TH65404A

TH65404A - กรรมวิธีการเคลือบด้วยผง

Info

Publication number: TH65404A
Application number: TH301004708A
Authority: TH
Inventors: เจฟฟรีย์ คิทเทิล นายเควิน; ฟาลโคเน่ นายมิเชล
Original assignee: นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายบุญมา เตชะวณิช; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date: 2003-12-12
Publication date: 2004-12-09

Abstract

DC60 (02/03/47) กรรมวิธีสำหรับการก่อขึ้นรูปผิวเคลือบบนซับสเทรทซึ่งรวมถึงขั้นตอนของการทำให้การให้ ประจุแบบไทรโบสเตติกของกลุ่มของผงเป็นผลขึ้นมาโดยการก่อตั้งฟลูอิดไดซ์เบดของกลุ่มของผงใน ห้องการฟลูอิดไซด์ ซึ่งอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของห้องนี้จะนำไฟฟ้า, การป้อนแรงดันให้กับส่วนที่ นำไฟฟ้าของห้องการฟลูอิดไซด์นี้, การจุ่มซับสเทรทซึ่งไม่นำไฟฟ้าหรือนำไฟฟ้าไม่ดีซึ่งได้รับการต่อ ลงดินหรือแยกโดดอย่างทางไฟฟ้าอย่างทั้งหมดหรืออย่างบางส่วนอย่างใดอย่างหนึ่งลงในฟลูอิดไดซ์ เบดนี้, การนำซับสเทรทนี้กลับออกจากฟลูอิดไดซ์เบด และการทำอนุภาคที่เกาะติดของผงนี้ให้เป็น ผิวเคลือบที่ต่อเนื่องบนส่วนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของซับสเทรทนี้ กรรมวิธีสำหรับการก่อขึ้นรูปผิวเคลือบบนซับสเทรทซึ่งรวมถึงขั้นตอนของการทำให้การให้ ประจุแบบไทรโบสเตติกของกลุ่มของผงเป็นผลขึ้นมาโดยการก่อตั้งฟลูอิดไดซ์เบดของกลุ่มของผงใน ห้องการฟลูอิดไซด์ ซึ่งอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของห้องนี้จะนำไฟฟ้า, การป้อนแรงดันให้กับส่วนที่ นำไฟฟ้าของห้องการฟลูอิดไซด์นี้, การจุ่มซับสเทรทซึ่งไม่นำไฟฟ้าหรือนำไฟฟ้าไม่ดีซึ่งได้รับการต่อ ลงดินหรือแยกโดดอย่างทางไฟฟ้าอย่างทั้งหมดหรืออย่างบางส่วนอย่างใดอย่างหนึ่งลงในฟลูอิดไซด์ เบดนี้, การนำซับสเทรทนี้กลับออกจากฟลูอิดไซด์เบต และการทำอนุภาคที่เกาะติดของผงนี้ให้เป็น ผิวเคลือบที่ต่อเนื่องบนส่วนอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของซับสเทรทนี้

Claims

1. กรรมวิธีสำหรับการก่อขึ้นรูปผิวเคลือบบนซับสเทรทซึ่งรวมถึงขั้นตอนของ: การก่อตั้งฟลูอิดไดซ์เบดของสารผสมของผงเคลือบขึ้นมา ด้วยเหตุนี้ จะทำให้การให้ประจุ แบบไทรโบสเตติกของสารผสมของผงเคลือบนี้เป็นผลขึ้นมา ซึ่งฟลูอิดไดซ์เบดนี้รวมถึงห้องการ ฟลูอิดไดซ์ซึ่งอย่างน้อยที่สุดส่วนหนึ่งของห้องนี้จะนำไฟฟ้า, การป้อนแรงดันให้กับส่วนที่นำไฟฟ้าของห้องการฟลูอิดไดซ์นี้, การจุ่มซับสเทรทซึ่งไม่นำไฟฟ้าหรือนำไฟฟ้าไม่ดีอย่างทั้งหมดหรืออย่างบางส่วนอย่างใด อย่างหนึ่งลงในฟลูอิแท็ก :