TW200305352A - Electroluminescent device - Google Patents

Description

200305352 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於電致發光裝置。 在被電流通過時能發出光線的材料係周知的且用於廣 範圍的顯示器應用中。液晶裝置及以無機半導體系統為基 礎的裝置係被廣用著，然而這些具有缺點為高能量消耗、 高製造成本、低量子效率及不能製造平面顯示器。 典型的電致發光裝置包括陽極，通常為電光傳輸材料 ，電洞傳輸材料層，電致發光材料層，視情況地電子傳輸 材料層，及金屬陰極。可有其它層，如緩衝層，而且可使 用一種多種電洞傳輸材料、電致發光材料及電子傳輸材料 的混合物來組合該些層。 【先前技術】 專利申請案WO98/58037敘述一範圍的鑭系錯合物， 其可用於電致發光裝置中，而且具有改良的特性及給予較 佳的結果。專利申請案PCT/GB98/01773 、 PCT/GB99/03619、PCT/GB99/04030、PCT/GB99/04028、 PCT/GB00/00268敘述使用稀土族螯合物的電致發光錯合物 、結構及裝置。 專利申明案WOO0/32717揭示以醒酸鐘在電致發光裝 置中當作電致發光材料的用途。此申請案的醌酸鋰發出藍 色光譜中的光線。 如此專利案中所述者，醌酸鋰較佳係藉由烷基鋰或烷 氧化鐘與8_經基喹咐在液相中反應而合成。金屬化合物可 200305352 溶解在加到8_羥基喹啉的惰性溶劑中。可藉由蒸發而分離 金屬觀酸鹽’或當需要形成金屬醌酸鹽的薄膜時，藉由沈 積到適當的基材上。 ~ /交佳的燒基係乙基、丙基及丁基，而正丁基係特佳的 。就金屬烷氧化物而言，較佳的烷氧化物係乙氧化物、丙 氧化物及丁氧化物。此方法特別適合於製備第I、Η及Ιπ 族金屬，如鋰、鈉、鉀、鋅、鎘及鋁的烷氧化物。在惰性 溶劑如乙Μ中，使S-經基喹啉與烧基經及燒氧化鐘反應， 杈佳為與正丁基鋰反應。醌酸鋰在室溫係為灰白色或白色 固體。 / c. Schmitz、H Scmidt 和 Μ· Thekalakat 在化學 2〇〇〇, 12, 3012-3019的直並發光二極體之標題為直 麓介面材料之文章中揭示醌酸鋰層連同電洞傳 輸材料在電致發光裝置中之用途。 除了 羥基喹咐的鋰鹽，此說明書中的術語醌酸鹽亦 包括經取代的8 -經基喹啉例如以下者之鹽 〇 Of 其中在第2、3、4、5、6和7位置的取代基係相同或 不同且係選自於烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、磺酸、酯 類、羧酸、胺基及醯胺基，或係芳族、多環或雜環基。 200305352 烧基驗金屬係實用上難以處理的化合物，因為它們係 高反應性的且可在空氣中自然著火。^此緣故，通常不選 擇它們當作反應物。 ' 我們已經發現可使酸裡所發出的藍色成為較深的藍 色’、要* /¾ &電/同傳輸化合物α_ΝρΒ的酸鐘層。- 【發明内容】 本發明提供冑電致發光裝置，其依序包括陽極、心 NPB和_酸經之混合物的層&及陰極。 所附的第1圖顯示α_ΝΡΒ的結構式。 、α_ΝΡΒ和醌酸鋰之混合物的比率可廣泛地變化，例如 混合物可包括95 S i重量％的心腕及5至99重量〇/。的 醌酸鋰。 較宜地，α-ΝΡΒ和醌酸鋰之混合物包括8〇至％重量 %的α-ΝΡΒ及20至5重量％的醌酸鋰。 可由混合物在有機溶劑中的溶液之蒸發，而使α_ΝρΒ 矛醌酉夂鐘之混合物沈積纟基材上。戶斤肖白勺;容劑將取決於材 料，但是在許多情況中氣化烴如二氣甲烷係適合的。 —或者，可藉由旋塗，或藉由從固態作真空沈積，例如 藉由濺鍍或任何其它習知的方法，而沈積材料。 較佳為藉由使8-羥基喹咐與烷基鋰或烷氧化鋰在一由 乙腈所構成或含乙腈的惰性溶劑中反應，以製造醌酸鋰。 較佳的烷基係乙基、丙基及丁基，而正丁基係特佳的。就 烷氧化鋰而言，較佳的烷氧化物係乙氧化物、丙氧化物及 丁氧化物。較佳的合成方法係藉由在惰性溶劑中，例如在 8 200305352 乙腈中，使羥基喹咐與正 為灰白色或白色固體。 丁基鐘反應。_酸鋰在室溫係 ν π柯饵种呵禋ή匕合物的物、冬况 合及研磨一起，葬 、_ ^ _ 稭由，、真空蒸發，藉由從溶液的共沈積， 以製備醌酸鋰/α·ΝΡΒ混合物。 口有電’同傳輸層材料介於陽極和醌酸鋰/α-ΝρΒ層之 門且&佳的電洞傳輸層係α·Νρβ，其它適合的電洞傳輸 ;斗匕括胺錯合物如聚(乙烯基咔唑)、Ν，Ν，_二苯基·Ν，Ν，· 从（> 甲土苯基Η，1，·聯苯基"4,4，·二胺（TPD)、胺基取代的 方族化口物之未經取代或經取代的聚合物、聚苯胺、經取 代的聚苯胺、聚噻吩、經取代的聚噻吩、聚我等。聚苯 胺的例子係為以下之聚合物

