徵理應可以變得淸楚。 [解決課題用手段] 如簡單說明本申請案中所揭示發明中的代表性者之槪 要,則如下述: 即本發明之記憶裝置係具備:1個以上之半導體記憶 體;及依據動作程式,讀出儲存在1個以上的半導體記憶 體之資料,進行特定的處理或資料的寫入動作指示等之資 訊處理部,該資訊處理部係檢測半導體記憶體的區域狀態 ’在判定該區域爲危險狀態時,於記憶裝置不實行動作處 理的閒置時,實行區域的代替處理,在盼應該區域爲界限 狀態時,即時實行區域的代替處理。 【實施方式】 以下,依據圖面而詳細說明本發明之實施形態。 桌1圖係依據本發明之一實施形態的記憶卡之方塊圖 ’第2圖係設置在第1圖之記憶卡的資訊處理部的方塊圖, _ 3圖係分別儲存在設置於第1圖的記億卡之半導體記憶體 白勺區域代替資訊儲存區域之區域代替表格構成圖,第4圖 -6- (3) (3)200416609 係顯示儲存在第1圖的半導體記憶體之區域代替資訊儲存 區域的區域代替表格的狀態旗標和該狀態旗標的內容之一 例的說明,第5圖係顯示第4圖的區域代替資訊的區域代替 原因之一例的說明圖,第6圖係第1圖的記憶卡的電源投入 後之重置處理、以及起始化處理的流程圖,第7圖係儲存 在設置於第1圖的記憶卡之Μ P U的工作區域之區域代替表 格的狀態遷移說明圖,第8圖係第1圖的記憶卡之指令處理 時的流程圖,第9圖係第1圖的記憶卡之緊急狀態時的指令 處理流程圖,第1 0圖係第1圖之記憶卡的丨D L Ε實行時的 指令處理流程圖,第1 1圖係第1圖的記憶卡之丨D L Ε實行 處理流程圖,第1 2圖係第1圖的記憶卡之區域代替中履歷 說明圖,第1 3圖係第1圖的記憶卡之區域代替處理流程圖 〇 在本實施形態中,記憶卡(記憶裝置)1例如係快閃 記憶卡等,當成作爲主機之個人電腦或多功能終端機等之 外部記憶媒體使用。 主機只要是以 ATA(AT Attachment) 、 CF 、 S C S I ( S m a I i Computer System Interface:小電腦系統介 面)等之一定的協定來進行資料存取者即可。 如第1圖所示般,記憶卡1係由資訊處理部2以及記憶 部3所構成。記憶部3例如由5個半導體記憶體3?〜35所構 成。這些半導體記憶體3!〜35例如由快閃記憶體等構成。 資訊處理部2以及半導體記憶體3,〜35係介由資料/ 位址匯流排B、以及訊號線匯流排S L而相互連接。 -7- (4) (4)200416609 資訊處理部2係依據動作程式而讀出儲存在半導體記 憶體3 1〜3 5之程式或資料等,進行特定的處理或資料的寫 入動作指示等,同時,檢出記憶部3的異常區域,進行通 知/救援。 此處’就區域做一說明。 在各半導體記憶體3,〜3 5設置由多數的扇區所構成的 記憶體墊’具備控制該記憶體墊的控制部。此控制部係由 :控制特定之扇區的個別控制部(個別周邊電路),和不 管扇區的位置而進行控制的共同控制部所形成。 在此情形下,於記憶體墊中,設個別之個別控制部所 控制的區域(實體區域)爲1單位區域。因此,藉由進行 區域代替,包含個別控制部之代替便屬可能。 另外’並非如上述之區域的設定,例如在各半導體記 憶體單位或者半導體記憶體設置多數的儲存區時,也可以 各儲存區單位爲1個區域。 另外,說明資訊處理部2的電路構造。 如第2圖所示般,資訊處理部2係由:外部裝置連接部 4、Μ P U 5、檢出部6、通知部7、區域代替處理部8、區域 解碼管理部9、緩衝控制部10、RAM (Random Access Memory :隨機存取記憶體)1 1、以及介面部1 2所構成。 此處,雖設資訊處理部2具備:檢出部6、通知部7、 區域代替處理部8、以及區域解碼管理部9之各機能方塊的 構造,例如,也可以設爲不在該資訊處理部2設置這些機 能方塊,Μ P U 5藉由軟體處理以實現各機能的構造。 (5) (5)200416609 心些外部裝置連接部4、Μ P U 5、檢出部6、通知部7 區域代替處理部8、區域解碼管理部g、緩衝控制部巧〇 、RAM11、以及介面部12係介由內部匯流排而相互連接 〇 外部裝置連接部4係與主機之介面。MPU ( Mic^〇p「ocessing Unit :微處理單元)5係依據動作程式而 讀出儲存在半導體記億體3 1〜3 5之程式或資料等,進行特 定的處理’同時,進行資料的寫入動作指示。 檢出部6係檢出發生異常的.區域。通知部7係依據檢出 部6檢出的結果,將該異常區域的發生通知主機等。區域 代替處理部8係職司異常發生區域的代替處理控制。 區域解碼管理部9係進行任意區域的存取許可/禁止 等之管理。緩衝控制部1 0係職司 RAM 1 1的控制,該 RAM 1 1係當成暫時儲存記憶部3的資料之資料緩衝器使用 的記憶體。介面部1 2係與記憶部3的介面。 另外,說明半導體記憶體3?〜35的內部構造。 如第1圖所示般,半導體記憶體3,、32係由:使用者 區域、代替區域、區域代替資訊儲存區域、以及管理區域 所構成。半導體記憶體3 3〜3 5係由:使用者區域、代替區 域、以及管理區域所構成。 使用者區域係使用者可以使用的資料區域,代替區域 係在使用者區域中,發生不良時被代替的區域。區域代替 資訊儲存區域係儲存區域代替區域貝5只之G域’管理U域 係儲存管理代替區域之代替資訊的區域。 -9- (6) (6)200416609 在半導體記憶體3,、32分別設置區域代替資訊儲存區 域,進行藉由多重化之資料保全。區域代替資訊儲存區域 係藉由不單在半導體記憶體3,、32,在其他的半導體記憶 體33〜35之其一或者全部也設置,可以更安全地保障資料 〇 第3圖係分別儲存在半導體記憶體3,、32之區域代替 資訊儲存區域之區域代替表格的構造圖。 區域代替表格係由:狀態旗標、代替原因、代替處、 以及目的地所形成。狀態旗標係顯示代替區域的狀態。第 4圖係顯示區域代替表格的狀態旗標和該狀態旗標的內容 之一例的說明圖。如圖示般,因應狀態旗標,有’正常( 空狀態)’、’正常(使用中)’、或’區域代替完了 代替處,等 之各種內容。 代替原因係顯示區域被代替的原因。代替處係顯示代 替處的實體區域號碼,代替目的地係顯示代替目的地的實 體區域號碼。 此區域代替表格係分別對應各半導體記憶體31〜35的 區域(區域號碼 N 〇 . 1〜N 〇 · 5 )而形成,在5單位的區域表 格設置冗餘區域而成爲1組。 几餘區域例如係附加 ECC(Error Correcting Code: 錯誤訂正碼)冗餘符號等之區域,藉由此E C C冗餘符號以 保護資料。此冗餘區域也可以省略。 第5圖係顯示區域代替原因的一例圖。 第5圖中’由左至右,分別顯示區域代替原因、對應 -10- (7) (7)200416609 該區域代替原因的內容之旗標、界限値、危險値、以及重 試處理之有無的內容。 區域代替原因有:半導體記憶體的空區域之區塊數的 代替空區域、重試連續錯誤、保持不良時E C C訂正不可 錯誤、Device/Manufacturer Code無法讀取錯誤(裝置 碼錯誤)、以及物理量等。 另外,重試連續錯誤有:連續程式錯誤、多餘寫入錯 誤、以及保持不良(確認檢查錯誤)等。物理量有:抹除 /程式時間、抹除次數、讀取電流値、寫入電流値、外部 供給電源/電流値等。 而且,在這些區域代替原因分別設定上述之界限値、 以及危險値。界限値(界限狀態)係該區域不可使用,需 要即刻代替時的値,危險値(危險狀態)係顯示該區域雖 可使用,但是爲危險狀態故,逐漸予以代替之値。 例如,在區域代替原因的’重試連續錯誤’中,’連續程 式錯誤’其界限値爲260次以上,危險値爲10次以上。 接著,說明本實施形態之記憶卡1的作用。 首先,利用第6圖的流程圖來說明記憶卡1的電源投入 後之重置處理、以及起始化處理。 首先,投入電源,重置一被解除(步驟S 1 〇 1 ) ’將 各半導體記憶體〜35的系統資訊分別載入設置在MPU5 之RAM等的工作區域(步驟S102)。 Μ P U 5參考儲存在半導體記憶體3 ;(或者半導體記憶 體32 )之區域代替資訊儲存區域的區域代替資訊’避開變 -11 - (8) (8)200416609 成不良的半導體記憶體而載入系統資訊。 之後,檢出部6進行記憶部3的半導體記憶體3!〜35之 裝置檢查(步驟S 1 03 )。而且,判斷是否超過區域代替 的界限値(步驟S1 04 )。 在步驟S 1 04的處理中,於超過區域代替的界限値時 ,區域解碼管理部9將狀態旗標當成緊急狀態,更新 Μ P U 5的工作區域之區域代替資訊(步驟S 1 0 5 )。藉此, 區域代替表格的狀態旗標變成顯示緊急狀態發生(第4圖 )之旗標。 之後,Μ P U 5依據更新過的區域代替資訊,製作管理 資訊表格(步驟S10 6),儲存在該MPU5的工作區域。 接著,MPU5進行不良區域檢出時的處理(步驟S1 07 )。 另外’在步驟S 1 0 4的處理中,於沒有超過區域代替 之界限値時,檢出部6判斷是否超過該區域代替的危險値 (步驟 S 1 0 8 )。 在超過危險値時,區域解碼管理部9更新區域代替資 訊以使得區域代替表格的狀態旗標變成顯示I D L Ε實行發 生(第4圖)之旗標(步驟S109)。 