TH65404A - กรรมวิธีการเคลือบด้วยผง - Google Patents
กรรมวิธีการเคลือบด้วยผงInfo
- Publication number
- TH65404A TH65404A TH301004708A TH0301004708A TH65404A TH 65404 A TH65404 A TH 65404A TH 301004708 A TH301004708 A TH 301004708A TH 0301004708 A TH0301004708 A TH 0301004708A TH 65404 A TH65404 A TH 65404A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- under
- substrate
- shall
- fluidized bed
- processes
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (02/03/47) กรรมวิธีสำหรับการก่อขึ้นรูปผิวเคลือบบนซับสเทรทซึ่งรวมถึงขั้นตอนของการทำให้การให้ ประจุแบบไทรโบสเตติกของกลุ่มของผงเป็นผลขึ้นมาโดยการก่อตั้งฟลูอิดไดซ์เบดของกลุ่มของผงใน ห้องการฟลูอิดไซด์ ซึ่งอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของห้องนี้จะนำไฟฟ้า, การป้อนแรงดันให้กับส่วนที่ นำไฟฟ้าของห้องการฟลูอิดไซด์นี้, การจุ่มซับสเทรทซึ่งไม่นำไฟฟ้าหรือนำไฟฟ้าไม่ดีซึ่งได้รับการต่อ ลงดินหรือแยกโดดอย่างทางไฟฟ้าอย่างทั้งหมดหรืออย่างบางส่วนอย่างใดอย่างหนึ่งลงในฟลูอิดไดซ์ เบดนี้, การนำซับสเทรทนี้กลับออกจากฟลูอิดไดซ์เบด และการทำอนุภาคที่เกาะติดของผงนี้ให้เป็น ผิวเคลือบที่ต่อเนื่องบนส่วนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของซับสเทรทนี้ กรรมวิธีสำหรับการก่อขึ้นรูปผิวเคลือบบนซับสเทรทซึ่งรวมถึงขั้นตอนของการทำให้การให้ ประจุแบบไทรโบสเตติกของกลุ่มของผงเป็นผลขึ้นมาโดยการก่อตั้งฟลูอิดไดซ์เบดของกลุ่มของผงใน ห้องการฟลูอิดไซด์ ซึ่งอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของห้องนี้จะนำไฟฟ้า, การป้อนแรงดันให้กับส่วนที่ นำไฟฟ้าของห้องการฟลูอิดไซด์นี้, การจุ่มซับสเทรทซึ่งไม่นำไฟฟ้าหรือนำไฟฟ้าไม่ดีซึ่งได้รับการต่อ ลงดินหรือแยกโดดอย่างทางไฟฟ้าอย่างทั้งหมดหรืออย่างบางส่วนอย่างใดอย่างหนึ่งลงในฟลูอิดไซด์ เบดนี้, การนำซับสเทรทนี้กลับออกจากฟลูอิดไซด์เบต และการทำอนุภาคที่เกาะติดของผงนี้ให้เป็น ผิวเคลือบที่ต่อเนื่องบนส่วนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของซับสเทรทนี้
Claims (48)
1. กรรมวิธีสำหรับการก่อขึ้นรูปผิวเคลือบบนซับสเทรทซึ่งรวมถึงขั้นตอนของ: การก่อตั้งฟลูอิดไดซ์เบดของสารผสมของผงเคลือบขึ้นมา ด้วยเหตุนี้ จะทำให้การให้ประจุ แบบไทรโบสเตติกของสารผสมของผงเคลือบนี้เป็นผลขึ้นมา ซึ่งฟลูอิดไดซ์เบดนี้รวมถึงห้องการ ฟลูอิดไดซ์ซึ่งอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของห้องนี้จะนำไฟฟ้า, การป้อนแรงดันให้กับส่วนที่นำไฟฟ้าของห้องการฟลูอิดไดซ์นี้, การจุ่มซับสเทรทซึ่งไม่นำไฟฟ้าหรือนำไฟฟ้าไม่ดีอย่างทั้งหมดหรืออย่างบางส่วนอย่างใด อย่างหนึ่งลงในฟลูอิดไดซ์เบด ด้วยสิ่งนี้ อนุภาคที่ผ่านการให้ประจุอย่างทางไทรโบสเตติกของ สารผสมของผงเคลือบนี้จะเกาะติดกับซับเสทรท ซึ่งซับสเทรทนี้ได้รับการตกลงดินหรือแยกโดด อย่างทางไฟฟ้าอย่างใดอย่างหนึ่ง, การนำซับสเทรทนี้กลับออกจากฟลูอิดไดซ์เบดนี้, และ การทำอนุภาคที่เกาะติดนี้ให้เป็นผิวเคลือบที่ต่อเนื่องบนส่วนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนของ ซับสเทรทนี้, ซึ่งกรรมวิธีนี้ได้รับการดำเนินการโดยที่ไม่มีการทำให้แตกตัวเป็นไออนหรือปรากฎการณ์ โคโรนาในฟลูอิดไดซ์เบดนี้
2. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งซับสเทรทนี้ประกอบรวมด้วยบอร์ด เส้นใยที่มีความหนาแน่นปานกลาง (เอ็มดีเอฟ)
3. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือข้อถือสิทธิข้อ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง ซับสเทรทนี้ประกอบรวมด้วยไม้
4. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือข้อถือสิทธิข้อ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง ซับสเทรทนี้ประกอบรวมด้วยผลิตภัณฑ์ไม้
5. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งซับสเทรทนี้ประกอบรวมด้วยวัสดุ ชนิดพลาสติก
6. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือข้อถือสิทธิข้อ 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง ซับสเทรทนี้ประกอบรวมด้วยวัสดุชนิดพลาสติกที่รวมถึงสารเติมแต่งที่นำไฟฟ้า
7. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 6 ที่ซึ่งวัสดุชนิดพลาสติกนี้ประกอบรวมด้วย พอลิอะมีด
8. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือข้อถือสิทธิข้อ 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง ซับสเทรทนี้ประกอบรวมด้วยวัสดุชนิดพลาสติกที่เป็นฉนวนอย่างสูง
9. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8 ที่ซึ่งวัสดุชนิดพลาสติกนี้ประกอบรวมด้วย พอลิคาร์บอเนท
10. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความต้านทานเชิง พื้นผิวของซับสเทรทนี้จะมีค่าอย่างน้อยที่สุดเท่ากับ 10 3 โอห์ม/ตารางหน่วย
11. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 หรือข้อถือสิทธิข้อ 10 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความต้านทานเชิงพื้นผิวของซับเสทรทนี้จะมีค่าจาก 10 3 ถึง 10 5 โอห์ม/ตารางหน่วย
12. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 หรือข้อถือสิทธิข้อ 10 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งความต้านทานเชิงพื้นผิวของซับสเทรทนี้จะมีค่าอย่างน้อยที่สุด 10 5 โอห์ม/ตารางหน่วย
13. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1, 5 หรือ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง ความต้านทานเชิงพื้นผิวของซับสเทรทนี้จะมีค่าจาก 10 5 ถึง 10 11 โอห์ม/ตารางหน่วย
14. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 7 ถึง 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง ความต้านทานเชิงพื้นผิวของซับสเทรทนี้จะมีค่าอย่างน้อยที่สุด 10 11 โอห์ม/ตารางหน่วย
15. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1, 5 ถึง 9, 13 หรือ 14 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งจะ รวมถึงขั้นตอนของการให้ความร้อนกับวัสดุชนิดพลาสติกนี้ให้มีอุณหภูมิต่ำกว่าจุดหลอมเหลวของ วัสดุนี้และต่ำกว่าจุดทรานซิซันของสารผสมของผงเคลือบก่อนการจุ่มซับสเทรทลงในฟลูอิดไดซ์เบด นี้
16. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8 หรือข้อถือสิทธิข้อ 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งจะ รวมถึงขั้นตอนของการให้ประจุล่วงหน้ากับซับสเทรทก่อนการจุ่มซับสเทรทนี้ลงในฟลูอิดไดซ์เบดนี้
17. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งจะรวมถึงขั้นตอนของการปรับเท่า ประจุบนซับสเทรทก่อนการจุ่มซับสเทรทนี้ลงในฟลูอิดไดซ์เบดนี้
18. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งจะรวมถึงขั้นตอนของการให้ความร้อน กับซับสเทรทนี้เพื่อให้มีอุณหภูมิต่ำกว่าจุดหลอมเหลวของวัสดุนี้ เพื่อที่จะปรับเท่าประจุนี้
19. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 17 หรือข้อถือสิทธิข้อ 18 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่ง จะรวมถึงขั้นตอนของการทำให้พื้นผิวของซับสเทรทนี้มีความชื้น เพื่อที่จะปรับเท่าประจุนี้
20. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งไม่มีการให้ความ ร้อนนำของซับสเทรทนี้ก่อนหน้าการจุ่มลงในฟลูอิดไดซ์เบดนี้
21. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 20 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะป้อนแรงดัน ไฟฟ้ากระแสตรง
22. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 21 ที่ซึ่งจะป้อนแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงที่ เป็นค่าบวก
23. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 21 ที่ซึ่งจะป้อนแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงที่ เป็นค่าลบ
24. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 23 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแรงดันเช่นนี้จะ ได้รับการป้อนในลักษณะที่ว่า เกรเดียนต์ของศักย์ไฟฟ้าสูงสุดที่มีอยู่ในฟลูอิดไดซ์เบดนี้จะเท่ากับ 29 กิโลโวลต์/ซม., 27.5, 25, 20, 15, 10, 5, 1 หรือ 0.05 กิโลโวลต์/ซม.
25. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 24 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแรงดันเช่นนี้ จะได้รับการป้อนในลักษณะที่ว่า เกรเดียนต์ของศักย์ไฟฟ้าสูงสุดที่มีอยู่ในฟลูอิดไดซ์เบดนี้อย่างน้อย ที่สุดจะเท่ากับ 0.1 กิโลโวลต์/ซม. หรืออย่างน้อยที่สุดนั้น 0.5 กิโลโวลต์/ซม.
26. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแรงดันเช่นนี้ จะได้รับการป้อนในลักษณะที่ว่า เกรเดียนต์ของศักย์ไฟฟ้าสูงสุดที่มีอยู่ในฟลูอิดไดซ์เบดนี้อย่างน้อย ที่สุดจะเท่ากับ 0.01 กิโลโวลต์/ซม. หรืออย่างน้อยที่สุดนั้น 0.05 กิโลโวลต์/ซม.
27. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 26 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแรงดันที่อยู่ใน ช่วงพิสัยจาก 10 โวลต์ถึง 100 กิโลโวลต์จะได้รับการป้อน.
28. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 27 ที่ซึ่งแรงดันที่อยู่ในช่วงพิสัยจาก 100 โวลต์ถึง 60 กิโลโวลต์จะได้รับการป้อน
29. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 27 หรือข้อถือสิทธิข้อ 28 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่ง แรงดันที่อยู่ในช่วงพิสัยจาก 100 โวลต์ถึง 30 กิโลโวลต์จะได้รับการป้อน
30. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 27 ถึง 29 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแรงดันที่อยู่ใน ช่วงพิสัยจาก 100 โวลต์ถึง 10 กิโลโวลต์จะได้รับการป้อน
31. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 30 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเทรทที่ ประกอบรวมด้วยอโลหะจะได้รับการจุ่ม
32. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 31 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเทรทนี้ จะได้รับการจุ่ม พร้อมด้วยห้องการฟลูอิดไดซ์อยู่ในภาวะที่ได้รับการให้ประจุสำหรับคาบเวลาถึง 30 นาที, 20 นาที, 10 นาที, 5 นาที หรือ 3 นาที
33. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 32 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเทรทนี้ จะได้รับการจุ่ม พร้อมด้วยห้องการฟลูอิดไดซ์อยู่ในภาวะที่ได้รับการให้ประจุสำหรับคาบเวลาอย่าง น้อยที่สุด 10x10 -3 วินาที, 500x10 -3 วินาที หรือ 1 วินาที
34. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 33 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งผิวเคลือบที่มี ความหนาถึง 500 ไมครอน หรือถึง 200, 150, 100 หรือ 80 ไมครอนจะได้รับการนำมาใช้
35. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 34 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งผิวเคลือบที่มี ความหนาอย่างน้อยที่สุด 5 ไมครอน หรืออย่างน้อยที่สุดนั้น 10, 20, 50, 60 หรือ 80 ไมครอนจะได้ รับการนำมาใช้
36. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 35 ที่ซึ่งผิวเคลือบที่มีความหนาอยู่ใน ช่วงพิสัยจาก 20 ถึง 50 ไมครอน, 25 ถึง 45 ไมครอน หรือ 50 ถึง 60 ไมครอนจะได้รับการนำมาใช้
37. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 36 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งจะรวมถึงการเขย่า หรือการสั่นซับสเทรทนี้เพื่อที่จะนำอนุภาคที่เกาะติดไม่แน่นออกมา
38. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 37 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งสารผสมของ ผงเคลือบนี้เป็นระบบเทอร์โมเซททิง
39. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 38 ที่ซึ่งพอลิเมอร์ที่ใช้ทำฟิล์มใน องค์ประกอบของผงเคลือบนี้หรือแต่ละองค์ประกอบของสารผสมของผงเคลือบนี้จะเป็นสารหนึ่ง ชนิดหรือมากกว่านั้นซึ่งได้รับการคัดเลือกจากพอลิเอสเทอร์เรซินที่มีหมู่เชิงหน้าที่คาร์บอกซี พอลิ เอสเทอร์เรซินที่มีหมู่เชิงหน้าที่ไฮดรอกซี อีพอกซิเรซิน และอะคริลิกเรซินที่มีหมู่เชิงหน้าที่
40. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 37 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งสารผสมของ ผงเคลือบนี้เป็นระบบเทอร์โมพลาสติก
41. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 40 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งสารผสมของ ผงเคลือบนี้จะนำสารเติมแต่งที่ช่วยสภาพการไหลไปมาหนึ่งชนิดหรือมากกว่านั้นเข้ามาร่วมโดยการ ผสมผสานทีหลัง
42. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 41 ที่ซึ่งสารผสมของผงเคลือบนี้จะนำระบบ การประกอบร่วมของอะลูมินาและอะลูมิเนียมไฮดรอกไซด์เข้ามาร่วมดังว่าเป็นสารเติมแต่งที่ช่วย สภาพการไหลไปมา
43. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 42 ที่ซึ่งสารเติมแต่งที่ช่วยสภาพการไหลไป มานี้รวมถึงซิลิกาชนิดไม่ชอบรับน้ำ
44. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 42 ที่ซึ่งสารเติมแต่งที่ช่วยสภาพการไหลไป มานี้รวมถึงแวกซ์ที่ได้รับการดัดแปรด้วย PTFE
45. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 44 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งอนุภาคทั้งหมด อย่างเป็นสำคัญของอนุภาคของผงเหล่านี้จะไม่มากกว่า 10 ไมโครเมตร
46. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 45 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งสารผสมของ ผงเคลือบนี้เป็นสารผสมแบบอบที่อุณหภูมิต่ำ
47. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 46 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซั่งซับสเทรทนี้จะ ได้รับการจุ่มลงอย่างทั้งหมดภายในฟลูอิดไดซ์เบดนี้
48. ซับสเทรทเคลือบที่ได้รับการทำให้ได้มาโดยกรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 47 ข้อใดข้อหนึ่ง
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65404A true TH65404A (th) | 2004-12-09 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chudleigh | Mechanism of charge transfer to a polymer surface by a conducting liquid contact | |
| KR100326748B1 (ko) | 전기적 부도체 기판의 정전기 파우더 코팅 | |
| KR100390641B1 (ko) | 유도충전된수지성분말입자로기판을코팅하는장치 | |
| EP0789632B1 (en) | Process for improving the electrostatic charge on powders | |
| MXPA05006224A (es) | Procedimiento para revestimiento en polvo. | |
| EP2298045B1 (en) | An apparatus, a method for establishing a conductive pattern on a planar insulating substrate, the planar insulating substrate and a chipset thereof | |
| KR100192135B1 (ko) | 마찰전기 코팅 분말 및 목재 기재를 코팅하는 방법 | |
| CN1015267B (zh) | 塑料静电涂层用导电剂和该导电剂的用途 | |
| MXPA97002463A (en) | Apparatus for covering substrates with inductivame loaded powder resin particles | |
| NZ505036A (en) | Powder coating process using a fluidized bed effecting tribostatic charging of powder coating composition | |
| MXPA05006223A (es) | Aparato y procedimiento de revestimiento en polvo. | |
| SK16362003A3 (sk) | Spôsob vytvorenia povlaku na vodivom substráte, zariadenie na vykonávanie tohto spôsobu a potiahnutý substrát | |
| Barletta et al. | Electrostatic fluidized bed deposition of a high performance polymeric powder on metallic substrates | |
| FI121936B (fi) | Jauhemaisten partikkelien siirto | |
| Sims et al. | Effect of electrical resistivity on the adhesion and thickness of electrostatically deposited powder layers | |
| Shinkareva et al. | Conductive paints made from nickel-plated glass microspheres | |
| US3674543A (en) | Electrodeposition | |
| JP2001081413A (ja) | 導電性コーティング | |
| Niedra et al. | Orientation and adhesion of particles | |
| JPS5876265A (ja) | ポリオレフイン系樹脂成形品に対する塗装用導電性プライマ− | |
| SE9403317D0 (sv) | Förfarande och anordning för ytbeläggning samt alster framställt genom förfarandet | |
| Fukuchi et al. | Particle adhesion force measurements by toner jumping method | |
| CA2201878C (en) | Process for imparting an electrostatic charge to powders to render them useful for coating applications | |
| Derengowski et al. | Conductive TPO for optimum electrostatic painting efficiency | |
| Ui et al. | Making carbon material film by migration electrodeposition method and its application |