TH68552A - สารละลายขัดมันทางเคมีเชิงกลสำหรับทองแดงด้วยการใช้ตัวกระทำแอมฟิโพรติกชนิดซัลโฟเนต - Google Patents
สารละลายขัดมันทางเคมีเชิงกลสำหรับทองแดงด้วยการใช้ตัวกระทำแอมฟิโพรติกชนิดซัลโฟเนตInfo
- Publication number
- TH68552A TH68552A TH301004182A TH0301004182A TH68552A TH 68552 A TH68552 A TH 68552A TH 301004182 A TH301004182 A TH 301004182A TH 0301004182 A TH0301004182 A TH 0301004182A TH 68552 A TH68552 A TH 68552A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- acid
- slurry
- wafer
- hydroxyethyl
- amino
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (10/12/46) ตระกูลสเลอร์รีที่นำมาใช้ในการดัดแปลงพื้นผิวเปิดของเวเฟอร์สำหรับการผลิตสารกึ่งตัวนำ จัดเตรียมขึ้นได้โดย วิธีการดัดแปลงพื้นผิวเปิดของเวเฟอร์สำหรับใช้ในการผลิตสาร กึ่งตัวนำดังเช่นใช้ ตระกูลสเลอร์รีสำหรับใช้งานและเวเฟอร์ ชนิดสารกึ่งตัวนำ สเลอร์รีตามการประดิษฐ์คือสารละลาย ของ ส่วนประกอบทางเคมีเริ่มต้นโดยที่ส่วนประกอบดังกล่าวประกอบ ด้วยไอออนสองลักษณะชนิด ซัลโฟเนตโดยเลือกได้จากกรด 2-(N-มอร์โฟลิโน)-อีเธนซัลโฟนิก กรด (3-[N-มอร์โฟลิ โน])-โพรเพน- ซัลโฟนิก กรด 2-[(2-อะมิโน-2-ออกโซเอธิล)อะมิ โน]-อีเธนซัลโฟนิก พิเพอราซีน-N-N'-บิส-(กรด 2- อีเธนซัลโฟ นิก) กรด 3-(N-มอร์โฟลิโน)-2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก กรด N,N-บิส-(2- ไฮดรอกซี- เอธิล)-2-อะมิโนอีเธนซัลโฟนิก กรด 3-(N-มอร์โฟลิ โน)โพรเพนซัลโฟนิก N-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)- พิเพอราซีน-N'-(กรด 2-อีเธนซัลโฟนิก) กรด N-ทริส(ไฮดรอกซีเมธิล)เมธิล-2-อะมิโน อีเธน-ซัลโฟนิก กรด 3-[N,N-บิส(2-ไฮดรอกซีเอธิล)อะมิ โน]-2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก กรด 3-[N-ทริส(ไฮดรอก ซี เมธิล)-เมธิลอะมิโน]-2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก N-(2-ไฮด รอกซีเอธิล)พิเพอราซีน-N'-(กรด 2- ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก) พิเพอราซีน-N,N'- บิส(กรด 2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก) N-(2-ไฮดรอกซี เอธิล)พิเพอราซีน-N'-(กรด 3-โพรเพนซัลโฟนิก) กรด N-ทริส(ไฮดรอกซีเมธิล)เมธิล-3-อะมิโนโพรเพน ซัลโฟนิก กรด 3-[1,1-ไดเมธิล-1-2-ไฮดรอกซีเอธิล)อะมิโน]-2-ไฮดรอกซี โพร เพนซัลโฟนิก กรด 2-(N- ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)อีเธนซัลโฟนิก กรด 3-(ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)-2-ไฮดรอกซี-1-โพรเพนซัลโฟนิก 2-อะมิ โน-2-เมธิล-1-โพรพานอล กรด 3-(ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)-1-โพร เพนซัลโฟนิก ตัวออกซิไดซ์ ตัวทำให้มีสภาพเฉื่อย ตัวกระทำคี เลต อนุภาคสารขัดถู สารลดแรงตึงผิว สารบัฟเฟอร์ทุติยภูมิ และน้ำ วิธีการของการประดิษฐ์ประกอบรวมด้วยขั้นตอน a) การ จัดให้มีเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วย วัสดุชนิดที่หนึ่งซึ่งมีพื้น ผิวกัดขึ้นรอยเพื่อให้ก่อรูปเป็นแบบขึ้นและวัสดุชนิดที่สอง สะสมอยู่เหนือพื้นผิว ของวัสดุชนิดที่หนึ่ง