另外,在步驟S 1 0 8的處理中,於沒有超過危險値時 ,Μ P U 5檢查在半導體記憶體是否沒有發生錯誤(步驟 S 1 1 0 ),在沒有發生錯誤時,Μ P U 5製作管理資訊表格( 步驟S111),儲存在該MPU5的工作區域,實行平常處 理(步驟S 1 1 2 )。 另外’在步驟S 1 1 0的處理中,於發生錯誤時,Μ ρ υ 5 -12- 200416609 Ο) 實行錯誤處理(步驟s 1 1 3 )。 第7圖係儲存在藉由區域代替之Μ P U 5的工作區域之 區域代替表格的狀態遷移說明圖,此處,區域號碼 |\1〇..1〜1^〇.3係使用中,區域號碼1\1〇.4、1\1〇.5係成爲代替區 域。 第7圖中,儲存在工作區域之區域代替表格係由第3圖 所示之區域代替表格的構成只去除冗餘區域者,其他的構 造係相同,由狀態旗標、代替原因、代替處、以及代替目 的地所形成。 在區域號碼Ν 〇 . 1的區域例如發生保持不良時的E C C 訂正不可錯誤時,則區域號碼Ν 〇 · 1的區域代替表格的狀 態旗標成爲h’(第4圖),代替原因成爲’5 h’(第5圖)。 而且,區域號碼Ν 〇 · 1的區域由區域號碼Ν 〇 . 4所代替 時,區域號碼 Ν 〇 . 1的區域代替表格中,其狀態旗標變成 顯示區域代替完了的’〇8h’(第4圖),代替目的地成爲’〇4h’ ,變成代替目的地的區域號碼。 另外,區域號碼Ν 〇 . 4的區域代替表格中,其狀態旗 標變成顯示區域代替完了的’〇9h5(第4圖),代替處成爲 ’ 〇 1 h ’,變成代替處的區域號碼。 之後,藉由檢出部6—檢出在區域號碼Ν〇·4的代替空 區域會有超過危險値者時,區域號碼Νο.4的區域代替表 格之狀態旗標變成’C1h’(第4圖)’代替原因變成’1h’(第5 圖)。 而且,此處雖然區域號碼 Ν 〇 . 4的區域由區域號碼 -13- (10) (10)200416609 Ν ο · 5所代替,但是此區域代替係在記憶卡1的得空時間, 即不進行實行處理之丨D L Ε (閒置)中,於背景中實行。以 下,將半導體記憶體於I D L Ε中實行區域代替稱爲| d L Ε 實行。 在丨D L Ε實行期間中,區域號碼Ν 〇 . 4的區域代替表格 其狀態旗標變成顯示IDLE實行中的’C2h’(第4圖),代替 目的地成爲’ 0 5 h ’,變成代替目的地的區域號碼。 另外,區域號碼Ν 〇 . 5的區域代替表格其狀態旗標成 爲顯示IDLE實行中的’C3h’(第4圖),代替處成爲,〇4h,, 變成代替處的區域號碼。 之後,區域代替一結束時,區域號碼 Ν 〇 . 4的區域代 替表格其旗標成爲顯示IDLE實行完了之’〇Eh’(第4圖) 。區域號碼 Ν 〇 · 5之區域代替表格其狀態旗標變成顯示 IDLE實行完了之’OFh5(第4圖)。 之後,在被代替的區域號碼 N 〇. 5中,一發生緊急狀 態(保持不良時的ECC訂正不可錯誤),則區域號碼No.5 的區域代替表格之狀態旗標變成’ 3 1 h ’(第4圖),代替原因 成爲’5h’(第5圖)。 在此情形下,代替區域之區域號碼 No.4、No. 5係使 用完畢故,區域號碼Ν 〇 · 5之區域代替表格的狀態旗標變 成顯示代替區域之使用完的’FFh’(第4圖)而結束。 接著,利用第8圖之流程圖來說明記憶卡1的指令處理 時之動作。 首先,指令一由主機等之外部輸入時,則檢出部6檢 -14 - (11) (11)200416609 查區域代替表格的狀態旗標(步驟S20 1 ),判斷該狀態 旗標是否爲超過危險値之緊急狀態。在此情形下,於第5 圖之區域代替原因的其中一個項目顯示界限値時,便成爲 緊急狀態。在緊急狀態時’實行緊急狀態時的指令處理( 步驟S 2 0 2 )。 另外,在不是緊急狀態時,檢出部6判斷狀態旗標( 弟4圖)是否爲IDLE貫fj中(步驟 S203)。在此步驟 S 2 0 3的處理中,如爲I D L E實行時,則進行丨D L e實行時 的指令處理(步驟S 2 0 4 ),在不是| d L E實行時,則進 行外部所輸入的指令之處理(步驟S 2 0 5 )。 在步驟S204或者步驟S205之其一的處理中,檢出部 6檢查第5圖的區域代替原因之其一的項目是否超過界限値 (步驟 S 2 0 6 ) 〇 在超過界限値時,區域解碼管理部9更新區域代替資 訊的區域代替表格以便狀態旗標變成緊急狀態(步驟 S 2 0 7 )。而且,通知部7將緊急狀態通知主機等之外部( 步驟S2 08 ),同時,MPU5判斷是否爲自動代替模式(步 驟S2 09 ),在爲自動代替模式時,則實行區域代替處理 (步驟S 2 1 0 ),處理結束。 方 < 步驟s 2 0 9的處理中,在不是自動代替模式時,則 依據自主機等外部所輸入的區域代替指令的指示,實行區 域代替處理。 另外,在步驟S2 06的處理中,於沒有超過界限値時 ’檢出部6判斷區域代替原因之其一的項目是否沒有超過 -15- (12) (12)200416609 危險値(步驟S 2 1 1 )。 在此步驟S 2 1 1的處理中,於超過危險値時,區域解 碼管理部9更新區域代替資訊的區域代替表格,以使狀態 旗標成爲丨DLE實行(步驟S212 ),處理結束。 另外,在步驟S 2 1 1的處理中,於沒有超過危險摭拾 ,Μ P U 5檢查半導體記憶體是否沒有發生錯誤(步驟s 2 1 3 ),在沒有發生錯誤時’處理結束。 在步驟S 2 1 3的處理中,在半導體記憶體發生錯誤時 ,檢出部6再度檢查區域代替原因之其一的項目是否超過 界限値(步驟S 2 1 4 )。而且,在超過界限値時,實行步 驟S207〜S210的處理。 在步驟S 2 1 3的錯誤判定之前後步驟中,進行危險値 、界限値之判定的理由爲,存在有成爲指令實行中的代替 原因者(例如,第5圖的電流値或代替空區域等)和由於 錯誤內容而成爲代替原因者(例如,第5圖之重試連續錯 誤等)之故。 在步驟 S 2 1 4的處理中,在沒有超過界限値時,檢出 部6判斷區域代替原因之其一的項目是否超過危險値(步 驟S 2 1 5 )。在超過危險値時,實行步驟S 2 1 2的處理。 另外,在步驟S 2 1 4的處理中,在沒有超過危險値時 ’檢出部檢出重試次數(參考第5圖之重試連續錯誤的項 目)(步驟S2 1 6 ),重試次數如比(設定次數-1 )多時 ’則實行錯誤處理(步驟S 2 1 7 )。 在重試次數少於(設定次數- 1 )時,在相加重試次 -16 - (13) (13)200416609 數後(步驟S218),再度由步驟S205的處理起實行。 接著’利用第9圖之流程圖來說明記憶卡1之緊急狀態 的指令處理的動作。 首先,在緊急狀態時,MPU5判斷是否爲自動代替模 式(步驟S301),在不是自動代替模式時,MPU5判斷是 否在緊急狀態下被許可的指令(步驟S 3 0 2 )。此處,在 緊急狀態時被許可之指令例如爲指在半導體記憶體發生寫 入或抹除之指令,但是也可爲限制其他之指令。 在步驟S 3 0 2的處理中,於緊急狀態下被許可之指令 時,判斷該指令是否爲區域代替指令(步驟S 3 0 3 ),在 該指令爲區域代替指令時,實行區域代替處理(步驟 S304 ) 〇 在步驟S3〇3的處理中,於不是區域代替指令時,進 行其他的指令處理(步驟S 3 0 5 ),檢查在半導體記憶體 是否沒有發生錯誤(步驟S 3 0 6 ),在沒有發生錯誤時, 處理結束。在發生錯誤時,進行錯誤處理(步驟S307 ) ,處理結束。 另外,在步驟S 3 0 1的處理中,爲自動代替模式時, 通知部7將爲緊急狀態、代替處理中通知主機等之外部( 步驟S308),實行步驟S304之處理。 接著,利用第1 0圖之流程圖來說明記憶卡1之I D L E 實行時的指令處理。 首先,區域解碼管理部9確認是否檢索完畢區域代替 目的地(步驟S401 ),確認該檢索完畢的區域代替目的 -17- (14) (14)200416609 地是否爲未代替(步驟S402 )。而且,在未代替時,在 該代替目的地實行指令處理(步驟S403 )。 另外,在步驟S402的處理中,不是未代替時,在代 替處實行指令處理(步驟S4 04 )。 另一方面,在步驟S 4 0 1的處理中,區域代替目的地 不是檢索完畢時,Μ P U 5檢索區域代替目的地(步驟s 4 0 5 ),在有代替目的地時(步驟S406),實行步驟S402、 S403的處理,在沒有代替目的地時(步驟 S406 ),實行 錯誤處理(步驟S407 )。 另外,利用第1 1圖的流程圖來說明記憶卡1之IDLE 竇行時的處理。 首先,在IDLE實行中,MPU5檢出是否有中斷要求 (例如,來自主機的寫入指令/讀出指令等)(步驟 S 5 0 1 )。在沒有中斷要求時,檢出狀態旗標(第4圖)是 否變成IDLE實行(步驟S502)。 在步驟S502的處理中,於狀態旗標變成IDLE實行 時,實行區域代替處理(步驟S 5 0 3 ),在狀態旗標不是 IDLE實行時,返回步驟S501。 