CN1254797C - 将数据写入光学存储介质的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法，其包含有以下步骤：提供EFM波形至该光学存储装置，该EFM波形包含有前一纹间表面、当前坑区及后一纹间表面；依据该前一纹间表面、该当前坑区及该后一纹间表面的波形长度，从存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组写入方案参数；依据该组写入方案参数，产生写入时间长度波形；以及利用该写入时间长度波形驱动光学拾取器来将数据写入该光学存储介质。

Description

将数据写入光学存储介质的方法
技术领域
本发明提供一种将数据写入光学存储介质的方法，特别涉及一种依据EFM波形的前一纹间表面、当前坑区及后一纹间表面的信息来将数据写入光学存储介质的方法。
背景技术
近年来随着计算机运算能力愈来愈强大，加上网络技术的发展不断地进步，使得使用者利用计算机作为多媒体视听媒介并利用计算机作为与虚拟网络世界沟通的起始点而对网际网络大量存取各种各样的信息已成为一种趋势。在此趋势中，由于对数据存储量的需求大增，因此各种不同的存储工具也随之成为热门的产品，其中利用光盘作为存储媒介的产品，由于光盘在同样的存储容量下单价低廉且体积轻薄不占空间而便于携带，一直以来均十分受人瞩目，尤其这几年来各式光盘机及刻录机的功能日益强大，读取品质及存储速度不断向上提升，加上除了原有CD规格的光盘之外，更出现了同样体积但容量增加数倍的DVD规格，更使得光盘机以及刻录机几乎成为每台个人计算机的标准配置。
光学存储装置(如CD刻录机或DVD刻录机等)在将数据存储到光学存储介质(如CD光盘或DVD光盘等)时，会将该数据利用该光学存储装置的编码器(Encoder)转换为该光学存储介质的存储格式，在当前已知技术中，这种光学存储介质的存储格式通常为RLL(Run-Length Limited(游程长度受限))调制，例如八到十四调制波形(Eight-to-Fourteen Modulation Waveform，EFM Waveform)，该EFM波形将欲存储在该光学存储介质上的数据以不同时间长度的方波来代表，以CD为例，该方波的每一脉冲及脉冲间的距离均为EFM基准周期(EFM Base Frequency)三倍至EFM基准周期十一倍之间的长度，而该EFM波形则用于作为该光学存储装置将数据刻录至该光学存储介质的依据。当将数据存储在该光学存储介质上时，利用该光学存储介质上长度不一的多个纹间表面(Land)及坑区(Pit)来代表该数据的内容，而该纹间表面及坑区的长度则刚好对应于该EFM波形的波形长度，利用此对应关系，则该光学存储装置可以将数据存储至该光学存储介质上。
而在实际应用上，该光学存储装置利用一组写入方案参数(WriteStrategy Parameter)来将该EFM波形转换成用于驱动其光学拾取器(Pickup)的写入时间长度波形。对可擦除盘而言，当该光学存储装置未写入数据时(也就是擦除之前写入的信号使之处于纹间表面时)，该写入时间长度波形处于消除态(Erase Power)，当该光学存储装置欲写入数据时(也就是处于坑区时)，该写入时间长度波形则处于基准态(Bias Power)且依序包含有多个脉冲，该脉冲使该写入时间长度波形自该基准态切换至写入态(Write Power)，而该写入方案参数则用于定义在不同的纹间表面或坑区的条件下，该多个脉冲的长度及间距的状态。
在已知技术中，写入方案参数的定义通常采用1T方案，也就是说该写入时间长度波形中的该多个脉冲的周期以该EFM基准周期一倍为准，然而随着光学存储介质的刻录技术的进行，能够以更快的速度将数据刻录至光学存储介质的光学存储装置陆续出现(例如32倍速、48倍速的光盘刻录机)，这使得该EFM基准周期的长度愈来愈短，在此状况之下，造成在该写入时间长度波形中每一个脉冲(即位于写入态)之后伴随的间隔(即位于基准态)的长度过短，由于位于两个脉冲之间的基准态间隔是用于让该光学存储介质表面上的化学材料得以冷却以形成正确存储数据所需的坑，故因高速刻录而造成的基准态间隔长度过短将会使得冷却时间不足而产生数据存储失真的问题。为了解决此1T方案的问题，已知技术中提出了一种2T方案(请参考Orange Book Part III，Volume 3)，由于利用2T方案的该写入时间长度波形中的该多个脉冲的周期是以该EFM基准周期两倍为准，因此该脉冲及其间的间隔的长度均得以延长，也因此使得该光学存储介质表面上的化学材料在每次被该脉冲蚀刻后能够有足够的时间可以冷却以形成正确的坑，而解决了1T方案的问题。
