Claims (12)
1. เครื่องมืออิเล็กโทรด สำหรับอิเล็กโตรเคมิคอล แมชชินนิ่ง ซึ่งเครื่องมืออิเล็กโทรด จะประกอบด้วยพื้นผิวทำงาน ซึ่งจะหันหน้าเข้าหาชิ้นงาน ในระหว่างกระบวนการอิเล็กโตรเคมิคอล แมชชินนิ่ง, และเครื่องมืออิเล็กโทรดจะประกอบด้วย แบบที่เป็นตัวนำที่ถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวทำงานโดยซับสเตรทของอิเล็กโทรดที่ถูกเผย ซึ่งแบบที่เป็นตัวนำจะสอดคล้องกับแบบของร่องที่ต้องการ ซึ่งจะถูกแมชชินแบบอิเล็กโตรเคมิคอล บนชิ้นงาน ด้วยเครื่องมืออิเล็กโทรด , และ ฟิล์มที่เป็นฉนวนบาง ซึ่งเป็นเรซินของโพลีเมอไรเซชันแบบการตกสะสมของไอ หรือ เรซินของการตกสะสมของไอ ซึ่งฟิล์มที่เป็นฉนวนบางจะปกคลุมพื้นผิวทำงานของซับสเตรท ของอิเล็กโทรดที่นอกเหนือจากตำแหน่งของแบบที่เป็นตัวนำ1. Electrode tool for electrochemical machining. The electrode tool consists of a working surface that faces the workpiece during the electrochemical machining process; a conductive pattern created on the working surface by the exposed electrode substrate, which conforms to the desired groove pattern that is electrochemically machined onto the workpiece by the electrode tool; and a thin insulating film, which is a vapor deposition polymerization resin or vapor deposition resin, that covers the working surface of the electrode substrate except for the position of the conductive pattern.
2. เครื่องมืออิเล็กโทรดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งพื้นผิวของแบบที่เป็นตัวนำ และพื้นผิวของ ฟิล์มที่เป็นฉนวนบาง จะเสมอกัน2. An electrode instrument as per claim 1 in which the surface of the conductive form and the surface of the thin insulating film are uniform.
3. เครื่องมืออิเล็กโทรดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งแบบที่เป็นตัวนำจะถูกสร้างขึ้นโดย อย่างน้อยหนึ่งส่วนยื่น ซึ่งจะถูกสร้างขึ้นในซับสเตรท3. An electrode instrument pursuant to claim clause 1, in which the conductive form is created by at least one protrusion which is formed in the substrate.
4. เครื่องมืออิเล็กโทรดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งความสูงของส่วนยื่น คือ 5 ไมโครเมตร ถึง 50 ไมโครเมตร4. Electrode device as per claim 1, where the height of the projection is 5 micrometers to 50 micrometers.
5. เครื่องมืออิเล็กโทรดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งความหนาของฟิล์มที่เป็นฉนวนบาง คือ 5 ไมโครเมตร ถึง 50 ไมโครเมตร5. Electrode instrument according to claim 1, where the thickness of the thin insulating film is 5 micrometers to 50 micrometers.
6. เครื่องมืออิเล็กโทรดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งฟิล์มที่เป็นฉนวนบาง จะเลือกได้จากกลุ่ม ที่ประกอบด้วยโพลีอิไมด์ เรซินที่ถูกโพลีเมอไรซ์แบบการตกสะสมของไอ, เปอร์ฟลูออโรแอลคอกซี-เตตราฟลูออโรเอทธิลีน โคโพลีเมอร์ (PFA) ที่ถูกตกสะสมแบบไอ, และ เตตราฟลูออโรเอทธิลีน-เฮกซาฟลูออโรโพรพิลีน โคโพลีเมอร์ (FEP) ที่ถูกตกสะสมแบบไอ6. The electrode instrument pursuant to claim 1, in which a thin insulating film shall be selected from a group consisting of vapor-deposited polymerized polyimide resins, vapor-deposited perfluoroalkoxy-tetrafluoroethylene copolymer (PFA), and vapor-deposited tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP).