另外,在步驟S 5 0 1的處理中,如有中斷要求時,在 將區域代替中履歷儲存於Μ P U 5的工作區域等之後(步驟 S504 ),實行有中斷要求之指令的處理(步驟S505 )。 此處,利用第1 2圖來說明區域代替中履歷。 第1 2 ( a )圖係顯示作爲區域代替資訊之一,儲存在 半導體記憶體3,、3 2的區域代替資訊儲存區域之區域代替 -18- (15) (15)200416609 中履歷的構造例說明圖。 區域代替中履歷係由資料部和管理部形成。資料部係 儲存有多數的履歷表隔。此履歷表隔係由:實體區域號碼 、區域代替完畢前端位址、區域代替完畢最終位址、以及 冗餘區域所形成。 實體區域號碼係顯示哪個實體區域號碼的履歷資料, 區域代替完畢前端位址、以及區域代替完畢最終位址係顯 示區域代替完畢之區域。冗餘區域雖例如爲附加E C C冗 餘符號等之區域,但是也可以省略該冗餘區域。 管理部係儲存對應各履歷表格之有效旗標,顯示對應 的履歷表格的有效性之有無。履歷表格[1 ]係對應有效旗 標[1 ]。在此有效旗標中,例如在有寫入時,則寫入’ F F h ’ ,在沒有寫入時,則寫入’ 0 0 h ’。 因此,有效旗標之寫入’ F F h ’的最終履歷表格即成爲 有效資料。 在此情形下,履歷表格以及有效旗標的改寫/抹除如 在特定區域重複進行時,則特定位址的扇區單元會劣化。 因此,依據履歷更新,爲了緩和對於半導體記憶體內的特 定位址之改寫次數的增加,藉由改變8個補記錄和資料儲 存位址,以謀求抹除次數(改寫次數)的分散。 在第12 (a)圖中,雖然在寫入位址’n + 1’的履歷表格 [9 ]後,淸除至前一次進行寫入的位址4 ’資料,但是,也 可以彙總多數的區塊而做淸除。 另外,第1 2 ( b )圖係顯示儲存在Μ P U 5的工作區域 -19- (16) (16)200416609 之區域代替中履歷的構造之一例的說明圖。 在此情形下,區域代替中履歷係由:有效表格 '實體 區域號碼、區域代替完畢前端位址、以及區域代替完畢最 終位址所構成。 有效表格係作爲有效旗標之替代,顯示履歷表格的有 效表格之號碼。另外,實體區域號碼、區域代替完畢前端 位址、以及區域代替完畢最終位址係與儲存在半導體記憶 體3,、3 2的區域代替資訊儲存區域的區域代替中履歷相同 〇 接著,利用第1 3圖之流程圖來說明記憶卡1之區域代 替處理。 首先,區域解碼管理部9確認區域代替目的地是否檢 索完畢(步驟 S 6 0 1 ),在區域代替目的地未被檢索時, 檢索區域代替目的地(步驟S 6 0 2 )。另外,在區域代替 目的地正被檢索時,實行後述的步驟 S604〜S607之處理 〇 區域代替目的地一被檢索時(步驟S 6 0 3 ),區域代 替處理部8進行區域的替代和資料的救援,同時,區域解 碼管理部9更新區域代替中履歷(步驟S604)。 在此步驟S604的處理中,藉由區域代替之資料救援 係由代替處將該資料複製於代替目的地。此時’在存在有 錯誤訂正可能之資料錯誤時,則進行錯誤訂正,在不可能 錯誤訂正時,則原樣地複製資料。另外,在資料於區域代 替處被由代替區域所代替時,依據原來之使用者區域之位 -20- (17) (17)200416609 址,進行對於區域代替目的地的複製。 區域代替中履歷係只更新Μ P U 5的工作區域之資料, 對於半導體記憶體3ι、32係定期或者每次更新時予以寫入 〇 之後,MPU5檢查區域代替是否正常結束(步驟S605 ),在區域代替不是正常結束時,再度實行由步驟S602 起之處理。 另外,在正常結束時,區域解碼管理部9在更新區域 代替資訊後(步驟S 6 0 6 ),通知部7將區域代替已被實行 一事通知主機等之外部(步驟S 6 0 7 )。但是,狀態旗標 爲丨D L E實行時,則不通知,在沒有代替目的地時,通知 錯誤。 另外,在步驟S 6 0 3的處理中,在區域代替目的地未 被檢出時,實行步驟S606、S607的處理。 藉此,在本實施形態中,可檢出半導體記憶體3 η〜3 5 的異常區域,而進行通知、救援。 另外,藉由將區域設定在各各之個別控制部所控制的 實體之邊界,可避開包含該個別控制部之不良處而進行救 援故,能夠大幅提升記憶卡1的可靠性。 以上,雖依具發明之實施形態而具體說明由本發明者 所完成的發明,但是,本發明並不限定於上述實施形態, 在不脫離其要旨之範圍內,不用說可有種種變更之可能性 〇 關於危險値和界限値之設定,可將兩方設定爲相同値 -21 - (18) (18)200416609 ,或者只設定其中一方,例如,在只設定危險値時,變成 只進行危險値檢出時的處理,在兩方設定爲相同値或者只 設定界限値時,變成只進行界限値檢出時的處理。 另外,關於此危險値和界限値的設定,可固定設定在 控制器內的 R〇Μ或電路中,或者作爲快閃記憶體中的韌 體而以特定步驟可以變更設定,在重置處理中等將該設定 値讀出於控制器。 例如,在上述實施形態中,雖設爲在具備使用者區域 之通常爲所使用的半導體記憶體儲存區域代替資訊的構造 ,但是,也可以如第14圖所示般,在通常使用的半導體記 憶體1 3,〜1 34之外,設置只儲存區域代替資訊的專用半導 體記憶體1 3 5,以構成記憶卡(記憶裝置)1 a。 在此情形下,半導體記憶體1 3 5的內部構造係由:儲 存區域代替資訊的區域代替資訊儲存區域、使用者區域中 發生不良時,被代替的代替區域、以及管理該代替區域之 管理區域所形成。 藉此,區域代替資訊被彙總爲1個之故,該區域代替 資訊的管理變得容易。 另外,儲存區域代替資訊的區域(半導體記憶體)也 可設置在主機側或者資訊管理部。在設置於主機側時’可 使記憶卡側的處理簡化故,藉由〇S (Operating System ·· 作業系統)或驅動器等之控制,可容易地謀求多樣化。 另外,在設置於資訊處理部時,可硬體處理區域代替 處理故,可謀求更高速化。 -22- (19) (19)200416609 另外,如第1 5圖所示般,記憶卡等之記憶裝置也可設 爲介由網路N T、或者無線等連接多數的終端T,通知以 經過該網路N T而被通知之檢出的區域代替資訊’以進行 救援之構造。 此處,終端T如係具備個人電腦、銀行等之 ATM (Automatic Teller Machine ··自動櫃員機)或者 PDA(Personal D i g i t a I A s s i s t a n t s :個人數位助理)等之記 憶裝置,則不特別限定。 如圖示般,在此情形下,可以藉由伺服器SV而進行 統括管理,或者以中繼基地B S進行管理等來分擔對應處 理。 、 藉此,可以短時間檢出設置在遠地之終端T的記憶裝 置之異常。 另外,如第1 6圖所示般,記億裝置1 4可做成由資訊 處理部1 5和記憶部1 6構成。記憶部1 6係由多數的記憶體 模組1 6,〜1 6 n構成,這些記憶體模組1 6 j〜1 6 n係由多數 的半導體記憶體構裝於印刷電路基板之構造所形成。 在此情形下,藉由區域代替資訊的管理係依據記憶體 模組單位進行。例如,記憶體模組1 6 2由記憶體模組1 6 4所 代替時,成爲代替處(不良)之記憶體模組1 62由插槽St 被取下’而更換爲新的記憶體模組。此處,例如在記憶體 模組更換時,進行區域代替資訊的儲存或更新。 藉此,可以大幅提升記憶裝置1 4的維修性。 -23· (20) (20)200416609 [發明效果] 如簡單說明由本申g靑案所揭示發明中的代表性者所獲 得之效果,則如下述: (1 )藉由以危險狀態和界限狀態之2階段來檢出半導 體記憶體的區域異常,以進行該區域的代替處理,可以提 升記憶裝置的可靠性。 (2 )另外’藉由將半導體記憶體的區域當成實體區 域,以避開包含周邊電路的不良處而進行救援故,可以更 提升記憶裝置的可靠性。 (3 )另外,依據上述(1 ) ' ( 2 ),利用記憶裝置 等所構成的電子機器之性能,以及可靠性可以大幅提升。 【圖式簡單說明】 第1圖係依據本發明之一實施形態的記憶卡之方塊圖 〇 第2圖係設置在第1圖之記憶卡的資訊處理部的方塊圖 〇 第3圖係分別儲存在設置於第1圖的記憶卡之半導體記 憶體的區域代替資訊儲存區域之區域代替表格構成圖。 第4圖係顯示儲存在第1圖的半導體記憶體之區域代替 資訊儲存區域的區域代替表格的狀態旗標和該狀態旗標的 內容之一例的說明圖。 第5圖係顯示第4圖的區域代替資訊的區域代替原因之 -24 - (21) 200416609 一例的說明圖。 第6圖係第1圖的記憶卡的電源投入後之重置處理、以 及起始化處理的流程圖。 第7圖係儲存在設置於第1圖的記憶卡之Μ P U的工作 區域之區域代替表格的狀態遷移說明圖。 第8圖係第1圖的記憶卡之指令處理時的流程圖。
第9圖係第1圖的記憶卡之緊急狀態時的指令處理流程 圖。 第1 〇圖係第1圖之記憶卡的丨D L Ε實行時的指令處理 流程圖。 第1 1圖係第1圖的記憶卡之丨D L Ε實行處理流程圖。 第1 2圖係第1圖的記憶卡之區域代替中履歷說明圖。 第1 3圖係第1圖的記憶卡之區域代替處理流程圖。 第1 4圖係依據本發明之其他實施形態的記憶卡的方塊