R. R --0 (I) 其中R係在鄰位或間位且係氫、C1_18烷基、C1_6烷 氧基、胺基、氣、溴、經基或以下基 其中R錢基或芳基，而R，係氫、⑴烧基 ，與至少一個以上式〗之其它單體。 基 或電洞傳輸材料可為-種聚苯胺，本發明中可用的聚 200305352 苯胺係具有通式

(II) 其中P係1至10，而n係i至2〇，R係如上定義，χ 係陰離子，較佳選自於C卜Br、S04、BF4、PF6、h2P〇3、 H2P〇4、芳基磺酸根、芳烴二羧酸根、聚笨乙烯磺酸根、 聚丙烯酸根、烧基續酸根、乙烯㈣酸根、纖維素續酸根 、樟腦績酸根、纖維素4酸根或全氟化聚陰離子。 +芳基磺酸根的例子為對甲苯磺酸根、苯磺酸根、9，10_ 懸，確酸根及料酸根，芳烴酸根的例子為狀酸根， 而芳烴羧酸根的例子為苯甲酸根。 我們已經發現胺基取代的芳族化合物之未經取代或經 取代的聚合物之質子化聚合物，如聚苯胺，係難以基發或 不能被蒸發的’但是我們已經令人驚異地發現若胺基取代 的方族化合物之未經取代或經取代的聚合物被去質子化， 則其可容易地被蒸發，即聚合物係可基發的。 “為使料蒸發的胺基取“㈣ =取代的聚合物之去質子化聚合物。胺基取 物之去質子化未經取代或經取代的聚合物可藉由用驗 200305352 如氣氧化銨或驗金屬氫氧化物如氫氧化納或氫氧化㈣冑 理以使聚合物被去質子化而形成。 可藉由形成質子化的聚苯胺及去質子化而控制質子化 程度。A. G.MacDiarmid 及 A F 咖_，f訂^ 叮

