TH72009B - อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งแบบฟิล์มบางของมวลลอยและกระบวนการผลิตดังกล่าว - Google Patents

Abstract

DC60 เซนเซอร์วัดความเร่งที่สร้างขึ้นโดยโดยใช้กระบวนการ physical vapor deposition เป็น หลัก ประกอบด้วยส่วนมวลลอยอยู่ตรงกลางที่ถูกยึดด้วยด้วยแขนยึดจำนวนหนึ่ง โดยโครงสร้างนี้ จะถูกปกป้องด้วยโครงสร้างของแผ่นยางประเภทซิลิโคน เช่น polydimethysiloxane (PDMS) ที่จะ ถูกสร้างด้วยวิธีการ plastic molding และ plasma bonding ลงบนซับสเตรตที่เป็นแก้ว โครงสร้าง มวลลอยจะถูกสร้างด้วยวัสดุฉนวนไฟฟ้าที่เหมาะสม เช่น Aluminum Nitride (AIN) Alumina (AI2O3) Silicon Nitride (Si3N4) หรือ Silicon Dioxide (SiO2) ตามด้วยชั้นของฟิล์มบางของ piezoresistor ที่เคลือบอยู่บนแขนยึดแต่ละแขนและจะมีชั้นฟิล์มบางของโลหะที่เหมาะสม เช่น Cu/Cr เคลือบบนปลายอยู่เพื่อเป็นขั้วไฟฟ้า เมื่อแขนยึดดังกล่าวโค้งงอด้วยแรงของความเร่งที่มา กระทำ ส่วนที่เป็น piezoresistor ก็จะโค้งงอและมีความต้านทานไฟฟ้าเปลี่ยนแปลงไป ดังนั้น ปริมาณความเร่งที่กดก็จะถูกวัดได้โดยการวัดการเปลี่ยนแปลงความต้านทานไฟฟ้าของอุปกรณ์ โดย piezoresistor ในการประดิษฐ์นี้จะเป็นวัสดุที่เหมาะสมเช่น indium tin oxide (ITO) ที่สร้างด้วย กระบวนการเฉพาะคือ ion-assisted electron beam evaporation เซนเซอร์วัดความแร่งที่สร้างขึ้นโดยโดยใช้กระบวนการ physical vapor deposition เป็น หลัก ประกอบด้วยส่วนมวลลอยอยู่ตรงกลางที่ถูกยึดด้วยด้วยแขนยึดจำนวนหนึ่ง โดยโครงสร้างนี้ จะถูกปกป้องด้วยโครงสร้างของแผ่นยางประเภทซิลิโคน เช่น polydimethysiloxane (PDMS) ที่จะ ถูกสร้างด้วยวิธีการ plastic molding และ plasma bonding ลงบนซับสเตรตที่เป็นแก้ว โครงสร้าง มวลลอยจะถูกสร้างด้วยวัสดุฉนวนไฟฟ้าที่เหมาะสม เช่น Aluminum Nitride (AIN) Alumina (AI2O3) Silicon Nitride (Si3N4) หรือ Silicon Dioxide (SiO2) ตามด้วยชั้นของฟิล์มบางของ piezoresistor ที่เคลือบอยู่บนแขนยึดแต่ละแขนและจะมีชั้นฟิล์มบางของโลหะที่เหมาะสม เช่น Cu/Cr เคลือบบนปลายอยู่เพื่อเป็นขั้วไฟฟ้า เมื่อแขนยึดดังกล่าวโค้งงอด้วยแรงของความเร่งที่มา กระทำ ส่วนที่เป็น piezoresistor ก็จะโค้งงอและมีความต้านทางไฟฟ้าเปลี่ยนแปลงไป ดังนั้น ปริมาณความเร่งที่กดก็จะถูกวัดได้โดยการวัดการเปลี่ยนแปลงความต้านทานไฟฟ้าของอุปกรณ์ โดย piezoresistor ในการประดิษฐ์นี้จะเป็นวัสดุที่เหมาะสมเช่น indium tin oxide (ITO) ที่สร้างด้วย กระบวนการเฉพาะคือ ion-assisted electron beam evaporation

