TH23652B - กรรมวิธีเคลือบผิวแบบผง - Google Patents

Abstract

DC60 (22/10/50) กรรมวิธีสำหรับประกอบผิว เคลือบบนซับสเตรทนำไฟฟ้า ซึ่งประกอบรวมด้วยการสร้าง ฟลูอิไดเซด เบดของผงสารผสมผิวเคลือบ การจุ่มซับสเตรทนี้ทั้งหมด หรือส่วนหนึ่งให้อยู่ภายใน ฟลูอิไดเซด เบดที่กล่าวแล้ว การให้ความต่างศักย์แก่ซับสเตรทนี้เป็นเวลาอย่างน้อยส่วนหนึ่งของระยะ เวลาของการจุ่ม อาศัยกรรมวิธีนี้อนุภาคของผงสารผสมผิวเคลือบยึดติดกับซับสเตรทนี้ การดึงเอา ซับสเตรทนี้ออกจากฟลูอิไดเซด เบด และการก่อรูปอนุภาคที่ยึดติดนี้ให้เป็นผิวเคลือบต่อเนื่องบน ซับสเตรทนี้ อย่างน้อยส่วนหนึ่ง กรรมวิธีนี้สามารถเคลือบผิวซับสเตรทพื้นที่ต่าง ๆ ซึ่งไม่สามารถเข้าไปได้อย่างง่าย ในกรรมวิธีเคลือบผิวแบบใช้ไฟฟ้าสถิตสามัญทั่วไป เนื่องจากปรากฏการณ์ฟาราเดย์ เคจ (Faraday cage) และกรรมวิธีนี้สามารถทำให้เกิดผิวเคลือบบางกว่าผิวเคลือบที่ได้มาโดยกรรมวิธี แบบฟลูอิไดเซด เบด สามัญทั่วไปด้วยเหมือนกัน กรรมวิธีสำหรับประกอบผิว เคลือบบนซับสเครทนำไฟฟ้า ซึ่งประกอบรวมด้วยการสร้าง ฟลูอิไดเซด เบคของผงสารสผมเคลือบผิว การจุ่มซันสเครทนี้ทั้งหมด หรือส่วนหนึ่งให้อยู่ภายใน ฟลูอิไดเซด เบดที่กล่าวแล้ว การให้ความต่างศักย์แก่ซับสเตรทนี้เป็นเวลาอย่างน้อยส่วนหนึ่งของระยะ เวลาของการจุ่ม อาศัยกรรมวิธีนี้อนุภาคของผงสารผสมผิวเคลือบยึดติดกับซับสเตรทนี้ การดึงเอา ซับเตรทนี้ออกจากฟลูอิไดเซด เบด และการก่อรูปอนุภาคที่ยึดติดนี้ให้เป็นผิวเคลือบต่อเนื่องบน ซับสเตรทนี้ อย่างน้อยส่วนหนึ่ง กรรมวิธีนี้สามารถเคลือบผิวซับสเตรทพื้นที่ต่าง ๆ ซึ่งไม่สามารถเข้าไปได้อย่างง่าย ในกรรมวิธีเคลือบผิวแบบใช้ไฟฟ้าสถิตย์สามัญทั่วไป เนื่องจากปรากฏการณ์ฟาราเดย์ เดจ (Faraday cage) และกรรมวิธีนี้สามารถทำให้เกิดผิวเคลือบบางกว่าผิวเคลือบที่ได้มาโดยกรรมวิธี แบบฟลูอิไดเซด เบด สามัญทั่วไปด้วยเหมือนกัน

Claims (1)