Discussions，Chem s〇c 88 p319 1989 中敘述聚苯胺的製備 方法。 聚苯胺的導電性係取決於質子化程度，而最大導電度 為當質子化程度介於4〇和6G%之間時，例如約5〇%。 較宜地，聚合物係實質上完全被去質子化。 籲 聚苯胺可由八聚物單元所形成，即p為4，例如 聚苯胺之導電度可為Ixl0-1西門子（Siemen) cnrl之級 數或更高。 芳環可為經取代或未經取代的，例如經C1_20烷基如 乙基所取代。 修 聚苯胺可為苯胺之共聚物，且較佳的共聚物係苯胺與 鄰茴香胺、間胺苯磺酸或鄰胺基酚之共聚物或鄰甲苯胺與 鄰胺基酚、鄰乙基苯胺、鄰伸苯二胺或胺基憩之共聚物。 可用的其它胺基取代芳族化合物之聚合物包括經取代 或未經取代的聚胺基萘、聚胺基憩、聚胺基菲等，及任何 其匕縮合的聚芳族化合物之聚合物。聚胺基戀及其製造方 法係揭示於美國專利第6，153,726號中。芳環可為未經取 11 200305352 代或經取代，例如經如上定義的基R所取代。 . 其它電洞傳輸材料係共軛聚合物，而可用的共軛聚合 物可為任何所揭示的共軛聚合物或參考US 5807627、 PCT/WO90/13148 及 PCT/W092/03490。 較佳的共軛聚合物係聚（對伸苯基伸乙烯基>PPV及含 PPV的共聚物。其它較佳的聚合物係聚（2,5_二烷氧基伸苯 基伸乙烯基），如聚（2_甲氧基·％(2-曱氧基戊氧基_i，4_伸苯 基伸乙烯基）、聚（2-甲氧基戊氧基）4,4-伸苯基伸乙烯基）、 聚（2-曱氧基_5-(2_癸氧基-i，4-伸苯基伸乙烯基）及其它聚 籲 (2,5-二烷氧基伸苯基伸乙烯基），其中至少一個烷氧基係長 鏈增溶性烷氧基♦，聚苐及寡聚第，聚伸苯基及寡聚伸苯基 ’聚憩及寡聚葱，聚噻吩及寡聚噻吩。 在PPV中，伸苯環視需要可帶有一或多個取代基，例 如各獨立地選自於烧基，較佳甲基，烧氧基，較佳甲氧基 或乙氧基。 可使用任何含有經取代的衍生物之聚（伸芳基伸乙烯基 )，而聚（伸苯基伸乙烯基）中的伸苯環可經一稠環系統如憩 _ 或萘環所替代，且可增加各聚伸苯基伸乙烯基部分中的伸 乙烯基數目，例如高達於7或更高。 可由 US 5807627 、 pCT/w〇9〇/13148 和 PCT/W092/03490中所揭示的方法來製造共軛聚合物。 電洞傳輸層的厚度較佳係20nm至200nm。 胺基取代的芳族化合物之聚合物如以上所言的聚苯胺 係可用當缓衝層，具有其它電洞傳輸材料或與其它電洞傳 12 200305352 輸材料配合。 心第二2、3、4和5圖顯示某些其它電洞傳輸材料的結 ’ ^ R】、尺2和I可為相同或不同且係選自於友 =經取代和未經取代的烴基，如經取代和未經取代的= 土，經取代和未經取代的芳族、雜環和多環結構 田矢

