TW200412441A - Electronic device with wide lens for small emission spot size - Google Patents

Description

200412441 玖、發明說明： I：發明戶斤屬之技術領域3 發明領域 本發明係屬微電子之領域。本發明係特別涉及到一些 5 利用彼等射體所出之聚焦發射電子的裝置。 I：先前技術2 發明背景 電腦運算技術係不斷地變為較價廉，同時可提供較多 之能力。彼等實體大小業已縮小使符合其可攜之目標。其 ίο 電力消耗應使極小化，特別是在一些需要一以電池為例之 可攜式電源供應器的可攜式裝置中。 一些類似硬碟驅動器等傳統式記憶體裝置之高電力需 求，會限制到其電池之長期運作。彼等微處理機相較於此 種補助裝置，係消耗較小量之電力。彼等較高速之裝置亦 15 屬有利。在一些商業性刊物中，已有些已發表之評論，是 有關一些類似磁碟驅動器、光碟、和DVD驅動器等不及備 載之大容量儲存裝置，藉以趕上該等微處理機之進步速率。 彼等可產生電子射束之電子發射器，係呈現為彼等記 憶體、電子晶片製造設備、和其他裝置有關可選擇之可能 20 解決方案的基礎。電子射束技術，在電視(TV)影像管和電 腦監視器等消費性產品中，已存在有多年。此等裝置係使 用一些所謂之熱陰極電極，來產生一導向及聚焦在其螢光 幕上面之電子源。此等熱陰極射體，由於彼等之大尺寸、 高溫度、和高電力消耗所致，而不適用於一些電腦規模之 5 裝置中。其趨勢即使是在電視中，係偏向於—更為輕巧之 解決方案。電漿和LCD電視，即為此遠離上親大熱陰極 技術之趨勢的一些範例。 雖然在許多新技術領域中已有過研究，一些類似尖端 ^平坦式射體等冷陰極電子射體之領域，已吸引了許多製 造，者之注意。在將此種冷陰極技_移成產品中，係存 =旦些_。其—此類問題是，—可被使用在一些類似 子==存裝置等需要高密度發射裝置之多重應用中的電 子?K焦結構之建造。 10 % 一典型之尖端或平坦式射體驅動 於其控制—射麟出之電子發射的。體衣置，係基 電氣信號而發射電子。彼等受到 。—射體可響應一 -可產生一有用之電氣和光學效:的=射電：，形成了 15 射電子，可影響多種媒體，使舉例而〜。彼等聚焦之發 印刷之效果。此等和其他之應用:產生一記憶和平版 及聚焦之電子射束。此料束之產^要使㈣彼等受控 —通常為靜電透鏡之聚焦結構的製造。係涉及到一射體和 20 各種射體驅動式裝置，係利用一 _極媒體，係、該等受控之發射電子#陽極媒體。此標 革巴陽極媒體，係使保持在_與其二一的聚焦點。-標 伏特下。在彼等射體·動式裝置巾，結構相差數百 一重要之議題。彼等射體晶片上準和聚焦長度係屬 使該等射體和聚f、元件精確對準^⑼製造’將需要 製造之射體有關的標準實務，為在二。成此對準’彼等微 ’、、、〜單〜自我對準之照相 6 V驟中，形成其整個透鏡和射體結構。此將町達成一透鏡 /射體之良好對準，但卻固定了其透鏡離其射體之距離， 以及亦限定了其透鏡之厚度。通常，其透鏡離其引出器之 距離，係與此引出器離一形成在一井區内之尖端射體的距 離相同。其聚焦長度因而會受到一射體/聚焦透鏡晶片中 各種孟屬層的間隔所提供之最短距離的限制。 上述單一自我對準照相步驟之程序，進一步會使其透 鏡之直徑被設定至其井區者，因為兩者係形成自同一侧 y驟由於4等引出器和透鏡之共同尺寸和彼等之相對位 置二致’其射體所出之發射電子的發散角度，係較其透鏡 ''匕將會不利地影響到其自此等發射電子產生一緊密 聚焦之點的能力。