TW200412588A - A method for writing data onto an optical storage medium - Google Patents

Description

200412588

發明所屬之技術領域 ί ί:2:攄種將資料寫入一光學儲存媒體之方 、η广尤匕種Τ據一 EFM波形之-前-平坦區、-目前凹 i I Ϊ : 垣區之資訊來將資料寫入-光學儲存媒 法 先前技術 術的發 視聽媒 而對網 勢。在 此各種 用光碟 量下單 來均十 的功能 加上除 但容量 乎成為 年來 展不 介及 際網 此一 不同 作為 價底 分受 曰益 了原 增加 每台 隨著電 斷地進 利用電 路大量 趨勢中 的儲存 儲存媒 廉且體 到矚目 強大， 有CD規 數倍的 個人電 腦運算能力愈來愈強大，加上網路技 步，使得使用者利用電腦作為多媒體 腦作為與虛擬網路世界溝通的起始點 存取各種各樣的資訊已成為一種趨 ’由於對資料儲存量的需求大增，因 $具也隨之成為熱門的產品，其中利 介的產品，由於光碟在同樣的儲存容 積輕薄不佔空間而便於攜帶，一直以 ，尤其這幾年來各式光碟機及燒錄 讀取品質及儲存速度不斷向上提升， 格的光碟片之外，更出現了同樣體 DVD規格，更使得光碟機以及燒錄 腦的標準配備。 戌 光學儲存裝置（如CD燒錄機或DVD燒錄機等）於 储

200412588 五、發明說明（2) 存資料至一光學儲存媒體（如CD光碟或DVD光碟 會將該資料利用該光學儲存裝置之一編碼器（ 轉換為該光學儲存媒體之儲存格式，於目前習知 中，此種光學儲存媒體之儲存格式通常為 '

RLURun-Length Limited)調變，例如一八對十四調變波 形（Eight-to-Fourteen Modulation wavef0rm EFM

Waveform)，該EFM波形係將欲儲存於該光學儲存媒體上 之資料以不同時間長度之方波來代表，以CD為例，該方 波之每一脈衝及脈衝間的距離均為三倍EFM基準週期 ,EFM Base Frequency)至十一倍EFM基準週期之間之長 ，丄而該EFM波形則用來作為該光學儲存裝置將資料燒^ =該光學儲存媒體之依據。當資料儲存於該光學儲存媒” ，上時，係利用該光學儲存媒體上長度不一之複數個^ ( Land)及凹洞區（Pit)來代表該資料之内容，而 坦區及凹洞區之長度則剛好對應於該EFM波形之波形 钮二丄利用此一對應關係，則該光學儲存裝置可以將資 科儲存至該光學儲存媒體上。 笛政=Γ 5際應用上，該光學儲存裝置係利用一組寫人 辕埴二Ϊ*1Write strategy pararaeter)來將該 efm波形 用來驅動其一光學讀寫頭（Pickup)之寫入時間 入开i f對可抹除碟片而言，當該光學儲存裝置未寫 時^ λ t ^也就是抹除之前寫入之訊號使之處於平坦區 、寫入時間長度波形係處於一消除態（Erase

200412588 五、發明說明（3)

Power)，當該光學儲存裝置欲寫入資料時（也就是處於 凹洞區時），該寫入時間長度波形則處於一基準態 (Bias Power)且依序包含有複數個脈衝，該脈^係使 該寫入時間長度波形自該基準態切換至一寫入態（計i七 Power)，而該寫入策略參數則是用來定義於不同之平坦 區或凹洞區的條件下，該等脈衝之長度及間距的狀態。一 於習知技 策略，也就是 期是以一倍該 之燒錄技術的 光學儲存媒體 4 8倍速之光碟 來愈短，在此 每一個脈衝（ 基準態）的長 間隔係用來讓 卻以形成正確 成之基準態間 資料儲存失真 知技術中提出 III, Volume 形中之該等脈 此該脈衝及其 術中’寫入策略參數之定義通常係採用1 τ 說該寫入時間長度波形中之該等脈衝的週 EF Μ基準週期為準，然而隨著光學儲存媒體 進步，能夠以更快的速度將資料燒錄至一 的光學儲存裝置陸續出現（例如32倍速、 燒錄機），這使得該EFM基準週期之長度愈 狀況之下，造成於該寫入時間長度波形中 即位於寫入態）之後伴隨的間隔（即位於 度過短，由於位於兩個脈衝之間的基準態 該光學儲存媒體表面上的化學材料得以冷 儲存資料所需之凹洞，故因高速燒錄而造 隔長度過短將會使得冷卻時間不足而產生 的問題。為了解決此一 1 Τ策略的問題，習 了 種2Τ朿略（請參閱Orange B〇〇k Part 3)，由於利用2T策略之該寫入時間長度波 衝的週期是以二倍該EFM基準週期為準，因 間之間隔的長度均得以延長，也因此使得