物，如三氟甲基，鹵素，如氟，或硫苯基,· R〗、R2和人 亦可形成經取代或未經取代的稠合芳族、雜環和多環^ ，且可與單體如苯乙烯共聚合。X係Se、S或ο , γ可二 氫、經取代或未經取代的烴基，如經取代和未經取代^ 族、雜環和多環結構，1，氟碳化物，如三氟甲基 ，如氟或硫苯基或腈。 ’、 一 R】及/或I及/或h的例子包括脂族、芳族及雜環烷 氧基、芳氧基及羧基，經取代和未經取代的苯基、氟笨基 聯笨基、菲、替、萘基及苐基烧基如第三丁基，雜環基 電洞傳輪材料可混合α-ΝΡΒ和醌酸鋰的混合物，例如 第1圖中的m-MTDATA。 視情況地，可有一電子注入材料層介於陰極和電致發 光材料層之間，電子注入材料係一種當被電流通過時會傳 輸電子的材料，包含金屬錯合物，如金屬醌酸鹽，例如醍 酸鋁、醌酸鋰、氰基憩，如9，1〇-二氰基憩、氰基取代的芳 族化合物、四氰醌基二曱烷，一種聚苯乙烯磺酸鹽，或_ 種具有第6和7圖所示結構式的化合物，其中苯環可經如 上定義的取代基R所取代。不作為分開的層，電子注入材 13 200305352 料了 /、電致發光材料混合及與它共沈積。 陰極可為任何低功函數的金屬，例如鋁、鈣、鋰、銀/ 、二曰金稀土金屬合金等，其中鋁係較佳的金屬。可用金 屬氟化物’如鹼金屬、稀土金屬或它們的合金當作第二電 極例如藉由具有一形成在金屬上的氟化鋰層。 陽極較佳係一種透明基材，如導電玻璃或塑膠材料， 八充田陽極，較佳的基材係導電玻璃，如經銦錫氧化物塗 覆的玻璃’但是可以使用任何導電性或具有導電層如金屬 或導電性聚合物的玻璃。亦可使用導電性聚合物和經導電 性聚合物所塗覆的玻璃或塑膠材料當作基材。 兩個電極之—或全部可由石夕所形成，而電致發光材料 矛電洞傳輸及電子傳輸材料的中介層可形成在碎基材上當 作晝素。fe宜地，各畫素包括至少_層稀土螯合電致發光 材料，且一（至少半）透明電極在遠離基材的一面係與有機 層接觸。 、較且地，基材係屬結晶矽者，且基材的表面可被拋光 〆平’“匕以在電極或電致發光化合物沈積之前產生平坦 、表面《者，可用一層導電性聚合物來塗覆非平面化的 石夕基材’以便在沈積其它材料之前產生光滑、平坦的表面 在具體態樣中，各晝素包括與基材接觸的金屬電極 :視金屬和透明電極的相對功函數而冑，任一者皆可當作 陽極，而以另一者當作陰極。 曰石夕基材係陰極時’ _經姜因錫氧化物塗覆的玻璃可充 200305352 當陽極，而光線係經過陽極發射出。當矽基材當作陽極時 ’陰極可由一具有適當功函數的透明電極所形成，例如由 經銦鋅氧化物塗覆的玻璃，其中銦鋅氧化物具有低功函 數。陽極可具有一形成在上的金屬透明塗層，其給予適當 的功函數。這些裝置有時稱為頂部發射裝置或背部發射裝 置。 ’ 金屬電極可由數金屬層所構成，例如由較高功函數的 金屬如鋁沈積在基材上，且一較低功函數的金屬如鈣沈積 在該較高功函數的金屬上。在另一例子中，更一層導電性 · 聚合物係位於一穩定的金屬如鋁之頂上。 較宜地，電極亦充當各畫素之背後的鏡子，且係沈積 在基材之平面化表面上或沈入其内。然而替代地，可有一 田比鄰於基材的光線吸收用黑層。 在猶另一具體態樣中，藉由暴露於適當的水溶液中以 形成導電性畫素墊之陣列（其充當畫素電極的底部接觸）， 而使得底部導電性聚合物層之選擇區域成為不導電的。 如WO00/60669中所述的，各畫素所發出的光線亮度 鲁 較佳係為可用類比方式控制的，即藉由調整矩陣電路所施 加的電壓或電流或藉由輸入一在各畫素電路中被轉變成類 比k號的數位信號。基材較佳亦提供數據驅動器、數據轉 換器及掃描驅動器，以便處理資訊、將畫素陣列定址，俾 產生影像。 在一具體態樣中，藉由一包括電壓控制元件及可變電 阻70件（它們可方便地由金屬-氧化物_半導體場效應電晶體 15 200305352 (MOSFET)所形成）的開關或由一主動矩陣電晶體來控制各 晝素。 【實施方式】 以下實施例說明本發明。 f旌例1 8_羥基喹咐酸鋰TYdON)

使2·32克（0·016莫耳）8_羥基喹咐溶解於乙腈中，及添 加10毫升1·6Μ正丁基鋰（0·016莫耳）。於室溫攪拌溶液一 小時’及濾出灰白色沈澱物。用水洗沈澱物，接著用乙膳 洗，然後在真空中乾燥。顯示固體為醌酸鋰。 复施例2 醌酸鋰和α-ΝΡΒ的混合物 使實施例1中所製備的醌酸鋰粉末與α-ΝΡΒ混合，此 係藉由將兩種材料的粉末混合及研磨在一起，以形成一種 混合的醌酸鋰/α·ΝΡΒ粉末，其包括b重量％的醍酸鋰及 85重量％的α-ΝΡΒ。 重施例3 雷致發光裝詈 製造一種電致發光裝置，其係藉由連續地由溶液、少矛