-緊密之聚焦點尺寸，舉例而言，^ 35 nm，係有锻增加—記賴之密度n狭窄發散之 射束’係有餘-科學儀H或平版印刷n 裝置，已能藉由使用柵孔阻隔大量之雜散發射電^钱 成一大約40 nm之點尺寸。其㈣產生上述聚焦點而被使用 1之發射電子㈣分率_得之效率，因而係很低。其為 縮小點尺相《之㈣栅孔，可使其發㈣子之效率降 低ΐοοχ至i〇,〇〇〇x。其他縮小點尺寸之解決方案，包括使用 多重透鏡和高加速電壓。高電壓係與其電力祕相衝突， 以及在某些可攜式裝置中，可能係屬不可行…複合之透 鏡，將會增加其製造之成本，以及在—高容量製造輕序中， 可能係難以被具現。 上述内裝-尖端射體之傳統式井區亦係很深。其標準 200412441 之小透鏡尺寸，需要在該等尖端射體/引出器與透鏡之 間，有極端精確之對準，〜0.04//m。誠如所提及，一單一 蝕刻步驟，將可產生該等井區和透鏡，藉以達成彼等之對 準，以及其井區之深度直徑比，通常係很高，大約為2比1(深 5 度對直徑）。此將會造成其處理之複雜性，因為要將一尖端 射體澱積進一深井區内係頗有困難，蓋在形成該射體尖端 時，應當避免碰觸到其井區内側之塗料。此可能需要一更 為複雜之加工，舉例而言，一些較大之蒸發器。彼等深井 區亦可能產生一些較差之射體尖端品質和低回收率。 10 【發明内容】 發明概要 本發明之電子裝置，係包括一形成在一被界定在一基 體内之井區内的尖端射體。其一佈置在上述井區四周之引 出器，可引出其尖端射體所出之發射電子。其一寬透鏡可 15 使該等穿過其開口之發射電子聚焦。其開口係充份大及使 相隔足夠遠，藉以涵蓋該等發射電子之大部份發散角度。 該等發射電子係使聚焦成一點。 圖式簡單說明 第1圖係一較佳實施例之電子裝置的示意剖面側視圖； 20 第2圖係一出自第1圖之電子裝置的射體和井區之示意 剖面側視圖； 第3圖係第1圖之類型的較佳實施例之示意剖面側視 圖，其可例示上述因一些接近其透鏡開口側緣之逸散場 (aberrant)所致的聚焦效果； 8 200412441 第4圖係一具有一可供第1圖之電子裝置使用的柵孔之 較佳實施例的射體和井區之示意剖面側視圖； 第5圖係一可例示一用以形成第4圖之栅孔的較佳方法 之示意剖面側視圖； 第6圖係-較佳實施例之電子裝置的示意剖面侧視圖； 第7圖係該等出自第6圖之電子裝置的射體和井區之示 思剖面側視圖， 第8圖係-可被使用在第6圖之電子裝置中的射體和井 區陣列之示意剖面側視圖； 第9圖係例示-可形成—電子裝置之較佳方法，和一可 藉由最佳化運作來縮小其點尺寸之較佳方法； 第圖係—可例示本發明之一較佳記憶體裝置的示 意透視圖； 第10B圖係例示第1〇A圖之紀橋 15 M <尤fe體裝置有關的較佳實 施例之讀取器電路； 、 第 置之示jr本發明之較佳實施例的平版印刷裝 圖 第12圖則係一可例示本發明之一 之一較佳實施例的方塊 【實施冷式】 較佳實施歡 本發明之電子裝置，將由— 係在一射體裳置形 來…、透鏡來加以實 引 器 上面的結構。其透二形成為-在此射體裝置之 、錢在製作上係使顯著寬於其引出 20 200412441 以涵蓋彼等發散之電子。此透鏡亦係使與其引出器相隔一 相當之距離，藉以相照於彼等傳統式裝置，而加長其電子 之飛行路徑，以及容許一單一透鏡達成一小聚焦點尺寸。 