TW200307980A - Transfer method for a mask or substrate, storage box, device or apparatus adapted for use in such method, and device manufacturing method comprising such a method - Google Patents

Description

200307980 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於與一種傳送適於圖案化超紫外線電磁輻射 <投射光束之基板或光罩之方法，儲存盒，適於在該方法 中使用之組件或裝置，例如微影投射裝置，包括： 一無射系統’以提供超紫外線電磁輻射之該投射光束； 一固定反射光罩之光罩檯，該光罩在一反射該投射光束 後，即依一所欲圖案將該投射光束圖案化於該光罩上，俾 造成一圖案化投射光束； 一固定一基板之基板檯；及 一投射系統’以投射該圖案化投射光束於該基板之一目 標部上。 【先前技術】 可於例如積體電路（ic)製造中使用微影投射裝置。在此情 況下，圖案化裝置可產生對應於1C之各層之電路圖案，並 可將此圖案映像至已塗佈一輻射敏感材料層（光阻）之基板 (石夕晶圓）上之目標邵（例如包括一或多個晶粒）。概言之，單 一晶圓將包含後績同時經由投射系統照射之相鄰目標部之 整體網路。在現行裝置中，採用在光罩檯上之光罩圖案化 ，其在兩不同類型機器間相異。在一型微影投射裝置中， 藉由同時曝光整體光罩圖案於目標部上而照射各目標部，此 類裝置一般稱之為晶圓步階器。在一替代裝置中，一般稱之 為步階與掃描裝置-藉由在給定參考方向上（“掃描，，方向）之 投射光束下之行進掃描光罩圖案而照射各目標部，同時平 83983 200307980 行或逆平行此方向同步掃描基板接；一般而言，由 系統將具放大率因子M(一般〈丨)，故掃描基板檯之速度:將 為因子Μ乘上光罩接被掃描處。其它與此處所述微影^& 關資訊，可自US 6,046,792取得，茲以引用方式併入本文。 在-採用微影投射裝置之製造處理中，一圖案（例如^光 罩中）映像於至少部分為輻射敏感材料層（光阻）覆蓋之基板 上。在此映像步驟前，基板可歷經各種程序，諸如塗底、 光阻塗佈及軟烘乾。在曝光後，基板可歷經其它程:，一諸 如曝光後烘烤（PEB)、顯影、硬烘烤及映像外型之測量/檢查 。此程序陣列係圖案化組件之各層用之基礎，例如W。為 完成-個別層’接著此一圖案化層歷經各種處理，諸如姓 刻、離子佈植（摻雜）、金屬化、氧化、化學機械拋光等。若 需完成數層，則整個程序或其變化將需重複於各新層。最 終，基板（晶圓）上將具一組件陣列。接著利用諸如切塊或鋸 等技術使這些組件互相分離，並自此將各組件固接於載體 上、連結至接腳等。與此類處理有關之進一步資訊可取自 ^HnMcGraw Hill Publishing Co.5 1 997, ISBN 0-07-067250-4 ，Peter van Zant之“微晶體製造··半導體處理之實行指引 (Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing)”乙書第三版，茲以引用方式併入本文。 為簡化之故，爾後可將投射系統稱之為“透鏡”，但此術語 應泛扎各型投射系統，例如包含折射光學、反射光學及折 反射光學系統。