但是，已知技术所公开的2T方案，由于其在决定写入方案参数时仅依据该EFM波形中的当前坑区的长度，而该当前坑区是对应于欲在当前在该光学存储介质表面上蚀刻的坑区，故其并未考虑到该当前坑的前一纹间表面及其后一纹间表面对于该坑的蚀刻结果所造成的影响。又由于该2T方案中所定义的多个脉冲中，除了最后一个脉冲之外的其他脉冲的长度及其间的间隔均为固定的值，而能够进行调整变动的参数仅包含与最后一个脉冲的状态有关的部分，这使得由于该光学存储介质的内部误差而造成的该坑区的抖动(Jitter)现象，会因为该写入方案参数缺乏足够的调整空间而无法充分消除，因而成为造成误差的因素。
发明内容
因此本发明的主要目的在于提供一种据EFM波形的前一纹间表面、当前坑区及后一纹间表面的信息来将数据写入光学存储介质的方法，以解决上述已知的问题。
本发明公开了一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法，该光学存储装置包含有一存储器及光学拾取器，该存储器中存储有多组写入方案参数，该方法包含有以下步骤：提供八到十四调制波形给该光学存储装置，该八到十四调制波形包含有前一纹间表面、当前坑区以及后一纹间表面；依据该前一纹间表面、该当前坑区以及该后一纹间表面的波形长度，从该存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组相应的写入方案参数；依据该组被选取的写入方案参数，产生写入时间长度波形；以及利用该写入时间长度波形驱动该光学拾取器来将对应于该八到十四调制波形的数据写入该光学存储介质。
本发明的方法是利用该EFM波形上的前一纹间表面、当前坑区及后一纹间表面的信息来选取一组相应的写入方案参数，在决定该组写入方案参数时不但参考了当前欲被蚀刻的坑区的数据，同时还考虑了该坑区的前一个纹间表面及后一个纹间表面的信息，对于实际上位于该光学存储介质表面上的纹间表面及坑区的长度作了更精密的控制，另一方面本发明的方法还对该写入方案参数作了更详细的定义以增加其调整空间，进而大幅改善了该光学存储介质因抖动现象而造成的误差问题。
附图说明
图1为本发明的将数据写入光学存储介质的方法的流程图。
图2为本发明的2T写入方案参数的示意图。
图3为图1中步骤12选取写入方案参数的方法的流程图。
附图中的符号说明
步骤10、12、14、16
步骤20、22、24、26、28
具体实施方式
本发明为使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法，其中该光学存储装置包含有存储器及光学拾取器，而该存储器中存储有多组写入方案参数，需要注意，在本发明的应用中，该光学存储装置可以为光盘刻录机(CD Burner)，此时该光学存储介质可以为可重复写入式光盘(CD-RW)，此外，该光学存储装置还可以为数字通用光盘刻录机(DVD Burner)，而该光学存储介质则可以为可记录式数字通用光盘(DVD-R)、或者为可重复写入式数字通用光盘(DVD-RW)，又在以下的实施例中将使用八到十四调制波形为例，然而在不影响本发明的实施的情形下，使用其他RLL调制波形的例子也属于本发明的涵盖范围。
参考图1，图1中显示本发明将数据写入光学存储介质的方法的流程图，其包含有以下步骤：
步骤10：向该光学存储装置提供八到十四调制波形，该八到十四调制波形包含有前一纹间表面(Previous Land)、当前坑区(Current Pit)以及后一纹间表面(Next Land)；
步骤12：依据该前一纹间表面、该当前坑区以及该后一纹间表面的波形长度，从该存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组相应的写入方案参数；
步骤14：依据该组被选取的写入方案参数，产生写入时间长度波形；
步骤16：利用该写入时间长度波形驱动该光学拾取器来将对应于该八到十四调制波形的数据写入该光学存储介质。
其中该八到十四调制波形(即EFM波形)如同前面所述，相对于该光学存储介质上用于代表所存储的数据的多个被蚀刻的坑区(Pit)及未被蚀刻的纹间表面(Land)，该EFM波形也分别包含有多个坑区及纹间表面与之对应，举例来说，该坑区可用该EFM波形中的高电平来代表，而该纹间表面则可用该EFM波形中的低电平来代表。如前所述，该EFM波形的每坑区及纹间表面的波形长度均介于EFM基准周期三倍到EFM基准周期十一倍之间且均为该EFM基准周期的整数倍。针对该光学存储介质上每一个当前正欲被蚀刻的坑区来说，其均有该EFM波形上相应的当前坑区，以及该当前坑区前方的前一纹间表面与该当前坑区后的后一纹间表面。