到銅駄彳b青的銦錫氧化物玻璃陽極層（緩衝層）8〇如· NPB(3〇nm);實施例2中所製備的醌酸鋰和α_ΝρΒ ° 物（30nm) ; 酸鋰（2〇nm)及鋁陰極。第9圖中示杳 |思、i也顯兮 ▲置其中（1)為ϊτο陽極；（2)為銅缺花青緩衝展· 為α-ΝΡΒ層；（4)為混合的醌酸鋰/α-ΝΡΒ層；（5)為|^ / 層；而（6)為鋁陰極。 使電流通過鋁陰極與IT〇陽極之間，而裴置發出_ 。測篁光譜輻射率，而結果示於第8圖中。 、） 16 200305352 測量裝置的特性，而表1中顯示結果。顏色係以χ和 y座標來表示，其為色標CIE 193 1中的座標。 表1 電壓/V 電流/mA 亮度/cdm2 X y J/mAcm*2 η/cdA·1 nEL/lmW·丨 xl〇·3 12 1.20 1.0 0.18 0.22 15.000 0. 007 1.746 13 1.90 2. 80 0.17 0.21 23. 750 0.012 2.849 14 3.10 4. 50 0.17 0.21 38. 750 0.012 2.606 15 6.30 7.20 0.18 0.21 78.750 0. 009 1.915 16 9.10 12.00 0.18 0.21 113.750 0.011 2.071 18 15.00 23.00 0.18 0.20 187.500 0.012 2.141 20 17.00 51.00 0.18 0.20 212.500 0.024 3.770 21 22.00 72. 00 0.18 0.20 275. 000 0.026 3.917 22 30. 00 94.00 0.18 0.20 375. 000 0. 025 3.583 23 38.00 119.00 0.18 0.20 475. 000 0.025 3.422 24 44.00 151.00 0.18 0.20 550. 000 0.027 3.594 —25 50. on m. no 0肩 〇, 20 625- _ o. m •T277 實施例3 製造一種電致發光裝置，其係藉由依序地由溶液沈積 到銅酞花青的銦錫氧化物玻璃陽極層（緩衝層）8nm ; α_ NPB(30nm);實施例2中所製備的醌酸鋰和α-ΝΡΒ之混合 物（30nm);醌酸鋰（20nm)及鋁陰極。第9圖中示意地顯示 該裝置，其中（1)為ITO陽極；（2)為銅酞花青緩衝層；（3) 為α-ΝΡΒ層；（句為混合的醌酸鋰/α-ΝΡΒ層；（5)為醌酸鋰 層；而（6)為鋁陰極。 實施例4 如實施例3中製造一種電致發光裝置，其係藉由依序 地由〉谷液沈積到銅献C花青的姻錫氧化物玻璃1¼'極層（緩衝層 )l〇nm;p-PMTDATA(45nm);實施例2中所製備的醌酸鋰 17 200305352 和α-ΝΡΒ之混合物（2〇nm);醌酸裡（10nm)及紹陰極。第la 圖中顯示p-PMTDATA。 測量裝置的特性，而表2中顯示結果。顏色係以X和 y座標來表示，其為色標CIE 193 1中的座標。 表2 伏特 電流 1亮度 色座標 電流密度 電流效率 功率效率 (V) (mA) (cd m*2) X y (mA cm'2) (cdA·1) (lmW1) 12 18.80 820.3 0.211 0.292 208.9 0.39 0.10 13 24.40 1140.0 0.212 0.291 271.1 0.42 0.10 _ 14 32.40 1337.0 0.215 0.292 360.0 0.37 〇 〇〇 16 46.00 1806.0 0.217 0.292 511.1 0.31 0.06 貫施例5 如實施例3中製造一種電致發光裝置，其係藉由依序 地由溶液沈積到銅肽花青的銦錫氧化物玻璃陽極層（緩衝 層）10mp-PMmTA(45rnn);實施例2中所製備的鼠酸裡 和cx-NPB之混合物(20nm)，例外的是混合物的組成為9，_ NPB及10%醌酸鋰；醌酸鋰（1〇韻）及鋁陰極。第h圖中顯 示 P-PMTDATA。 測量裝置的特性，而表3中顯示結果。顏色係以X和 y座標來表示，其為色標CIE 1931中的座標。 200305352 表3 伏特 電流 亮度 色座標 電流密度 電流效率 功率效率 (V) (mA) (cd m·2) X y (mA cm. (cd A·1) (lmW·】） 17 3.60 127.50 0.2262 0.2738 40.0 0.32 0.06 18 5.40 199.20 0.2247 0.2732 60.0 0.33 0.06 19 8.40 289.10 0.2219 0.2713 93.3 0.31 0.05 20 13.50 379.30 0.2181 0.268 150.0 0.25 0.04 21 25.00 1089.00 0.2068 0.2538 277.8 0.39 0.06 實施例6 如實施例3中製造一種裝置，而且醌酸鋰/α-ΝΡΒ層係 混有 p-PMTDATA。 裝置之結構為：銅肽花青的銦錫氧化物玻璃陽極層（緩 衝層）25nm ; m-MTDATA(55nm);醒酸經、α-ΝΡΒ 及 m-MTDATA之混合物（40.41nm);醒酸經（5nm);氟化裡 (0.4nm)及紹陰極。 醌酸鋰、α-ΝΡΒ及m-MTDATA之混合物包括99%醌 酸鋰、0·975%α-ΝΡΒ 及 0.025%m-MTDATA。 測量特性，而第10圖中顯示結果。 實施例7 如實施例3中製造一種裝置，而且醌酸鋰/α-ΝΡΒ層係 混有 p-PMTDATA。 裝置之結構為：銅狀花青的姻錫氧化物玻璃陽極層（緩 衝層）25nm ; m-MTDATA(72nm);醌酸鋰、α-ΝΡΒ 及 m-MTDATA之混合物（40.41nm);醌酸鋰（5nm);銅肽花青 (3nm)，醌酸H(3nm)及紹陰極。 200305352 醌酸鋰、α-ΝΡΒ及m-MTDATA之混合物包括99%醌 酸鋰、0·975%α-ΝΡΒ 及 0.025%m-MTDATA。 測量特性，而第11圖中顯示結果。 元件符號說明 1 ITO陽極 2 銅狀花青緩衝層 3 oc-NPB 層 4 混合的醒酸經/α-ΝΡΒ層 5 醌酸鋰層 6 鋁陰極