1. กรรมวิธีสำหรับประกอบผิวเคลือบบนซับสเตรทนำไฟฟ้า (6), ซึ่งประกอบรวมด้วยการ สร้างฟลูอิไดเซค เบดของผงสารผสมผิวเคลือบ โดยที่ให้ประจุไฟฟ้าสถิตจากการเสียดทานของ สารผสมผิวเคลือบที่เป็นผง การจุ่มซับสเตรทนี้ (6) ทั้งหมดหรือส่วนหนึ่งให้อยู่ภายในฟลูอิไดเซค เบด ที่กล่าวแล้ว, การให้ความต่างศักย์แกซับสเตรทนี้อย่างน้อยเวลาส่วนหนึ่งของระยะเวลาของการจุ่มนี้, อาศัยกรรมวิธีนี้, อนุภาคของผงสารผสมผิวเคลือบยึดติดกับซับสเตรทนี้ (6), การดึงเอาซับสเตรทนี้ (6) ออกจากฟลูอิไดเซค เบด และก่อรูปอนุภาคที่ยึดติดนี้เป็นผิวเคลือบต่อเนื่องบนซับสเตรทนี้ (6) อย่าง น้อยส่วนหนึ่ง 2. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งซับสเตรทนี้ (6) ประกอบรวมด้วยโลหะ 3. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งความต่างศักย์ที่ให้นี้ เป็นความต่างศักย์กระแสตรง 4. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง สำหรับเคลือบผิว ซับสเตรทตามลำดับ (17,18,19) ในลำดับอนุกรม ซึ่งใช้ความต่างศักย์กระแสตรงและกลับสภาพขั้ว ของความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทตามลำดับ (17,18,19) จากแต่ละซับสเตรทไปยังซับสเตรทต่อไป เพื่อผลิตให้ลำดับอนุกรมสลับกัน 5. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งเป็นกรรมวิธีต่อเนื่องซึ่งขนส่งซับสเตรท (17,18,19) ที่มีสภาพขั้วสลับกัน อนุกรมหนึ่งที่ผ่านทางฟลูอิไดเซค เบคที่สร้างอยู่ภายในห้อง ฟลูอิไดซิง ซึ่งมีผนังที่ประกอบด้วยส่วนที่เป็นฉนวน (14a, 14b, 14c ) และส่วนที่นำไฟฟ้า (15a, 15b) สลับกันในทิศทางของการเดินทางของซับสเตรทนี้ (17, 18, 19) 6. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งประกอบรวมด้วยการ เคลือบผิวทีละแบทซ์พร้อมกันของซับสเตรทหนึ่งคู่หรือมากกว่านี้ ซึ่งจัดวางไว้ภายในฟลูอิไดเซค เบด ที่ใช้ร่วมกัน ซึ่งทำซับสเตรทของแต่ละคู่นี้ให้มีประจุซึ่งมีสภาพขั้วตรงข้ามตามลำดับ โดยความต่าง ศักย์กระแสตรง 7. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งสร้างฟลูอิไดเซด เบด นี้ไว้ภายในภาชนะที่ต่อลงดิน (1) 8. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งจัดวางหนึ่งเคาน์เตอร์ อิเล็กโทรด (35) หรือมากกว่านี้ ที่ควรต่อลงดิน ไว้ภายในมวลรวมทั้งหมดของผงสารผสมเคลือบผิวนี้ 9. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งไม่มีการเชื่อม ซับสเตรท (6) ลงดิน 1 0. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งจุ่มซับสเตรท (6) ทั้งหมดไว้ภายในฟลูอิไดเซค เบด 1 1. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 10 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งไม่มีการทำ ซับสเตรท (6) ให้ร้อนไว้ล่วงหน้าก่อนการจุ่มในฟลูอิไดเซด เบดนี้ 1 2. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งผงสารผสม ผิวเคลือบนี้เป็นระบบเทอร์โมเซททิง 1 3. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 12 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งผงสารผสม ผิวเคลือบนี้มีสารเติมแต่งช่วยเสริมสภาพการไหลเข้าไว้ด้วย โดยการผสมผสานแห้ง 1 4. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งผงสารผสมผิวเคลือบนี้ มีสารผสมรวม กันของอะลูมินาและอะลูมิเนียมไฮดรอกไซด์รวมอยู่ด้วย เป็นสารเติมแต่งช่วยเสริมสภาพการไหลได้ 1 5. กรรมวิธีสำหรับเคลือบผิวซับสเตรทนำไฟฟ้า (6) ซึ่งประกอบรวมด้วยส่วนประกอบ เกี่ยวกับรถยนต์หรืออวกาศทั้งหมด ซึ่งทำผิวเคลือบที่หนึ่งที่ได้มาจากผงสารผสมผิวเคลือบให้สัมผัส โดยวิธีที่ใช้กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 14 ข้อใดข้อหนึ่ง และหลังจากนี้ทำผิวเคลือบด้านบนสุด ให้สัมผัสบนผงผิวเคลือบนี้ 1 6. เครื่องสำเร็จสำหรับใช้ประโยชน์ในกรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง เพื่อก่อรูปผิวเคลือบบนซับสเตรทนำไฟฟ้า ซึ่งประกอบรวมด้วย (a) ห้องฟลูอิไดซิง (b) วิถีทางสำหรับปฏิบัติการฟลูอิไดซ์ของผงสารผสมผิวเคลือบทั้งหมดให้ได้ผลภายใน ห้องฟลูอิไดซิง เพื่อสร้างฟลูอไดเซด เบดของสารผสมที่มีอยู่ในนี้ โดยที่ให้ประจุไฟฟ้าสถิตจากการ เสียดทานของสารผสมผิวเคลือบที่เป็นผง (c) วิถีทางสำหรับจุ่มซับสเตรททั้งหมดหรือส่วนหนึ่งให้อยู่ภายในฟลูอิไดเซด เบดนี้ (d) วิถีทางสำหรับให้ความต่างศักย์แก่ซับสเตรทเป็นเวลาอย่างน้อยส่วนหนึ่งของระยะเวลา การจุ่ม อาศัยวิถีทางนี้ ซับสเตรทมีประจุไฟฟ้าเพื่อให้เพื่ออนุภาคของผงสารผสมผิวเคลือบนี้ยึดติด กับซับสเตรทนี้ (e) วิถีทางสำหรับดึงเอาซับสเตรทที่มีอนุภาคต่าง ๆ อยู่ด้วยนี้ออกมาจากฟลูอิไดเซด เบด และ (f) วิถีทางสำหรับเปลี่ยนอนุภาพที่ยึดติดนี้ ให้เป็นผิวเคลือบต่อเนื่อง 1 7. ซับสเตรท (6) เมื่อใดก็ตามที่เคลือบผิวไว้โดยกรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง หรือโดยวิธีที่ใช้เครื่องสำเร็จตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 16 1 8. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งให้ความต่างศักย์แก่ ซับสเตรท (6) ในลักษณะที่ว่าเกรเดียนท์ความต่างศักย์สูงสุดที่ดำรงอยู่ในฟลูอิไดเซด เบดนี้ อยู่ต่ำกว่า เกรเดียนท์ความต่างศักย์ของการไอออไนซ์อย่างมีนัยสำคัญสำหรับแก๊สในฟลูอิไดเซด เบดนี้ 1 9. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมี เกรเดียนท์ความต่างศักย์สูงสุดที่ดำรงอยู่ในฟลูอิไดเซด เบดนี้ อยู่ระหว่าง 0.05 kV/ซม. และ 10 kV/ซม. ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 0. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 19 ซึ่งเกรเดียนท์ความต่างศักย์สูงสุดที่ดำรง อยู่ในฟลูอิไดเซดด เบดนี้ อยู่ระหว่าง 0.05 kV/ซม. และ 5 kV/ซม. ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 1. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 20 ซึ่งเกรเดียนท์ความต่างศักย์สูงสุดที่ดำรง อยู่ในฟลูอิไดเซด เบดนี้ อยู่ระหว่าง 0.05 kV/ซม. และ 1 kV/ซม. ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 2. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ถึง 21 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมี ความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทนี้ (6) อยู่ระหว่าง 5 kV และ 60 kV ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 3. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 22 ซึ่งมีความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทนี้ อยู่ระหว่าง 15 kV และ 35 kV ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 4. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งมีความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทนี้ อยู่ระหว่าง 5 kV และ 30 kV ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 5. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 22 ซึ่งมีความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทนี้ อยู่ระหว่าง 30 kV และ 60 kV ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 6. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่ง อนุภาคของผงสารผสมผิวเคลือบนี้มีขนาดแปรผันระหว่าง 1 และ 120 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัด ทั้งคู่ด้วย 2 7. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 26 ซึ่งอนุภาคในนี้มีขนาดแปรผันระหว่าง 15 และ 75 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 8. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 27 ซึ่งอนุภาคในนี้มีขนาดแปรผันระหว่าง 25 และ 50 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 2 9. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 27 ซึ่งอนุภาคในนี้มีขนาดแปรผันระหว่าง 20 และ 45 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 3 0. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ถึง 29 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่ง ซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มีความหนาระหว่าง 5 และ 200 ไมครอนซึ่งรวมทั้งเขตจำกัด ทั้งคู่ด้วย 3 1. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 5 และ 100 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 3 2. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 10 และ 150 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 3 3. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 32 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 20 และ 100 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 3 4. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 60 และ 80 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 3 5. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 80 และ 100 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 3 6. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 31 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 50 และ 150 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 3 7. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 32 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 15 และ 40 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย 3 8. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ถึง 37 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมี กระแสไหลน้อยกว่า 10 mA ในซับสเตรทนี้ (6) 3 9. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 38 ซึ่งมีกระแสไหลน้อยกว่า 5 mA ใน ซับสเตรทนี้ (6) 4 0. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 39 ซึ่งมีกระแสไหลน้อยกว่า 1 mA ใน ซับสเตรทนี้ (6) 4

1. ซับสเตรท (6) เมื่อใดก็ตามที่เคลือบผิวโดยกรรมวิธีที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 18 ถึง 40 ข้อใดข้อหนึ่ง หรือโดยวิธีที่ใช้เครื่องสำเร็จตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 16