Claims (9)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :------01/03/2562------(OCR) หน้าที่ 1 ของจำนวน 3 หน้าข้อถือสิทธิ

1. อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งที่ประกอบด้วย - แผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง โดยแผ่นฐาน (3) ดังกล่าวทำมาจากวัสดุที่เป็นฉนวน - มวลลอย(1) ที่ถูกสร้างอยู่บนผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐาน (3) ดังกล่าวให้ลอยอยู่สูงขึ้นจากผิวหน้าโดยมีช่องว่างอากาศ (7) อยู่ภายใต้แขน และมีแขนยึด (2) อย่างน้อยหนึ่งแขน เป็นตัวเชื่อมระหว่างมวลลอย (1)ดังกล่าวกับแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว - ชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) จำนวนหนึ่งที่ถูกสร้างบนแขนยึด (2) ดังกล่าว แต่ละแขน โดยมีลวดลายแบบขดลวดรูปตัวยู (U) โดยที่ชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) ดังกล่าวถูกสร้างขึ้นจากวัสดุที่มีสมบัติเฉพาะคือความต้านทานไฟฟ้าของมันจะเปลี่ยนไปเมื่อมีแรงมากระทำให้เกิดการเปลี่ยนรูปทรง - ชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ที่ถูกสร้างอยู่บนมวลลอย (1) - ขั้วไฟฟ้า (6) อย่างน้อยสองขั้วสำหรับ เชื่อมต่อชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) ดังกล่าว แต่ละตัวเพื่อทำหน้าที่เป็นขั้วเอาต์พุตของอุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งดังกล่าว และ - โครงสร้างปกป้อง (8) ที่ยึดติดอยู่บนแผ่นฐาน (3) ดังกล่าวและล้อมรอบโครงสร้างมวลลอยและอื่นๆทั้งหมด โดยที่อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งดังกล่าว มีลักษณะเฉพาะคือ แผ่นฐาน (3) มีคุณสมบัติเป็นวัสดุฉนวนที่ทนความร้อนได้อย่างน้อย 250 องศาเซลเซียส และมีลักษณะเฉพาะคือชั้นฟิล์มบางของเพียโซรีซิสเตอร์(piezoresistor) (4) ที่เป็นวัสดุอินเดียมทินออกไซด์ (indium tin oxide) (ITO) และมีลักษณะเฉพาะคือโครงสร้างปกป้อง (8) ดังกล่าวเป็นแผ่นยางประเภทซิลิโคน และมีลักษณะเฉพาะคือชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5)ดังกล่าวที่ถูกสร้างอยู่บนมวลลอย (1) และทับบนส่วนหนึ่งของชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) ดังกล่าว เพื่อเพิ่มความไวในการตรวจจับให้กับตัวเซนเซอร์ดังกล่าว

2. อุปกรณ์เชนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซํ่งแผ่นฐาน(3)ดังกล่าวทำจากแก้วหรือซิสิกา

3. อุปกรณ์เซนเซอร์วัคความเร่ง ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซงมวลลอย(1) ดังกล่าวทำจาก Aluminum Nitride (AIN)หรือAlumina(Al2O3) หรือ Silicon dioxide หรือ Silicon Nitride อย่างใดอย่างหนึ่ง หน้าที่ 2 ของจำนวน 3 หน้า

4. อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 1-3 ข้อใดข้อหนํ่ง ที่ซํ่งมวลลอย (1) ดังกล่าว มีความหนาระหว่าง 1-4 ไมโครเมตร

5. อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ชึ๋งชั้นของวัสดุประเภทเพียโซรืชิสทีฟ (piezoresistive)ดังกล่าว (4) คืออินเดียมทินออกไซด์ (Indium Tin Oxide) (ITO) เคลือบอยู่ในบริเวณแขนยึดทุกแขน

