TW200306653A - Integrated optoelectrical circuit package with optical waveguide interconnects - Google Patents

Description

200306653 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種積體電路封裝，尤其是關於於低成 本組態下之光學與光電裝置封裝處理。 【先前技術】 電子及光電積體電路（ic)製作過程牽涉到複雜的微影蝕 刻程序，以於半導體晶圓內構成顯微型固態元件與電路。 這些微影蝕刻程序通常包含於晶圓上形成複數個材質層、 將各層予以圖案化、將該基板及/或該圖案化之各層予以摻 質，以及對該產獲結構進行加熱處理（亦即退火）。重覆進行 這些製程以建構出該1C結構。其結果爲一含有大量1C之 晶圓。 接著執行「晶圓排序」，其中會對該晶圓上的各1C晶 片進行電子測試其功能性。然後，再將晶圓切割（「晶切」） 成個別1C晶片，接著又個別地，或是依群組方式倂入於一 印刷電路板（PCB)或板上晶片（COB)進行「封裝」。 一 1C封裝係經設計以對一或多個1C晶片提供實體與 環境保護，且電性及/或光學互連於其他的積體電路晶片或 連至一 PCB。不過，典型的1C晶片會具有百微米級數之週 期間隔（間距）的電子導線，而PCB具有毫米級數之電子接 點間距。如此，當將一 1C晶片介接至一 PCB時，通常會需 要利用一執行於該1C晶片導線與該PCB接點間之必要空間 轉換的基板封裝。 由於眾知更多項之1C應用，特殊封裝設計的需求曰漸 200306653 提高。尤其是，按發光二極體（LED)、半導體雷射及垂直孔 腔表面發射雷射（VCSEL)形式之半導體光源的光電1C發展 係已導致標準化、低成本而可容納電子及光電1C晶片之「 光電」1C封裝之需求。 目前，可利用對所封裝之個別晶片進行裁修的特殊化 設計及技術，將光電及電子晶片合倂於一單一「光電」基 板封裝。這種方式可適合於牽涉到少量之光電封裝的有限 應用。然而，當相關於大規模製程而按大量方式封裝光電 及電子晶片時，這就不是具成本效益或實際方式者。此外 ，爲維持成本效益性，很重要的是封裝及封裝程序，須與 傳統PCB以及電子業界所常用之其他部分相容。 所需者係一種具成本效益性之電子及光電1C晶片的光 電封裝，其係可提供光學及電子功能性而同時又與傳統 PCB相容。 【實施方式】 後文所述之本發明實施例詳細說明係參照於構成其一 部份之隨附圖式所述，且其中係藉詮釋該等可實作出本發 明之特定實施例所示。該等實施例係以足夠詳細之方式敘 述’使熟諳本項技藝之人士足以實施本發明，且應瞭解確 可利用其他實施例並加以改變而無虞悖離本發明範疇。從 而後載詳細說明不應採限制觀點，而本發明範圍僅係爲隨 附之申請專利範圍所定義。 現參照圖1及2，此係一本發明光電封裝1Q。該光電 封裝10包含一封裝基板20，具有上部表面28及底部表面 200306653 30。該封裝基板20業界又稱爲「間置器」，此係一被動介 面裝置’並經設g十以提供作爲暨覆IC晶片之細微間距電子 連接（導線）與底層PCB之大型間距電子接點間的必要空間 轉換。該封裝基板20可爲例如腳針格點陣列（pga)或球型 格點陣列（BGA)。在圖2中繪示一覆晶BGA封裝基板以便 說明。 該封裝基板20在底部表面30上含有一組40接點42， 這在覆晶BGA的例子裡爲導電材料之球狀物（即如SnPb)， 而在覆晶PGA陣列的例子裡則爲腳針。各接點42係藉電子 互連44而電子連接至一組構成於上部表面28上之接點容 置元件48。在一示範性實施例裡，該等接點容置元件48也 會互相連接，即如圖中略示爲電子互連49者。