TW200412192A - Active matrix organic light emitting diode display and fabricating method thereof - Google Patents

Description

五、發明說明（1)

發明所屬> γ H 本發明是有關於〜# 機發光二極體（Active Matrix n§ Diode，AMOLED)顯示器及其製 別是有關於—種 種平面顯示器及其製造方法，且特 0〜屮ht E上式， 造方法。 t1 先前技^ 有機;發光二極 3 轉換效率的光電元疋二種可將電能轉換成光能且具有高 等。由於有機^ ^ ，常見的用途為指示燈、顯示面板 製程簡易、低^本—極體元件具備一些特性，如無視角、 彩化等，，合多媒體=速；姓使用溫度範圍廣泛與全 為研究之熱潮。 才代顯不器特性之要求，近年來已成 i俜；Ϊ ^動式有機發光二極體已在積極的發展中， 層以及—陰極^，而3陣列之—基板上形成—有機發光 i ^ 4' ^ ^ I 構成一主動式有機發光二極體。因此 動=編光二極體係利用薄膜電晶體以驅動發光二極 方法如下所述。主動式有機發光二極體顯示器之製造 第1圖所Ί綠示為習知—主動式有機發光二極體 j不器之上視示意圖；第2圖為第】圖由卜Γ之剖面示意 圖 0 請同時參照第1、圖與第2圖，習知主動式有機發光二極 -.，、具不1§的製造方法係首先提供—基板丨〇 〇，其中基板丨〇 〇 八有一發光區域120以及一非發光區域122，且基板1〇〇之

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發光區 每一晝 陽極層 在 由二薄 用，另 晶矽薄 由於低 作在基 示器都 動元件 二20丄已7形成有數個陣列排列之畫素結構107，而 — 0 ^包括了 "'主動元件（薄膜電晶體）與一 102、一、务光層1〇4以及一陰極層1〇6。 二带曰^中用來控制晝素結構之主動元件通常是 二ί ^ 了組成，其中一薄膜電晶體係負責開關作 一帝日、私日日體係負責驅動，而薄膜電晶體可以是非 =^曰日曰體或疋低溫多晶矽薄膜電晶體（LTps 丁）。 /孤夕曰曰矽薄膜電晶體之技術可以將驅動電路同時製 00上，因此現今許多主動式有機發光二極體顯 疋利用低溫多晶矽薄膜電晶體來作為晝素結構之主 在數個#晝素結構1 07中，每一畫素結構1〇7係由一掃目苗 酉=線未繪示）以及一資料配線（未繪示）所控制。而且位於 ^光區域1 2 0 一邊緣處之掃瞄配線與資料配線會繼續向非 奄光區：ίϋ 2 0 L伸，而形成數條向外延伸之導線（^ ^ ^七） 1 〇 8，其係用來與製作在非發光區域丨2 2中之驅動電路電性 連接。

口除此之外’在基板丨〇〇上之非發光區域122中係形成有 一驅動電路1 10，其中驅動電路1 10與晝素結構1 07之間係 透，，線108而電性連接。接著，在基板1〇()之上方設置一 ^裝蓋11 4 ’並且藉由一框膠（未繪示）而使基板丨〇 〇與封裝 盖11 4黏合’其中封裝蓋11 4係將基板1 〇 〇之發光區域1 2 0以 及設置有驅動電路11 〇之處覆蓋住，以防止外界水氣對顯 不器内部之元件有不良之影響。

200412192 五 發明說明（3) 不高，因此由☆目：低溫多晶矽薄膜電晶體之製程良车/ 此〜旦驅動電路1〗右显#奸 < 狂I率仍 蓋114内部之驅動電路i i 〇進行列ηΥ；；要對製作在封襄 …間接的使產品產率降：或修補將會非常的不方 發明内^ 因此， 二極體顯示 形成在封| 缺點。 本發明 方法，此方 域以及~非 陣列排列之 一陽極層、 件是由至少 膜電晶體所 路，其中驅 之數條導線 封裝蓋，並 基板之發光 發明中，封 本發明 包括一基板 發光區域以 本發明的目 器及其製造 息内部而造 提出一種主 决係首先提 發光區域， 畫素結構， 〜發光層以 二非晶矽薄 級成。在基 動電路與畫 而彼此電性 1將封裝蓋 區域，並使 裝蓋可以是 並提出一種 、'一驅動電 及一非發光 的就是在提 方法，以改 成不易對驅 動式有機發 供一基板， 且基板之發 而每一晝素 及一陰極層 膜電晶體或 板上之非發 素結構之間 連接。之後 與基板黏合 基板上之驅 一金屬封裝 主動式有機 路以及一封 區域，且基 供一種主動 善習知方法 動電路作測 光一極體顯 其中基板具 光區域中已 結構包括一 。在本發明 是至少二低 光區域中形 係藉由形成 在基板之 ’其中封裝 動電路暴露 盖或是一破 發光二極體 裝蓋。其中 板之發光區 式有機發光 因驅動電路 试或修補之 示器的製造 有一發光區 形成有數個 主動件與 中，主動元 多晶硬薄 成一驅動電 在兩者之間 上方設置一 蓋係覆蓋住 出來。在本 璃封裝蓋。 顯示器，其 基板具有一 域中係配置