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Claims (1)

1. 200305352 拾、申請專利範圍： 1· 一種電致發光裝置，其依序包括陽極、α-ΝΡΒ和醌 酸鋰之混合物的層以及陰極。 2·如申請專利範圍第1項之電致發光裝置，其中α-ΝΡΒ和醌酸鋰之混合物包括80至95重量％的α-ΝΡΒ及20 至5重量。/〇的醌酸鋰。 3·如申請專利範圍第1或2項之電致發光裝置，其中

   醌酸裡係藉由使8_羥基喹咐與烷基鋰或烷氧化鋰在液相中 反應而製得。 4·如申請專利範圍第1或2項之電致發光裝置，其中 醌酸鋰係藉由使8_羥基喹咐與烷基鋰或烷氧化鋰在一由乙 腈所構成或含乙腈的溶劑中反應而製得。 5·如申請專利範圍第4項之電致發光裝置，其中烷基 鋰係正丁基鋰。 6·如申請專利範圍第丨至5項中任一項之電致發光裝 置，其中有一電洞傳輸材料層介於陽極和爾酸鋰/α_ΝρΒ層

   之間。 7. 如申請專利範圍帛6項之電致發光裝置，其中電 傳輸材料係oc-NPB。 8. 如申請專利範圍第6項之電致發光裝置，其中電 傳輪材料係選自由聚（乙烯基咔唾）、⑽，.二苯基_ν，ν，· ⑺甲基苯基）·Μ’·聯苯基_4,4’·二胺（TpD)、胺基取代的 族化合物之未經取代或經取代的聚合物、聚苯胺、經取 的聚苯胺、聚_吩、經取代的聚_吩、聚㈣所組成之 21 200305352 群0 9.如申請專利範圍第5項之電致發光裝置，其中電洞 傳輸材料係選自於圖式之第卜2、3、4和5圖中所示的 結構式之化合物。 10·如申請專利範圍第i至9項中任一項之電致發光裝 置，其中有與α_ΝΡΒ和酷酸链之混合物混合的電洞傳輸材 料0 11·如中請專利範圍第i i 1G項中項之電致發光 、'、中有電子'主人材料層介於陰極和電致發光材料 層之間。 、12·如中請專利範圍帛n項之電致發光裝置，其中電 子注入材料係金屬醌酸鹽，氰基憩如 :代的芳族化合物，四氰一，—種-聚：稀:: 或-種具有圖式之第6和7圖中所示結構式的化合物 13.如申請專利範圍第…2項中任一項之電致發光 屬:金其中陰極係選自於銘、飼、鐘、銀/鎮合金及稀土金 U·如申請專利範圍第^ 13項中任一項之電致發光 、夏’其中陽極係導電性玻璃陽極。 15.如申請專利範圍第u 12項中任_項之電致發光 持料/中任一陽極及7或陰極係由石夕所形成，而電致發光 :和電洞傳輸及電子傳輸材料的中介層係形成在石夕 *作畫素。 22 200305352 16.如申請專利範圍第1至6項中任一項之電致發光裝 置，其依序包括銦錫氧化物玻璃陽極層、銅故花青層、〇c-NPB層、醌酸鋰和α-ΝΡΒ層的混合物之層、醌酸鋰層及鋁 陰極。 拾壹、圖式： 如次頁

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