一適於應用 在本發明之封裝基板20可爲由日本Ibiden股份有限公司所 製造者。本發明之一優點在於能夠採用可商購而得之封裝 基板’這可降低光電封裝成本。 在構成一典型電子或光電元件時，數個可支援各種型 式1C (像是邏輯、記憶體等）的封裝基板20係電性互連。在 如圖2之示範性實施例裡，該封裝基板20係架置於一具有 一上部表面52之印刷電路板（PCB) 50上。一組60之接點 容置元件62係構成於該上部表面52上，並經設計以承收 並交接該等封裝基板接點42。在一範例中，接點容置元件 62可爲孔洞，而接點42則爲腳針。在其他範例中，該等接 點容置元件62可爲接點墊，而接點42則爲球狀物。腳針/ 孔洞1以及球狀物/墊接點1C晶片架置系統兩者皆屬半導體製 200306653 程及封裝業界眾知者。爲便說明及連續性，後文討論，且 如圖2顯示，係將該等接點容置元件48與62視爲接點墊 ，而相關接點爲球型接點（即如焊燒球體）接點。熟諳本項技 藝之人士應即瞭解任何本發明中確可採用已知的接點/接點 容置系統。 接點墊62可具有任何間格S，但最好是具有一標準週 期間置性（間隔），即如127毫米、1毫米或0.5毫米。封裝 基板接點42也具有與接點墊60相同的間隔或『足跡」， 使得封裝基板接點各者可接點到該PCB 50上之接點墊其一 者。 現亦參照於圖3，該PCB 50也包含導引離於該接點墊 60之接線70。接線70可提供與該PCB 50上其他裝置的電 子連接，像是其他光電封裝10或一裝置72。裝置72可爲 例如一電源供應器，或一像是記憶體或邏輯晶片之1C晶片 。因此，該接線70可作爲一導體，以對另一光電封裝10 及/或裝置72往返提供/接收電力。 光偵測器封裝 光電封裝10可進一步在該封裝基板20之上部表面28 上包含一含有光偵測器82的光偵測陣列80。該光偵測陣列 80係耦接於一含有多個傳導阻抗放大器86之傳導阻抗放大 器陣列84。該傳導阻抗放大器陣列84可經整合爲該光偵測 陣列80以構成一光偵測器封裝88，即如圖示者。該光偵測 器封裝包含多個外部接點92。在一示範性實施例裡，該光 偵測器封裝88係一具多個球型接點92的覆晶球狀格點陣 11 200306653 列（FCBGA)，即如圖2所示。在另一示範性實施例裡，該光 偵測器封裝88係一具多個腳針型式接點的覆晶腳針格點陣 列（FCPGA)。一子集組94的接點墊46係經設計以承收並交 接於多個球型接點92,以供將該光偵測器封裝電子架置於 該基板封裝。 中央處理單元封裝 該光電封裝10可進一步包含一電性架置於鄰接該光偵 測器封裝88之上部表面的中央處理單元（CPU)封裝。CPU 封裝包含接點102,其可接觸該接點墊46的相對應子集組 106，經設計以容置及結合於該CPU封裝接點，以達到電性 架置功能。在一示範性實施例裡，該CPU封裝100係一覆 晶球狀格點陣列（FCBGA)，即如圖2所示。在另一示範性實 施例裡，該CPU封裝100係一覆晶腳針格點陣列（FCPGA) 。該CPU封裝100包含一垂直孔腔表面發射雷射（VCSEL) 驅動器120，此係電性連接於傳導阻抗放大器126。 VCSEL封裝

該光電封裝10也可包含一電性架置於該封裝基板20 之上部表面28的覆晶VCSEL封裝150。該VCSEL封裝150 包含一含有 VCSELS 162 的 VCSEL 陣列 160。該 VCSELS 162係經排置以讓彼等朝於該上部表面28而向下發出光線 。該VCSEL封裝150包含接點166，可接觸該接點墊46的 子集組Π0，經設計以容置及交接於該CPU封裝接點，以 達到電性架置功能。在一示範性實施例裡，該VCSEL封裝 150係一覆晶球狀格點陣列（FCBGA)，即如圖2所示。在另 12 200306653 一示範性實施例裡，該VCSEL封裝150係一覆晶腳針格點 陣列（FCPGA)。