TH64573A - แบบแผนการรวมสำหรับการทำให้เป็นโลหะของ BEOL ขั้นสูงซึ่งมีชั้นปิดคลุมที่มี k ต่ำและวิธีการของแบบแผนการรวมเหล่านี้ - Google Patents
แบบแผนการรวมสำหรับการทำให้เป็นโลหะของ BEOL ขั้นสูงซึ่งมีชั้นปิดคลุมที่มี k ต่ำและวิธีการของแบบแผนการรวมเหล่านี้Info
- Publication number
- TH64573A TH64573A TH301000007A TH0301000007A TH64573A TH 64573 A TH64573 A TH 64573A TH 301000007 A TH301000007 A TH 301000007A TH 0301000007 A TH0301000007 A TH 0301000007A TH 64573 A TH64573 A TH 64573A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- low
- beol
- layer
- metalization
- methods
- Prior art date
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (20/03/46) โครงสร้างการทำให้เป็นโลหะเสริมหลังของสายขั้นสูง (BEOL) ได้รับการเปิดเผย โครงสร้างมีชั้นกั้นการแพร่หรือชั้นปิด คลุมที่มีค่าคงตัวไดอิเล็กทริกที่ต่ำ (k ต่ำ) ชั้นปิดคลุมได้รับ การ ก่อรูปขึ้นมาด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์อสัณฐานที่ผ่านการเติม ไฮโดรเจนและที่ผ่านการเติมไนโตรเจนและ มีค่าคงตัวไดอิเล็กทริก (k) ที่น้อยกว่าประมาณ 5 วิธีการสำหรับการก่อรูปโครงสร้าง การทำให้เป็น โลหะของ BEOL ยังได้รับการเปิดเผยอีกด้วยที่ ซึ่งชั้นปิดคลุมได้รับการทำให้ตกสะสมโดยการใช้ กระบวนการของ การตกสะสมของไอสารเคมีที่เพิ่มพูนด้วยพลาสมา (PE CVD) การ ประดิษฐ์ใช้ได้ดี โดยเฉพาะในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันซึ่ง ประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกที่มี k ต่ำสำหรับ ไดอิเล็กทริกระหว่างชั้น (ILD) และทองแดงสำหรับ ตัวนำ โครงสร้างการทำให้เป็นโลหะเสริมหลังของสายขั้นสูง (BEOL) ได้รับการเปิดเผย โครงสร้างมีชั้นกั้นการเผยแพร่หรือชั้นปิด คลุมที่มีค่าคงตัวไดอิเล็กที่ตำ (k ต่ำ) ชั้นปิดคลุมได้รับ การ ก่อรูปขึ้นมาด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์อสัณฐานที่ผ่านการเติม ไฮโดรเจนและที่ผ่านเดิมไนโตรเจนและ มีค่าคงตัวไดอิเล็กทริก (k) ที่น้อยกว่าประมาณ 5 วิธีการสำหรับการก่อรูปโครงสร้าง การทำให้เป็น โลหะของ BEOL ยังได้รับการเปิดเผยอีกด้วยที่ ซึ่งชั้นปิดคลุมได้รับการทำให้ตกสะสมโดยการใช้ กระบวนการของ การตกสะสมของไอสารเคมีที่เพิ่มพูนด้วยพลาสมา (PE CVD) การ ประดิษฐ์ใช้ได้ดี โดยเฉพาะในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันซึ่ง ประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกที่มี k ต่ำสำหรับ ไดอิเล็กทริกระหว่างชั้น (ILD) และทองแดงสำหรับ ตัวนำ
Claims (1)
1. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันที่ก่อรูปขึ้นมาบนซับเสทรทซึ่งโครงสร้างประกอบรวมด้วย ชั้นไดอิเล็กทริกที่ซ้อนทับซับเทรท ชั้นกำบังแข็งบนชั้นไดอิเล็กทริก ซึ่งชั้นกำบังแข็งดัง กล่าวมีพื้นผิวบนสุด ตัวนำอย่างน้อยที่สุดชนิดซึ่งได้รับการฝังในชั้นไดอิเล็กทริก ดังกล่าวและซึ่งมี พื้นผิวที่เป็นระนาบร่วมกับพื้นผิวบนสุด ของชั้นกำบังแข็งดังกล่าว และ ชั้นปิดคลุมบนตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดดังกล่าวแแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH64573A true TH64573A (th) | 2004-10-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11296026B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| MY134796A (en) | Bilayer hdp cvd / pe cvd cap in advanced beol interconnect structures and method thereof | |
| EP0869544B1 (en) | Method for depositing a diffusion barrier | |
| KR100304343B1 (ko) | 반도체장치및그제조방법 | |
| US20100071941A1 (en) | Dielectric spacers for metal interconnects and method to form the same | |
| US20150262939A1 (en) | Semiconductor Device and Method Of Manufacturing the Same | |
| US20080070396A1 (en) | Group II element alloys for protecting metal interconnects | |
| US8536069B2 (en) | Multilayered low k cap with conformal gap fill and UV stable compressive stress properties | |
| EP0954016A3 (en) | Diffusion barrier for metal conductors | |
| SG135198A1 (en) | Oxygen doped sic for cu barrier and etch stop layer in dual damascene fabrication | |
| TW200518263A (en) | Method for fabricating copper interconnects | |
| US6716744B2 (en) | Ultra thin tungsten metal films used as adhesion promoter between barrier metals and copper | |
| KR101072152B1 (ko) | 배리어 향상을 위한 산소/질소 전이 영역을 포함하는 도금시드층 | |
| TW200729394A (en) | A method of forming a layer over a surface of a first material embedded in a second material in a structure for a semiconductor device | |
| TW200516699A (en) | Integration film scheme for copper/low-k interconnect | |
| TW200705612A (en) | Single mask MIM capacitor and resistor with in trench copper drift barrier | |
| Lee et al. | Diffusion barrier and electrical characteristics of a self-aligned MgO layer obtained from a Cu (Mg) alloy film | |
| TW440937B (en) | Iridium conductive electrode/barrier structure and method for same | |
| WO2009032575A3 (en) | Semiconductor device having reduced single bit fails and a method of manufacture thereof | |
| US8008774B2 (en) | Multi-layer metal wiring of semiconductor device preventing mutual metal diffusion between metal wirings and method for forming the same | |
| US20040251550A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| TH64573A (th) | แบบแผนการรวมสำหรับการทำให้เป็นโลหะของ BEOL ขั้นสูงซึ่งมีชั้นปิดคลุมที่มี k ต่ำและวิธีการของแบบแผนการรวมเหล่านี้ | |
| TW200715466A (en) | Method of forming an electrical isolation associated with a wiring level on a semiconductor wafer | |
| KR100671610B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| TH65154A (th) | ชั้นปิดคลุมสองชั้นจาก hdp cvd/pe cvd ในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของ beol ขั้นสูงและวิธีการของชั้นปิดคลุมสองชั้นเหล่านี้ |