輕射系統亦可包含依供指向、塑形或控制 輪射之投射光束用之任何設計類型之操作之部件，且此類 83983 200307980 邵件亦可稱之為在下、收集或特異“透鏡”。此外，微影裝置 二為具兩或多座基板檯（及/或兩或多座光罩檯）型者。在此 ，級組件中，可於並行或製備步驟中採用之附加檯可在一 或多厓台上載出’㈣一或多座其它檯可供曝光之用。在 例如US 5,969,441及初98/4〇791中述及雙級微影裝置，兹 以引用方式併入本文。 裝置概念係微影中所周知，且其包含諸如二元、交替相 移與衰減相移等類型光罩，以及各型混成光罩。此一：罩 在輻射光束中之位置導致照射於光罩上之輕射之選擇性傳 U (在傳遞^{光罩之情況下）或反射（在反射型光罩之情況下） 。光罩接可確保光罩在人射輻射光束下固定於所欲位置， 且若有所需’可將其相對於光束移動。 習知將光罩檯置放使得輻射自照明系統通過光罩、投射 系統至基板上《已知此類光罩為傳遞型光罩，因為其可使 輻射自照明I统選擇性通過，藉㈣基板上形成圖案。須 支樓此類光罩’俾使光線經由該處傳遞。習知此係利用在 光罩週邊區處之檯中之真空為之，俾使大氣壓力麵制光罩 於檯處。 在一微影裝置中，可映像於晶圓上之外型大小受限於投 射輻射之波長。為產生組件密度較高，進而運作速度較快 之積體電路’故可映像較小外型。雖大部分現行微影投射 裝置採用由水銀燈或準分子雷射產生之365奈米、248奈米 及193奈米之紫外線光，然已提出採用約丨3奈米之較短波長 輻射。此類輻射名為超紫外線（EUV)輻射，其可能光源包含 83983 200307980 雷射產生之電漿源、放電源或同步加速器輻射源，例如歐 洲專利申請案EP 1 1〇9 427 A與EP 1 17〇 982 A中所揭，茲 以引用方式併入本文。 迄今已知尚無可為EUV輻射穿透之材料，採用EUV輻射之 微影投射裝置經設計採用具不同材料之交替層之多層塗佈 之反射光罩，例如50段數量級鉬及矽或其它材料之交替層 ，諸如歐洲專利申請案EP 1 065 532 A中所揭，茲以引用方 式併入本文在EUV彳政影中映像之外型大小所做映像處理對 光罩上存在之任何污染物非常敏感。可預見尺寸在5〇奈米 數量級之任何污染微粒，將造成基板中所製組件中具有缺 陷。習知分劃板之圖案化側為所謂的薄膜所覆。接著任何 污染物均將積聚於薄膜表面與光罩圖案相距處，且因而將 不（明顯）映像於基板上，使得此類具薄膜之光罩對污染物較 不敏感。薄膜無法供EUV輻射使用之因在於，其將無法為 EUV輻射穿透。在光罩之承載圖案之反射表面上之微粒污染 物因而將導致產出缺陷組件，而須避免之。 此外，設想利用光罩承載表面上之靜電力將反射光罩背 側固定於光罩檯上，以符合£1/¥光罩定位之嚴格需求。任何 存在光罩背側與光罩檯之光罩承載表面間之污染物，均將 造成反射光罩表面之不規律。歸因於採用反射光罩，故浐 射系統在目標物側上將非遠心（更多與此問題有關之資訊可 自歐洲專利申請案EP 1 139 176 A得之，茲以引用之方式併 入本文），在反射光軍表面之表面外型上之不規則，將轉為 映像於基板上之圖案之局部偏移。結果，映像層可不與先 83983 200307980 I導致產出缺陷組件 前已於基板中處理之層對齊，復導致， 避免在光罩背側表面上之微粒污染物。 諸如碳氫化物及水。