CPU封裝100內的VCSEL驅動器120係電 子連接於該VCSEL封裝150，並控制該VCSEL陣列160內 的 VCSELS 162 運作。 導波管陣列 現續參照圖1及2，在該上部表面28上亦構成有一含 有導波管206的輸入導波管陣列200，各者具有一輸入端 208及一輸出端210。該導波管陣列200排置方式係爲可於 輸出端210將各導波管206光學耦接於光偵測器封裝88內 的光偵測器82。 另含於該上部表面28上者，係一含有導波管236的輸 出導波管陣列230，各者具有一輸入端238及一輸出端240 。該輸出導波管陣列230排置方式係爲可將各導波管236 光學耦接於VCSEL 162的輸入端238。 現續參照圖4A，在一示範性實施例裡，該導波管236 係透過反射性耦接方式而耦接於VCSEL 162。該導波管236 的輸入端238包含一上部表面局部244 ’以及一經排置低於 該上部表面局部之下的斜面246。該斜面246於該導波管輸 入端構成一反射器。然後，將該上部表面局部244排置於 VCSEL 162底下，讓從該VCSEL發出的光線250通過該上 部表面局部，並從該斜面246內部反射，這會轉角而將光 線向下導引至導波管236。 現參照圖4B，在另一示範性實施例裡，導波管236會 透過光柵耦接處理而耦接於VCSELS 162。該導波管236的 13 200306653 輸入端包含一構成於上部表面局部244上的光柵260。最好 是設計該光栅260以有向地折射該光線250。該導波管236 的上部表面局部244係經排置於VCSEL 162底下，讓該光 線250從該光柵260折射，並向下傳播到該導波管。 在一示範性實施例裡，輸入導波管陣列200及輸出導 波管陣列230含有一疊附於該上部表面之聚合物導波管薄 片。此聚合物導波管會特別適用於傳送紅外線波長的光線（ 如0.850微米、1.3微米、1.55微米等），這些常見於晶片對 晶片與其他的光學電信應用。同時，聚合物導波管會特別 適用於封裝基板20,這在本示範性實施例中亦爲由聚合物 所構成者。適當的聚合物導波管薄片可向美國賓州Kennet Square郡Optical Crosslinks股份有限公司購得。 在此，也可利用標準導波管製作技術，將導波管陣列 200及230構成於該上部表面28內。現請參照圖4C，其一 該等技術包括於該上部表面28內構成通道270，並以像是 高指數聚合物之高指數材料來塡滿彼等通道。然後，以像 是低指數聚合物之低指數包覆層274將所塡滿的通道覆蓋 。當需要潔淨導波管陣列與光偵測器封裝100或VCSEL封 裝150任一者之間時，經覆蓋之導波管通道構成作業會爲 較佳。 現參照圖4D，另一用以構成導波管陣列200及230的 技術，牽涉到沉積出一高指數核芯材料的第一薄層276、樣 式化該第一薄層以構成導波管核芯278，然後是在導波管核 芯上沉積一低指數包覆薄層280。 14 200306653 現參照圖4E，另一用以構成導波管陣列200及230的 技術，牽涉到沉積出一光敏聚合物的薄層284，此者在當曝 出於一選定波長之輻射時會改變折射指數。此聚合物其一 範例爲丙醯醋酸，可向Dupont Inc.，Wilmington，DE購得。 然後以選定波長（如藉遮罩該薄層284)之輻射286,藉由選 擇性地輻射及處理該光敏聚合物來構成導波管（即如導波管 206)。 導波管連接器及光學纜線 現再度參照圖1及2，光電封裝20進一步包含一輸入 導波管連接器300，其係連接於該輸入導波管陣列200的輸 入端208，以及一輸出導波管連接器310，其係連接於該輸 出導波管陣列230的輸出端240。該輸入導波管連接器300 可提供該輸入導波管陣列200與一外部輸入光學纜線320 間的連接。