TH79242A - วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ - Google Patents

วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์

Info

Publication number
TH79242A
TH79242A TH501003491A TH0501003491A TH79242A TH 79242 A TH79242 A TH 79242A TH 501003491 A TH501003491 A TH 501003491A TH 0501003491 A TH0501003491 A TH 0501003491A TH 79242 A TH79242 A TH 79242A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
cutting
area
modification
modification region
modified
Prior art date
Application number
TH501003491A
Other languages
English (en)
Other versions
TH59039B (th
Inventor
ซาคาโมโตะ นายทาเคชิ
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช, ฮามามัตสึ โฟโตนิคส์ เคเค filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH79242A publication Critical patent/TH79242A/th
Publication of TH59039B publication Critical patent/TH59039B/th

Links

Abstract

DC60 (10/07/56) ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ซึ่งสามารถตัดวัตถุที่ดำเนินกรรมวิธีได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูง วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ของการประดิษฐ์นี้จะฉายวัตถุแบนราบที่ดำเนินกรรมวิธี 1 ด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จัดให้จุดลู่รวมแสง P อยู่ภายในวัตถุ 1 แรกเริ่ม บริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 71 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่ง 5a ใน วัตถุ 1 หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สอง 72 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูป ขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สอง 5b ที่ตัดกันกับแนวทำการตัด 5a ในสภาพที่ให้ตัดกันกับอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 71 จากนั้น บริเวณดัดแปรที่สี่ 73 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5b หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สาม 74 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5a ระหว่าง บริเวณดัดแปร 71 และผิวหน้าด้านเข้า 1a ของวัตถุ 1 บริเวณที่แสงเลเซอร์ L ตกกระทบ เพื่อให้ตัดกัน กับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 73 ได้จัดให้มีวิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ซึ่งสามารถตัดวัตถุที่ดำเนินกรรมวิธีได้ด้วยความ เที่ยงตรงสูง วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ของการประดิษฐ์นี้จะฉายวัตถุแบนราบที่ดำเนินกรรมวิธี 1 ด้วยแสงเลเซอร์ L ในขณะที่จัดให้จุดลู่รวมแสง P อยู่ภายในวัตถุ 1 แรกเริ่ม บริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 71 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่ง 5a ใน วัตถุ 1 หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สอง 72 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูป ขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สอง 5b ที่ตัดกันกับแนวทำการตัด 5a ในสภาพที่ให้ตัดกันกับอย่าง น้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 71 จากนั้น บริเวณดัดแปรที่สี่ 73 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5b หลังจากนั้น บริเวณดัดแปรที่สาม 74 ที่จะเป็นจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดจะได้รับการก่อรูปขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัด 5a ระหว่าง บริเวณดัดแปร 71 และผิวหน้าด้านเข้า 1a ของวัตถุ 1 บริเวณที่แสงเลเซอร์ L ตกกระทบ เพื่อให้ตัดกัน กับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปร 73

Claims (6)

1. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ที่รวมถึง; ขั้นตอนที่หนึ่งของการฉายวัตถุแบนราบที่ดำเนินกรรมวิธีด้วยแสงเลเซอร์ ในขณะที่จัด ให้จุดลู่รวมแสงอยู่ภายในวัตถุ เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดขึ้นมาภายในวัตถุตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งในวัตถุ และการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สอง ที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดขึ้นมาภายในวัตถุตามแนวของแนวทำการตัดที่สองที่ตัดกัน กับแนวทำการตัดที่หนึ่งในลักษณะที่ทำให้บริเวณดัดแปรที่สองตัดกันกับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของ บริเวณดัดแปรที่หนึ่ง;และ ขั้นตอนที่สองของการฉายวัตถุด้วยแสงเลเซอร์ในขณะที่จัดให้จุดลู่รวมแสงอยู่ภายในวัตถุ หลังขั้นตอนที่หนึ่ง เพื่อการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สามที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับการตัดขึ้นมา ตามแนวของแนวทำการตัดที่หนึ่งภายในวัตถุระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าด้านเข้าของ วัตถุบริเวณที่แสงเลเซอร์ตกกระทบ และการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สี่ที่จะเป็นบริเวณจุดเริ่มต้นสำหรับ การตัดขึ้นมาตามแนวของแนวทำการตัดที่สองภายในวัตถุระหว่างบริเวณดัดแปรที่สองและผิวหน้า ด้านเข้าในลักษณะที่ให้บริเวณดัดแปรที่สี่ตัดกับอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่สาม
2. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่สองได้รับการก่อ รูปขึ้นมาหลังการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งในขั้นตอนที่หนึ่ง; และ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่สี่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาหลังการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สามในขั้นตอนที่ สอง
3. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่สองได้รับการก่อ รูปขึ้นมาหลังการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งในขั้นตอนที่หนึ่ง; และ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่สามได้รับการก่อรูปขึ้นมาหลังการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่สี่ในขั้นตอนที่ สอง
4. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งสารสนเทศของผิวหน้าด้านเข้าที่ หนึ่งได้รับการบันทึกไว้เมื่อทำการก่อรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง และบริเวณดัดแปรที่สามได้รับการก่อ รูปขึ้นมาในขณะที่ใช้สารสนเทศของผิวหน้าด้านเข้าที่หนึ่ง; และ ที่ซึ่งสารสนเทศของผิวหน้าด้านเข้าที่สอง ได้รับการบันทึกไว้เมื่อทำการก่อรูปบริเวณดัดแปร ที่สอง และบริเวณดัดแปรที่สี่ได้รับการก่อรูปขึ้นมาในขณะที่ใช้สารสนเทศของผิวหน้าด้านเข้าที่สอง
5. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งถึงที่สี่อย่าง น้อยที่สุดหนึ่งบริเวณ ได้รับการสร้างขึ้นมาโดยแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่วางตรงแนวกัน ในทิศทางตามความหนาของวัตถุ
6. วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชุดของบริเวณ ดัดแปรที่หนึ่งและที่สอง และบริเวณดัดแปรที่สามและที่สี่ได้รับการสร้างขึ้นมาโดยแถวในจำนวนที่ เท่ากันของบริเวณดัดแปรที่วางตรงแนวกันในทิศทางตามความหนาของวัตถุ
TH501003491A 2005-07-28 วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์ TH59039B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH79242A true TH79242A (th) 2006-08-10
TH59039B TH59039B (th) 2017-11-17

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE469724T1 (de) Laserbearbeitungsverfahren
WO2009031534A1 (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
JP2007075886A5 (th)
TW200602145A (en) Laser processing method and semiconductor chip
WO2019079417A3 (en) Methods for laser processing transparent workpieces using pulsed laser beam focal lines and chemical etching solutions
CN106216856B (zh) 双焦点激光加工系统及其加工方法
WO2009069509A1 (ja) 加工対象物研削方法
WO2013091607A3 (de) Verfahren zur strukturierung einer oberfläche eines werkstücks
MY147331A (en) A machining method using laser
ATE512751T1 (de) Laserbearbeitungsverfahren
US20160031040A1 (en) Laser cutting method and apparatus thereof
EP1494271A4 (en) PROCESS FOR DISCONNECTING A SUBSTRATE
TW200732076A (en) Laser beam machining method and semiconductor chip
JP2006167804A5 (th)
CN101989640A (zh) 晶片加工方法
KR20150077276A (ko) 유리기판의 모따기방법 및 레이저가공장치
EP2642512A3 (en) Techniques for processing a substrate
TW200703455A (en) Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
ATE376473T1 (de) Verfahren zur bestimmung der fokuslage eines laserstrahls
US10756233B2 (en) Method of manufacturing a light emitting element
TH59039B (th) วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์
TH79242A (th) วิธีการดำเนินกรรมวิธีด้วยเลเซอร์
US20190358750A1 (en) Glass plate and manufacturing method of glass plate
KR101256442B1 (ko) 기판 분단 장치
KR20140140206A (ko) 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법