五、發明說明（4) 有數個陣列排列之畫素 ST與if極㉟、-發光層以Si素結構包括-主動 =牛是由至少二非晶矽 陰極層。在本發明中， 晶石夕相電晶體所組成。另外騰電晶體或是至少二低溫多 ::發光區域，，且驅動電路邀:區動電路係配置在基板上 而彼此電性連接。再者，^ =素結構之間係藉由數條 方，且封裝蓋係與基板黏合，甘4蓋係配置在基板之上 發光區域並暴露出基板上:^中封裝蓋係覆蓋住基板之 盍可以是一金屬封裝蓋或是I 電路。在本發明中，封裝 、由於本發明之主動式有機封裝蓋。 並未覆蓋住驅動電路，因此當==二極體顯示器之封裝芸 可以J接對驅動電路作洌試；修：電路有 广； 由於本發明之主動式有：。 Η便 僅覆蓋住發光區域而未將 Χ光二極髀％ 一 σ 封裝蓋尺寸較習知所J:驅動電略覆*:顯示器之封裝蓋 封裝蓋強度較高且外界裝蓋尺；小’ 明之 為讓本發明之上述；：滲入的因發明之 細說明如下： 乂佳實施例，c優點能更明 每施方式 記合所附圖式，作詳 弟3圖是依照本發明_ 二極體顯示器之上視示音乂佳只地例之 請同時參照第3圖輿$ 4 面示意圖。 -圖；第4圖：主動式有機發光 馬弟3圖由丨I — π，之剖 圖 本聲 3月之主動式有機發3 200412192 五、發明說明（5) 二極體顯示器的製造方法係首先提供一基板1〇〇，其中基 板100具有一發光區域120以及一非發光區域122，且基板 1 0 0之發光區域1 2 0中已形成有數個陣列排列之畫素結構 107，其中每一畫素結構1〇7包括一主動元件與一陽極層 1 0 2、一發光層1 〇 4以及一陰極層丨〇 6。 在此，畫素結構1 0 7中之主動元件係由至少二薄膜電 晶體所組成。在本實施例中，主動元件例如是由二薄膜電 曰^，所組成，其中一薄膜電晶體係負責開關作用，另一薄 膜電晶體係負責驅動，而薄膜電晶體可以是非晶矽薄膜電 晶體或是低溫多晶矽薄膜電晶體。另外，在數個畫素結構ip 12 7中，母一畫素結構1 〇 7係由一掃瞄配線（未繪示）以及一 貢料配線（未繪示）所控制，而位於發光區域丨2 〇二邊緣處 之掃瞄配線與資料配線會繼續向非發光區域丨2〇延伸，而 形成數條向外延伸之導線（f an —〇ut)丨〇8，其係用來與製作 在非發光區域1 2 2中之驅動電路電性連接。 除此之外，在基板1 〇 〇上之非發光區域丨2 2中係形成有 一驅動電路1 10，其中驅動電路1 10與畫素結構1 07之間係 透過數條導線1 〇 8而電性連接。 ” 驅 曰特別值得一提的是，倘若畫素結構1 〇7係利用低溫夕 =矽薄膜電晶體來作為主動元件時，驅動電路丨1 〇可 旦素結構107之主動元件一同製作在基板1〇〇上，也 /、 動電路1 1 0係利用薄膜電晶體來完成。 ”疋 但是’對於高解析度極高頻之主動式有機發光 ”、'頁不器而言，其驅動電路丨丨〇可能無法利用薄膜曰極體 日日體來