在某些實施例中，其並未使用到栅孔。在其他實施例中， 5 係在其引出器處使用栅孔，以進一步縮小其點尺寸。依據 本發明而使用一分開形成之聚焦透鏡，將可容許其透鏡之 相對尺寸，在決定上能獨立於其引出器/尖端井區之尺 寸。此分開形成之聚焦透鏡，可使置於一距其引出器之所 希望的距離處，舉例而言，其可使形成在一厚介電質上面， 10 藉以移離其引出器。當其射體和其之井區首先形成時，一 小深度直徑比，可被用來簡化上述尖端射體在其井區内之 形成。 本發明之一較佳電子裝置，係包括一與一尖端射體相 間隔之聚焦透鏡。一射體井區有關之深度對直徑之深度直 15 徑比，在一較佳之實施例中，可在一大約0.75:1-1.25:1之範 圍内，由於上述相間隔之透鏡，係與其射體分開形成，以 及其井區可獨立地加以界定。在本發明之實施例中，其透 鏡係使間隔足夠遠，以及係使寬至足以涵蓋彼等發射電子 之大部份發散角度，以及在一些特定之較佳實施例中，該 20 等發射電子之整個發散角度，將會被涵蓋。其一較佳之實 施例，係使其透鏡之直徑，相較於此透鏡離其射體引出器 之距離，具有一在1:1至6:1間之關係。 本發明茲將參照一些較佳實施例之電子裝置，和一些 合併此等較佳實施例之電子裝置的代表性裝置，而加以圖 10 200412441 示說明。在本發明之說明中，將基於圖示說明之目的，使 用一些特定之範例性裝置、形成程序、和裝置應用例。彼 等尺寸和圖示裝置，基於圖示和對本發明之理解的目的， 可能會加以誇大。此等繪圖之元件，並非必然按彼此之相 5 對比例。更確切地說，其強調係針對能清楚地圖示說明本 發明。此外，彼等相同之參考數字，在遍及諸視圖中，係 指明彼等雖非必然為同一亦屬類似之對應零件。一以二維 示意性層結構例示成一習見方式之單一電子裝置，將為彼 等技工所瞭解，旨在提供一些三維電子裝置結構之揭示說 10 明。本發明之裝置和程序，如同彼等技工亦能理解的，可 以一傳統式積體電路製造設備來加以完成。 第1圖係例示本發明之一電子裝置。其一基體8，係包 括一在一井區12内之尖端射體10，例如，一 Spindt尖端。此 基體8亦可能包括一些額外之射體，以及可能形成為一包括 15 一些控制電子電路、電力供應器、等等之積體裝置的一部 分。其射體10可在一引出器14之控制下發射電子。其電子 飛行路徑，在以一寬而遠之靜電透鏡16使此等發射電子聚 焦前，係具有一相當之長度L1(〜2-〜10//m)。其透鏡16係寬 至足以涵蓋至少大部份來自其尖端射體10之發射電子的發 20 散角度，以及遠至足以容許此透鏡16達成彼等發射電子在 一媒體18上面之緊密點聚焦。在一些較佳之實施例中，其 標靶媒體18可相對於其透鏡/引出器/射體結構而被移 動，舉例而言，藉由一施加至此標靶媒體18之微米移動器 19。此微米移動器19，係作用為一定子，以及其標靶媒體 11 200412441 18係作用為—轉子。彼等範例性微米移動器，舉例而言， 係包括有彈簧、壓電、螺絲、和電梳微米移動器組體。或 者，此移動器可使施加至其透鏡/引出器/射體結構。-其標乾媒體18可加以選擇，使產生_些不同 5置。舉例而言，其標㈣體18可使為—使用相位變化材料 之記憶體媒體，其-範例性材料為In2Se3。其他之相位變化 材料，係為本技藝之專業人員所熟知。