輸入光學纜線可包含例如光纖、光纖束或導波 管疊附陣列。同樣地，輸出導波管連接器310可提供該輸 出導波管陣列230與一外部輸出光學纜線330間的連接， 類似或等同於光學纜線320。在一示範性實施例裡，導波管 連接器300及310會是MT槽型連接器，可向Optical Crosslinks股份有限公司購得。光學纜線320及330可提供 各個位於相同或不同步PCB上之光電封裝10間的光學通訊 ，像是如圖5A及5B所繪者，或是於一光電封裝及一遠端 光學或光電裝置350之背部平面340間的通訊，即如圖5C 所示。 保護承體 15 200306653 光電封裝10也可視需要包含一上側保護承體366 (圖 2)，其係覆蓋該導波管連接器300及310、導波管陣列200 及300、光偵測器封裝88、CPU封裝100及VCSEL封裝 150至少一局部。在一示範性實施例裡，可藉模鑄樹脂、塑 膠或陶瓷，或是另以固定於封裝基板20來構成該承體366 〇 操作方法 光電封裝10運作以接收一輸入光學信號並產生一輸出 光學信號。從而，操作上，輸入光學纜線320會載荷一或 更多輸入光學信號406，這會由該輸入導波管連接器300配 佈至輸入導波管陣列220的導波管206內。光學信號406 可傳播至個別的導波管206，且由光偵測器封裝88內的光 偵測器82所接收及偵測。各個光偵測器82將所偵得光學 信號406轉換成一光電流，這會被相關的傳導電阻放大器 86轉換成一輸入電壓信號。如此，光偵測器系統封裝88可 作爲一光電接收器。然後透過封裝基板20內的電子互連44 與選定接點42，將輸入電壓信號提供給PCB 50。 接著由常駐於PCB上或位於他處的裝置72處理該輸入 電壓信號。在一示範性實施例裡，該處理包含邏輯運算。 在另一示範性實施例裡，該處理包含牽涉到往返於記憶體 之儲存與接取資訊位元的記憶體運作。而又在另一示範性 實施例裡，會執行邏輯與記憶體處理兩者。

接著，裝置72透過選定接點42與該基板封裝20內的 電子連接44，提供輸出電壓信號給CPU封裝100。VCSEL 16 200306653 驅動器120與傳導阻抗放大器126之組合可產生一輸出電 流，通過電性互連49 (或另者，下傳到印刷電路板50並經 基板封裝20回返）到VCSEL封裝150。輸出電流會驅動 VCSEL陣列160內的VCSELS 162以發出輸出光學信號426 。如此，CPU封裝100及VCSEL封裝120可一起作爲一光 電傳送器。在一示範性實施例裡，會經PCB 50上的電源（ 即如電力供應裝置72，參見圖3)，透過封裝基板20供應電 力給光偵測器封裝88、CPU封裝100及VCSEL封裝150。 即如前文參照於圖4A及4B所述，從光線250所構成 之光學信號426會接著耦接到輸出導波管陣列230內之導 波管236的輸入端238。接著，會透過輸出導波管連接器 310 ’將該光學信號426從導波管輸出端240傳到輸出光學 纜線330。接著，從輸出光學纜線330輸出該光學信號426 ，並由另一光電封裝10 (圖5A、5B)或另一裝置350 (圖5C) 所接收。 製造方法 光電封裝10的製造方式，可藉於基板封裝20內構成 多組接點容置元件（墊）94、106及170，其中各個接點集組 係經調適以承收並結合於分別地來自光偵測器封裝88、 CPU封裝100與VCSEL封裝150之接點92、102及166。 其次，於上部表面28之上構成導波管陣列200及230。即 如前述，導波管陣列200及/或230可爲預構形之聚合物薄 片並經疊附於該上部表面28所製成。或另者，可利用上述 任一技術構成該導波管陣列200。 