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完成，而必須利用一單晶矽半導體電路來完成。此時， 以將部分不受頻率影響的元件直接製作在基板丨〇〇上，缺 後再利用與不受頻率影響的元件電性連接之一外部路I 晶矽半導體電路）來提供高頻訊號，而構成驅動電路 之後，在基板100上設置一封裝蓋2 0 0，並且藉由 在封裝蓋200以及基板100之間之一框膠（未繪示）而將 蓋2 0 0與基板1〇〇黏合，其中封裝蓋2〇〇係覆蓋住基板^ 發光區域120，並使基板1〇〇上之驅動電路丨1〇暴露出來。 f此，封裝蓋2 0 0可以是一金屬封裝蓋或是一玻璃封裝 盡·。 本發明之主動式有機發光二極體顯示器包括一基板 一驅動電路1 1 〇以及一封裝蓋2 〇 〇。 其中，基板100具有一發光區域120以及一非發光區域 ，且基板1 0 0之發光區域1 2 〇中係配置有數個陣列排 =晝素結構107，而每一晝素結構1〇7包括一主動元件與一 ^ ^層102 發光層以及一陰極層ι〇β。在本發明 一 ’主動το件例如是由至少二非晶矽薄膜電晶體或是至 一低溫多晶矽薄膜電晶體所組成。 122 /外*，驅動電路U〇係配置在基板100上之非發光區域 導綠！ n’Q，、中驅動電路U〇與晝素結構107之間係藉由數條 ¥、、泉1 0 8而彼此雷μ、由& 膜電晶體所槿士連接，且驅動電路1 1 0例如是由數個薄 單曰々:斤構成之一電路，或是由數個薄膜電晶體以及— 早晶石夕半導體電路所構成。 及

200412192 五、發明說明（7) 再者’封裝蓋20 0係配置在基板丨00之上方，且芸 2 0 0係與基板1 〇 〇黏合，其中封裝蓋2 〇 〇係覆蓋住基1 1现 發光區域120並暴露出基板1〇〇上之驅動電路11〇。 义 ，中，封裝蓋2 0 0可以是一金屬封裝蓋或是一破螭封裝杳

Ml 。 在本發明中，由於封裝蓋2〇〇並未覆蓋住驅動電路 11 〇 ’換言之，驅動電路丨丨〇係製作在封裝蓋2 〇 〇外邱 此當驅動電路110產生異常時，便可以直接對驅動雷踗 作測試或修補，進而提高產品良率。 特別是，倘若產品為一高解析度極高頻之主動 务光二極體顯示器，由於其驅動電路無法利用薄膜带曰 來完成，而必須利用單晶矽半導體電路來完成，因二= 會將部分不受頻率影響的元件直接製作在基板丨00上，缺 ，利用與不受頻率影響的元件電性連接之一外部電路（^ 曰曰石f半v體電路）來提供高頻訊號而構成驅動電路1 1 〇。由 :单Ϊ碎半導體電路無法直接製作在基板100上，而必須 ::又”裝蓋2 0 0之外部，因此若是將不受頻率影響的元 夕半導體電路（整個驅動電路11 〇)都配置在封裝 ί將可以縮短兩種電路之間的訊號衰退，因此 ' 电路都擺置在封裝蓋2 0 0外部是最佳的選擇。 封f ^ 2^η保由帝於本發明之主動式有機發光二極體顯示器之 上‘二動^ :盍住ΐ板100之發光區域120而未將基板100 習知所传=1 1 〇±覆+盍住，因此本發明之封裝蓋20 0尺寸較 之封裝蓋尺寸小。而封裝蓋200尺寸的縮小具

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有兩個 因此更 二，較 對較小 綜 1. 封裝蓋 時，便 2. 蓋僅覆 裝蓋尺 裝蓋強 雖 限定本 和範圍 範圍當 儍點， 能保護 小尺寸 ’因此 合以上 本發明 並未覆 可以直 由於本 蓋住發 寸較習 度較高 然本發 發明， 内，當 視後附 顯示器 之封裝 能減少 所述， 之主動 盖住驅 接對驅 發明之 光區域 知所使 且外界 明已以 任何熟 可作些 之申請 較小尺寸之封裝蓋2〇〇其強度較高， 内部之元件免於遭受外力之損害。其 蓋2 〇 〇其與基板1 0 0黏合的區域面積相 外界水氣滲入的面積或路徑。 本發明具有下列優點： 气，機:¾光一極體顯示器中，由於其 動甩路，因此當驅動電路有發生昱常 動電路作測試或修補。 /、 式有機發光二極體顯示器之封裝 用之封f 2 本發明之封 水_… 尺寸小，因此本發明之封 t軋摩入的面積或路徑亦 較佳實施例揭f如P ^乂夕 習&妯菇」 上，然其並非用以 許之爭t命在不脫離本發明之精神 t更動與網飾，因此本 專利範圍所界定者為準/月之保4