另—種可能性為— 平版印刷應用，在此情況中，一電子射束阻體材料，舉例 而言’聚甲基丙燁酸甲醋(PMMA)，係適用做其標乾媒體 1〇其可能係由一塗有上述電子射束阻體材料之晶圓所構 其標把媒體18係使保持在某_電壓下，例如7〇〇v，藉 助加速彼等朝向其之發射電子。 15 20 丁亦從涵盍其尖端射體1 〇所出發射带 ΓΓ發散角度。—範圍在〜3至〜10_之直徑〜係屬： U對U之比率，可能係落在—大約1:1脚之 内。上述之媒體18係在其發射電子之焦點處的距離L2 如1至10”。當彼等發射電子之發散角度完全被涵蓋時， 其將可貫現之發射電子效率。此外，上述與其媒㈣ 相隔相當叙寬魏，將可料〜％ nm和更奴極小 寸，以及更好的是小於〜1()nm。 、、 其透鏡16係在該等射體10和弓丨出器形成後，使形成在 此射體/引出益結構上面。其電子供應松(第卜引出 器14、和透鏡16之適#材料，係包括任何可職其所採用 之製造程序和其他所採用之材料的導體。一些較佳之導體 12 200412441 係包括ΤιΝ、Au、a卜和Ta。一厚介電質層20，係可達成上 述之距離L1。一些低應力介電質層2〇，可被用作此介電質 層20。一些較佳之範例，係包括TEOS(Si-氧化物）、SiN、 和 SiC。 兹爹照第2圖，上述之尖端射體10係顯示在其井區12 内。一些適當之範例性尖端射體，係包括一些由Mo、Nb、

NbC、和Pt所形成之尖端射體。由於此射體/引出器結構， 係與其透鏡分開形成，一深井區將可使避免。其井區12係 具有一範圍大約在〇·75:Μ.25:1内及較佳為1:1之深度（L3) 10 對直徑（直徑DE)的比率。相較於該等產生自上述在一單一 步驟中御彳其射體井區連同其透鏡開口之自我對準式形成 程序的-般性2:1深度直徑比之井區_序，其尖端射體ι〇 在。亥等以〇·3 0.5 //瓜直梭和〜〇 4一〇 6 ^瓜深度之井區為 例的淺井區中之形成，應會使其製造產率增加。在此等淺 15 井區中’纟尖端#料在此#端形成躺，係較無塗敷至其 井區壁之趨勢。-依據第丨和2圖之範例性較佳實施例，係 具有如下之參數：DL〜7.5//m、DE〜〇.5//m、u〜5"m、L2〜3 20 ，以及L3〜〇.4//m。其一電子供應金屬層22，和其引出 器金屬層14,係為〜。其—介電質層以，係可使該等 電子供應金屬層和引出器金屬層14相分隔。 其射體/引出器7透鏡結構，最好係以半導體带置技 術來製造。本發明之裝置，可應用至範㈣廣之半導體裝 置技術，以及可製自種崎多之半導體#料。彼等較佳之 裝置，可使魏在鱗特«統巾。_•雜料可加以 13 200412441 _ &之壯罟 "^思吏雙限於此等以矽半導體材料 製成之衣置，而將使包括—或多可用 ¥體材枓 藝之專業人員可利用之技術。在 j材料和本技 -範例為使用玻璃基體± 發明下’另 技術。 體上面之多晶石夕的薄膜電晶體(TFT) /、七射A子之發散角度0，係顯示在第2圖中 提及，其透鏡16最好係使寬至足以涵蓋彼等發射電子^ 個發«度Θ。-較小之發⑽度，將有助於 : 點尺寸之能力。 j 10 佳化至〜1G 之點尺寸的聚焦。自其透鏡16之側緣區域進 -步移動彼等發射電子，將會降低或消除其透鏡侧緣附近 之電子飛行路徑所發生的未聚焦之逸散發射電子。 枝弟3圖，上述建立在其透鏡開口之側緣附近的場， 將不會使電子《、。藉由本糾，此大直徑之透鏡，舉例 而言，將可m容許有—至少小至〜35 n喊最好使最 雖然有某些電子發射電子效率會喪失，本發明之另一 實施例’可藉由在其引出器14上面加一栅孔20，而使其發 散角度（見第4圖）變窄。