17 200306653 一旦構成出該導波管陣列，光偵測器封裝88、CPU封 裝100與VCSEL封裝150會被架置於彼等個別接點，而光 偵測器封裝對齊於導波管陣列200，VCSEL封裝對齊於導 波管陣列230。在採用球型/接點墊系統的情況裡，會藉由 進行焊燒重流處理而令各封裝交接於個別的接點塾。 一旦架妥各封裝88、100及15〇之後，會分別地將光 學連接器300及310接附該導波管陣列2〇〇及300。然後可 在封裝88、1〇〇及150上、在導波管陣列上及在光學連接 器300及310之至少一部份上，構成出該上側保護性承體 366，俾保護並封嵌光電封裝10。 接著，將光學纜線320及310分別地連接到光學連接 器300及310。然後可將光學纜線連到外部裝置，即如像是 其他光電裝置10 (圖5A、5B)，或者是遠端光學或光電裝置 350之背板340(圖5C)。 不女全如目U述順序進行製is方法。在一^示範性實施 例，最好是首先將封裝88及150置放於封裝基板2〇上， 然後於s亥;^裝基板的上部表面28上構成該導波管陣列。可 利用在構成出該導波管陣列後所執行的焊燒重流處理，來 讓該光偵測器封裝88內的光偵測器82自我對齊於導波管 陣列200內的導波管2〇6，及/或以令VCSEL封裝150內的 VCSELS 162自我對齊於導波管陣列230內的導波管236。 可透過焊劑的表面張力拉力來完成此自我對齊作業。 本發明雖以參照於較佳實施例作描述，然應瞭解此非 侷限於此。相反地，此係爲涵蓋仍落屬如後載申請專利範 18 200306653 圍所定義之本發明精神與範圍內的所有替代、修飾及均等 物項。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 圖1係一如本發明而經支架於一印刷電路板(PCB)上之 光電封裝之俯視圖。 圖2係圖1之光電封裝及PCB之一個側視圖。 圖3係一具兩個本發明光電封裝之PCB之平面圖，此 等光電封裝之其一係經PCB之接線而耦接於一光電或光學 裝置。 圖4A係一在一 VCSEL陣列內之垂直孔腔表面發射雷 射（VCSEL)縮近側視圖，其係經一構成於該導波管內之斜面 ，而耦接於輸出導波管陣列中之各導波管其一者。 圖4B係一在一 VCSEL陣列內之垂直孔腔表面發射雷 射（VCSEL)縮近側視圖，其係經一構成在位於該VCSEL底 下之導波管表面局部上的光柵，而耦接於輸出導波管陣列 中之各導波管其一者。 圖4C係該封裝基板之截面圖，其中各通道導波管係已 構成於上部表面內； 圖4D係該封裝基板之一系列截面圖，此係說明利用標 準微影蝕刻技術來構成一導波管陣列。 圖4E係該封裝基板之一系列截面圖，此係說明藉由選 擇性地曝出一構成於該封裝基板上部表面上之光敏薄層， 來構成一導波管陣列。 19 200306653 圖5A係一架置於兩個不同PCB上，而透過彼等輸入 及輸出光纜所倂合耦接之兩個光電封裝的示意平面圖。 圖5B係一架置於相同PCB上，而透過彼等輸入及輸 出光纜所倂合耦接之兩個光電封裝的示意平面圖。 圖5C係一架置於一 PCB上，而透過其輸出光纜而連 接於該外部裝置後平面之光電封裝的示意平面圖。 (二）元件代表符號 10 光電封裝 20 封裝基板 28 上部表面 30 底部表面 40 接點組 42 接點 44 電子互連 46 接點墊 49 電性互連 48 接點容置元件 50 印刷電路板 52 上部表面 60 接點容置元件組 62 接點容置元件 70 接線 72 光電裝置 80 光偵測陣列 20 200306653 82 光偵測器 84 傳導阻抗放大器陣列 86 傳導阻抗放大器 92 球型接點 94 接點墊子集組 100 CPU封裝 102 接點 106 接點墊子集組 120 垂直孔腔表面發射雷射（V C S E L)驅動器 126 傳導阻抗放大器 150 覆晶VCSEL封裝 160 