10218twf.ptd 第12頁 200412192 圖式簡單說明 第1圖為習知一主動式有機發光二極體顯示器之上視 示意圖； 第2圖為第1圖由I-Γ之剖面示意圖； 第3圖是依照本發明一較佳實施例之主動式有機發光 二極體顯不之上視不意圖，以及 第4圖為第3圖由ΙΙ-ΙΓ之剖面示意圖。 圖式之簡單說明 1 0 0 :基板 102 :主動元件與陽極層 1 0 4 :發光層 1 0 6 :陰極層 1 0 7 :晝素結構 1 0 8 :導線 1 1 0 :驅動電路 1 1 4、2 0 0 :封裝蓋 1 2 0 :發光區域 1 2 2 :非發光區域

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Claims (1)

1. 200412192 ------------- 、申請專利範圍 1 · 一種主動式有機發光二極體顯示器的製造方法，包 括 提供一基板，該基板具有一發光區域以及一非發光區 域，其中該基板之該發光區域中已形成有複數個書夸灶 構； —糸、、、口 在該基板上之該非發光區域中形成一驅動電路，i由 该驅動電路係與該些晝素結構電性連接· /、中 在該基板上方設置一封裝罢 ’ 板黏合’其中該封裝蓋係覆^:钤：且使該封裝蓋與該基 暴露出該驅動電路。 μ 土板之該發光區域，並 2 ·如申請專利範圍第1項 體Τ示器的製造方法…該封1之主動式有機發光二極 破蹲封裝蓋。 1係為一金屬封裝蓋或 3二如申凊專利範圍第1項 ^ .、肩示器的製造方法，其中迷之主動式有機發光二極 凡件與—陽極層、一發光層以f些晝素結構包括由一主 體/.如中請專利範圍第3項曰所过、:,極層所構成。 j示器的製造方法，其中哕 之主動式有機發光二極 電晶體或至少二低溫多:曰=係由至少二非晶石夕 體顯2 Π專利範圍第1項所述之主vt ^ 電晶發；开:ί方法1中該驅動電路包括：發光二極 斤形成之一電路。 括由複數個薄膜 體粵〜如申明專利範圍第1項所述

   1〇2l8twf, Ptd ^器的製造方法，其中/34之主動式有機發光二極 __ ⑭動電路包括由複數個薄膜 200412192 六、申請專利範圍 電晶體所形成之一電路以及一單晶矽半導體電路。 7」如申請專利範圍第！項所述之主動式有機發光二極 ΐ 3 Γ:製造方法，其十在該驅動電路與該些畫素結構 ίi 形成有複數條導線，以使該驅動電路與該些晝 常結構之間電性連接。 ’ 8 ·種主動式有機發光二極體顯示器，包括·· 且兮：ί i反，言玄基板具有一發光區域以及-非發光區域， 且孩^板之該發光區域t係配置有複數個晝素結構； ^動電路，配置在該基板之該非發光區域中，且該 驅動2路，與該些晝素結構電性連接； 匕域中且。亥 其中該封：；:己5在"亥基板之上方’並與該基板黏合， 動電路。 糸0住該基板之該發光區域並暴露出該驅 9 ·如申請專利範圍第8項所述 體顯示器，i中兮科壯--a a 動式有機發光二極 蓋。 〃中6亥封叙盖係為一金屬封裳蓋或-玻璃封裝 I 〇 ·如申請專利範圍第8項所述之主動彳士 體顯示器，其中每一 動式有機發光二極 極層、-發；：：及if素結構包括-主動元件與-陽 乂九層以及一陰極層所構成。 II ·如申請專利範圍第8項所述之主 ?顯示器’其中該主動元件係由至少D有機發光二極 或至：二低溫多晶石夕薄膜電晶體所構：非曰“夕薄膜電晶體 .如申請專利範圍第8項所述之 體顯示器，其中該驅動動式有機發光二極 。括由硬數個薄膜電晶體所構 I 10218t.wf.ptd 第15頁 200412192 六、申請專利範圍 成之一電路。 1 3.如申請專利範圍第8項所述之主動式有機發光二極 體顯示器，其中該驅動電路包括由複數個薄膜電晶體所構 成之一電路以及一單晶矽半導體電路。 1 4.如申請專利範圍第8項所述之主動式有機發光二極 體顯示器，其中在該驅動電路與該些晝素結構之間更包括 配置有複數條導線，以使該驅動電路與該些晝素結構之間 電性連接。

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