200412588 五、發明說明（4) 該光學儲存媒體表面上之化學材料於每次被該脈衝蝕刻 後能夠有足夠的時間可以冷卻以形成正確之凹洞，而解 決了 1 T策略的問題。 但 入策略 度，而 體表面 之前一 所造成 中，除 間隔均 與最後 儲存媒 現象 無法充 是， 參數 該目 上餘 平坦 的影 了最 為固 一個 體之 ，會 份消 習知 時僅 前凹 刻之 區及 響。 後一 定之 脈衝 内部 因為 除， 技術 依據 洞區 凹洞 其後 又由 個脈 值， 之狀 誤差 該寫 因而 所揭露的2T策略 該EFM波形中之-係對應於欲於目 區，故其並未考 一平坦區對於該 於該2T策略中所 衝之外的其他脈 而能夠進行調整 態有關的部份， 而造成的該凹洞 入策略參數缺乏 成為造成誤差之 ，由於其於決定寫 -目前凹洞區的長 前在該光學儲存媒 慮到該目前凹洞區 凹洞區之蝕刻結果 定義之複數個脈衝 衝之長度及其間之 變動之參數僅包含 這使得由於該光學 區之抖動（Jitter 足夠的調整空間而 因素。 發明内容 >因=本發明之主要目的在於提供一種據一 波形之 -前一平坦區、一目前凹洞區及一後一平坦區之資訊來 將資料寫入一光學儲存媒體之方法，以解決上述習知的 問題。 曰

第8頁 200412588 五、發明說明（5) 根據本發明之申請專利範圍，係揭露一種使用一光 學儲存裝置將資料寫入一光學儲存媒體之方法，該光學 儲存裝置包含有一記憶體及一光學讀寫頭，該記憶體中 儲存有複數組寫入策略參數，該方法包含有以下步驟： 提供一八對十四調變波形至該光學儲存裝置，該八對十 四調變波形包含有一前一平坦區、一目前凹洞區以及一 後一平坦區；依據該前一平坦區、該目前凹洞區以及該 後一平坦區之波形長度，從該記憶體中所儲存之複數組 寫入策略參數中選取一組相對應之寫入策略參數；依據 該組被選取之寫入策略參數，產生一寫入時間長度波 形；以及利用該寫入時間長度波形驅動該光學讀寫頭來 將對應於該八對十四調變波形之資料寫入該光學儲存媒 體。 本發明之方法係利用該EF Μ波形上之一前一平坦區、 一目前凹洞區及一後一平坦區之資訊來選取一組相對應 之寫入策略參數，於決定該組寫入策略參數不但參考了 目前欲被蝕刻之凹洞區的資料，同時亦考慮了該凹洞區 之前一個平坦區及後一個平坦區的資訊，對於實際上位 於該光學儲存媒體表面上之平坦區及凹洞區的長度作了 更精密的控制，另一方面本發明之方法亦對該寫入策略 參數作了更詳細的定義以增加其調整空間，進而大幅改 善了該光學儲存媒體因抖動現象而造成的誤差問題。

