TH79242B - วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ - Google Patents

วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์

Info

Publication number
TH79242B
TH79242B TH501003491A TH0501003491A TH79242B TH 79242 B TH79242 B TH 79242B TH 501003491 A TH501003491 A TH 501003491A TH 0501003491 A TH0501003491 A TH 0501003491A TH 79242 B TH79242 B TH 79242B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
cut
line
starting point
area
cutting line
Prior art date
Application number
TH501003491A
Other languages
English (en)
Other versions
TH79242A (th
TH59039B (th
Inventor
ซาคาโมโตะ นายทาเคชิ
Original Assignee
ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค
Filing date
Publication date
Application filed by ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค filed Critical ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค
Publication of TH79242A publication Critical patent/TH79242A/th
Publication of TH79242B publication Critical patent/TH79242B/th
Publication of TH59039B publication Critical patent/TH59039B/th

Links

Abstract

ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ซึ่งสามารถตัดวัตถุที่ดำเนินกรรมวิธีได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูง วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ของการประดิษฐ์นี้จะฉายวัตถุแบนราบที่ดำเนินกรรมวิธี 1 ด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จัดให้จุดลู่รวมแสง P อยู่ภายในวัตถุ 1 แรกเริ่ม บริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 71 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่ง 5a ใน วัตถุ 1 หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สอง 72 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูป ขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สอง 5b ที่ตัดกันกับแนวทำการตัด 5a ในสภาพที่ให้ตัดกันกับอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 71 จากนั้น บริเวณดัดแปรที่สี่ 73 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5b หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สาม 74 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5a ระหว่าง บริเวณดัดแปร 71 และผิวหน้าด้านเข้า 1a ของวัตถุ 1 บริเวณที่แสงเลเซอร์ L ตกกระทบ เพื่อให้ตัดกัน กับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 73

Claims (1)

1. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ที่รวมถึง; ขั้นตอนที่หนึ่งของการฉายวัตถุแบนราบที่ดำเนินกรรมวิธีด้วยแสงเลเซอร์ ในขณะที่จัด ให้จุดลู่รวมแสงอยู่ภายในวัตถุ เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดขึ้นมาภายในวัตถุตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในวัตถุ และการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สอง ที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดขึ้นมาภายในวัตถุตามแนวของแนวทำการตัดที่สองที่ตัดกัน กับแนวทำการตัดที่หนึ่งในลักษณะที่ทำให้
TH501003491A 2005-07-28 วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ TH59039B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH79242A TH79242A (th) 2006-08-10
TH79242B true TH79242B (th) 2006-08-10
TH59039B TH59039B (th) 2017-11-17

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE469724T1 (de) Laserbearbeitungsverfahren
WO2009069510A1 (ja) 加工対象物切断方法
WO2009031534A1 (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
WO2009069509A1 (ja) 加工対象物研削方法
EP2230042A3 (en) Laser processing method and semiconductor device
ATE556807T1 (de) Laserverarbeitungsverfahren
ATE512751T1 (de) Laserbearbeitungsverfahren
MY141077A (en) Laser processing method
MY146899A (en) Laser processing method and semiconductor chip
MY139770A (en) Laser processing method
EP2194575A3 (en) Substrate Dividing Method
EP1609559A4 (en) METHOD OF MACHINING BY LASER BEAM
TH79242B (th) วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์
JP5879200B2 (ja) ガラス基板の分断方法
ATE462508T1 (de) Verfahren und werkzeug zur spanlosen herstellung von werkstücken mit einer kerbe und werkstück mit einer kerbe
TH59039B (th) วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์
TH79242A (th) วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์
JP6049847B2 (ja) ガラス基板の分断方法
CN107546300B (zh) 一种led芯片的切割及劈裂方法
TWI845258B (zh) 高速垂直腔面射型雷射及具有其的電子設備、製造方法
TW201536504A (zh) 矽基板之分斷方法
TH80019B (th) วิธีกรรมวิธีเลเซอร์
BR112018075766A2 (pt) broca de perfuração, e, método de formação de furo
KR20160003336U (ko) 마이크로 드릴
CZ28573U1 (cs) Vrták