此柵孔26可為金屬或任何其他適能 阻隔其柵孔開口容許之發散角度外的發射電子之材料。此 20 柵孔材料應為一具有高溶點之良導體。一些範例性較佳材 料，係包括Mo、Ta、Nb、和此等材料之碳化物。 一用以形成其柵孔26之較佳方法，誠如第5圖中所例 示，係一在其完成之引出器層上面的低角度澱積運作。舉 例而言，一喷鍍標靶30係被設定為離法線50-85。之角度， 14 200412441 75 。其澱積角度係低，以及其射體/引出器基體， 在表積期間係相對於其標乾3〇旋轉，藉以均勻地塗敷其井 區開口之所有側部。 可改進點尺寸之他型實施例，係顯示在第6圖中。 此貝^例係包括一作為一準直透鏡之傳統式透鏡32。其透 鏡32係例示在第7圖中，其係形成在其引出器14上面所形成 之媒體34上面。其透鏡32所出之發射電子，將會準直朝向 上述與其透鏡32相隔有相當距離之寬透鏡16的中心最強聚 焦σ卩分。第6和7圖之實施例中的發射電子效率，在上述接 近其引出為之透鏡32在執行上係如同在一些無寬而遠之透 鏡丨6的裝置中時，將會在一些傳統式射體裝置之範圍内。 r、、;、而，第6和7圖之實施例，將會達成一較第1圖之實施例為 J的最佳化點尺寸，以及係具有一改良之空間穩定度。上 述由於頭一透鏡或柵孔所致輸出之降低，可藉由一射體陣 15列來取代一單一射體，而加以處理 ’亦即’每一寬而遠之 透鏡16，將會接收來自一射體10之陣列的輸出。 此一類型之實施例的射體10、引出器14、和頭一透鏡 32之部分，係例示在第8圖中。每一射體係使準直成一發射 電子樣式36，以及彼等多數之發射電子樣式，係藉由一寬 20而遠之透鏡丨6，而使聚焦成一點。 上文所例示之較佳實施例，係表示一可用以縮小一聚 焦之發射電子射束的點尺寸之一般性方法。參照第9圖，所 例示係一縮小點尺寸之方法，和本發明之電子裝置的形成 方法。有一尖端射體形成（步驟40)，最好是在一淺深度直徑 15 二分開之步驟，或為其射體形成之-部 可選擇地，—栅孔係糾成在此尖端射體上方（步驟42)。 柳t子L和-"祿^jSl 在其引中哭， 遷鏡或—些透鏡之結構，可使形成 鏡之自我;準:舉例而言’作為1以形成-透 範例而言，最好俜；'由的—部分。一柵孔之形成，就另一 麟積程序，來加二同參照第5圖中所討論之低角度 10 文所討論之直徑和=二寬;^遠之透鏡，接著係依據上 /井區之形点在—獨立於其引出器/尖端射體 鏡的直㈣飞理步驟中形成（步驟46)。上述寬而遠之透 影趣離’相任何栅孔和頭—透鏡之加開，將會 等參數二尺：和能力，以及其點尺寸可藉由調整任-此 包括藉由調:::::(步驟’此最佳化運作舉例而言，係 裝置(牛㈣1 ^參數(步驟52)，來模型化及測試彼等原型 15 此—程相U ㈣和點財域爭目標，在 ，、可使平衡。雖然其透鏡16之直徑，理論上 Γ使任意加寬，苴古斤y ‘ 明上 括之事實有·*/、直徑係存在有一些實際上之限制，其包 積二·增加其透鏡之直徑，將會影響到每-單位面 20 之電壓=射體裳置結構的數目。此外，其透鏡運作所需 特定應胃就車父大之開口而增加。-裝置接著係依據-些 況ΐ 了 傳統式步驟來加以完成（步驟54)。在一極小之情 其媒體體18純安排在—㈣之發射電子點處。 此外，第9圖中::步驟牛之數目’將依其特定之應用而定。 他複製結構’在完成上可使為一亦可形成其 °之程序的一部分。