圖。 第1 5圖係顯示依據本發明之其他實施形態的經由網路 以管理區域代替資訊時的系統構造之一例的說明圖。 第1 6圖係依據本發明之其他實施形態的記憶裝置的方 塊圖。 [圖號說明] 1、1 a :記憶卡(記憶裝置) 2 :資訊處理部 3 :記憶部 -25- (22) (22)200416609 3 η〜3 5 :半導體記憶體 4 :外部裝置連接部
5 : MPU 6 :檢出部 7 :通知部 8 :區域代替處理部
9 :區域解碼管理部 1 〇 :緩衝控制部 11: RAM 1 2 :介面部 131〜135 :半導體記憶體 1 4 :記憶裝置 1 5 :資訊處理部 6 :記憶部 1 6 1〜1 6 η :記憶體模組 Β :資料/位址匯流排 S L :訊號線匯流排 Ν Τ :網路 Τ :終端 SV :伺服器 B S :中繼基地 St :插槽 -26-
Claims (1)
- (1) 200416609 拾、申請專利範圍 1 · 一種記憶裝置,是針對具備:1個以上之半 憶體;及依據動作程式,讀出儲存在上述1個以上 體記憶體的資料,進行特定的處理或資料的寫入動 等之資訊處理部的記憶裝置,其特徵爲: 上述資訊處理部係檢測上述半導體記憶體的區 ’在判定上述區域爲危險狀態時,於上述記憶裝置 動作處理的閒置時,即時實行上述區域的代替處理 2 ·如申請專利範圍第彳項記載之記憶裝置,其 述資訊處理部在判定危險狀態時的原因項目,係由 空區域、重試連續錯誤、抹除/程式時間、抹除次 取/寫入電流値、以及外部供給電源的電流値中& 上所形成, 上述資訊處理部在判定界限狀態時的原因項目 :代替空區域、重試連續錯誤、保持不良時E C C 可錯誤、裝置碼讀取不可錯誤、抹除/程式時間、 數、讀取/寫入電流値、以及外部供給電源的電流 1種以上所形成。 | 3 ·如申請專利範圍第2項記載之記億裝置,其 述資訊處理部係可以獨立地設定判定危險狀態時的 因項目和判定界限狀態時的上述原因項目。 4 ·如申請專利範圍第3項記載之記憶裝置,其 由上述資訊處理部所代替處理之代替目的地區域, 半導體記憶體的空區域、或者代替專用的半導體記 導體記 之半導 作指示 域狀態 不實行 〇 中,上 =代替 數、讀 J 1種以 ,係由 訂正不 抹除次 値中的 中,上 上述原 中,藉 係上述 憶體之 (2) (2)200416609 其中一種。 5 ·如申請專利範圍第4項記載之記憶裝置,其中,在 上述區域爲上述半導體記憶體的空區域時,上述區域係在 設置於記憶體墊的多數扇區中,藉由控制任意扇區之個別 周邊電路所控制的實體區域。 6 ·如申請專利範圍第5項記載之記憶裝置,其中,其 解碼方法爲:只將代替處區域的資料由代替目的地區域所 代替’在代替後,做了代替之區域存取代替目的地區域, 不進行代替的區域則繼續同樣地進行存取。 7 ·如申請專利範圍第6項記載之記憶裝置,其中,上 述資訊處理部在判定上述區域爲界限狀態時,則將緊急狀 態一事通知外部。 8 ·如申請專利範圍第7項記載之記億裝置,其中,在 上述界限狀態時,做禁止寫入動作等之動作限制。 9 ·如申請專利範圍第8項記載之記憶裝置,其中,上 述資訊處理部係在上述區域的代替處理中,在由代替處區 域將資料複製於代替目的地區域時,於上述資料存在有可 錯誤訂正之錯誤時,則進行錯誤訂正。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項〜第9項中任一項所記載 之記憶裝置,其中,具備··檢出區域狀態的檢出手段、將 檢出結果或區域代替狀態通知外部的通知手段、進行區域 代替的區域代替手段、管理區域的存取許可/禁止等的區 域解碼管理手段。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003018296A JP4110000B2 (ja) | 2003-01-28 | 2003-01-28 | 記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200416609A true TW200416609A (en) | 2004-09-01 |
Family
ID=32820579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092135444A TW200416609A (en) | 2003-01-28 | 2003-12-15 | Memory device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7197613B2 (zh) |
JP (1) | JP4110000B2 (zh) |
KR (1) | KR20040069286A (zh) |
CN (1) | CN100380529C (zh) |
TW (1) | TW200416609A (zh) |
Families Citing this family (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1543508A2 (en) * | 2002-09-26 | 2005-06-22 | LG Electronics Inc. | Optical disc, method and apparatus for managing a defective area on an optical disc of write once type |
KR20040027259A (ko) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | 엘지전자 주식회사 | 1 회 기록 가능한 광디스크의 디펙트 영역 관리방법 |
KR20040028469A (ko) * | 2002-09-30 | 2004-04-03 | 엘지전자 주식회사 | 1 회 기록 가능한 광디스크의 디펙트 영역 관리방법 |
US7233550B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-06-19 | Lg Electronics Inc. | Write-once optical disc, and method and apparatus for recording management information on write-once optical disc |
BRPI0317147B1 (pt) | 2002-12-11 | 2016-04-26 | Lg Electronics Inc | aparelho e método para gravação de dados em um meio de gravação apenas uma vez, aparelho e método para reprodução de dados de um meio de gravação apenas uma vez e referido meio de gravação apenas uma vez |
US7372788B2 (en) * | 2003-01-14 | 2008-05-13 | Lg Electronics Inc. | Method for managing defective area on write-once optical recording medium, and optical recording medium using the same |
US7672204B2 (en) * | 2003-01-27 | 2010-03-02 | Lg Electronics Inc. | Optical disc, method and apparatus for managing a defective area on an optical disc |
TWI314315B (en) * | 2003-01-27 | 2009-09-01 | Lg Electronics Inc | Optical disc of write once type, method, and apparatus for managing defect information on the optical disc |
US20040160799A1 (en) * | 2003-02-17 | 2004-08-19 | Park Yong Cheol | Write-once optical disc, and method and apparatus for allocating spare area on write-once optical disc |
US7643390B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-01-05 | Lg Electronics Inc. | Write-once optical recording medium and defect management information management method thereof |