本发明的方法与已知技术中决定写入方案参数的方法最大的不同处在于，在上述步骤12中除了依据该当前坑区的波形长度之外，同时还参考该前一纹间表面及该后一纹间表面的波形长度来从该存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组相应的写入方案参数。而该写入方案参数如前所述，用于定义在不同的纹间表面或坑区的条件下，该写入时间长度波形中的该多个脉冲的长度及间距的状态，因此本发明的方法即可在步骤14中依据该组被选取的写入方案参数，产生该写入时间长度波形。该写入时间长度波形如前所述，为由连续的消除态PE、基准态PB、及写入态PW功率值相互切换而形成的波形，需要注意，在该写入时间长度波形中的消除态PE、基准态PB、以及写入态PW的值为预设值，且不会因为输入的EFM波形不同而有所不同。
接下来将说明前述的步骤12中选取该组写入方案参数的方法，参考图2，图2中显示本发明的2T写入方案参数的示意图。在本发明的优选实施例中，本发明提供一种以2T方案为基准来定义写入方案参数的方法，也就是说，该写入时间长度波形中的该多个脉冲的周期是以该EFM基准周期两倍为准。在图2中，多个垂直的虚线之间的间隔均代表该EFM基准周期T的一倍的长度，而此处以具有基准周期T11倍(即11T)的当前坑区的EFM波形为例。在此情形下，本发明的方法所定义的写入方案参数则如图2中的写入时间长度波形所示，将详述如下。
本发明的方法定义第一参数d1，第一参数d1代表自该当前坑区的前缘至该写入时间长度波形的第一个脉冲的前缘的延迟(Delay)，且规定该写入时间长度波形的第一个脉冲的后缘与该当前坑区的前缘向后两倍基准周期T之处对齐；第二参数β1，第二参数β1代表自该写入时间长度波形的第一个脉冲的后缘至该第一个脉冲的后一脉冲的前缘的延迟；多个重复脉冲参数α2、α3、α4、…，重复脉冲参数α2、α3、α4、…分别代表该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外其他脉冲的长度，且规定在该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外的其他脉冲当中，任何连续的两个脉冲的前缘之间的长度等于基准周期T的两倍；第三参数dm，第三参数dm代表自该当前坑区的后缘向前两倍基准周期T之处至该写入时间长度波形的最后一个脉冲的前缘的延迟；第四参数αm，第四参数αm代表该写入时间长度波形的最后一个脉冲的长度；以及第五参数db，第五参数db则代表自该当前坑区的后缘向前一倍基准周期T之处至该写入时间长度波形切换回消除态PE之处的延迟。需要注意，前述的多个重复脉冲参数α2、α3、α4、…可为彼此相等的数值，也可为彼此未必相等的数值，此因不同应用的设计而选择。
依照上述所定义的各个写入方案参数，则图2中的该写入时间长度波形的其他各项特征均可得知，例如该写入时间长度波形的第一个脉冲的长度α1是等于基准周期T两倍的长度减去第一参数d1(即α1＝2T-d1)，而该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外的其他脉冲当中，任何一个脉冲的后缘与其下一个脉冲的前缘之间的延迟等于两倍基准周期T的长度减去该脉冲的长度(即β2＝2T-α2、β3＝2T-α3、…)，而该写入时间长度波形的最后一个脉冲的后缘至该写入时间长度波形切换回消除态PE之处的延迟是等于第五参数db加上基准周期T一倍的长度减去第三参数dm再减去第四参数αm所得的值(即βm＝db+T-dm-αm)。
参考图3，图3中显示图1中本发明的方法在步骤12选取写入方案参数的流程图，其中在该存储器中所存储的多组写入方案参数中，包含有多个第一参数d1及第二参数β1、多组重复参数组α2、α3、α4、…、以及多个第三参数dm、第四参数αm、及第五参数db。则该方法还包含有以下步骤：步骤20：从该八到十四调制波形中读取并判断该前一纹间表面、该当前坑区、及该后一纹间表面的波形长度；
步骤22：依据该前一纹间表面及该当前坑区的波形长度，从该多个第一参数d1中选取相应的第一参数d1，同时依据该前一纹间表面及该当前坑区的波形长度，从该多个第二参数β1中选取相应的第二参数β1；