第9頁 200412588

實施方式 本發明係 儲存媒體之方 及一光學讀寫 略參數，請注 可以為一光碟 體可以為一可 學儲存裝置亦 Burner)，而 多用途光碟片 用途光碟片（ 八對十四調變 情形下，使用 蓋範圍。 ί使1 Φ，學儲存裝置將資料寫入-光學 頭：：兮該光學儲存裝置包含有-記憶體 ΐ ί ΐ ί憶體中則儲存有複數組寫人策 明之應用中，該光學儲存裝置 2 ( ^ Burner)，此時該光學儲存媒 Ϊ覆;入式光碟片（CD-RW)，此外，該光 口 ^ 1 一數位多用途光碟燒錄機（DVD 該光子儲存媒體則可以為一可記錄式數位 (DVD-R)、或者為一可重覆寫入式數位多 DVD-RW)，又於以下之實施例中將使用一 波形為例’然而在不影響本發明之實施的 其他R L L調變波形之例子亦屬於本發明之涵 請參閱圖一，圖一中顯示本發明將資料寫入一光學 儲存媒體之方法的流程圖，其包含有以下步驟： 步驟1 0 :提供一八對十四調變波形至該光學儲存裝置， 該八對十四調變波形包含有一前一平坦區（Previous Land)、一目前凹洞區（Current Pit)以及一後一平坦 區（Next Land); 步驟1 2 :依據該前一平坦區、該目前凹洞區以及該後一 平坦區之波形長度，從該記憶體中所儲存之複數組寫入

第10頁 200412588 五、發明說明（7) 時間長度波形 寫 策略參數中選取一組相對應之寫入策略參 ^驟14:依據該級被選取之寫入策略參數，盡 ^ ^ 乂 屋生 步驟1 6 :利用該寫入時間長度波形驅動該 — 體。 其中 所述，相 的複數個 (Land) 與之對應 位來代表 表。亦如 形長度均 間且均為 上每一個 形上相對 一前一平 將對應於該八對十四調變波形之資干碩寫碩來 媒 貝科寫人該光學铸存 該八對十四調變波形（亦即EFM波形 對於該光學儲存媒體上用來代表所）如同前面 被蝕刻之凹洞區（Pi υ及未被蝕刻省之存^曰_气料 ’該E F Μ波形亦分別包含有複數凹洞區及平5品 ，舉例來說，該凹洞區可用該EFM波形中之^ $ ’而該平坦區則可用該EFM波形中之低準位g代 同前述，該E F Μ波形之每一凹洞區及平坦區的波 介於三倍EFM基準週期至十一倍EFM基準週期之 該EFM基準週期的整數倍。針對該光學儲存媒體 目前正欲被餘刻的凹洞區來說，其均有該E F Μ波 應之一目前凹洞區，以及該目前凹洞區前方之 坦區與該目前凹洞區後方之一後一平坦區。 本發明之方法與習知技術中決定寫入策略參數的方 法最大的不同處，即於上述步驟1 2中除了依據該目前凹 洞區之波形長度之外，同時亦參考該前一平坦區及該後 一平坦區之波形長度來從該記憶體中所儲存之複數組寫

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五、發明說明（8) 入策略參數中選取一組相對應之寫入策略參數。而該寫 入策略參數亦如同前述’是是用來定義於不同之平 或凹洞區的條件下，該寫入時間長度波形中之該等^衝 的長度及間距的狀態’因此本發明之方法即可於步驟i 4 中依據該組被選取之寫入策略參數，產生該寫入時間長 度波形。該寫入時間長度波形亦如同前述，為一由連續 之消除態PE、基準態PB、及寫入態PW功率值相互切換^ 形成之波形’請注意’於该寫入時間長度波形中之消除 態PE、基準態PB、以及寫入態pw之值係為預設值，且不 會因為輸入之EFΜ波形不同而有所不同。 接下來將說明前述之步驟12中選取該組寫入策略參 數的方法，請參閱圖二，圖二中顯示本發明之2Τ寫入策 略參數的示意圖。於本發明之較佳實施例中，本發明係 提供一種以2Τ策略為基準來定義寫入策略參數的方法’ 也就是說，該寫入時間長度波形中之該等脈衡的週期是 以二倍該EFM基準週期為準。於圖二中，複棼條垂直之虛 線之間的間隔均代表一倍之該EFM基準週期^度’， 此處以一具有一 1 1倍基準週期Τ (即1 1 Τ)之_則+凹洞區 的EFM波形為例。在此情形下，本發明之方承所#定義 '、寫 入策略參數則如圖二中之寫入時間長度波形户斤示 將詳 述如下。 本發明之方法係定義一第一參數d !，第/參數d代表