US7499383B2 (en) * | 2003-02-21 | 2009-03-03 | Lg Electronics Inc. | Write-once optical disc and method for managing spare area thereof |
US7477581B2 (en) * | 2003-02-25 | 2009-01-13 | Lg Electronics Inc. | Defect management method for optical recording medium and optical recording medium using the same |
US7675828B2 (en) * | 2003-02-25 | 2010-03-09 | Lg Electronics Inc. | Recording medium having data structure for managing at least a data area of the recording medium and recording and reproducing methods and apparatuses |
US7188271B2 (en) * | 2003-02-25 | 2007-03-06 | Lg Electronics Inc. | Write-once optical disc, and method and apparatus for recording management information on write-once optical disc |
BRPI0318160B1 (pt) * | 2003-03-04 | 2016-05-31 | Lg Electronics Inc | método para gravação em meio de gravação óptica, aparelho para gravação em e reprodução de um meio de gravação óptica e meio de gravação óptica |
TWI405196B (zh) | 2003-03-13 | 2013-08-11 | Lg Electronics Inc | 光學記錄媒體及其缺陷區域管理方法及其裝置 |
MXPA05012044A (es) * | 2003-05-09 | 2006-02-03 | Lg Electronics Inc | Disco optico de una sola escritura, metodo y aparato par recuperacion de informacion de administracion de disco del disco optico de una sola escritura. |
TW200501119A (en) * | 2003-05-09 | 2005-01-01 | Lg Electronics Inc | Recording medium having data structure for managing at least a data area of the recording medium and recording and reproducing methods and apparatuses |
RU2385509C2 (ru) * | 2003-05-09 | 2010-03-27 | Эл Джи Электроникс Инк. | Неперезаписываемый оптический диск и способ и устройство для восстановления управляющей информации диска с неперезаписываемого оптического диска |
TW200501071A (en) * | 2003-05-09 | 2005-01-01 | Lg Electronics Inc | Recording medium having data structure for managing at least a data area of the recording medium and recording and reproducing methods and apparatuses |
KR100860985B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2008-09-30 | 삼성전자주식회사 | 패딩 정보를 이용한 기록/재생 방법 |
CN100580779C (zh) * | 2003-07-04 | 2010-01-13 | Lg电子株式会社 | 用于管理一次写入光盘上的重写记录的方法和装置 |
KR20050009031A (ko) * | 2003-07-15 | 2005-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 1회 기록 가능한 광디스크 및 광디스크의 관리정보 기록방법 |
KR101014703B1 (ko) * | 2003-07-15 | 2011-02-21 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크의 결함영역 관리방법 및 광디스크의 기록방법과기록재생장치 |
EP1652174B1 (en) * | 2003-08-05 | 2010-03-10 | Lg Electronics Inc. | Write-once optical disc, and method and apparatus for recording/reproducing management information on/from optical disc |
US7313065B2 (en) * | 2003-08-05 | 2007-12-25 | Lg Electronics Inc. | Write-once optical disc, and method and apparatus for recording/reproducing management information on/from optical disc |
CA2537895A1 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-17 | Lg Electronics Inc. | Write-once optical disc, and method and apparatus for recording management information thereon |
AU2004271477B2 (en) * | 2003-09-08 | 2009-11-05 | Lg Electronics Inc. | Write-once optical disc and method for recording management information thereon |
EP1665260B1 (en) * | 2003-09-08 | 2013-12-04 | LG Electronics Inc. | Write-once optical disc, and method and apparatus for recording management information on the write-once optical disc |
KR100964685B1 (ko) * | 2003-10-20 | 2010-06-21 | 엘지전자 주식회사 | 1회 기록가능한 광디스크 및 광디스크의 기록재생방법과기록재생장치 |
TWI226603B (en) * | 2003-10-29 | 2005-01-11 | Mediatek Inc | A method for handling an interrupt request in an optical storage drive |
KR101113866B1 (ko) | 2004-03-19 | 2012-03-02 | 엘지전자 주식회사 | 기록매체내에 기록되는 데이터 구조 및 데이터 기록방법과기록장치 |
KR101024916B1 (ko) * | 2004-03-19 | 2011-03-31 | 엘지전자 주식회사 | 1회 기록 가능한 고밀도 광디스크의 데이터 기록 방법 및장치 |
CN100580695C (zh) * | 2004-04-23 | 2010-01-13 | 松下电器产业株式会社 | 存储卡、存取装置及存储卡的处理方法 |