垂直孔腔表面發射雷射VCSEL陣列 162 垂直孔腔表面發射雷射VCSELS 166 接點 170 接點墊子集組 200 輸入導波管陣列 206 導波管 208 輸入端 210 輸出端 230 輸出導波管陣列 236 導波管 238 輸入端 240 輸出端 244 上部表面局部 21 200306653 246 斜面 250 光線 260 光栅 270 通道 274 低指數包覆層 276 薄層 278 導波管核芯 280 低指數包覆薄層 284 光敏聚合物薄層 286 選定波長$虽射 300 輸入導波管連接器 310 輸出導波管連接器 320 外部輸入光學纜線 330 外部輸出光學纜線 366 承體 406 輸入光學信號 426 輸出光學信號 22

Claims (1)

1. 200306653 拾、申請專利範圍 1. 一種光電封裝，其係包含： 一封裝基板，其係具有一具第一接點容置元件之上部 表面，及一具第一接點之底部表面，該第一接點係電性傳 通於該第一接點容置元件； 一光電接收器，其係電性接觸於一第一組的第一接點 容置元件，並光學耦接於一構成於該上部表面之輸入導波 管陣列，該輸入導波管陣列可運作以接收一輸入光學信號 :以及 一光電傳送器，其係電性接觸於一第二組的第一接點 容置元件，並光學耦接於一構成於該上部表面之輸出導波 管陣列，並可運作以傳送由該光學傳送器所產生之輸出光 學信號，以回應於該輸入光學信號。 2. 如申請專利範圍第1項之光電封裝，其中該光電接收 器包含一光偵測器封裝。 3. 如申請專利範圍第2項之光電封装，其中該光偵測器 封裝包含： 一光偵測器陣列，其係稱接於該輸入導波管陣列；以 及 一傳導阻抗放大器陣列’其係耦接於該光偵測器陣列 〇 4 ·如申請專利範圍第3項之光電封裝，其中該光電傳送 器包含一中央處理單元（CPU)封裝及一垂直孔腔表面發射雷 射（VCSEL)封裝。 23 200306653 5. 如申請專利範圍第4項之光電封裝，其中該CPU封 裝包含一 VCSEL驅動器，經調適以控制該VCSEL封裝的運 作。 6. 如申請專利範圍第5項之光電封裝，其中該VCSEL 封裝包含一 VCSELs陣列，而各VCSEL光學耦接於該輸出 導波管陣列內之一導波管。 7. 如申請專利範圍第1項之光電封裝，其中該第一接點 係球型接點，經設計以結合於一標準印刷電路板（PCB)之一 組相對應的接點容置元件。 8. 如申請專利範圍第7項之光電封裝，其中該第一接點 容置元件係經調適以容置球型接點。 9. 如申請專利範圍第1項之光電封裝，其係進一步包含 輸入及輸出導波管連接器，其係分別耦接於該輸入及 輸出導波管陣列； 一輸入光學纜線，其係耦接於該輸入導波管連接器， 並可運作以載荷輸入光學信號；以及 一輸出光學纜線，其可運作以耦接於該輸入導波管連 接器，並可運作以載荷輸出光學信號。 10. 如申請專利範圍第9項之光電封裝，其中該輸入及 輸出光學纜線之至少一者係可運作以耦接於一光學裝置或 一光電裝置。 11. 如申請專利範圍第1項之光電封裝，其中該輸入及 輸出導波管陣列之至少一者係包含聚合物導波管。 24 200306653 12. —種光電封裝系統，其係包含： 一封裝基板，其係於一上部表面上具有一第一接點容 置元件，該第一接點容置元件係電性傳通於底部表面的接 點，該等接點係適合於接觸並結合於一印刷電路板（PCB)的 第二組接點容置元件； 一光電接收器封裝及一光電傳送器封裝，該光電接收 器封裝及一光電傳送器封裝之每一個係電性架置於個別第 一及第二子集組的第一接點容置元件；以及 輸入及輸入導波管陣列，其係形成於該基板封裝之上 ，且個別地光學耦接於光電接收器封裝及一光電傳送器封 裝。 13. 