而且，此等步驟可在完成上 16 200412441 使為一半導體裝置積體化程序之一部分，舉例而言，該等 引出器和透鏡結構，可為一大型積體電路形成程序之一部 分。 彼等依據本發明之電子裝置的特定應用，將會使用不 5同之標靶媒體。其標靶媒體18可加以選擇，使產生不同類 型之裝置。舉例而言，ϋ由應用_微米移動器至其標把媒 體，或至其寬透鏡/射體結構，將可在其模標乾媒體與上 述聚焦之發射電子間，建立一相對運動。其標靶媒體18可 為一使用相位變化材料之記憶體媒體，其一範例性材料為 10 Inje3。其他之相位變化材料，係為本技藝之專業人員所涑 知。就一平版印刷應用，一電子射束阻體材料係屬適當， 例如，聚甲基丙烯酸曱酉旨（PMMA)。茲將討論少數較佳實施 例之應用，但並不欲使本發明受限於此等特定應用。 有一較佳之記憶體裝置，係顯示在第1〇A和1〇B圖中。 15此實施例一般係具有第1圖之結構，其係複製成一射體和對 應之透鏡的陣列。特言之，此記憶體裝置係包括多數形成 在一射體基體62上面之井區内的積體式尖端射體6〇。上述 之基體62最好係由一積體電路(IC)來構成，其係包括多數之 較小積體式射體60，彼等係藉由一介電質64，使與一具有 20覓而遠之聚焦透鏡68的聚焦陣列66相分隔。每一聚焦透鏡 68，係可加以控制使發射一聚焦之射束7〇，其可被用來影 響一記錄表面，亦即，媒體72。此媒體72係使施加至一可 使此媒體72相對於其聚焦陣列基體66之聚焦透鏡68定位的 夕動74。其移動器74最好係具有一使積體化進其内之讀 17 12441 取器電路76。此讀取器76係顯示為一放大器78，而使一第 —歐姆接點80連接至其媒體72，以及使一第二歐姆接點” 連接至其最好為半導體或導體基體之移動器74。此移動器 74係一轉子基體，其係與一定子基體83互相作用，後者係 包含一些可使其移動器基體74相對其定子92而定位之對立 包極(有關其移動器基體74上面之對應電極）。當一聚焦之射 _撞擊到其媒體72時，若此聚焦射束7G之電流密度夠 :，其媒體72將會做相位改變，而產生一受到影響之媒體 ίο 15 區域84。s有一低電流密度之聚焦射束，施加至其媒體72 之表面時’其電流之不同流動速率，將會被其放大器78偵 _，藉以產生_讀取緒出。因此，藉由其射細之能 量來影響其媒體72，―資訊係可使用其媒體之結構的相位 改變之性質，使儲存進此媒體内。其_範例性相位改變材 料為In2Se3。-較佳之平版印刷裝置，係具有一如同第· 圖中者之相同結構，但係省社述之魏"路，以及係 以-為平版印刷_式化而製備之晶圓，來取代 位變化材料。 第11圖係例示另一較佳之平版印刷配置，其中有多數 相黏合之射體晶片和聚焦陣列，係形成為-電子射束^生 20 5陣列94 ’以及有_晶圓96係作用為其標乾媒體。每一電 子射束產生器陣列94上面，係具有一些微米移動器或= 祕為，猎以在其晶圓96之正確區域内，使上述之射束陣 列定位。其晶圓96接著可使定位在該等陣列94下方，藉以 容許寫入-些樣式。其一替代方案係使彼等射體陣壯至 18 200412441 足以令各可作用於一全晶圓，藉以處理其下方之6”（或更大） 全晶圓。其另一範例係使用多重具有一可共同移動之陣 列’來平行處理若干晶圓，而使每一晶圓寫入相同之樣式。 ίο 第12圖係_類似電腦、電視遊樂器、互聯網設備、終 端機、MP3播放器、或個人資料助理等不及備載之電腦裝 置110的範例性方塊圖。