KR101049117B1 (ko) * | 2004-06-08 | 2011-07-14 | 엘지전자 주식회사 | 1회 기록 가능한 광디스크 및 광디스크의 관리정보 기록방법, 디스크 클로징 방법 및 기록재생 장치 |
KR101014727B1 (ko) | 2004-06-23 | 2011-02-16 | 엘지전자 주식회사 | 1회 기록 가능한 광디스크의 중첩 기록 방법 및 장치 |
KR101041811B1 (ko) * | 2004-08-02 | 2011-06-17 | 엘지전자 주식회사 | 광 저장매체의 기록 재생 방법 및 장치 |
KR101012378B1 (ko) * | 2004-08-16 | 2011-02-09 | 엘지전자 주식회사 | 광 저장매체의 기록 재생 방법 및 장치 |
US7500137B2 (en) * | 2004-09-14 | 2009-03-03 | Lg Electronics Inc. | Recording medium, and method and apparatus of recording and reproducing data on the same |
US7568075B2 (en) * | 2005-09-22 | 2009-07-28 | Hitachi, Ltd. | Apparatus, system and method for making endurance of storage media |
JP4933861B2 (ja) | 2005-09-22 | 2012-05-16 | 株式会社日立製作所 | ストレージ制御装置、データ管理システムおよびデータ管理方法 |
KR101227485B1 (ko) * | 2005-11-25 | 2013-01-29 | 엘지전자 주식회사 | 기록매체 및 기록매체의 결함관리 정보 기록방법과기록장치 |
KR20070058291A (ko) * | 2005-12-02 | 2007-06-08 | 엘지전자 주식회사 | 기록매체, 기록매체의 관리정보 기록방법 및 기록장치 |
JP2007219883A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc | 移動端末装置およびソフトウェア更新方法 |
JP4575346B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US20080181035A1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Atsushi Kawasumi | Method and system for a dynamically repairable memory |
US8621138B2 (en) | 2007-12-27 | 2013-12-31 | Sandisk Enterprise Ip Llc | Flash storage controller execute loop |
US8595593B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-11-26 | Hynix Semiconductor Inc. | Nonvolatile memory device having a copy back operation and method of operating the same |
KR101558270B1 (ko) * | 2009-01-06 | 2015-10-08 | 삼성전자주식회사 | 화상형성장치 및 그 소비 전력 제어 방법 |
CN101944386B (zh) * | 2009-07-03 | 2013-11-13 | 群联电子股份有限公司 | 识别闪速存储器中错误数据的控制电路及存储系统与方法 |
JP5503960B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-05-28 | 三星電子株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5066199B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2012-11-07 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4901968B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
CN102385921B (zh) * | 2010-09-06 | 2015-12-16 | 复格企业股份有限公司 | 用于一非易失性存储器阵列的标记方法及初始化方法 |
US8689039B1 (en) * | 2011-01-28 | 2014-04-01 | Bank Of America Corporation | Method and apparatus for redundancy in an ATM using hot swap hardware underlying a virtual machine |
DE102011016974A1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-11-15 | Continental Automotive Gmbh | Verfahren zum Speichern einer sicherheitsrelevanten Dateneinheit |
US20130254463A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
JP2013196673A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | メモリシステム |
US9699263B1 (en) | 2012-08-17 | 2017-07-04 | Sandisk Technologies Llc. | Automatic read and write acceleration of data accessed by virtual machines |
US9003223B2 (en) | 2012-09-27 | 2015-04-07 | International Business Machines Corporation | Physical memory fault mitigation in a computing environment |
US9501398B2 (en) | 2012-12-26 | 2016-11-22 | Sandisk Technologies Llc | Persistent storage device with NVRAM for staging writes |
US9612948B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-04-04 | Sandisk Technologies Llc | Reads and writes between a contiguous data block and noncontiguous sets of logical address blocks in a persistent storage device |
US9870830B1 (en) | 2013-03-14 | 2018-01-16 | Sandisk Technologies Llc | Optimal multilevel sensing for reading data from a storage medium |
US9524235B1 (en) | 2013-07-25 | 2016-12-20 | Sandisk Technologies Llc | Local hash value generation in non-volatile data storage systems |
US9639463B1 (en) | 2013-08-26 | 2017-05-02 | Sandisk Technologies Llc | Heuristic aware garbage collection scheme in storage systems |
US9442662B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-09-13 | Sandisk Technologies Llc | Device and method for managing die groups |