或使用此類基板或光罩時，包含微粒污染物及分子污染物 亦應避免污染物之分子類型， 污染物將對微影裝置中之任何光學 ^ | 亡1J π予π件（包含光罩）造成 面；5^響。在所有光罩及基板之操作赶沒 干久丞枫心休作私序中，應注意 等污染物均可能被引至光罩或基板或保護環境之内壁上。 可經例如承載閘腔等中間腔傳送光罩或基板至最終環境供 處理或適用，但接著將此類污染物自中間腔移出前，可能 需要很長時間，例如當將保護環境抽氣時所需之冗長抽取 時間。 【發明内容】 本發明 < 一目的在提供一傳送方法，其中大幅減少甚或 芫全避免污染物之引入保護環境中。 此及其它目的係依本發明實現之，其中一種方法，其傳 送一儲存盒中之一或多個基板或光罩至一操作、處理或採 用該基板或光罩之組件或裝置，或反之亦然，該儲存盒包 括一具一可開啟蓋部之蓋，該方法包括·· 才疋供戎儲存盒至該組件或裝置之一密閉保護環境之一壁 之一可開啟壁邵上，使得該儲存盒之該可開啟蓋部與該保 83983 10 200307980 護環境之該可開啟壁部疊置，該保護環境適於為一惰性氣 體填充或被抽氣； 開啟該儲存盒之該可開啟蓋部及該保護環境之該可開啟 壁部，藉以使該儲存盒之該蓋構成該保護環境之該壁之一 部分，並使該儲存盒之一内部成為該保護環境之一部分； 及自該儲存盒之一内部空間傳送至少該基板或光罩之一至 該保護環境之該壁之一内部空間；及 自該儲存盒之一内部空間傳送至少該基板或光罩之一至 該保護每境之該壁之一内邵芝間，或反之亦然。 依本發明之進一步態樣，提供在上述方法中使用之儲存 盒及組件或裝置。 依本發明之另一進一步態樣，提供一種組件製造方法， 包括步驟： 提供一至少部分為一輻射敏感材料層覆蓋之基板； 利用一輻射系統提供超紫外線輻射之一投射光束； 利用一反射光罩賦予該投射光束一圖案於其剖面中，俾 提供一輻射之圖案化光束； 投射該輻射之圖案化光束於該輻射敏感材料層之— 、 曰 曰才和 部；及 依上述方法傳送一或多個光罩或基板。 在本文中之IC製造中，雖已特定參考使用依本發明之 置’亦應明確了解此裝置具有許多其它可杆 ^ %、用。例如並 可使用於積體光學之製造；磁域記情髀之壤 八 •、、 〜1 Ή及偵測圖案 ，液晶顯示面板；薄膜磁頭等。熟諳此藝者將了角” 83983 -11 - 200307980 替代應用之文中，應將文中使用 粒，，分別視為更-般之術語“光罩，，、“:二 在本文件中，術語、射，，及“光束 _\〇#射（例如波長範圍為5_2〇奈米）。 》^外線 【實施方式】 圖1概略描繪依本發明之一 裝置。該裝置包括： 特殊具體實施例之 微影投射 一輪射系統Ex、il， 波長範圍為5_20奈米）。 一輻射光源LA ; 以供應EUV輕射之投射光束PB(例如 在此特殊情況下’輻射系統亦包括 以固定光 以相對於 第物件檯（光罩檯）MT，其具光罩固定器， 罩MA(例如分劃板）’並連結至第—定位構件⑽， 項PL精確定位光罩； -第二物件檯(基板檯)WT，其具基板固定器，以固定基 板W(例如光阻塗佈^圓），並連結至第二^位構件^ 以相對於項PL精確定位基板； 一投射系統（“透鏡”)PL，其將光罩财之被照射部映像於 基板W之目標部C上（例如包括一或多個晶粒）。 如f處所繪，該裝置係屬反射型（亦即具反射光車）。但一 般而1，其亦可為例如穿透型（具穿透光罩或者，該裝置 可採用另-種圖案化構件，諸如上述可程式化鏡陣列型。 