步骤24：依据该当前坑区的波形长度，从该多个重复脉冲参数组中选取一组相应的重复脉冲参数组，即多个重复脉冲参数α2、α3、α4、…；步骤26：依据该当前坑区及该后一纹间表面的波形长度，从该多个第三参数dm中选取相应的第三参数dm，并依据该当前坑区的波形长度，从该多个第四参数αm中选取相应的第四参数αm，同时依据该当前坑区及该后一纹间表面的波形长度，从该多个第五参数db中选取相应的第五参数db；
步骤28：以被选取的第一参数d1、第二参数β1、该重复脉冲参数组、第三参数dm、第四参数αm以及第五参数db来组成被选取的该组写入方案参数。
与已知技术比较，本发明的使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法利用EFM波形上的前一纹间表面、当前坑区及后一纹间表面的信息来选取一组相应的写入方案参数，在决定该组写入方案参数时不但参考了当前欲被蚀刻的坑区的数据，同时还考虑了该坑区的前一个纹间表面及后一个纹间表面的信息，对于实际上位于该光学存储介质表面上的纹间表面及坑区的长度作了更精密的控制。另一方面本发明的方法也采用2T方案而对该写入方案参数作了更详细的定义以增加其调整空间，进而大幅改善了1T方案冷却时间不足、及该光学存储介质因抖动现象而造成的误差问题。
以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的等价变化与修饰，皆属于本发明专利的涵盖范围。

Claims (20)

1.一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法，该光学存储装置包含有存储器及光学拾取器，该存储器中存储有多组写入方案参数，该方法包含有以下步骤：
提供RLL调制波形至该光学存储装置，该RLL调制波形包含有前一纹间表面、当前坑区以及后一纹间表面，还具有基准周期，且当该光学存储装置未写入数据时，该写入时间长度波形是处于消除态，当该光学存储装置欲写入数据时，该写入时间长度波形则处于基准态且依序包含有多个脉冲，该脉冲是使该写入时间长度波形自该基准态切换至写入态；
依据该前一纹间表面、该当前坑区以及该后一纹间表面的波形长度，从该存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组相应的写入方案参数，包含有多个第一参数及多个第二参数，每个该第一参数代表自该当前坑区的前缘至该写入时间长度波形的第一个脉冲的前缘的延迟，每个该第二参数代表自该写入时间长度波形的第一个脉冲的后缘至该第一个脉冲的后一脉冲的前缘的延迟；
依据该前一纹间表面及该当前坑区的波形长度，从该多个第一参数中选取相应的第一参数；
依据该前一纹间表面及该当前坑区的波形长度，从该多个第二参数中选取相应的第二参数；
依据该组被选取的写入方案参数，产生写入时间长度波形；以及
利用该写入时间长度波形驱动该光学拾取器来将对应于该RLL调制波形的数据写入该光学存储介质。
2.如权利要求1所述的方法，其中该写入时间长度波形的第一个脉冲的后缘与该当前坑的前缘向后该基准周期两倍之处对齐。
3.如权利要求1所述的方法，其中该写入时间长度波形的第一个脉冲的长度是等于该基准周期两倍的长度减去该被选取的第一参数。
4.如权利要求1所述的方法，其中在该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外的其他脉冲当中，任何一个脉冲的后缘与其下一个脉冲的前缘之间的延迟等于该基准周期两倍的长度减去该脉冲的长度。
5.如权利要求1所述的方法，其中该前一纹间表面、该当前坑区、以及该后一纹间表面的波形长度均为该基准周期的倍数并介于该基准周期三倍到该基准周期十一倍之间。
6.如权利要求1所述的方法，其中该消除态、该基准态、以及该写入态的功率值为预设值，且不会因为不同的RLL调制波形而有所不同。
7.如权利要求1所述的方法，其中该RLL调制波形为八到十四调制波形。
8.一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法，该光学存储装置包含有存储器及光学拾取器，该存储器中存储有多组写入方案参数，该方法包含有以下步骤：
提供RLL调制波形至该光学存储装置，该RLL调制波形包含有前一纹间表面、当前坑区以及后一纹间表面，还具有基准周期，且当该光学存储装置未写入数据时，该写入时间长度波形是处于消除态，当该光学存储装置欲写入数据时，该写入时间长度波形则处于基准态且依序包含有多个脉冲，该脉冲是使该写入时间长度波形自该基准态切换至写入态；