b) การเชื่อม สัมผัสวัสดุชนิดที่สองของเวเฟอร์กับสเลอร์รีตามการประดิษฐ์ ใช้ใน การเชื่อมต่อเข้ากับสารขัดถูในการมีส เลอร์รีสำหรับใช้งานอยู่ด้วยและ c) เวเฟอร์หรือฐานรองขัด มัน หรือทั้งสองส่วนค่อนข้างจะมีการเคลื่อนที่ขณะที่วัสดุ ชนิดที่สองเชื่อมสัมผัสอยู่กับสเลอร์รีและอนุภาค สารขัดถู จนกระทั่งพื้นผิวเวเฟอร์เป็นระนาบและประกอบด้วยพื้นที่เปิด ของวัสดุชนิดที่หนึ่งอย่างน้อย หนึ่งแห่งและอีกพื้นที่เปิด หนึ่งแห่งของวัสดุชนิดที่สอง ตระกูลสเลอร์รีที่นำมาใช้ในการดัดแปลงพื้นผิวเปิดของเวเฟอร์สำหรับการผลิตสารกึ่งตัวนำ จัดเตรียมขึ้นได้โดย วิธีการดัดแปลงพื้นผิวเปิดของเวเฟอร์สำหรับใช้ในการผลิตสาร กึ่งตัวนำดังเช่นใช้ ตระกูลสเลอร์รีสำหรับใช้งานและเวเฟอร์ ชนิดสารกึ่งตัวนำ สเลอร์รีตามการประดิษฐ์คือสารละลาย ของ ส่วนประกอบทางเคมีเริ่มต้นโดยที่ส่วนประกอบดังกล่าวประกอบ ด้วยไอออนสองลักษณะชนิด ซัลโฟเนตโดยเลือกได้จากกรด 2-(N-มอร์โฟลิโน)-อีเธนซัลโฟนิก กรด (3-[N-มอร์โฟลิ โน])-โพรเพน- ซัลโฟนิก กรด 2-[(2-อะมิโน-2-ออกโซเอธิล)อะมิ โน]-อีเธนซัลโฟนิก พิเพอราซีน-N-N'-บิส-(กรด 2- อีเธนซัลโฟ นิก) กรด 3-(N-มอร์โฟลิโน)-2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก กรด N,N-บิส-(2- ไฮดรอกซี- เอธิล)-2-อะมิโนอีเธนซัลโฟนิก กรด 3-(N-มอร์โฟลิ โน)โพรเพนซัลโฟนิก N-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)- พิเพอราซีน-N'-กรด 2-อีเธนซัลโฟนิก) กรด N-ทริส(ไฮดรอกซีเมธิล)เมธิล-2-อะมิโน อีเธน-ซัลโฟนิก กรด 3-[N,N-บิส(2-ไฮดรอกซีเอธิล)อะมิ โน]-2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก กรด 3-[N-ทริส(ไฮดรอก ซี เมธิล)-เมธิลอะมิโน]-2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก N-(2-ไฮด รอกซีเอธิล)พิเพอราซีน-N'-(กรด 2- ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก) พิเพอราซีน-N,N'- บิส(กรด 2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก) N-(2-ไฮดรอกซี เอธิล)พิเพอราซีน-N'-(กรด 3-โพรเพนซัลโฟนิก) กรด N-ทริส(ไฮดรอกซีเมธิล)เมธิล-3-อะมิโนโพรเพน ซัลโฟนิก กรด 3-[1,1-ไดเมธิล-1-2-ไฮดรอกซีเอธิล)อะมิโน]-2-ไฮดรอกซี โพร เพนซัลโฟนิก กรด 2-(N- ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)อีเธนซัลโฟนิก กรด 3-(ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)-2-ไฮดรอกซี-1-โพรเพนซัลโฟนิก 2-อะมิ โน-2-เมธิล-1-โพรพานอล กรด 3-(ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)-1-โพร เพนซัลโฟนิก ตัวออกซิไดซ์ ตัวทำให้มีสภาพเฉื่อย ตัวกระทำคี เลต อนุภาคสารขัดถู สารลดแรงตึงผิว สารบัฟเฟอร์ทุติยภูมิ และน้ำ วิธีการของการประดิษฐ์ประกอบรวมด้วยขั้นตอน a) การ จัดให้มีเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วย วัสดุชนิดที่หนึ่งซึ่งมีพื้น ผิวกัดขึ้นรอยเพื่อให้ก่อรูปเป็นแบบขึ้นและวัสดุชนิดที่สอง สะสมอยู่เหนือพื้นผิว ของวัสดุชนิดที่หนึ่ง b) การเชื่อม สัมผัสวัสดุชนิดที่สองของเวเฟอร์กับสเลอร์รีตามการประดิษฐ์ ใช้ใน การเชื่อมต่อเข้ากับสารขัดถูในการมีส เลอร์รีสำหรับใช้งานอยู่ด้วยและ c) เวเฟอร์หรือฐานรองขัด มัน หรือทั้งสองส่วนค่อนข้างจะมีการเคลื่อนที่ขณะที่วัสดุ ชนิดที่สองเชื่อมสัมผัสอยู่กับสเลอร์รีและอนุภาค สารขัดถู จนกระทั่งพื้นผิวเวเฟอร์เป็นระนาบและประกอบด้วยพื้นที่เปิด ของวัสดุชนิดที่หนึ่งอย่างน้อย หนึ่งแห่งและอีกพื้นที่เปิด หนึ่งแห่งของวัสดุชนิดที่สอง
