Claims (41)
1. กรรมวิธีสำหรับประกอบผิวเคลือบบนซับสเตรทนำไฟฟ้า (6), ซึ่งประกอบรวมด้วยการ สร้างฟลูอิไดเซค เบดของผงสารผสมผิวเคลือบ โดยที่ให้ประจุไฟฟ้าสถิตจากการเสียดทานของ สารผสมผิวเคลือบที่เป็นผง การจุ่มซับสเตรทนี้ (6) ทั้งหมดหรือส่วนหนึ่งให้อยู่ภายในฟลูอิไดเซค เบด ที่กล่าวแล้ว, การให้ความต่างศักย์แกซับสเตรทนี้อย่างน้อยเวลาส่วนหนึ่งของระยะเวลาของการจุ่มนี้, อาศัยกรรมวิธีนี้, อนุภาคของผงสารผสมผิวเคลือบยึดติดกับซับสเตรทนี้ (6), การดึงเอาซับสเตรทนี้ (6) ออกจากฟลูอิไดเซค เบด และก่อรูปอนุภาคที่ยึดติดนี้เป็นผิวเคลือบต่อเนื่องบนซับสเตรทนี้ (6) อย่าง น้อยส่วนหนึ่ง1. A process for forming a coating on a conductive substrate (6), which involves the creation of a fluidized bed of coating powders by the friction of the powder coating mixture, the immersion of all or part of the substrate (6) in the aforementioned fluidized bed, the application of a potential to the substrate for at least part of the immersion time, by this process, particles of the coating powder mixture adhere to the substrate (6), the removal of the substrate (6) from the fluidized bed and the formation of at least part of the adhered particles into a continuous coating on the substrate (6).
2. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งซับสเตรทนี้ (6) ประกอบรวมด้วยโลหะ2. The process as requested in claim 1, in which this substrate (6) is composed of metal.
3. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งความต่างศักย์ที่ให้นี้ เป็นความต่างศักย์กระแสตรง3. The procedure as requested under claim 1 or claim 2, where the applied potential difference is a direct current potential difference.
4. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง สำหรับเคลือบผิว ซับสเตรทตามลำดับ (17,18,19) ในลำดับอนุกรม ซึ่งใช้ความต่างศักย์กระแสตรงและกลับสภาพขั้ว ของความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทตามลำดับ (17,18,19) จากแต่ละซับสเตรทไปยังซับสเตรทต่อไป เพื่อผลิตให้ลำดับอนุกรมสลับกัน4. A process under any one of the claims 1 through 3 for the coating of sequential substrates (17,18,19) in series, which involves applying a DC potential difference and reversing the polarity of the potential difference applied to the sequential substrates (17,18,19) from each substrate to the next substrate to produce an alternating series sequence.
5. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 4 ซึ่งเป็นกรรมวิธีต่อเนื่องซึ่งขนส่งซับสเตรท (17,18,19) ที่มีสภาพขั้วสลับกัน อนุกรมหนึ่งที่ผ่านทางฟลูอิไดเซค เบคที่สร้างอยู่ภายในห้อง ฟลูอิไดซิง ซึ่งมีผนังที่ประกอบด้วยส่วนที่เป็นฉนวน (14a, 14b, 14c ) และส่วนที่นำไฟฟ้า (15a, 15b) สลับกันในทิศทางของการเดินทางของซับสเตรทนี้ (17, 18, 19)5. A process as claimed in claim 4, which is a continuous process in which alternating polarity substrates (17,18,19) are transported in series through a fluidized bed built inside a fluidizing chamber whose walls are made of alternating insulating (14a, 14b, 14c) and conductive (15a, 15b) parts in the direction of travel of this substrate (17, 18, 19).
6. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งประกอบรวมด้วยการ เคลือบผิวทีละแบทซ์พร้อมกันของซับสเตรทหนึ่งคู่หรือมากกว่านี้ ซึ่งจัดวางไว้ภายในฟลูอิไดเซค เบด ที่ใช้ร่วมกัน ซึ่งทำซับสเตรทของแต่ละคู่นี้ให้มีประจุซึ่งมีสภาพขั้วตรงข้ามตามลำดับ โดยความต่าง ศักย์กระแสตรง6. A procedure as proposed under any one of the claims 1 through 3, which involves the simultaneous batch coating of one or more substrates placed within a shared fluidized bed, thereby making each pair of substrates respectively charged with opposite polarities by a DC potential difference.
7. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งสร้างฟลูอิไดเซด เบด นี้ไว้ภายในภาชนะที่ต่อลงดิน (1)7. Any of the procedures under claims 1 through 6 that create this fluidized bed within a grounded container (1)
8. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งจัดวางหนึ่งเคาน์เตอร์ อิเล็กโทรด (35) หรือมากกว่านี้ ที่ควรต่อลงดิน ไว้ภายในมวลรวมทั้งหมดของผงสารผสมเคลือบผิวนี้8. Any of the procedures under claims 1 through 7, which place one or more counter electrodes (35) that should be grounded within the total mass of this coating powder mixture.
9. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งไม่มีการเชื่อม ซับสเตรท (6) ลงดิน9. The procedure under which any of the claims 1 to 8 are requested, which does not involve connecting the substrate (6) to the ground.
10. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งจุ่มซับสเตรท (6) ทั้งหมดไว้ภายในฟลูอิไดเซค เบด10. The procedure under any one of the claims 1 through 9, in which the entire substrate (6) is immersed within the fluidized bed.
11. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 10 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งไม่มีการทำ ซับสเตรท (6) ให้ร้อนไว้ล่วงหน้าก่อนการจุ่มในฟลูอิไดเซด เบดนี้11. Any of the procedures under claims 1 through 10, in which the substrate (6) is not preheated before immersion in this fluidized bed.
12. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งผงสารผสม ผิวเคลือบนี้เป็นระบบเทอร์โมเซททิง12. The process under any one of the claims 1 through 11, in which this powder mixture/coat is a thermosetting system.
13. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 12 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งผงสารผสม ผิวเคลือบนี้มีสารเติมแต่งช่วยเสริมสภาพการไหลเข้าไว้ด้วย โดยการผสมผสานแห้ง13. A process under any one of the claims 1 through 12 in which the powder mixture/coating contains additives to enhance flowability, by dry mixing.
14. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งผงสารผสมผิวเคลือบนี้ มีสารผสมรวม กันของอะลูมินาและอะลูมิเนียมไฮดรอกไซด์รวมอยู่ด้วย เป็นสารเติมแต่งช่วยเสริมสภาพการไหลได้14. The process as claimed in claim 13, in which the coating powder mixture contains a combination of alumina and aluminum hydroxide as an additive to improve flow properties.
15. กรรมวิธีสำหรับเคลือบผิวซับสเตรทนำไฟฟ้า (6) ซึ่งประกอบรวมด้วยส่วนประกอบ เกี่ยวกับรถยนต์หรืออวกาศทั้งหมด ซึ่งทำผิวเคลือบที่หนึ่งที่ได้มาจากผงสารผสมผิวเคลือบให้สัมผัส โดยวิธีที่ใช้กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 14 ข้อใดข้อหนึ่ง และหลังจากนี้ทำผิวเคลือบด้านบนสุด ให้สัมผัสบนผงผิวเคลือบนี้15. A process for coating a conductive substrate (6) which includes all automotive or aerospace components, in which a first coating made of a coating powder mixture is made in contact by any of the processes described in claims 1 through 14, and after this, a top coating is made in contact with this coating powder.