此電腦裝置110係包括一微處理機 112 ’例如英代爾Pentium Processor111^相容之處理機，雖 然存在有其他處理機，以及係為本技藝之專業人員所熟 知。其微處理機112係使連接至一記憶體裝置114，此係包 15 黾月自了 σ貝取式5己憶體，其可保存上述微處理機112所用 到之電腦可執行式指令，藉以控制彼ff料和/或輸入/ 輸出等功能。其記憶體114亦可儲存上述微處理機ιΐ2可操 控之資料。其微處理機112亦係使連接至—儲存裝置US: 一顯不裝置118或其兩者。其儲存裝置係包括本發明在較早 况㈣之_和本文中所例示的實施例，其係顯示—些可 以本發明之寬而遠的透鏡結構聚焦之電子發射裝置 裝置’最好係與該等微處理卿和記憶體h 114積體化至一共用基體上面。 體衣置 雖然已顯示及說明了本發 20 解的是，本技藝之m。 W肩，理應瞭 曰代形式、和他型體。此 、 體 可在不違離本發明由所附t 矛他型體’ 圍下加以完成。 ’所心之精神與範 本發明之各種特徵係列舉在所 19 200412441 【圖式簡單說明】 第1圖係一較佳實施例之電子裝置的示意剖面側視圖； 第2圖係一出自第1圖之電子裝置的射體和井區之示意 剖面側視圖； 5 第3圖係第1圖之類型的較佳實施例之示意剖面側視 圖，其可例示上述因一些接近其透鏡開口侧緣之逸散場 (aberrant)所致的聚焦效果； 第4圖係一具有一可供第1圖之電子裝置使用的柵孔之 較佳實施例的射體和井區之示意剖面側視圖； 10 第5圖係一可例示一用以形成第4圖之柵孔的較佳方法 之示意剖面側視圖； 第6圖係一較佳實施例之電子裝置的示意剖面側視圖； 第7圖係該等出自第6圖之電子裝置的射體和井區之示 意剖面側視圖； 15 第8圖係一可被使用在第6圖之電子裝置中的射體和井 區陣列之示意剖面側視圖； 第9圖係例示一可形成一電子裝置之較佳方法，和一可 藉由最佳化運作來縮小其點尺寸之較佳方法； 第10A圖係一可例示本發明之一較佳記憶體裝置的示 20 意透視圖， 第10B圖係例示第10A圖之記憶體裝置有關的較佳實 施例之讀取器電路； 第11圖係一可例示本發明之較佳實施例的平版印刷裝 置之示意方塊圖；而 20 200412441 第12圖則係一可例示本發明之一較佳實施例的方塊 圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 8...基體 68...聚焦透鏡 10...尖端射體 70…射束 12…井區 72...媒體 14…引出器 74...移動器 16...靜電透鏡 76...讀取器電路 18...標靶媒體 78...放大器 19...微米移動器 80…第一歐姆接點 20…厚介電質層 82…第二歐姆接點 22...電子供應層 83...定子基體 24...介電質層 84...媒體區域 26...柵孔 92...定子 30...喷鍍標靶 94...電子射束產生器陣列 32…透鏡 96...晶圓 34…媒體 110…電腦裝置 60...尖端射體 112…微處理機 62...射體基體 114…記憶體裝置 64...介電質 116...儲存裝置 66...聚焦陣列 118…顯示裝置

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Claims (1)