7. เครื่องมืออิเล็กโทรดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งซับสเตรทของอิเล็กโทรดของ เครื่องมืออิเล็กโทรด จะเลือกได้จากกลุ่มที่ประกอบด้วยคอปเปอร์, ทองเหลือง, ฟอสฟอร์ บรอนซ์ , ไอร์ออน-คอปเปอร์ อัลลอย, สเตรเลส สตีล, ทังสเตน, ไทเทเนียม อัลลอย, คอปเปอร์ ทังสเตน อัลลอย และโคบอลต์ อัลลอย7. The electrode instrument pursuant to claim clause 1 shall have a selectable electrode substrate from a group comprising copper, brass, phosphor bronze, iron-copper alloy, stainless steel, tungsten, titanium alloy, copper-tungsten alloy, and cobalt alloy.
8. วีธีการของการผลิตเครื่องมืออิเล็กโทรด ซึ่งประกอบด้วย การกำจัดออกของส่วนของพื้นผิวของซับสเตรทของอิเล็กโทรด เพื่อสร้างส่วนยื่น ในพื้นผิวทำงานของซับสเตรทของอิเล็กโทรด, ซึ่งพื้นผิวทำงานจะหันหน้าเข้าหาชิ้นงานในระหว่าง กระบวนการอิเล็กโตรเคมิคอล แมชชินนิ่ง, การสร้างของฟิล์มที่เป็นฉนวนที่สม่ำเสมอ ที่มีความหนาเป็น 5 ถึง 50 ไมโครเมตร โดยการตกสะสมของไอ หรือ โพลีเมอไรเซชันแบบการตกสะสมของไอ เพื่อว่าพื้นผิวทำงาน ที่รวมถึงส่วนยื่น จะถูกเคลือบด้วยฟิล์มที่เป็นฉนวน, และ การกำจัดออกของฟิล์มที่เป็นฉนวนจากปลายด้านนอกของส่วนยื่น เพื่อสร้าง แบบที่เป็นตัวนำ ซึ่งจะถูกล้อมรอบโดยฟิล์มที่ใช้เป็นฉนวน8. The electrode tool fabrication method involves removing portions of the electrode substrate surface to create protrusions on the electrode substrate's working surface, which face the workpiece during the electrochemical machining process; creating a uniform insulating film with a thickness of 5 to 50 micrometers via vapor deposition or vapor deposition polymerization so that the working surface, including the protrusions, is coated with the insulating film; and removing the insulating film from the outer ends of the protrusions to create a conductive structure surrounded by the insulating film.
9. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 8 ซึ่งการกำจัดออกของฟิล์มที่ใช้เป็นฉนวน จะถูกดำเนินการ โดยการฝน หรือ การกัดด้วยกรด9. The method stipulated in claim 8 for the removal of the insulating film shall be carried out by abrasion or acid etching.
10. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ซึ่งในระหว่างการฝน หรือ การกัดด้วยกรด พื้นผิวของ แบบที่เป็นตัวนำ และพื้นผิวของฟิล์มที่เป็นฉนวน จะทำให้เสมอกัน10. The method under claim 9, which, during rain or acid etching, causes the surface of the conductive type and the surface of the insulating film to be leveled.
11. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 8 ซึ่งส่วนยื่นจะถูกสร้างขึ้นโดยการกัดด้วยกรด11. The method under claim 8, in which the projection is created by acid etching.
12. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 8 ซึ่งส่วนยื่นจะถูกสร้างขึ้นโดยวิธีการที่เลือกได้จาก กลุ่มที่ประกอบด้วยกระบวนการกำจัดออกด้วยการตัด, กระบวนการกำจัดออกด้วยเลเซอร์, และ กระบวนการกำจัดออกด้วยการพ่นที่มีความถูกต้องแม่นยำ12. The method under claim 8, in which the submission shall be made, shall be a selection of methods from a group comprising cutting removal processes, laser removal processes, and precision jet removal processes.