依据该前一纹间表面、该当前坑区以及该后一纹间表面的波形长度，从该存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组相应的写入方案参数，包含有多组重复脉冲参数组，每个该组重复脉冲参数组中包含有多个重复脉冲参数，该多个重复脉冲参数分别代表该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外其他脉冲的长度，且在该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外的其他脉冲当中，任何连续的两个脉冲的前缘之间的长度等于该基准周期的两倍；
依据该当前坑区的波形长度，从该多个重复脉冲参数组中选取一组相应的重复脉冲参数组；
依据该组被选取的写入方案参数，产生写入时间长度波形；以及
利用该写入时间长度波形驱动该光学拾取器来将对应于该RLL调制波形的数据写入该光学存储介质。
9.如权利要求8所述的方法，其中属于同一重复脉冲参数组中的该多个重复脉冲参数彼此相等。
10.如权利要求8所述的方法，其中属于同一重复脉冲参数组中的该多个重复脉冲参数不完全相等。
11.如权利要求8所述的方法，其中在该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外的其他脉冲当中，任何一个脉冲的后缘与其下一个脉冲的前缘之间的延迟等于该基准周期两倍的长度减去该脉冲的长度。
12.如权利要求8所述的方法，其中该前一纹间表面、该当前坑区、以及该后一纹间表面的波形长度均为该基准周期的倍数并介于该基准周期三倍到该基准周期十一倍之间。
13.如权利要求8所述的方法，其中该消除态、该基准态、以及该写入态的功率值为预设值，且不会因为不同的RLL调制波形而有所不同。
14.如权利要求8所述的方法，其中该RLL调制波形为八到十四调制波形。
15.一种使用光学存储装置将数据写入光学存储介质的方法，该光学存储装置包含有存储器及光学拾取器，该存储器中存储有多组写入方案参数，该方法包含有以下步骤：
提供RLL调制波形至该光学存储装置，该RLL调制波形包含有前一纹间表面、当前坑区以及后一纹间表面，还具有基准周期，且当该光学存储装置未写入数据时，该写入时间长度波形是处于消除态，当该光学存储装置欲写入数据时，该写入时间长度波形则处于基准态且依序包含有多个脉冲，该脉冲是使该写入时间长度波形自该基准态切换至写入态；
依据该前一纹间表面、该当前坑区以及该后一纹间表面的波形长度，从该存储器中所存储的多组写入方案参数中选取一组相应的写入方案参数，包含有多个第三参数、多个第四参数以及多个第五参数，每个该第三参数代表自该当前坑区的后缘向前该基准周期两倍之处至该写入时间长度波形的最后一个脉冲的前缘的延迟，每个该第四参数代表该写入时间长度波形的最后一个脉冲的长度，每个该第五参数是代表自该当前坑区的后缘向前该基准周期一倍之处至该写入时间长度波形切换回该消除态之处的延迟；
依据该当前坑区及该后一纹间表面的波形长度，从该多个第三参数中选取相应的第三参数；
依据该当前坑区的波形长度，从该多个第四参数中选取相应的第四参数；
依据该当前坑区及该后一纹间表面的波形长度，从该多个第五参数中选取相应的第五参数；
依据该组被选取的写入方案参数，产生写入时间长度波形；以及
利用该写入时间长度波形驱动该光学拾取器来将对应于该RLL调制波形的数据写入该光学存储介质。
16.如权利要求15所述的方法，其中该写入时间长度波形的最后一个脉冲的后缘至该写入时间长度波形切换回该消除态之处的延迟等于该被选取的第五参数加上该基准周期一倍的长度减去该被选取的第三参数再减去该被选取的第四参数所得的值。
17.如权利要求15所述的方法，其中在该写入时间长度波形中除了第一个脉冲及最后一个脉冲之外的其他脉冲当中，任何一个脉冲的后缘与其下一个脉冲的前缘之间的延迟等于该基准周期两倍的长度减去该脉冲的长度。
18.如权利要求15所述的方法，其中该前一纹间表面、该当前坑区、以及该后一纹间表面的波形长度均为该基准周期的倍数并介于该基准周期三倍到该基准周期十一倍之间。
19.如权利要求15所述的方法，其中该消除态、该基准态、以及该写入态的功率值为预设值，且不会因为不同的RLL调制波形而有所不同。
20.如权利要求15所述的方法，其中该RLL调制波形为八到十四调制波形。
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