第12頁 200412588 五、發明說明（9) 自該目前凹洞區之前緣至該寫入時間長度波形之第一個 脈衝之前緣的延遲（Delay)，且規定該寫入時間長度波 形之第一個脈衝之後緣係對齊於該目前凹洞區之前緣向 後二倍基準週期T之處；一第二參數/3 !，第二參數沒代 表自該寫入時間長度波形之第一個脈衝之後緣至該第一 個脈衝之後一脈衝之前緣的延遲；複數個重覆脈衝參數 α 2、α 3、α 4、…，重覆脈衝參數α 2、α 3、α 4、…分別 代表該寫入時間長度波形中除了第一個脈衝及最後一個 脈衝之外其他脈衝之長度，且規定於該寫入時間長度波 形中除了第一個脈衝及最後一個脈衝之外的其他脈衝當 中’任何連續之二脈衝之前緣之間的長度等於基準週期τ 之一倍，一第三參數dm’第三參數dj戈表自該目前凹洞區 之後緣向前二倍基準週期T之處至該寫入時間長度波形之 最後一個脈衝之前緣的延遲；一第四參數《 m，第四參數 α Λ表該寫入時間長度波形之最後一個脈衝之長度；以 及一第五參數db，第五參數d刺代表自該目前凹洞區之後 緣向前一倍基準週期T之處至該寫入時間長度波形切換回 消除態PE之處之延遲。請注意，前述之複數個重覆脈衝 參數α 2、α 3、α 4、…係可為彼此相等之數值，亦可為 彼此未必相等之數值，此係為因應不同應用之設計選 擇。 依照上述所定義之各個寫入策略參數，則圖二中之 該寫入時間長度波形之其他各項特徵均可得知，例如該

第13頁 200412588 五、發明說明（ίο) 寫入時間長度波形之第一個脈衝之長度α係等於二倍基 準週期Τ之長度減去第一參數d!(亦即， 而該寫入時間長度波形中除了第一個脈衝及最後一個脈 衝之外的其他脈衝當中，任何一個脈衝之後緣與其下一 個脈衝之前緣之間的延遲係等於二倍基準週期T之長度減 去該脈衝之長度（亦即召2 = 2T - α 2、冷3二2T - α 、…），又該寫入時間長度波形之最後一個脈衝之後緣 至該寫入時間長度波形切換回消除態ΡΕ2處之延遲係等

ϊ ί i ΐ數it上一二严準週期τ之長度減去第三參數d» :減去弟四參數α /斤得之值（亦即π+ τ _ dn — 請參閱圖三，圖三中顯示R ^ ^ ^ 驟1 2選取寫入策略參數的流程^，本發，之方法於乂 儲存之複數組寫入策略參數中"二/、中於該記憶體中所 dA第二參數；5〗、複數組重^表=含有複數個第一參數 、…、以及複數個第三參數d :笛群組01 2、α 3、α 4 數db。則該方法另包含有以下"步g四參數α m、及第五參 步驟2 0 :從該八對十四調變波~二 坦區、該目前凹洞區、及該後二讀取並判斷該前一平

步驟22:依據該前一平坦區及該區之波形長度； 度，從該等第一參數di中選取」蝻凹洞區之波形長 時依據該前一平坦區及該目前:相對應之第一參數dr 等第二參數召沖選取一相對庫1區之波形長度，從該 〜之弟二參數点1;