16. เครื่องสำเร็จสำหรับใช้ประโยชน์ในกรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง เพื่อก่อรูปผิวเคลือบบนซับสเตรทนำไฟฟ้า ซึ่งประกอบรวมด้วย (a) ห้องฟลูอิไดซิง (b) วิถีทางสำหรับปฏิบัติการฟลูอิไดซ์ของผงสารผสมผิวเคลือบทั้งหมดให้ได้ผลภายใน ห้องฟลูอิไดซิง เพื่อสร้างฟลูอไดเซด เบดของสารผสมที่มีอยู่ในนี้ โดยที่ให้ประจุไฟฟ้าสถิตจากการ เสียดทานของสารผสมผิวเคลือบที่เป็นผง (c) วิถีทางสำหรับจุ่มซับสเตรททั้งหมดหรือส่วนหนึ่งให้อยู่ภายในฟลูอิไดเซด เบดนี้ (d) วิถีทางสำหรับให้ความต่างศักย์แก่ซับสเตรทเป็นเวลาอย่างน้อยส่วนหนึ่งของระยะเวลา การจุ่ม อาศัยวิถีทางนี้ ซับสเตรทมีประจุไฟฟ้าเพื่อให้เพื่ออนุภาคของผงสารผสมผิวเคลือบนี้ยึดติด กับซับสเตรทนี้ (e) วิถีทางสำหรับดึงเอาซับสเตรทที่มีอนุภาคต่าง ๆ อยู่ด้วยนี้ออกมาจากฟลูอิไดเซด เบด และ (f) วิถีทางสำหรับเปลี่ยนอนุภาพที่ยึดติดนี้ ให้เป็นผิวเคลือบต่อเนื่อง16. A finished device for the use of any of the processes described in claims 1 through 15 to form a coating on a conductive substrate, comprising (a) a fluidizing chamber; (b) a pathway for the fluidization of the entire coating powder mixture within the fluidizing chamber to create a fluidized bed of the mixture contained therein, by which an electrostatic charge is generated from friction of the powder coating mixture; (c) a pathway for immersing all or part of the substrate within this fluidized bed; (d) a pathway for applying a potential difference to the substrate for at least part of the immersion time, thereby electrostatically charging the substrate so that the particles of the coating powder mixture adhere to this substrate; (e) a pathway for removing the substrate containing these particles from the fluidized bed; and (f) a pathway for converting these adhered particles into a continuous coating.
17. ซับสเตรท (6) เมื่อใดก็ตามที่เคลือบผิวไว้โดยกรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง หรือโดยวิธีที่ใช้เครื่องสำเร็จตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1617. Substrate (6) Whenever the surface is coated by any of the methods claimed in claims 1 to 15 or by the method using the finishing equipment claimed in claim 16.
18. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งให้ความต่างศักย์แก่ ซับสเตรท (6) ในลักษณะที่ว่าเกรเดียนท์ความต่างศักย์สูงสุดที่ดำรงอยู่ในฟลูอิไดเซด เบดนี้ อยู่ต่ำกว่า เกรเดียนท์ความต่างศักย์ของการไอออไนซ์อย่างมีนัยสำคัญสำหรับแก๊สในฟลูอิไดเซด เบดนี้18. Any of the claims under claims 1 through 15 provide a potential difference to the substrate (6) in such a way that the maximum potential difference gradient held in this fluidized bed is significantly lower than the ionization potential difference gradient for the gas in this fluidized bed.
19. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมี เกรเดียนท์ความต่างศักย์สูงสุดที่ดำรงอยู่ในฟลูอิไดเซด เบดนี้ อยู่ระหว่าง 0.05 kV/ซม. และ 10 kV/ซม. ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย19. A procedure under any of the claims in Clauses 1 through 15 or Clause 18 in which the maximum potential gradient sustained in this fluidized bed is between 0.05 kV/cm and 10 kV/cm, including both limiting zones.
20. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 19 ซึ่งเกรเดียนท์ความต่างศักย์สูงสุดที่ดำรง อยู่ในฟลูอิไดเซดด เบดนี้ อยู่ระหว่าง 0.05 kV/ซม. และ 5 kV/ซม. ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย20. The procedure as claimed in claim 19, in which the maximum potential gradient maintained in this fluidized bed is between 0.05 kV/cm and 5 kV/cm, including both limiting zones.
21. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 20 ซึ่งเกรเดียนท์ความต่างศักย์สูงสุดที่ดำรง อยู่ในฟลูอิไดเซด เบดนี้ อยู่ระหว่าง 0.05 kV/ซม. และ 1 kV/ซม. ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย21. The procedure under claim 20, in which the maximum potential gradient maintained in this fluidized bed is between 0.05 kV/cm and 1 kV/cm, including both limiting zones.
22. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ถึง 21 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมี ความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทนี้ (6) อยู่ระหว่าง 5 kV และ 60 kV ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย22. The procedure under any one of the claims under clauses 1 to 15 or 18 to 21, in which the potential difference applied to this substrate (6) is between 5 kV and 60 kV, including both limitations.
23. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 22 ซึ่งมีความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทนี้ อยู่ระหว่าง 15 kV และ 35 kV ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย23. The procedure as requested under claim 22, where the potential difference applied to this substrate is between 15 kV and 35 kV, including both limitations.
24. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งมีความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทนี้ อยู่ระหว่าง 5 kV และ 30 kV ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย24. The procedure as requested under claim 23, with a potential difference applied to this substrate between 5 kV and 30 kV, including both limitations.
25. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 22 ซึ่งมีความต่างศักย์ที่ให้แก่ซับสเตรทนี้ อยู่ระหว่าง 30 kV และ 60 kV ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย25. The procedure as requested under claim 22, where the potential difference applied to this substrate is between 30 kV and 60 kV, including both limitations.
26. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ถึง 25 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่ง อนุภาคของผงสารผสมผิวเคลือบนี้มีขนาดแปรผันระหว่าง 1 และ 120 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัด ทั้งคู่ด้วย26. The process as claimed under either claims 1 to 15 or 18 to 25, in which the particle size of the coating mixture varies between 1 and 120 microns, including both limits.
27. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 26 ซึ่งอนุภาคในนี้มีขนาดแปรผันระหว่าง 15 และ 75 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย27. The process as claimed in claim 26, in which particles herein vary in size between 15 and 75 microns, including both limitations.
28. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 27 ซึ่งอนุภาคในนี้มีขนาดแปรผันระหว่าง 25 และ 50 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย28. The process as claimed in claim 27, in which particles herein vary in size between 25 and 50 microns, including both limits.
29. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 27 ซึ่งอนุภาคในนี้มีขนาดแปรผันระหว่าง 20 และ 45 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย29. The process as claimed in claim 27, in which particles herein vary in size between 20 and 45 microns, including both limits.
30. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ถึง 29 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่ง ซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มีความหนาระหว่าง 5 และ 200 ไมครอนซึ่งรวมทั้งเขตจำกัด ทั้งคู่ด้วย30. The process under which the rights under claims 1 to 15 or 18 to 29 are requested, in which the substrate herein (6) obtains a coating with a thickness between 5 and 200 microns, including both limits.
31. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 5 และ 100 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย31. The process under the claim in Clause 30 in which the substrate herein (6) obtains a coating with a thickness between 5 and 100 microns, including both limits.
32. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 10 และ 150 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย32. The process under the claim in Clause 30 in which the substrate herein (6) obtains a coating with a thickness between 10 and 150 microns, including both limits.
33. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 32 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 20 และ 100 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย33. The process under the claim in Clause 32 in which the substrate herein (6) obtains a coating with a thickness between 20 and 100 microns, including both limits.
34. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 60 และ 80 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย34. The process under the claim in Clause 33 in which the substrate herein (6) obtains a coating with a thickness between 60 and 80 microns, including both limits.
35. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 33 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 80 และ 100 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย35. The process under the claim in Clause 33 in which the substrate herein (6) obtains a coating with a thickness between 80 and 100 microns, including both limits.
36. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 31 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 50 และ 150 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย36. The process under the claim in Clause 31 in which the substrate herein (6) obtains a coating with a thickness between 50 and 150 microns, including both limits.
37. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 32 ซึ่งซับสเตรทในนี้ (6) ได้รับผิวเคลือบที่มี ความหนาระหว่าง 15 และ 40 ไมครอน ซึ่งรวมทั้งเขตจำกัดทั้งคู่ด้วย37. The process under the claim in Clause 32 in which the substrate herein (6) obtains a coating with a thickness between 15 and 40 microns, including both limits.
38. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 15 หรือข้อ 18 ถึง 37 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งมี กระแสไหลน้อยกว่า 10 mA ในซับสเตรทนี้ (6)38. Any procedure under any of the claims 1 to 15 or 18 to 37 in which a current of less than 10 mA flows in this substrate (6).
39. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 38 ซึ่งมีกระแสไหลน้อยกว่า 5 mA ใน ซับสเตรทนี้ (6)39. The procedure under claim 38 in which a current of less than 5 mA flows in this substrate (6).
40. กรรมวิธีตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 39 ซึ่งมีกระแสไหลน้อยกว่า 1 mA ใน ซับสเตรทนี้ (6)40. A procedure under claim 39 in which a current of less than 1 mA flows in this substrate (6).
41. ซับสเตรท (6) เมื่อใดก็ตามที่เคลือบผิวโดยกรรมวิธีที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 18 ถึง 40 ข้อใดข้อหนึ่ง หรือโดยวิธีที่ใช้เครื่องสำเร็จตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1641. Substrate (6) Whenever the surface is coated by any of the processes claimed under claims 18 to 40 or by the methods using the finishing equipment claimed under claim 16.