6. อุปกรณ์เชนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซํ่งชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ดังกล่าวทำจากฉนวนAluminum Nitride (AIN) หรือ Alumina (A120j) หรอ Silicon dioxide หรอ Silicon Nitride อย่างใดอย่างหนง

7. อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซํ่งโครงสร้างปกฟ้อง (8) ดังกล่าว ทำจากวัสดุแผ่นยางประเภทซิสิโคน polydimethysiloxane (PDMS)

8. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่ง ที่ประกอบด้วย - การจัดให้มีแผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง - การจัดให้มีมวลลอย (1) ที่ถูกสร้างจากฉนวนไฟฟ้าและมีส่วนหนึ่งลอยอยู่เหนือผิวหน้าที่หนึ่งของ แผ่นฐาน (3) ดังกล่าว และส่วนหนึ่งยึดติดกับผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐานดังกล่าวด้วยแถบยึด (2) อย่าง น้อยหนึ่งจุดโดยมีช่องว่าง (7) อยู่ระหว่างนั้น - การจัดให้มีชั้นฟิล์มบางของเพียโซริซิสเตอร์ (biezoresistor) (4) บนแขนยึด (2) ดังกล่าวทุกแขน ด้วย กระบวนการ ion-assisted electron beam evaporation - การจัดให้มีชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ที่ถูกเคลือบทับอยู่บนมวลลอย (1) และชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) ดังกล่าว - การจัดให้มีชั้วไฟฟ้า (6) อย่างน้อยสองขั้วสำหรับชั้นฟิล์มบางของเพียโซริซิสเตอร์ piezoresistor (4) แต่ละตัว ที่สร้างอยู่บนชั้น piezoresistor (4) เพื่อทำหน้าที่เป็นขั้วเอาด์พุตของอุปกรณ์เซนเซอร์วัด ความเร่งดังกล่าวดังกล่าวและ - การจัดให้มีโครงสร้างปกฟ้อง(8)ล้อมรอบมวลลอย(1)ดังกล่าว โดยที่กระบวนการผลิตอุปกรณ์เชนเชอร์วัดความเร่งดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะคือ ในขั้นตอนการจัดให้มีมวลลอย (1) ดังกล่าว ประกอบด้วยขั้นตอนของ หน้าที่ 3 ของจำนวน 3 หน้า - การสร้างชั้นของ photoresist (9) โดยกระบวนการถ่ายแบบด้วยแสง (photolithography) เป็นแท่งสี เหลี่ยมหรือรูปร่างอื่นๆที่ใกล้เคียงสำหรับการรองรับ เมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว - การสร้างมวลลอย (1) พร้อมกับแถบยึด (2) ดังกล่าวให้มีความหนาตามต้องการด้วย กระบวนการ evaporation หรอ sputtering โดยกระบวนการ evaporation หรอ Sputtering เพอการสร้างสารทเปน ฉนวนไฟฟ้าลงบนชั้นของ photoresist (9) โดยตรงจะต้องมีเทคนิคพิเศษคือการควบคุมอุณหภูมิของซับ เสตรทให้ตากว่า 90 ?c โดยการควบคุมเวลาและพลังงานของการเคลือบสาร รวมถึงการทำให้เย็นด้วย นํ้า (water cooling at substrate) เพื่อฟ้องกันการละลายหรือการกัดออกไปของชั้น photoresist (9) และ - การกำจัดชั้น photoresist (9)ดังกล่าวออกไป เพื่อทำให้เกิดช่องว่าง (7)ดังกล่าวระหว่างมวลลอย(1) ดังกล่าวกับชั้นฐาน (3) ดังกล่าว