US9703816B2 (en) | 2013-11-19 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Method and system for forward reference logging in a persistent datastore |
US9520197B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | Adaptive erase of a storage device |
US9520162B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | DIMM device controller supervisor |
CN104681097B (zh) * | 2013-11-27 | 2017-11-21 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种非易失性存储器的修复方法 |
TWI550627B (zh) * | 2013-11-28 | 2016-09-21 | 旺宏電子股份有限公司 | 儲存裝置及其操作方法 |
US9582058B2 (en) | 2013-11-29 | 2017-02-28 | Sandisk Technologies Llc | Power inrush management of storage devices |
CN106909318B (zh) * | 2013-12-23 | 2020-05-08 | 华为技术有限公司 | 固态硬盘使用方法及装置 |
US9703636B2 (en) | 2014-03-01 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Firmware reversion trigger and control |
US9448876B2 (en) * | 2014-03-19 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Fault detection and prediction in storage devices |
US9454448B2 (en) * | 2014-03-19 | 2016-09-27 | Sandisk Technologies Llc | Fault testing in storage devices |
US9626400B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-04-18 | Sandisk Technologies Llc | Compaction of information in tiered data structure |
US9626399B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-04-18 | Sandisk Technologies Llc | Conditional updates for reducing frequency of data modification operations |
US9697267B2 (en) | 2014-04-03 | 2017-07-04 | Sandisk Technologies Llc | Methods and systems for performing efficient snapshots in tiered data structures |
JP6415092B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2018-10-31 | キヤノン株式会社 | ストレージデバイスへのデータの書き込みを禁止する情報処理装置及び方法 |
US10162748B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-12-25 | Sandisk Technologies Llc | Prioritizing garbage collection and block allocation based on I/O history for logical address regions |
US10656842B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-05-19 | Sandisk Technologies Llc | Using history of I/O sizes and I/O sequences to trigger coalesced writes in a non-volatile storage device |
US9703491B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Using history of unaligned writes to cache data and avoid read-modify-writes in a non-volatile storage device |
US10372613B2 (en) | 2014-05-30 | 2019-08-06 | Sandisk Technologies Llc | Using sub-region I/O history to cache repeatedly accessed sub-regions in a non-volatile storage device |
US10656840B2 (en) | 2014-05-30 | 2020-05-19 | Sandisk Technologies Llc | Real-time I/O pattern recognition to enhance performance and endurance of a storage device |
US10146448B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-12-04 | Sandisk Technologies Llc | Using history of I/O sequences to trigger cached read ahead in a non-volatile storage device |
US10114557B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Llc | Identification of hot regions to enhance performance and endurance of a non-volatile storage device |
US9652381B2 (en) | 2014-06-19 | 2017-05-16 | Sandisk Technologies Llc | Sub-block garbage collection |
CN105302677A (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-03 | 株式会社东芝 | 信息处理装置和信息处理方法 |
US9959059B2 (en) * | 2014-10-20 | 2018-05-01 | Sandisk Technologies Llc | Storage error management |
US20160253118A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device, controlling method, and storage medium |
US10048877B2 (en) * | 2015-12-21 | 2018-08-14 | Intel Corporation | Predictive memory maintenance |
US10162694B2 (en) * | 2015-12-21 | 2018-12-25 | Intel Corporation | Hardware apparatuses and methods for memory corruption detection |
US10191791B2 (en) | 2016-07-02 | 2019-01-29 | Intel Corporation | Enhanced address space layout randomization |