如申請專利範圍第12項之光電封裝系統，其係進一 步包含該PCB，其中，基板封裝接點係接觸與結合於該 PCB的第二組接點容置元件。 14. 如申請專利範圍第13項之光電封裝系統，其中該 PCB包含一裝置，該裝置係電性連接於該第二組的接點容 置元件，該裝置係可操作成接收一來自該光電接收器的輸 入電子信號，並提供一輸出電子信號給該光電傳送器。 15. 如申請專利範圍第12項之光電封裝系統，其中該第 一及第二組的接點容置元件之至少一者係可運作成容置一 球型接點。 16. 如申請專利範圍第12項之光電封裝系統，其中該光 電接收器包含一光偵測器封裝，該光偵測器封裝係包含一 光偵測器陣列及一傳導阻抗放、大器陣列。 25 200306653 17. 如申請專利範圍第16項之光電封裝系統，其中該光 電傳送器包含： 一中央處理單元（CPU)封裝，其係具有一垂直孔腔表面 發射雷射（VCSEL)驅動器及傳導阻抗放大器；以及 一 VCSEL封裝，其係電性連接至該VCSEL驅動器，該 VCSEL封裝含有一 VCSEL陣歹丨J。 18. 如申請專利範圍第17項之光電封裝系統，其中該光 偵測器封裝、該CPU封裝及該VCSEL封裝係包含球型接點 及腳針型接點之其中之一。 19. 一種形成一光電封裝的方法，其係包含： 提供一基板封裝，其係在一上部表面上具第一及第二 組的接點容置元件，該第一及第二組的接點容置元件係電 性連接於一底部表面上的第一組接點； 將一光電接收器及一光電傳送器分別地電性架置至該 第一及第二組的接點容置元件；以及 於該上部表面上形成一輸入導波管陣列及一輸出導波 管陣列，並分別地耦接該輸入及輸出導波管陣列於該光電 接收器及該光電傳送器。 20. 如申請專利範圍第19項之方法，其係包含令該第一 組接點形成爲具有一 1.27毫米、1毫米、0.5毫米之間距。 21. 如申請專利範圍第19項之方法，其係包含令該第一 組接點結合於一印刷電路板（PCB)之第三組接點容置元件。 22. 如申請專利範圍第19項之方法，其中包含從一電子 耦接於一傳導阻抗放大器陣列之光偵測器陣列構成該光電 26 200306653 接收器。 23. 如申請專利範圍第22項之方法，其係包含： 從一含有垂直孔腔表面發射雷射（VCSEL)控制器之中央 處理封裝以及一具VCSELs陣列之VCSEL封裝，形成出該 光電傳送器；以及 耦接該VCSELs陣列至該輸出導波管陣列。 24. 如申請專利範圍第23項之方法，其係包含以一保護 性承體來覆蓋該光電接收器、該光電傳送器、及該輸入及 輸出導波管。 25. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該方法進一步 包含耦接該輸入導波管陣列至一輸入光學纜線，並耦接該 輸出導波管陣列至一輸出光學纜線。 26. 如申請專利範圍第25項之方法，其中該方法進一步 包含連接該輸出光學纜線至一光學裝置或一光電裝置。 27. 如申請專利範圍第19項之方法，其中形成該輸入及 輸出陣列導波管，該導波管係包含將該第一及第二聚合物 導波管陣列疊附至該封裝基板之一上部表面。 28. 如申請專利範圍第19項之方法，其中形成該輸入及 輸出陣列導波管包含： 於該封裝基板之一上部表面內形成出各通道； 以一高指數材料來塡滿該等通道；以及 以一低指數材料來覆蓋該高指數材料。 29. 如申請專利範圍第19項之方法，其中形成該輸入及 輸出陣列導波管係包含： 200306653 形成一核芯材料薄層； 圖案化該核芯材料以形成導波管核芯區域；以及 以一低指數包覆材料來覆蓋該等核芯區域。 30.如申請專利範圍第19項之方法，其中形成該輸入及 輸出陣列導波管係包含： 形成一光敏材料薄層，當曝出於一選定波長之輻射時 其折射指數會減少；以及 按以該選定波長之輻射來選擇性地曝出該光敏薄層。 拾壹、圖式 如次頁 28