9. กระบวนการผลิตอุปกรณ์เชนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 8 โดยที่ขั้นตอนของการสร้างชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการ evaporation หรือ spattering อย่างใดอย่างหนึ่ง และขั้นตอนการสร้างขั้วไฟฟ้า (6) ของฟิล์มบางของ piezoresistor (4) อย่างน้อยสองขั้ว บนชั้นฟิล์มบางของpiezoresistor (5) ดังกล่าวด้วยโลหะ กระทำด้วยกระบวนการ evaporation หรอกระบวนการ sputering อย่างใดอย่างหนึ่ง1 กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อลือสิทธิที่ 8 โดยที่ขั้นตอนการสร้างโครงสร้างปกฟ้อง(8) จะทำจากแผ่นยางประเภทซิลิโคน เช่น polydimethysiloxane (PDMS) ที่จะถูกสร้างด้วยวิธีการ plasticmolding และ plasma bonding ลงบนซับสเตรตที่ เป็นแก้ว ที่ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยขั้นตอนของ - การสร้างแม่พิมพ์ (mold) อย่างง่าย โดยเริ่มด้นจากแผ่นฐานรองชั่วคราว (11) ซื่งอาจเป็นแผ่นเรียบของ แก้ว โลหะหรือ ซิสิกอน จากนั้นก็จะมีการสร้างชั้นแม่พิมพ์ สี่เหลี่ยม (12) ที่มีความหนาและขนาด ที่หมาะสมซํ่งจะต้องมีขนาดใหญ่กว่า โครงสร้างมวลลอยทั้งหมด โดยชั้นสี่เหลี่ยม (12) นี้อาจสร้างมา จาก photoresist ที่มีความหนามากและเหมาะสม เช่น รบร - การหล่อ (casting) ของยางเหลวของ PDMS ลงบนแม่พิมพ์(mold) หรือการทำ hot embossing ของยาง แข็งของ PDMS ลงบนแม่พิมพ์ (mold) - การดึงโครงสร้าง PDMS (8) ออกจากชั้นแม่พิมพ์สี่เหลี่ยม และ - กระบวนการ plasma bonding เพื่อยึดโครงสร้าง PDMS (8) ให้ติดกับแผ่นฐานรอง (3) โดยอยู่เหนือ และคลุมโครงสร้างมวลลอยทั้งหมด ------------ อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งที่ประกอบด้วย - แผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง โดยแผ่นฐาน (3) ดังกล่าวทำมา จากวัสดุที่เป็นฉนวน - มวลลอย (1) ที่ถูกสร้างอยู่บนผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐาน (3) ดังกล่าวให้ลอยอยู่ สูงขึ้นจากผิวหน้าโดยมีช่องว่างอากาศ (7) อยู่ภายใต้แขน และมีแขนยึด (2) อย่าง น้อยหนึ่งแขน เป็นตัวเชื่อมระหว่างมวลลอย (1) ดังกล่าวกับแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว - ชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) จำนวนหนึ่งที่ถูกสร้างบนแขนยึด (2) ดังกล่าว แต่ละแขน โดยมีลวดลายแบบขดลวดรูปตัวยู (U) โดยที่ชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) ดังกล่าวถูกสร้างขึ้นจากวัสดุที่มีสมบัติเฉพาะคือความต้านทาน ไฟฟ้าของมันจะเปลี่ยนไปเมื่อมีแรงมากระทำให้เกิดการเปลี่ยนรูปทรง - ชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ที่ถูกสร้างอยู่บนมวลลอย (1) และทับบนส่วน หนึ่งของชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) ดังกล่าว - ขั้วไฟฟ้า (6) อย่างน้อยสองขั้วสำหรับ เชื่อมต่อชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) ดังกล่าวแต่ละตัว