光源LA(例如雷射產生電漿光源或放電電漿光源）產生輻 射光束。直接或在橫越條件化構件（諸如光束擴展器Εχ)後， 將此光束饋送至照明系統（照明器）IL中。照明器乩可包括調 83983 -12- 200307980 整構件AM，以設定光束中之強度分布之外及/或内徑範圍 (一般分別稱之為σ -外及σ -内）。此外，其一般將包括各式 其它部件，諸如積算器IN及冷凝器CO。在此方式中，照射 於光罩MA上之光束PB之剖面具所欲均勻度及強度分布。 關於圖1應注意光源L A可在微影投射裝置之外殼内（例如 當光源LA為水銀燈時常係如此），但其亦可在微影投射裝置 之外，其所產生之輻射光束被導引至裝置中（例如在適當定 向鏡輔助下）；後者常係當光源LA為準分子雷射之情況。本 發明及申請專利範圍涵括兩種情況。 接奢光束PB與固足於光罩棱MT上之光罩MA相交。已為 光罩MA選擇性反射，光束pb通過透鏡pl，其將光束pb聚焦 於基板W之目標部C上。在第二定位構件pW(具干涉計測量 構件IF)之協助下，得以精確移動基板檯Wt ,例如俾將相異 目標邵C定位於光束pb之路徑中。類似地，可以第一定位構 件PM相對於光束PB路徑精確定位光罩“八，例如在光罩 自光罩叢集機械恢復後，或在掃描期間。概言之，物件檯 MT、WT之移動將在長擊模組（粗略定位）及短擊模組（精細定 位）之協助下為之，在圖丨中並未明確繪出。但在晶圓步階器 之情況下（和步階與掃描裝置相反），光罩檯Μτ可僅連結至 短擊致動器，或可固定之。 所緣裝置可於兩相異模式下採用： 1.在步階模式中，料檯ΜΤά本上維持穩定，且整個光罩 影像以單-次(亦即單一“閃光，，)投射於目標部。上 其 板檯WT於认/心方向上偏移’使得相異目標部C得以為： 83983 -13- 200307980 束PB照射； 2·在掃描模式中，基本上所用策略相同，例外處在於所給 定之目標部C並非於單一 “閃光，，中曝光。相反地，光罩檯“丁 可以速度ν往給疋方向（所謂的“掃描方向，，，例如y方向）移動 ，促使投射光束PB掃描一光罩影像；同時，基板檯…丁則同 時於相同或相反方向上以速度v=Mv移動，其中M係透鏡凡 之放大率（一般M=1M或1/5)。在此方法中，無需與解析度妥 協即可使相當大之目標部C曝光。 由於EUV輻射將為大部分氣體大量吸收，並提供保護環境 予所採用之光學邵件，故裝置大部包含於真空環境中， 其一般將分為數個子隔間。 圖2顯示光罩儲存盒1〇，其中儲有EUV反射光罩供傳輸、 儲存及操作之用。儲存盒10包括上部11及底板12。光罩MA 固足於彳諸存盈1 〇内之底板丨2上，例如藉由歐洲專利申請案 EP 01301864.3中所揭動力決定之固定機械裝置，兹以引用 ^式併入本文。在儲存盒1 0内，可維持保護（惰性）氣體之氣 壓例如壓力高於週遭壓力。但亦可維持儲存盒丨〇内為真 二在後者情況下，特別具備底板12與上部11間之充分密封 車乂佳以避免儲存盒内與其週遭環經間之氣體流動，造成 儲存盒内環境之污染。 為將光罩自儲存盒10傳送至微影投射裝置，故將儲存盒 置於所明的承載閘2〇上，如圖3所示。以閥儿將承載閘Μ連 接2圖1之微影裝置之真空環境^^，進一步示於圖4與5。儲 4 1承載閘20上，使得儲存盒1〇之底板12恰與承載 83983 -14- 200307980 閘2〇之可開啟上部21疊置。至此可於承載閘20及/或儲存盒 1〇上提供導引機械裝置（未圖示），以適當對其儲存盒10及承 載閘20之可開啟上部21。