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五、發明說明（π) 步驟2 4 :依據該目前凹洞區之波形長度，從該等重覆脈 衝參數群組中選取一組相對應之重覆脈衝參數群組，亦 即複數個重覆脈衝參數2、α 3、α 4、…； 步驟2 6 :依據該目前凹洞區及該後一平坦區之波形長 度，從該等第三參數dm中選取一相對應之第三參數，並 依據該目前凹洞區之波形長度，從該等第四參數α m中選 取一相對應之第四參數a m，同時依據該目前凹洞區及該 後一平坦區之波形長度，從該等第五參數d b中選取一相 對應之第五參數db; 步驟28:以被選取之第一參數、第二參數冷丨、該重覆 脈衝參數群組、第三參數dm、第四參數α私及第五參數 d涞組成被選取之該組寫入策略參數。 相較於習知技術， 資料寫入一光學儲存媒 一目前凹洞 入策略 欲被钱 一平坦 一組相 不但參 了該凹 於實際 的長度 2T策略 調整空 光學儲 區、 對應 考了 洞區 上位 作了 而對 間， 存媒 之寫 目前 之前 於該 更精 該寫 進而 體因 一個平 光學儲 密的控 入策略 大幅改 抖動現 本發 體之 區及 參數 刻之 坦區 存媒 制另 參數 善了 象而 明之使用一 方法係利用 一後一平坦 ，於決定該 凹洞區的資 及後一個平 體表面上之 一方面本發 作了更詳細 1 T策略冷卻 造成的誤差 π甲傩仔裒置將 E F Μ波形上之一前 區之資訊來選取 組寫入策略參數 料，同時亦考慮 坦區的資訊，對 平坦區及凹洞區 明之方法亦採用 的定義以增加其 時間不足、及該 問題。

第15頁 200412588 五、發明說明（12) 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申 請專利範圍所做之均等變與修飾，皆屬於本發明專利之 涵蓋範圍。 11111 第16頁 200412588 圖式簡單說明 圖示之簡單說明 圖一為本發明之將資料寫入一光學儲存媒體之方法 的流程圖。 圖二為本發明之2T寫入策略參數的示意圖。 圖三為圖一中步驟12選取寫入策略參數之方法的流 程圖。 圖示之符號說明

步驟 10、 12、 14、 16 步驟 20、 22、 24、 26、 28

第17頁

Claims (1)

1. 200412588 六、申請專利範圍 1. 一種使用一光學儲存裝置將資料寫入一光學儲存媒 體之方法.，該光學儲存裝置包含有一記憶體及一光學讀 寫頭（Pickup)，邊記憶體中儲存有複數組寫入策略參 數，該方法包含有以下步驟： 提供一 RLL調變波形至該光學儲存裝置，該RLL調變 波形包含有一前一平坦區（previ0us Land)、一目前凹 洞區（Current Pit)以及一後一平坦區（Next Land )；

   依據該A —平坦區、該目前凹洞區以及該後一平坦 區之波形長度，從該記憶體中所儲存之複數組寫入策略 參數中選取一組相對應之寫入策略參數； 依據該組被選取之寫入策略參數，產生一寫入時間 長度波形；以及 利用該寫入時間長度波形驅動該光學讀寫頭來將對 應於該RLL調變波形之資料寫入該光學儲存媒體。

   2·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該RLL調變 波形具有一基準週期（EFM Base Period)，且當該光學 儲存裝置未寫入資料時，該寫入時間長度波形係處於一 消除態（Erase Power)，當該光學儲存裝置欲寫入資料 時’該寫入時間長度波形則處於一基準fe ( B i a s p 0 w e r )且依序包含有複數個脈衝，該脈衝係使該寫入時間長 度波形自該基準態切換至一寫入悲（Write p〇wer)。