เพื่อทำหน้าที่เป็นขั้วเอาต์พุตของอุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่ง ดังกล่าว และ - โครงสร้างปกป้อง (8) ที่ยึดติดอยู่บนแผ่นฐาน (3) ดังกล่าวและล้อมรอบโครงสร้าง มวลลอยและอื่นๆ ทั้งหมด โดยที่อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งดังกล่าว มีลักษณะเฉพาะคือ แผ่นฐาน (3) มีคุณสมบัติ เป็นวัสดุฉนวนที่ทนความร้อนได้อย่างน้อย 250 องศาเซลเซียส และมีลักษณะเฉพาะคือชั้นฟิล์มบาง ของเพียโซรีซิสเตอร์ (piezoresistor) (4) ที่เป็นวัสดุอินเดียมทินออกไซด์ (indium tin oxide) (ITO) และมีลักษณะเฉพาะคือโครงสร้างปกป้อง (8) ดังกล่าวเป็นแผ่นยางประเภทซิลิโคน และมี ลักษณะเฉพาะคือชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ดังกล่าวที่ถูกสร้างอยู่บนมวลลอย (1) เพื่อเพิ่ม ความไวในการตรวจจับให้กับตัวเซนเซอร์ดังกล่าว อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่ง ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว ทำจากแก้วหรือ ซิลิกา อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่ง ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งมวลลอย (1) ดังกล่าวทำจาก Aluminum Nitride (AIN) หรือ Alumina(AI2O3) หรือ Silicon dioxide หรือ Silicon Nitride อย่างใดอย่างหนึ่ง อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 1-3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง มวลลอย (1) ดังกล่าว มีความหนาระหว่าง 1-4 ไมโครเมตร อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งชั้นของวัสดุประเภทเพียโซรีซิสทีฟ (piezoresistive) ดังกล่าว (4) คืออินเดียมทินออกไซด์ (Indium Tin Oxide) (ITO) เคลือบอยู่ ในบริเวณแขนยึดทุกแขน อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่ง ตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ดังกล่าวทำจากฉนวน Aluminum Nitride (AIN) หรือ Alumina (Al2O3) หรือ Silicon dioxide หรือ Silicon Nitride อย่างใดอย่างหนึ่ง อุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่งโครงสร้างปกป้อง (8) ดังกล่าว ทำจาก วัสดุแผ่นยางประเภทซิลิโคน polydimethysiloxane (PDMS) กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่ง ที่ประกอบด้วย - การจัดให้มีแผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง - การจัดให้มีมวลลอย (1) ที่ถูกสร้างจากฉนวนไฟฟ้าและมีส่วนหนึ่งลอยอยู่เหนือ ผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐาน (3) ดังกล่าว และส่วนหนึ่งยึดติดกับผิวหน้าที่หนึ่งของ แผ่นฐานดังกล่าวด้วยแถบยืด (2) อย่างน้อยหนึ่งจุดโดยมีช่องว่าง (7) อยู่ระหว่าง นั้น - การจัดให้มีชั้นฟิล์มบางของเพียโซรีซิสเตอร์ (piezoresistor) (4) บนแขนยึด (2) ดังกล่าวทุกแขน ด้วยกระบวนการ ion-assistrd electron beam evaporation - การจัดให้มีชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ที่ถูกเคลือบทับอยู่บนมวลลอย (1) และชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (4) ดังกล่าว - การจัดให้มีขั้นไฟฟ้า (6) อย่างน้อยสองขั้นสำหรับชั้นฟิล์มบางของเพียโซรีซิสเตอร์ piezoresistor (4) แต่ละตัว ที่สร้างอยู่บนชั้น piezoresistor (4) เพื่อทำหน้าที่เป็นขั้ว เอาต์พุตของอุปกณณ์เซนเซอร์วัดความเร่งดังกล่าว ดังกล่าวและ - การจัดให้มีโครงสร้างปกป้อง (8) ล้อมรอบมวลลอย (1) ดังกล่าว โดยที่กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะคือ ในขั้นตอน การจัดให้มีมวลลอย (1) ดังกล่าว ประกอบด้วยขั้นตอนของ - การสร้างชั้นของ photoresist (9) โดยกระบวนการถ่ายแบบด้วยแสง (photolithography) เป็นแท่งสีเหลี่ยมหรือรูปร่างอื่น ๆ ที่ใกล้เคียงสำหรับการรองรับ เมมเบรนลอย (1) ดังกล่าว - การสร้างมวลลอย (1) พร้อมกับแถบยึด (2) ดังกล่าวให้มีความหนาตามต้องการด้วย กระบวนการ evaporation หรือ sputtering โดยกระบวนการ evaporation หรือ sputtering เพื่อการสร้างสารที่เป็นฉนวนไฟฟ้าลงบนชั้นของ photoresist (9) โดยตรงจะต้องมีเทคนิคพิเศษคือการควบคุมอุณหภูมิของซับเสตรทให้ต่ำกว่า 90 ํC โดยการควบคุมเวลาและพลังงานของการเคลือบสาร รวมถึงการทำให้เย็นด้วย น้ำ (water cooling at substrate) เพื่อป้องกันการละลายหรือการกัดออกไปของชั้น photoresist (9) และ - การกำจัดชั้น photoresist (9) ดังกล่าวออกไป เพื่อทำให้เกิดช่องว่าง (7) ดังกล่าว ระหว่างมวลลอย (1) ดังกล่าวกับชั้นฐาน (3) ดังกล่าว กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 8 โดยที่ขั้นตอนของการ สร้างชั้นฉนวนกดทับชนิดฟิล์มบาง (5) ดังกล่าวกระทำด้วยกระบวนการ evaporation หรือ sputtering อย่างใดอย่างหนึ่ง และ ขั้นตอนการสร้างขั้นไฟฟ้า (6) ของฟิล์มบางของ piezoresistor (4) อย่างน้อยสองขั้น บนชั้นฟิล์มบางของ piezoresistor (5) ดังกล่าวด้วยโลหะ กระทำด้วยกระบวนการ evaporation หรือกระบวนการ sputtering อย่างใดอย่างหนึ่ง 1 กระบวนการผลิตอุปกรณ์เซนเซอร์วัดความเร่งตามข้อถือสิทธิที่ 8 โดยที่ขั้นตอนการสร้าง โครงสร้างปกป้อง (8) จะทำจากแผ่นยางประเภทซิลิโคน เช่น polydimethysiloxane (PDMS) ที่จะถูกสร้างด้วยวิธีการ plastic molding และ plasma bonding ลงบนซับสเตรตที่ เป็นแก้ว ที่ยังประกอบเพิ่มเติมด้วยขั้นตอนของ - การสร้างแม่พิมพ์ (mold) อย่างง่าย โดยเริ่มต้นจากแผ่นฐานรองชั่วคราว (11) ซึ่ง อาจเป็นแผ่นเรียบของแก้ว โลหะหรือ ซิลิกอน จากนั้นก็จะมีการสร้างชั้นแม่พิมพ์ สี่เหลี่ยม (12) ที่มีความหนาและขนาดที่หมาะสมซึ่งจะต้องมีขนาดใหญ่กว่า โครงสร้างมวลลอยทั้งหมด โดยชั้นสี่เหลี่ยม 12 นี้อาจสร้างมาจาก photoresist ที่มี ความหนามากและเหมาะสม เช่น SU8 - การหล่อ (casting) ของยางเหลวของ PDMS ลงบนแม่พิมพ์ (mold) หรือการทำ hot embossing ของยางแข็งของ PDMS ลงบนแม่พิมพ์ (mold) - การดึงโครงสร้าง PDMS (8) ออกจากชั้นแม่พิมพ์สี่เหลี่ยม และ - กระบวนการ plasma bonding เพื่อยึดโครงสร้าง PDMS (8) ให้ติดกับแผ่นฐานรอง (3) โดยอยู่เหนือและคลุมโครงสร้างมวลลอยทั้งหมด