TH69168A - วิธีการเพื่อการผลิตไดอิเล็กทริกของเกตชนิดซิลิคอนออกไซด์ที่เติมไนไตรด์ - Google Patents

Abstract

DC60 (16/11/47) วิธีการเพื่อการสร้างชั้นไดอิเล็กทริกของเกต ซึ่งรวมถึง การจัดให้มีซับเสตรท; การก่อรูป ชั้นซิลิคอนไดออกไซด์บนพื้น ผิวด้านบนสุดของซับสเตรท; การดำเนินการก่อรูปสาร ประกอบ ไนโตรเจนด้วยพลาสมาในบรรยากาศเพื่อการรีดิวซ์ เพื่อที่จะแปลงชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ไห้เป็นชั้น ซิลิคอนออก ซีไนไตรด์ ชั้นไดอิเล็กทริกที่ได้รับการก่อรูปขึ้นอาจจะได้ รับการนำมาใช้ในการสร้าง มอสเฟตส์ วิธีการเพื่อการสร้างชั้นไดอิเล็กทริกของเกต ซึ่งรวมถึง การจัดให้มีซับเสตรท; การก่อรูป ชั้นซิลิคอนไดออกไซด์บนพื้นฐาน ผิวด้านบนสุดของซับสเตรท; การดำเนินการก่อรูปสาร ประกอบ ไนโตรเจนด้วยพลาสมาในบรรยากาศเพื่อการรีดิวซ์ เพื่อการที่จะแปลงซิลิคอนไดออกไซด์ไปเป็นชั้น ซิลิคอนออก ซีไนไตรด์ ชั้นไดอิเล็กทริกที่ได้รับการก่อรูปขึ้นอาจจะได้ รับการนำมาใช้ในการสร้าง มอสเฟตส์

Claims (30)

1. วิธีการเพื่อการสร้างชั้นไดอิเล็กทริกของเกต ซึ่งประกอบรวมด้วย การจัดให้มีซับสเตรท; การก่อรูปชั้นซิลิคอนไดออกไซด์บนพื้นฐานผิวด้านบนสุดของซับสเตรทดังกล่าว; การดำเนินการเพื่อการก่อรูปสารประกอบของไนโตรเจนด้วยพลาสมา ในบรรยากาศเพื่อ การรีดิวซ์เพื่อที่จะแปลงชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ดังกล่าวไป เป็นชั้นซิลิคอนออกซีไนไตรด์

2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ ขั้นตอนในการ ดำเนินการก่อรูปสารประกอบของ ไนโตรเจนด้วยพลาสมาจะได้รับการ ดำเนินการด้วยการใช้กระบวนการก่อรูปสารประกอบของ ไนโตรเจน ด้วยพลาสมาระยะไกล

3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ ขั้นตอนในการ ดำเนินการก่อรูปสารประกอบของ ไนโตรเจนด้วยพลาสมาจะได้รับการ ดำเนินการด้วยการใช้ไนโตรเจนและพลาสมาแก๊สเฉื่อยซึ่งได้รับ การนำเข้าโดยผ่านทางช่องทางเข้าลำดับที่หนึ่งของเครื่องมือ ก่อรูปสารประกอบไนโตรเจนด้วยพลาสมา ระยะไกลและแก๊สเพื่อการ รีดิวซ์ทีเป็นกลางซึ่งได้รับการนำเข้าผ่านทางช่องของเข้า ลำดับที่สองของ เครื่องมือก่อรูปสารประกอบไนโตรเจนด้วยพลา สมาระยะไกลดังกล่าว

4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งในที่นี้แก๊สเฉื่อยดัก กล่าวจะเป็นฮีเลียม และแก๊สเพื่อการ รีดิวซ์ดังกล่าวจะเป็น ไฮโดรเจน แอมโมเนีย ของผสมของไฮโดรเจนและไนโตรเจน ของผสม ของ แอมโมเนียมและไนโตรเจน และของผสมของไฮโดรเจน แอมโมเนีย และไนโตรเจน ดิวเทอเรียม แอมโมเนียชนิดเติมดิวเทอเรียม ของผสม ของตัวเทอเรียมและไนโตรเจน ของผสมแอมโมเนีย ชนิดเติมติวเทอเรียม และไนโตรเจน ของผสมของดิวเทอเรียม แอมโมเนียชนิดเติมดิวเทอเรียม และไนโตรเจน หรือของผสมของดิวเทอเรียม แอมโมเนียและไนโตรเจน

5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ ขั้นตอนในการ ดำเนินการก่อรูปสารประกอบของ ไนโตรเจนด้วยพลาสมา จะได้รับ การดำเนินการด้วยการใช้พลาสมาซึ่งประกอบรวมด้วย ไนโตรเจน แก๊สเฉื่อย และแก๊สเพื่อการรีดิวซ์

6. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งในที่ แก๊สเฉื่อยดัง กล่าวคือฮีเลียมและแก๊สเพื่อการรีดิวซ์ ดังกล่าวคือไฮโดรเจน

7. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่ซับสเตรทดังกล่าว จะรวมถึงซิลิคอนทั้งชิ้นหรือ ซิลิคอนบนซับสเตรทที่เป็นฉนวน และการก่อรูปเป็นชั้นซิลิคอนไดออกไซด์ดังกล่าวจะได้รับการ ก่อ รูปขึ้นโดยกระบวนการที่ได้รับการเลือกจากกลุ่มซึ่ง ประกอบด้วยการเติบโตของออกไซด์ที่มีแต่กำเนิด ในอากาศหรือ ออกซิเจน การออกซิเดชันด้วยความร้อน การออกซิเดชันด้วยความ ร้อนแบบรวดเร็ว การตกสะสมด้วยไอทางเคมี และกระบวนการทำความ สะอาดด้วยการออกซิไดซิง

8. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ชั้นซิลิคอนได ออกไซด์ดังกล่าวมีความหนา ประมาณเท่ากับ 8 ถึง 23 อังสตรอม

9. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ซิลิคอนออกซีไน โตรด์ดังกล่าวมีความหนาประมาณ เท่ากับ 8 ถึง 24 อังสตรอม

10. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ฟิล์มซิลิคอน ออกซีไนไตรด์ดังกล่าวจะมี ไนโตรเจนระหว่างประมาณ 2 ถึง 20 เปอร์เซ็นต์

11. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ ความเข้มข้น ของไนโตรเจนในชั้นซิลิคอนออกซี ไนไตรด์ดังกล่าวมีค่าระหว่าง ประมาณ 1E21 และ 1E22 ความดันบรรยากาศ/ลบ.ซม.

12. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ ขั้นตอนของ การดำเนินการนี้จะทำให้ปริมาณการ ใช้ไนโตรเจนของชั้น ซิลิคอนไดออกไซด์ดังกล่าวอยู่ในระหว่างค่าประมาณเท่ากับ 1E15 และ 5E14 ความดันบรรยากาศ/ตารางเซนติเมตร

13. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ ชั้นซิลิคอน ออกซีไนไตรด์ดังกล่าวมีมีความหนา มากกว่าความหนาของชั้น ซิลิคอนไดออกไซด์ดังกล่าวประมาณเท่ากับ 0 ถึง 35 เปอร์เซ็นต์

14. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ความหนาเฉลี่ย ของชั้นซิลิคอนออกซีไนไตรด์ ดังกล่าวจะผันแปรไปไม่มากกว่า ประมาณหนึ่งในสองของค่าซิกมาจากศูนย์กลางไปยังขอบของ ซับสเตรทดังกล่าว

15. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งในที่นี้ ความเข้มข้น ไนโตรเจนของ ชั้นซิลิคอนออกซีไนไตรด์ดังกล่าวจะผันแปรไปไม่ มากกว่าประมาณเท่ากับ 25 เปอร์เซ็นต์จากศูนย์ กลางไปยังขอบ ของซับสเตรทดังกล่าว

16. วิธีการในการสร้างมอสเฟต ซึ่งประกอบรวมด้วย: การจัดให้มี ซับสเตรทสารกึ่งตัวนำซึ่งมีชั้นซิลิคอนด้านบน สุดเป็นอย่างน้อย; การก่อรูปชึ้นซิลิคอนไดออกไซด์บนพื้นผิว ด้านบนสุดของซับสเตรสารกึ่งตัวนำดังกล่าว; การดำเนินการก่อรูปสารประกอบของไนโตรเจนด้วยพลาสมาใน บรรยากาศเพื่อการรีดิวซ์ เพื่อที่จะแปลงชั้นซิลิคอนได ออกไซด์ดังกล่าวไปเป็นชั้นซิลิคอนอออกซีไนไตรด์; การก่อรูปเกตชนิดพอลิซิลิคอนบนชั้นซิลิคอนออกซีไนไตรด์ดัง กล่าวซึ่งจัดไว้ในแนวเดียว กันเหนือย่านแชนแนลในซับสเตรทสาร กึ่งตัวนำดังกล่าว และ การก่อรูปย่านซอร์ส/เดรน ในซับสเตรทสารกึ่งตัวนำดัวกล่าว ย่านเซอร์ส/เดรนดังกล่าวได้ รับการจัดให้อยู่ในแนวเดียวกับ เกตชนิดพอลิซิลิคอนดังกล่าว

17. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ขั้นตอนในการ ดำเนินการก่อรูปสารประกอบ ของไนโตรเจนด้วยพลาสมาจะได้รับการ ดำเนินการด้วยการใช้กระบวนการก่อรูปสารประกอบของ ไนโตจรเจน ด้วยพลาสมาระยะไกล

18. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ขั้นตอนในการ ดำเนินการก่อรูปสารประกอบ ของไนโตรเจนด้วยพลาสมาจะได้รับการ ดำเนินการด้วยการใช้ไนโตรเจนและพลาสมาแก๊สเฉื่อยซึ่ง ได้รับ การนำเข้าโดยผ่านทางช่องทางเข้าลำดับที่หนึ่งของเครื่องมือ ก่อรูปสารประกอบไนโตรเจนด้วย พลาสมาระยะไกล และแก๊สเพื่อการรีดิวซ์ทีเป็นกลางซึ่งได้รับการนำเข้าผ่า นทางช่องของเข้าลำดับที่ สองของเครื่องมือก่อรูปสารประกอบ ไนโตรเจนด้วยพลามาระยะไกลดังกล่าว

19. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 18 ซึ่งในที่นี้แก๊สเฉื่อย ดักกล่าวคือฮีเลียม และแก๊สเพื่อการ รีดิวซ์ดังกล่าวจะ เป็นไฮโดรเจน แอมโมเนีย ของผสมของไฮโดรเจนและไนโตรเจน ของ ผสมของ แอมโมเนียมและไนโตรเจนและของผสมของไฮโดรเจน แอมโมเนียและไนโตรเจน ดิวเทอเรียม แอมโมชนิดเติมติวเทอเรียม ของผสมของคิวเทอเรียมและไนโตรเจน ของผสมแอมโมเนีย ชนิดติว เทอเรียมและไนโตรเจน ของผสมของดิวเทอเรียม แอมโมเนียมเติมคิวเทอเรียม และไนโตรเจน ของผสมของดิวเทอเรียม แอมโมเนียและ ไนโตรเจน

20. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ขั้นตอนใน การดำเนินการก่อรูปสารประกอบ ไนโตรเจนด้วยพลาสมา จะได้ รับการดำเนินการด้วยการใช้พลาสมาซึ่งประกอบรวมด้วย ไนโตรเจน แก๊สเฉื่อย และแก๊สเพื่อการรีดิวซ์

21. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 20 ซึ่งในที่นี้ แก๊สเฉื่อยดัง กล่าวคือฮีเลียม และแก๊สเพื่อการ รีดิวซ์ดังกล่าวคือไฮโดรเจน

22. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ ซับสเตรทดัง กล่าวจะรวมถึง ซิลิคอนทั้งชิ้น หรือ ซิลิคอนบนซับสเตรทที่เป็น ฉนวนและการก่อรูปดังกล่าวนี้ ชั้นซิลิคอนไดออกไซด์จะได้รับ การก่อรูป ขึ้นโดยกระบวนการที่ได้รับการเลือกจากกลุ่มซึ่ง ประกอบด้วยการเติบโตออกไซด์ที่มีแต่กำเนิดใน อากาศหรือ ออกซิเจน การออกซิเดชันด้วยความร้อน การออกซิเดชันด้วยความ ร้อนแบบรวดเร็ว การตกสะสมด้วยไอทางเคมีและกระบวนการทำความ สะอาดด้วยการออกซิไดซิง

23. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ ชั้น ซิลิคอนไดออกไซด์ดังกล่าวมีความหนา ประมาณ 8 ถึง 23 อังสตรอม

24. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ซิลิคอนออก ซีไนโตรด์ดังกล่าวมีความหนา ประมาณเท่ากับ 8 ถึง 24 อังสตรอม

25. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ฟิล์มซิลิคอน ออกซีไนไตรด์ดังกล่าวจะมี ไนโตรเจน ระหว่างประมาณ 2 ถึง 20 เปอร์เซ็นต์

26. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ ความเข้มข้น ของไนโตรเจนในชั้นซิลิคอนออกซี ไนไตรด์ดังกล่าวมีค่าระหว่าง ประมาณ 1E21 และ 1E22 ความดันบรรยากาศ/ลบ.ซม.

27. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ ขั้นตอนของ การดำเนินการก่อรูปสารประกอบ ของไนโตรเจนด้วยพลาสมาทำให้ปริมาณการใช้ไนโตรเจนของชั้น ซิลิคอนไดออกไซด์ดังกล่าวมีค่า ระหว่างค่าประมาณเท่ากับ 1E15 และ 5E14 ความดันบรรยากาศ/ตร.ซม.

28. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ ชั้นซิลิคอน ออกซีไนไตรด์ดังกล่าวมีความหนา มากกว่าความหนาของชั้น ซิลิคอนไดออกไซด์ดังกล่าวประมาณเท่ากับ 0 ถึง 35 เปอร์เซ็นต์

29. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ ความหนา เฉลี่ยของชั้นซิลิคอนออกซีไนไตรด์ ดังกล่าวจะผันแปรไปไม่มาก กว่าประมาณหนึ่งในสองอังสตรอมของซิกมา จากศูนย์กลางไป ยังขอบของ ซับสเตรทดังกล่าว

30. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งในที่นี้ ความเข้มข้น ไนโตรเจนของชั้นซิลิคอนออกซี ไนไตรด์ดังกล่าว จะผันแปรไปไม่ มากกว่าประมาณเท่ากับ 25 เปอร์เซ็นต์จากศูนย์กลางไปสู่ขอบ ของซับสเตรทดังกล่าว