   第18頁 200412588 六、申請專利範圍 3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該複數組寫 入策略參數包含有複數個第一參數及複數個第二參數， 各該第一參數代表自該目前凹洞區之前緣至該寫入時間 長度波形之第一個脈衝之前緣的延遲（Delay)，各該第 二參數代表自該寫入時間長度波形之第一個脈衝之後緣 至該第一個脈衝之後一脈衝之前緣的延遲，該方法另包 含有以下步驟： 依據該前一平坦區及該目前凹洞區之波形長度，從該等 第一參數中選取一相對應之第一參數；以及 依據該前一平坦區及該目前凹洞區之波形長度，從該等 第二參數中選取一相對應之第二參數。 4. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該等寫入策 略參數包含有複數組重覆脈衝參數群組，各該組重覆脈 衝參數群組中包含有複數個重覆脈衝參數，該等重覆脈 衝參數分別代表該寫入時間長度波形中除了第一個脈衝 及最後一個脈衝之外其他脈衝之長度，且於該寫入時間 長度波形中除了第一個脈衝及最後一個脈衝之外的其他 脈衝當中，任何連續之二脈衝之前緣之間的長度等於該 基準週期之二倍，該方法另包含有以下步驟： 依據該目前凹洞區之波形長度，從該等重覆脈衝參數群 組中選取一組相對應之重覆脈衝參數群組。 5. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該等寫入策

   第19頁 200412588 六、申請專利範圍 略參數包含有複數個第三參數、複數個第四參數以及複 數個第五參數，各該第三參數代表自該目前凹洞區之後 緣向前二倍該基準週期之處至該寫入時間長度波形之最 後一個脈衝之前緣的延遲，各該第四參數代表該寫入時 間長度波形之最後一個脈衝之長度，各該第五參數係代 表自該目前凹洞區之後緣向前一倍該基準週期之處至該 寫入時間長度波形切換回該消除態之處之延遲，該方法 另包含以下步驟： 依據該目前凹洞區及該後一平坦區之波形長度，從該等 第三參數中選取一相對應之第三參數； 依據該目前凹洞區之波形長度，從該等第四參數中選取 一相對應之第四參數；以及 依據該目前凹洞區及該後一平坦區之波形長度，從該等 第五參數中選取一相對應之第五參數。 6. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該寫入時間 長度波形之第一個脈衝之後緣係對齊於該目前凹洞區之 前緣向後二倍該基準週期之處。 7. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該寫入時間 長度波形之第一個脈衝之長度係等於二倍該基準週期之 長度減去該被選取之第一參數。 8. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中屬於同一重

   第20頁 200412588 六、申請專利範圍 覆脈衝參數群組中之該等重覆脈衝參數係彼此相等。 9. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中屬於同一重 覆脈衝參數群組中之該等重覆脈衝參數未必彼此相等。 1 0 ·如申請專利範圍第2項所述之方法，其中於該寫入時 間長度波形中除了第一個脈衝及最後一個脈衝之外的其 他脈衝當中，任何一個脈衝之後緣與其下一個脈衝之前 緣之間的延遲係等於二倍該基準週期之長度減去該脈衝 之長度。 11.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該寫入時間 長度波形之最後一個脈衝之後緣至該寫入時間長度波形 切換回該消除態之處之延遲係等於該被選取之第五參數 加上一倍該基準週期之長度減去該被選取之第三參數再 減去該被選取之第四參數所得之值。 1 2.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該前一平坦 區、該目前凹洞區、以及該後一平坦區之波形長度均為 該基準週期之倍數並介於三倍該基準週期及十一倍該基 準週期之間。 1 3.如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該消除態、 該基準態、以及該寫入態之值係為預設值，且不會因為

   第21頁 200412588 六、申請專利範圍 不同之RLL調變波形而有所不同。 1 4·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該光學儲存 裝置係為一光碟燒錄機（CD Burner)。 1 5 ·如申請專利範圍第丨4項所述之方法，其中该光學儲 存媒體係為一可重覆寫入式光碟片（CD RW) 1 6 ·如申請專利範圍第1項所述之方法’其中該光學儲存 裝置係為一數位多用途光碟燒錄機（DVD Burner) ° 1 7.如申請專利範圍第丨6項所述之方法，其中該光學儲 存媒體係為一可記錄式數位多用途光碟片（DVD - R)。 1 8 ·如申請專利範圍第丨6項所述之方法，其中該光學儲 存媒體係為一可重覆寫入式數位多用途光碟片（DVD-RW 1 9 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該RLL調變 波形係為一八對十四調變波形（Eight_t〇 — F〇urteen Modulation Waveform, EFM Waveform) 〇

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