TWI676987B (zh) * | 2018-08-06 | 2019-11-11 | 新唐科技股份有限公司 | 資料處理系統與資料處理方法 |
WO2022027170A1 (zh) * | 2020-08-03 | 2022-02-10 | 华为技术有限公司 | 闪存数据管理方法、存储设备控制器及存储设备 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0198935A1 (de) * | 1985-04-23 | 1986-10-29 | Deutsche ITT Industries GmbH | Elektrisch umprogrammierbarer Halbleiterspeicher mit Redundanz |
JPS62250599A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体メモリ装置 |
DE69033438T2 (de) * | 1989-04-13 | 2000-07-06 | Sandisk Corp., Santa Clara | Austausch von fehlerhaften Speicherzellen einer EEprommatritze |
JPH03191450A (ja) | 1989-12-21 | 1991-08-21 | Nec Corp | メモリーカードの不良チップ代替え回路 |
EP0613151A3 (en) * | 1993-02-26 | 1995-03-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor memory system with flash EEPROM. |
US5621690A (en) * | 1995-04-28 | 1997-04-15 | Intel Corporation | Nonvolatile memory blocking architecture and redundancy |
TW548653B (en) * | 1999-01-26 | 2003-08-21 | Nec Electronics Corp | Semiconductor memory device having redundancy memory circuit |
US6496947B1 (en) * | 1999-10-25 | 2002-12-17 | Lsi Logic Corporation | Built-in self repair circuit with pause for data retention coverage |
JP4004811B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2007-11-07 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7024614B1 (en) * | 2002-12-24 | 2006-04-04 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive employing a configuration data structure comprising a plurality of configuration parameters to facilitate disk commands |
-
2003
- 2003-01-28 JP JP2003018296A patent/JP4110000B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-26 US US10/721,086 patent/US7197613B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-15 TW TW092135444A patent/TW200416609A/zh unknown
-
2004
- 2004-01-13 CN CNB2004100015431A patent/CN100380529C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-01-28 KR KR1020040005250A patent/KR20040069286A/ko not_active Application Discontinuation
-
2007
- 2007-02-27 US US11/711,085 patent/US7290097B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-10 US US11/907,213 patent/US20080046780A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040158775A1 (en) | 2004-08-12 |
US7290097B2 (en) | 2007-10-30 |
CN100380529C (zh) | 2008-04-09 |
JP4110000B2 (ja) | 2008-07-02 |
US20080046780A1 (en) | 2008-02-21 |
CN1517947A (zh) | 2004-08-04 |
US7197613B2 (en) | 2007-03-27 |
US20070147150A1 (en) | 2007-06-28 |
JP2004234052A (ja) | 2004-08-19 |
KR20040069286A (ko) | 2004-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200416609A (en) | Memory device | |
KR101522744B1 (ko) | 새로운 불량 블록 검출 | |
US7849382B2 (en) | Memory control circuit, nonvolatile storage apparatus, and memory control method | |
US8671330B2 (en) | Storage device, electronic device, and data error correction method | |
US8799745B2 (en) | Storage control apparatus and error correction method | |
US20110029716A1 (en) | System and method of recovering data in a flash storage system | |
WO2007023674A1 (ja) | メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、及びデータ書き込み方法 | |
JP2007058419A (ja) | Pld上のメモリ内の情報に従って構築される論理回路を備えたストレージシステム | |
TWI769571B (zh) | 儲存裝置及儲存系統 | |
US20120278535A1 (en) | Data writing method, memory controller, and memory storage apparatus | |
JP2006139478A (ja) | ディスクアレイシステム | |
JP2010055210A (ja) | ストレージシステム及びデータ保証方法 | |
JP2004220068A (ja) | メモリカード及びメモリへのデータ書き込み方法 | |
JP4287631B2 (ja) | 記憶装置 | |
JP5251142B2 (ja) | 転送装置、転送装置の制御方法及び情報処理装置 | |
JP4655034B2 (ja) | メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
EP4184331A1 (en) | Method and apparatus for performing access control of memory device with aid of multi-stage garbage collection management | |
JP3178913B2 (ja) | 半導体ファイル装置 | |
CN118689389A (zh) | 存储器装置的表管理的方法、存储器装置的存储器控制器、存储器装置以及电子装置 | |
CN118692544A (zh) | 存储器装置的表管理的方法、存储器装置的存储器控制器、存储器装置以及电子装置 |