當適當定位儲存盒10時，具備可 箝制儲存盒10於承載閘20上之箝制機械裝置（未圖示）較佳 。在儲存盒10與承載閘20間概略顯示密封22。具備與底板 12及可開啟上部21極為密合之密封22較佳。 儲存益1 0之底板1 2及可開啟上邵2 1現彼此互相接觸。底 板12及可開啟上部21之剖面外型所處平面與所製圖式垂直 ，俾具大致相同外型。兩單元之接觸表面之外型將因而相 符。具備與底板12及可開啟上部21間内週邊極為密合之密 封23較佳。具備可將底板12及可開啟上部21間内空間排氣 之泵P1較佳。 所見承載閘20之可開啟上部21位於升降器25上，以上下 ^動可開啟上邵2 1 °具備密封24以於上部21向上移動至完 王仔万、d』而構成其邵分時，密封上部2 1於承載閘之上 ^在升降务25周圍及承載閘20之上部21與底壁間中具風 相6升降务2S連結至適當驅動構件（未圖示）以將之上下移 力、“備另一泵P2以將承載閘2〇抽氣。 下^傳送在光罩餘存盒10中之光罩至承載閘20中，可做如 首先固疋光罩於其儲存盒10内。注意儲存盒10之 所有内壁均非當、、主& 另八2 ’目’糸’以不污染儲存於盒内之光罩。微粒 舢*占土 ^、 把使件光罩在微影投射裝置中圖案化投 W尤采時失效。如 、 ’儲存盒内可具真空或惰性氣體。 接f如上述將儲存& 卞皿10置於承載閘20之可開啟上部21之 83983 -15- 200307980 底板1 2之受/亏染外表面將與可開啟上部2 1之受污染外 表面噓置。將利用真空泵p丨經升降器2 5於其間空間排氣。 可視儲存盒10内之排氣或充氣空間以多種方式處理。在 對儲存盒排氣之情況下，看來在將承載閘20之上部21開啟 則，先使用泵P2將之排氣較佳。在對儲存盒充氣之情況下 亦可先將承載閘20排氣，接著藉由降低升降器25緩緩或 目坪間開啟上部21。接著將造成自儲存盒流出之氣體進入承 載閘，瞬間氣流及儲存盒之排氣有助於移除光罩上可能存 在（微粒而清除之。另―方法係藉由降低上部川麦，先以（ 惰性）氣體填充承載閘，接著利用泵？2將承載閘排氣。 亦應注意承載閘之所有内表面均需非常乾淨。藉由上述 處理’承載Pg與儲存盒之合併内部空間存在之受污染表面 積總量將非常有限。此類受污染表面可能將污染物引至光 罩上且亦大巾田増加EUV投射微影所需分壓（例如水及碳氫 化物）之抽取時間。 圖4 ·、’員不下降移出儲存盒之光罩。該圖進一步顯示一側閥 3〇，其連結承載閘至投射裝置之真空系統之另一部份。閥 30開放處可讓握夾4G進出，&夹取光罩並視f要傳輸至一 内邵叢集、光罩台或任何其它位置。握夾揭示如先前參考 之 EP 01301 864.3。 為將光罩自投射裝置卸載至光罩儲存盒，握夾⑽先將光 罩Μ A置於已為升降考9 ^隊把、、 陣态25降低又辰板12上，同時將承載閘與 儲存皿之内#工間排氣。接著可關閉閥3 q。接著可將升降 口口升同#將光罩置於儲存盒中，並當底板^ 2已將盒關閉 83983 -16 - 200307980 時’維持儲存盒内部之排氣空間。為於盒内具乾淨(惰旬 氣體之氣壓，故以此類氣體清潔承載閘及儲存盒之空間， 接著升高升降器25以將光罩…八置於其儲存盒中，並亦藉由 將底板1 2置於盒之底部而關閉之。 圖5顯示本發明之進—步具體實施例。本圖與圖4相同， 例外處在於當光罩儲存盒丨〇位於承載閘2〇上時，其上具一 蓋。