TH79242A - วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ - Google Patents
วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์Info
- Publication number
- TH79242A TH79242A TH501003491A TH0501003491A TH79242A TH 79242 A TH79242 A TH 79242A TH 501003491 A TH501003491 A TH 501003491A TH 0501003491 A TH0501003491 A TH 0501003491A TH 79242 A TH79242 A TH 79242A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cutting
- area
- modification
- modification region
- modified
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (10/07/56) ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ซึ่งสามารถตัดวัตถุที่ดำเนินกรรมวิธีได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูง วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ของการประดิษฐ์นี้จะฉายวัตถุแบนราบที่ดำเนินกรรมวิธี 1 ด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จัดให้จุดลู่รวมแสง P อยู่ภายในวัตถุ 1 แรกเริ่ม บริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 71 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่ง 5a ใน วัตถุ 1 หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สอง 72 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูป ขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สอง 5b ที่ตัดกันกับแนวทำการตัด 5a ในสภาพที่ให้ตัดกันกับอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 71 จากนั้น บริเวณดัดแปรที่สี่ 73 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5b หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สาม 74 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5a ระหว่าง บริเวณดัดแปร 71 และผิวหน้าด้านเข้า 1a ของวัตถุ 1 บริเวณที่แสงเลเซอร์ L ตกกระทบ เพื่อให้ตัดกัน กับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 73 ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ซึ่งสามารถตัดวัตถุที่ดำเนินกรรมวิธีได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูง วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ของการประดิษฐ์นี้จะฉายวัตถุแบนราบที่ดำเนินกรรมวิธี 1 ด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จัดให้จุดลู่รวมแสง P อยู่ภายในวัตถุ 1 แรกเริ่ม บริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 71 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่ง 5a ใน วัตถุ 1 หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สอง 72 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูป ขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สอง 5b ที่ตัดกันกับแนวทำการตัด 5a ในสภาพที่ให้ตัดกันกับอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 71 จากนั้น บริเวณดัดแปรที่สี่ 73 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5b หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สาม 74 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5a ระหว่าง บริเวณดัดแปร 71 และผิวหน้าด้านเข้า 1a ของวัตถุ 1 บริเวณที่แสงเลเซอร์ L ตกกระทบ เพื่อให้ตัดกัน กับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 73
Claims (6)
1. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ที่รวมถึง; ขั้นตอนที่หนึ่งของการฉายวัตถุแบนราบที่ดำเนินกรรมวิธีด้วยแสงเลเซอร์ ในขณะที่จัด ให้จุดลู่รวมแสงอยู่ภายในวัตถุ เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดขึ้นมาภายในวัตถุตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในวัตถุ และการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สอง ที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดขึ้นมาภายในวัตถุตามแนวของแนวทำการตัดที่สองที่ตัดกัน กับแนวทำการตัดที่หนึ่งในลักษณะที่ทำให้บริเวณดัดแปรที่สองตัดกันกับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของ บริเวณดัดแปรที่หนึ่ง;และ ขั้นตอนที่สองของการฉายวัตถุด้วยแสงเลเซอร์ในขณะที่จัดให้จุดลู่รวมแสงอยู่ภายในวัตถุ หลังขั้นตอนที่หนึ่ง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สามที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดขึ้นมา ตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งภายในวัตถุระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าด้านเข้าของ วัตถุบริเวณที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ และการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สี่ที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สองภายในวัตถุระหว่างบริเวณดัดแปรที่สองและผิวหน้า ด้านเข้าในลักษณะที่ให้บริเวณดัดแปรที่สี่ตัดกับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่สาม
2. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่สองได้รับการก่อ รูปขึ้นมาหลังการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งในขั้นตอนที่หนึ่ง; และ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่สี่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาหลังการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สามในขั้นตอนที่ สอง
3. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่สองได้รับการก่อ รูปขึ้นมาหลังการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งในขั้นตอนที่หนึ่ง; และ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่สามได้รับการก่อรูปขึ้นมาหลังการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สี่ในขั้นตอนที่ สอง
4. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งสารสนเทศของผิวหน้าด้านเข้าที่ หนึ่งได้รับการบันทึกไว้เมื่อทำการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง และบริเวณดัดแปรที่สามได้รับการก่อ รูปขึ้นมาในขณะที่ใช้สารสนเทศของผิวหน้าด้านเข้าที่หนึ่ง; และ ที่ซึ่งสารสนเทศของผิวหน้าด้านเข้าที่สอง ได้รับการบันทึกไว้เมื่อทำการก่อรูปบริเวณดัดแปร ที่สอง และบริเวณดัดแปรที่สี่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาในขณะที่ใช้สารสนเทศของผิวหน้าด้านเข้าที่สอง
5. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งถึงที่สี่อย่าง น้อยที่สุดหนึ่งบริเวณ ได้รับการสร้างขึ้นมาโดยแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่วางตรงแนวกัน ในทิศทางตามความหนาของวัตถุ
6. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชุดของบริเวณ ดัดแปรที่หนึ่งและที่สอง และบริเวณดัดแปรที่สามและที่สี่ได้รับการสร้างขึ้นมาโดยแถวในจำนวนที่ เท่ากันของบริเวณดัดแปรที่วางตรงแนวกันในทิศทางตามความหนาของวัตถุ
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH79242A true TH79242A (th) | 2006-08-10 |
| TH59039B TH59039B (th) | 2017-11-17 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE469724T1 (de) | Laserbearbeitungsverfahren | |
| WO2009031534A1 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2007075886A5 (th) | ||
| TW200602145A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
| WO2019079417A3 (en) | Methods for laser processing transparent workpieces using pulsed laser beam focal lines and chemical etching solutions | |
| CN106216856B (zh) | 双焦点激光加工系统及其加工方法 | |
| WO2009069509A1 (ja) | 加工対象物研削方法 | |
| WO2013091607A3 (de) | Verfahren zur strukturierung einer oberfläche eines werkstücks | |
| MY147331A (en) | A machining method using laser | |
| ATE512751T1 (de) | Laserbearbeitungsverfahren | |
| US20160031040A1 (en) | Laser cutting method and apparatus thereof | |
| EP1494271A4 (en) | PROCESS FOR DISCONNECTING A SUBSTRATE | |
| TW200732076A (en) | Laser beam machining method and semiconductor chip | |
| JP2006167804A5 (th) | ||
| CN101989640A (zh) | 晶片加工方法 | |
| KR20150077276A (ko) | 유리기판의 모따기방법 및 레이저가공장치 | |
| EP2642512A3 (en) | Techniques for processing a substrate | |
| TW200703455A (en) | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate | |
| ATE376473T1 (de) | Verfahren zur bestimmung der fokuslage eines laserstrahls | |
| US10756233B2 (en) | Method of manufacturing a light emitting element | |
| TH59039B (th) | วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ | |
| TH79242A (th) | วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ | |
| US20190358750A1 (en) | Glass plate and manufacturing method of glass plate | |
| KR101256442B1 (ko) | 기판 분단 장치 | |
| KR20140140206A (ko) | 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법 |