1. 200412441 拾、申請專利範圍： 1. 一種電子裝置，其係包括： 一基體； 一界定在此基體内之井區； 5 一形成在此井區内之尖端射體； 一佈置在上述井區四周之引出器，其可自其尖端射 體引出發射電子；和 一寬透鏡，其可使該等穿過此寬透鏡之開口的發射 電子聚焦，其開口係具有一充份大之直徑，以及係與其 10 射體相隔足夠遠，而使其充份大之直徑，涵蓋該等發射 電子之大部份發散角度，以及該等發射電子係被此寬透 鏡聚焦成一點。 2. 如申請專利範圍第1項之電子裝置，其進一步係包括一 標靶媒體，其係與上述寬透鏡相隔一段距離，藉以接收 15 此等聚焦之發射電子。 3. 如申請專利範圍第2項之電子裝置，其中之充份大的直 徑，係涵蓋該等發射電子之整個發散角度。 4. 如申請專利範圍第3項之電子裝置，其中之充份大的直 徑，係在〜3//m-〜10//m之範圍内。 20 5.如申請專利範圍第4項之電子裝置，其中之寬透鏡與引 出器間的距離，係在〜3 // m-〜10 // m之範圍内，以及其 充份大之直徑與該等寬透鏡和引出器間的距離間之比 率，係在1:1與6:1之間。 6.如申請專利範圍第5項之電子裝置，其中之介電質層， 22 200412441 可在該等寬透鏡與引出器之間建立距離。 7·如申請專利範圍第5項之電子裝置，其中之標靶媒體係 可相對於其寬透鏡而移動。 8. 如申請專利範圍第7項之電子裝置，其中之標靶媒體， 5 係由一平版印刷媒體所構成。 9. 如申請專利範圍第7項之電子裝置，其中之標靶媒體， 係由一記憶體媒體所構成。 10. 如申請專利範圍第2項之電子裝置，其中界定在基體内 之井區，係具有一範圍大約在0.75:1-1.25:1内之深度直 10 徑比。 11·如申請專利範圍第10項之電子裝置，其中之井區，係具 有一〜0.5//m之深度。 12-如申請專利範圍第2項之電子裝置，其中之寬透鏡係相 隔足夠遠，以使該等發射電子，在該媒體上面聚焦成一 15 尺寸小於〜35 nm之點。 13. 如申請專利範圍第2項之電子裝置，其中係進一步包括 一形成在其引出器上面之栅孔層，藉以限定該等發射電 子之發散角度。 14. 如申請專利範圍第13項之電子裝置，其中之柵孔層，係 20 使均勻塗敷在其引出器内所界定之開口的側部。 15. 如申請專利範圍第2項之電子裝置，其中係進一步由一 頭一透鏡結構所構成，其係具有一直徑等於其井區之直 徑的頭一透鏡，此頭一透鏡，可使該等發射電子朝向其 寬透鏡中所界定之開口的中心聚焦。 23 2β0412441 16.如申請專利範圍第15項之電子裝置，其中之井區、尖端 射體、引出器、和頭一透鏡的結構，係使複製成一陣列， 以使彼等多數尖端射體所出之發射電子，能被準直進其 寬透鏡中所界定之開口内。 5 17.如申請專利範圍第2項之電子裝置，其中之標靶媒體和 寬透鏡中的一個，係可彼此相對移動。 18.如申請專利範圍第17項之電子裝置，其中進一步係包括 一可使其標靶媒體相對其寬透鏡而移動之移動器。 19· 一種可形成一電子裝置之方法，此方法所包括之步驟 10 有·· 在一基體中所界定之井區内，形成一尖端射體； 在其井區四周形成一引出器； 與形成一尖端射體及形成其引出器之步驟分開 地，形成一寬而遠之透鏡，其係相對於其井區而在安排 15 上可使其尖端射體所出之發射電子聚焦。 20·如申請專利範圍第19項之方法，其中形成寬而遠之透鏡 的步驟，係包括在其引出器上面形成一介電質，以及接 著在該引出器上面形成上述寬而遠之透鏡。 24