儲存盒可未經特殊設計以承受盒内被排氣而盒週遭環 境則否時導致之壓力。藉由在儲存盒上具有蓋50’並將儲 :盒内空間及蓋5〇與儲存盒間空間排氣，在餘存盒上將不 致或僅有可忽4之壓力。所示㈣係供蓋5()與儲存盒之 上邵11間空間排氣之用。 本發明已僅由範例描述與微影投射裝置有關者。本發日) 2㈣處理光罩之其它類型裝置，其中光罩需如料 :載：：㈣存盒者，諸如光罩窝入裝置、光罩檢測, 夕“和裝置、光罩清潔裝置等。光罩儲存盒 用固疋器中容納不只一光罩。 、 此外’本發明亦可用以傳送基板出入供積板用之儲存盒 ，诸如已處理或待處理之半導體晶圓。 光=及/或傳送光罩之保護環境無需為真空環境 填无有惰性氣體之環境，諸如乾燥空氣、氮氣、氣氣等為 可=已Γ本發明之特殊具體實施例，將瞭解本發明 叙外施行。非欲以上述限制本發明。 【圖式簡單說明】 以上參閱圖式’藉由範例插述本發明之具體實施例，其 83983 200307980 中對應之參考代號係指對應部，及其中·· 圖1概略描繪依本發明之具體實施例之微影投射裝置； 圖2概略描續内儲存有光罩之餘存盒； 圖3概田各描續在一承載閘腔（固接於圖1之微影裝置之真空 腔）上之儲存盒； 圖4概略描續在圖4之承載閘腔上之儲存盒，但光罩降至 承載閘腔中；及 图相无各為緣依圖4之儲存盒及承載閘腔，但具有在儲存 盒上之附加蓋。 【圖式代表符號說明】 1 微影投射裝置 10 儲存盒 11 上部 12 底板 20 承載閘 21 可開啟上部 22， 23， 24 密封 25 升降器 26 風箱 30 閥 40 握夾 50 蓋

Claims (1)

1. 200307980 拾、申請專利範圍·· 1. 一種傳送方法，其傳送一儲存盒中之一或多個基板或光 罩至一操作、處理或採用該基板或光罩之組件或裝置， 或反之亦然，該儲存盒可自該組件或裝置脫離，及該儲 存盒包括一具一可開啟蓋部之蓋， 特徵在於 提供該儲存盒至該組件或裝置之一密閉保護環境之 一壁之一可開啟壁部上，使得該儲存盒之該可開啟蓋部 與該保護環境之該可開啟壁部疊置，該保護環境適於為 一惰性氣體填充或被抽氣； 開啟該儲存盒之該可開啟蓋部及該保護環境之該可 開啟壁部，藉以使該儲存盒之該蓋構成該保護環境之該 壁之一部分，並使該儲存盒之一内部成為該保護環境之 一部分；及自該儲存盒之一内部空間傳送至少該基板或 光罩之一至該保護環境之該壁之一内部空間，或反之亦 然；及 自該儲存盒之一内部空間傳送至少該基板或光罩之 一至該保護環境之該壁之一内部空間，或反之亦然。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該蓋係密封於該保 護環境之該壁上。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該儲存盒之該可 開啟蓋部與該保護環境之該可開啟壁部之相對外部表 面接觸，同時開放連結，使得至少大體上不暴露該保護 環境於該儲存盒之該蓋與該保護環境之該壁之外部表 83983 200307980 面 4·如申請專利範圍第3項之方法，其中 相符。 该相對表面大體 上 5.如申請專利範圍第3項之方法，其中係密封於其週遭， 俾自孩保護環境密封-空間於該相對表面間。 ^ 口申請專利第_项之方法，其中 用該 紫外線㈣ι投射光束之微影裝置中處理與使起 基板及/或該光罩。 