Claims (31)
1. สเลอร์รีที่นำมาใช้ในการขัดพื้นผิวของเวเฟอร์ที่เหมาะสมให้เรียบสำหรับการผลิตสิ่ง ประดิษฐ์ประเภทสารกึ่งตัวนำโดย ที่สเลอร์รีประกอบด้วย a. ไอออนที่มีสองลักษณะชนิดซับโฟเนต b. ตัวออกซิไดซ์ c. พาหะชนิดเหลว d. ในแนวทางเลือกคืออนุภาคสำหรับขัดมันชนิดอนินทรีย์ e. ในแนวทางเลือกคือตัวกระทำคีเลต f. ในแนวทางเลือกคือสารบัฟเฟอร์ทุติยภูมิ g. ในแนวทางเลือกคือตัวทำให้มีสภาพเฉื่อย h. ในแนวทางเลือกคือสารลดแรงตรึงผิว สารดัดแปลงความหนืด ตัวช่วยให้เปียก สารหล่อลื่น สบู่และสารที่มีลักษณะคล้าย คลึงกันและ i. ในแนวทางเลือกสารประกอบหยุดการทำงาน
2. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวกระทำประเภท ไอออนสองลักษณะชนิดซัลโฟเนต เลือกให้มีโครงสร้างทางเคมีดัง นี้ R1R2-N-(CR3R4)xSO3M โดยที่ R1 และ R2 อาจเป็นแอลคิล แอริล ไฮดรอกไซด์ ไฮโดรเจน วงแหวนที่มีอะตอมไม่ เหมือนกัน โครงสร้างวงแหวนแอริลหรือโครงสร้างวงแหวนแอลคิล R3 และ R4 อาจเป็นหมู่แฮโลเจน แอลคิล แอริล ไฮดรอกไซด์ ไฮโดรเจน วงแหวนที่มีอะตอมไม่เหมือนกัน โครงสร้างวงแหวนแอริล หรือโครงสร้างวงแหวนแอลคิล หมู่ X สามารถมค่าได้เท่ากับ 2 ถึง 4 และ หมู่ M อาจเป็นไฮโดรเจน โลหะอัลคาไลหรือโลหะอัลคาไลน์เอิร์ธ ไอออนของแอมีนหรือแอมโมเนียม
3. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ไอออนสองลักษณะชนิดซัลโฟเนตเลือกได้จากกรด 2-(N- มอร์โฟลิโน)-อีเธนซัลโฟนิก กรด (3-[N-มอร์โฟลิโน])-โพรเพนซัลโฟนิก กรด 2-[(2-อะมิโน-2-ออกโซ เอธิล)อะมิโน]-อีเธนซัลโฟนิก พิเพอราซีน-N-N'-บิส-(กรด 2-อีเธนซัลโฟนิก) กรด 3-(N-มอร์โฟลิโน)- 2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก กรด N,N-บิส-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)-2-อะมิโนอีเธนซัลโฟนิก กรด 3-(N- มอร์โฟลิโน)โพรเพนซัลโฟนิก N-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)พิเพอราซีน-N'-(กรด 2-อีเธนซัลโฟนิก) กรด N- ทริส(ไฮดรอกซีเมธิล)เมธิล-2-อะมิโนอีเธน-ซิลโฟนิก กรด 3-[N,N-บิส(2-ไฮดรอกซีเอธิล)อะมิโน]-2- ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก กรด 3-[N-ทริส(ไฮดรอกซีเมธิล)เมธิลอะมิโน]-2-ไฮดรอกซีโพรเพน- ซัลโฟนิก N-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)พิเพอราซีน-N'-(กรด 2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก) พิเพอราซีน- N,N'-บิส(กรด 2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก) N-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)พิเพอราซีน-N'-(กรด 3-โพรเพน ซัลโฟนิก) กรด N-ทริส(ไฮดรอกซีเมธิล)เมธิล-3-อะมิโนโพรเพนซัลโฟนิก กรด 3-[1,1-ไดเมธิล-1-2- ไฮดรอกซีเอธิล)อะมิโน]-2-ไฮดรอกซีโพรเพนซัลโฟนิก กรด 2-(N-ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)อีเธนซัลโฟนิก กรด 3-(ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)-2-ไฮดรอกซี-1-โพรเพนซัลโฟนิก 2-อะมิโน-2-เมธิล-1-โพรพานอล กรด 3-(ไซโคลเฮกซิลอะมิโน)-1-โพรเพนซัลโฟนิกหรือของผสมของสารชนิดเหล่านั้น
4. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ความเข้มข้นของ ไอออนสองลักษณะชนิดซัลโฟนเตมีค่า จากประมาณ 0.1 กรัม/ลิตร ถึง 100 กรัม/ลิตรโดยประมาณ
5. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ค่าความเป็น กรด-ด่างเปลี่ยนจาก 2 ไปจนถึง 11
6. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวออกซิไดซ์เลือก ได้จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยไฮโดรเจน เปอร์ออกไซด์ คิวปริกคลอ ไรด์ แอมโมเนียมเปอร์ซัลเฟต โซเดียมและโพแทสเซียม เฟอร์ริก คลอไรด์ โพแทสเซียมเฟอร์ริไชยาไนด์ กรดไนตริก โพแทสเซียมไน เทรต แอมโมเนียมโมลิบเดต ไพแทสเซียม -ไอโอเดต ไฮดรอกซีแอมีน ไดเอธิลไฮดรอกซีแอมีน ออกโซน (OXONE) เฟอร์ริกไชยาไนด์ แอมโมเนียมเฟอร์ริก EDTA แอมโมเนียมเฟอร์ริกซิเทรต เฟอร์ ริกซิเทรต และแอมโมเนียมเฟอร์ริก- ออกซาเลต ยูเรียไฮโดรเจน เปอร์ออกไซด์ โซเดียมเปอร์ออกไซด์ เบนซิลเปอร์ออกไซด์ ได-t-บิวทิล- เปอร์ออกไซด์ กรดเปอร์อะซิติก กรดโมโน เปอร์ซัลฟิวริก กรดไดเปอร์ซัลฟิวริก กรดไอโอโดอิกและ เกลือของกรดเหล่านั้นหรือของผสมของสารชนิดเหล่านั้น
7. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ความเข้มข้นของตัว ออกซิไดซ์อยู่ภายในช่วงจาก ประมาณ 0.5% ถึง 15% โดยน้ำหนัก
8. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งมีอนุภาคสารขัดถูอ นินทรีย์
9. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 8 โดยที่อนุภาคสารขัดถูอ นินทรีย์เลือกได้จากหมู่ซึ่งประกอบด้วย SiO2, AI2O3, CeO2 เซอร์โคเนีย แคลเซียมคาร์บอเนต การ์เนต ซิลิเกตหรือไทเท เนียมออกไซด์
10. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่อนุภาคขัดมันที่ ไม่ใช่ชนิดอนินทรีย์นำมาใช้ในสเลอร์รีได้
11. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่บัฟเฟอร์มีความ เข้มข้น 0.1 กรัม/ลิตรถึง 100 กรัม/ลิตร
12. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่บัฟเฟอร์ทุติยภูมิ คือเกลือแอมโมเนียมของกรด เกลือ ของโลหะอัลคาไลหรือโลหะอัล คาไลน์เอิร์ธของกรดโมโนคาร์บอกซิลิก ไดคาร์บอกซิลิกหรือ เกลือของ กรดไตรคาร์บอกซิลิก กรดอะมิโนหรือกรดฟอสฟอนิก หรือ ไอออนสองลักษณะที่มีไนโตรเจนเป็น องค์ประกอบหรือการรวมกัน ของเกลือกรดเหล่านั้น
13. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 ที่มีตัวทำให้มีสภาพ เฉื่อยโดยที่ตัวกระทำคือโทลิลไตรอะโซล เมอร์แคปโตเบนโซไธอะ โซลหรือเบนโซไตรอะโซล
14. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 13 โดยที่ความเข้มข้นของ ตัวทำให้มีสภาพเฉื่อยมีค่าอยู่ในช่วง ระหว่างประมาณ 0.025% และ 0.20% โดยประมาณ
15. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่สารลดแรงตรึงผิว สารดัดแปลงความหนืด ตัวช่วยให้ เปียก สารหล่อลื่น สบู่จะถูก นำมาใช้
16. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่อุณหภูมิอยู่ใน ช่วงจากประมาณ 10 ํซ ถึง 70 ํซ โดย ประมาณ
17. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่สารประกอบหยุดการ ทำงานอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่มีการ คัดเลือกวิธีการขัดมันชั้น โลหะที่หนึ่งต่อชั้นที่สองมีอัตราส่วนอย่างน้อย 5:1 โดยที่ สารประกอบหยุด การทำงานคือสารประกอบที่มีไนโตรเจนซึ่งผ่าน การทำให้มีประจุบวกแล้ว
18. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่พาหะชนิดเหลวคือ ตัวทำละลายที่ไม่ใช่ชนิดเอเควียส
19. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่พาหะชนิดเหลวคือ น้ำ
20. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 2 โดยที่ไอออนสองลักษณะ ชนิดซัลโฟเนตเริ่มต้นจากเกลือ แอมโมเนียมหรือโพแทสเซียมหรือ ของผสมของเกลือชนิดเหล่านั้น
21. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวกระทำคีเลตนำมา ใช้เพื่อแยกเศษชิ้นโลหะออก
22. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวกระทำคีเลต เลือกจากเกลือกของกรดซิตริก กรดอิมิโน ไดอะซิติก กรด 2-อะมิ โนเอธิลฟอสฟอนิก อะมิโนไตร(กรดเมธิลีนฟอสฟอนิก) กรด 1-ไฮด รอกซี- เอธิลิดีน-1,1-ไดฟอสฟอนิกและกรดไดเอธิลีนไตรแอมีนเพน ตะ(เมธิลีนฟอสฟอนิก) และไกลซีน
23. สเลอร์รีของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวช่วยให้เปียก ได้แก่ชนิดแคทไอออน แอนไอออน ไม่ มีประจุ แอมโฟเทอริก ฟลูออ ริเนตหรือของผสมของสารชนิดเหล่านั้น
24. วิธีการดัดแปลงพื้นผิวของเวเฟอร์ที่เหมาะสมสำหรับการ ผลิตสิ่งประดิษฐ์ประเภทสารกึ่ง ตัวนำประกอบด้วยขั้นตอน a. การจัดเตรียมเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วยวัสดุชนิดที่หนึ่ง ที่มีพื้นผิวได้รับการกัดขึ้นรอยเพื่อให้ ก่อเป็นรูปแบบขึ้น และวัสดุชนิดที่สองสะสมอยู่เหนือพื้นผิวของวัสดุชนิดที่ หนึ่ง b. การเชื่อมสัมผัสวัสดุชนิดที่สองของเวเฟอร์กับฐานรองขัด มันในการมีสเลอร์รีสำหรับใช้งาน อยู่ด้วยตามข้อถือสิทธิที่ 1 และ c. การเคลื่อนที่สัมพัทธ์ของเวเฟอร์หรือฐานรองขัดมันขณะ ที่วัสดุชนิดหนึ่งเชื่อมสัมผัสอยู่ กับฐานรองขัดมันจน กระทั่งพื้นผิวเปิดของเวเฟอร์เป็นระนาบและประกอบด้วยพื้น ที่อย่างน้อยเป็น ของวัสดุที่มีพื้นที่เปิดชนิดที่หนึ่งและ พื้นที่อีกแห่งเป็นพื้นที่เปิดของวัสดุชนิดที่สอง โดยที่สเลอร์รีประกอบด้วย a. ไอออนที่มีสองลักษณะชนิดซัลโฟเนต b. ตัวออกซิไดซ์ c. พาหะชนิดเหลว d. ในแนวทางเลือกคืออนุภาคสำหรับขัดมันชนิดอนินทรีย์ e. ในแนวทางเลือกคือตัวกระทำคีเลต f. ในแนวทางเลือกคือสารบัฟเฟอร์ทุติยภูมิ g. ในแนวทางเลือกคือตัวทำให้มีสภาพเฉื่อย h. ในแนวทางเลือกคือสารลดแรงตรึงผิว สารดัดแปลงความหนืด ตัวช่วยให้เปียก สารหล่อลื่น สบู่และสารที่มีลักษณะคล้าย คลึงกันและ i. ในแนวทางเลือกคือสารประกอบหยุดการทำงาน
25. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 24 โดยที่อนุภาคขัดมันมี อยู่ในสารผสม
26. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 24 โดยที่อนุภาคขัดมันติด แน่นอยู่บนฐานรองขัดมัน
27. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 24 โดยที่อนุภาคที่ไม่ใฃ่ อนุภาคขัดมันนำมาใช้ในข้อถือสิทธิที่ 1
28. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 24 โดยที่ฐานรองขัดมัน ประกอบด้วยสเลอร์รีและฐานรองชนิด พอลิเมอร์ สเลอร์รีประกอบ ด้วยอนุภาคสารขัดถูเบา ๆ จำนวนมากกระจายอยู่ในสเลอร์รี ส เลอร์รีที่ เชื่อมสัมผัสอยู่กับชั้นโลหะของเวเฟอร์โดยการใช้ ฐานรองขัดมัน
29. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 24 โดยที่วัสดุชนิดที่หนึ่ง คือวัสดุไดอิเล็กตริกและวัสดุชนิดที่สอง คือวัสดุตัวนำ
30. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 24 โดยที่ในลำดับต่อ ไปเวเฟอร์ประกอบรวมด้วยชั้นกั้นปิดคลุม วัสดุไดอิเล็กตริกอ ยู่
31. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 29 โดยที่วัสดุตัวนำคือ วัสดุตัวนำซึ่งเลือกจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วยไทเทเนียม เงิน อะลูมินัม ทังสเตน แทนทาลัม แทนทาลัมไนไตรต์ ทังสเตนไน ไตรด์ แทนทาลัมออกไซด์ ทังสเตนออกไซด์ ซิลิกา คอปเปอร์หรือ โลหะเจือของโลหะชนิดเหล่านั้น
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH68552A true TH68552A (th) | 2005-05-06 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6803353B2 (en) | Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents | |
| TWI611049B (zh) | 腐蝕抑制劑及相關組合物及方法 | |
| KR100825216B1 (ko) | 바로 사용 가능한 안정한 화학 기계적 연마 슬러리 | |
| RU2605941C2 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА Si1-x Gex В ПРИСУТСТВИИ ХМП (ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ) КОМПОЗИЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ СПЕЦИАЛЬНОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ | |
| JP4927526B2 (ja) | 二酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を有する基材の研磨方法、及び化学機械的研磨系 | |
| US7300601B2 (en) | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization | |
| KR101371850B1 (ko) | 폴리에테르 아민을 함유하는 연마 조성물 | |
| KR101069472B1 (ko) | 칼코게나이드 물질의 화학 기계적 평탄화 방법 | |
| JP6603234B2 (ja) | タングステン材料のcmp用組成物及び方法 | |
| CN101864247B (zh) | 硬脆材料化学机械抛光用无磨料抛光液 | |
| KR20060126970A (ko) | 입자 없는 화학적 기계적 연마 조성물 및 이를 포함하는연마 공정 | |
| CN103080256A (zh) | 用于化学机械抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜的衬底的含水抛光组合物和方法 | |
| TWI554578B (zh) | 包含高分子聚胺的化學機械研磨(cmp)組成物 | |
| KR102870908B1 (ko) | 연마 조성물 및 이의 사용 방법 | |
| JP2006508545A (ja) | 銅の化学的機械的平坦化のための組成物および方法 | |
| WO2007126672A1 (en) | Cmp method for copper-containing substrates | |
| CN1333444C (zh) | 使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液 | |
| US20250257286A1 (en) | Cleaning compositions and methods of use thereof | |
| KR101190032B1 (ko) | 금속 배선용 화학기계적 연마 조성물 | |
| KR20060023917A (ko) | 구리 연마용 조성물 | |
| JP2025525768A (ja) | 材料除去操作を行うための組成物及び方法 | |
| KR20250149945A (ko) | 재료 제거 작업을 수행하기 위한 조성물 및 방법 | |
| KR20070059620A (ko) | 금속 배선용 화학 기계적 연마 조성물 |