之方法中使用之 储：：於供如申請專利範園第丨或2項 8.:種適於供如_請專㈣圍第3項之方法中使用之儲存 9· 一種適於供如申請專利範 盒0 圍第4項之方法中使用之儲存 使用之儲存 10· —種適於供如申請專利範圍第5項之方法中 盒0 利範圍第1或2項之方法中使用之 11 · 一種適於供如申請專 組件或裝置。 之組件 12·種適;^供如中請專㈣圍第3項之方法中使用 或裝置。 13 · 一種適於供如申請專 或裝置。 14 · 一種適於供如申請專 或裝置。 利範圍第4項之方法中使用之組件 利範圍第5項之方法中使用之組件 83983 200307980 1 5 ·如申凊專利範圍第1 2項之裝置，其中該裝置係微影投射 裝置，包括·· 一輻射系統，以提供超紫外線電磁輻射之該投射光 束； 一固定反射光罩之光罩檯，該光罩在一反射該投射光 束後’即依一所欲圖案將該投射光束圖案化於該光罩上 ，俾造成一圖案化投射光束； 一固定一基板之基板檯；及 一投射系統’以投射該圖案化投射光束於該基板之一 目標部上。 16. 如申請專利範圍第13項之裝置，其中該裝置係微影投射 裝置，包括： 一輻射系統，以提供超紫外線電磁輻射之該投射光 束； 一固定反射光罩之光罩檯，該光罩在一反射該投射光 束後’即依一所欲圖案將該投射光束圖案化於該光罩上 ，俾造成一圖案化投射光束； 一固定一基板之基板檯；及 一投射系統，以投射該圖案化投射光束於該基板之一 目標部上。 17. 如申請專利範圍第14項之裝置，其中該裝置係微影投射 裝置，包括： 一輕射系統，用以提供超紫外線電磁輻射之該投射光 束； 83983 200307980 一固定反射光罩之光罩檯，該光罩在一反射該投射光 束後’即依一所欲圖案將該投射光束圖案化於該光罩上 ’俾造成一圖案化投射光束； 一固定一基板之基板檯；及 一投射系統，以投射該圖案化投射光束於該基板之一 目標部上。 1 8· —種組件製造方法，包括步騾： 提供一至少部分為一輻射敏感材料層覆蓋之基板； 利用一輻射系統提供超紫外線輻射之一投射光束； 利用一反射光罩賦予該投射光束一圖案於其剖面中 ，俾提供一輻射之圖案化光束； 投射該輻射之圖案化光束於該輻射敏感材料層之一 目標部；及 如申請專利範圍第1或2項之方法傳送一或多個光罩 或基板。 1 9· 一種組件製造方法，包括步驟： 提供一至少部分為一輻射敏感材料層覆蓋之基板； 利用一輻射系統提供超紫外線輻射之一投射光束； 利用一反射光罩賦予該投射光束一圖案於其剖面中 ，俾提供一輻射之圖案化光束； 投射該輻射之圖案化光束於該輻射敏感材料層之一 目標部；及 如申請專利範圍第3項之方法傳送一或多個光罩或基 板。 83983 -4 - 200307980 2〇· —種組件製造方法，包括步驟： 提供一至少部分為一輻射敏感材料層覆蓋之基板； 利用一輻射系統提供超紫外線輻射之一投射光束； 利用一反射光罩賦予該投射光束一圖案於其剖面中， 俾提供一輻射之圖案化光束； 投射該輻射之圖案化光束於該輻射敏感材料層之一目 標部；及 如申請專利範圍第4項之方法傳送一或多個光罩或基 板0 21·—種組件製造方法，包括步騾： 提供一至少部分為一輻射敏感材料層覆蓋之基板； 利用一輻射系統提供超紫外線輻射之一投射光束· 利用一反射光罩賦予該投射光束—圖案於其剖面中 ，俾提供一輻射之圖案化光束； 投射該輻射之圖 目標部；及 個光罩或基 如申請專利範圍第5項之方法傳送—或多 板0 83983