TH64573A - แบบแผนการรวมสำหรับการทำให้เป็นโลหะของ BEOL ขั้นสูงซึ่งมีชั้นปิดคลุมที่มี k ต่ำและวิธีการของแบบแผนการรวมเหล่านี้ - Google Patents
แบบแผนการรวมสำหรับการทำให้เป็นโลหะของ BEOL ขั้นสูงซึ่งมีชั้นปิดคลุมที่มี k ต่ำและวิธีการของแบบแผนการรวมเหล่านี้Info
- Publication number
- TH64573A TH64573A TH301000007A TH0301000007A TH64573A TH 64573 A TH64573 A TH 64573A TH 301000007 A TH301000007 A TH 301000007A TH 0301000007 A TH0301000007 A TH 0301000007A TH 64573 A TH64573 A TH 64573A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- interconnected structure
- dielectric layer
- per
- layer
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (20/03/46) โครงสร้างการทำให้เป็นโลหะเสริมหลังของสายขั้นสูง (BEOL) ได้รับการเปิดเผย โครงสร้างมีชั้นกั้นการแพร่หรือชั้นปิด คลุมที่มีค่าคงตัวไดอิเล็กทริกที่ต่ำ (k ต่ำ) ชั้นปิดคลุมได้รับ การ ก่อรูปขึ้นมาด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์อสัณฐานที่ผ่านการเติม ไฮโดรเจนและที่ผ่านการเติมไนโตรเจนและ มีค่าคงตัวไดอิเล็กทริก (k) ที่น้อยกว่าประมาณ 5 วิธีการสำหรับการก่อรูปโครงสร้าง การทำให้เป็น โลหะของ BEOL ยังได้รับการเปิดเผยอีกด้วยที่ ซึ่งชั้นปิดคลุมได้รับการทำให้ตกสะสมโดยการใช้ กระบวนการของ การตกสะสมของไอสารเคมีที่เพิ่มพูนด้วยพลาสมา (PE CVD) การ ประดิษฐ์ใช้ได้ดี โดยเฉพาะในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันซึ่ง ประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกที่มี k ต่ำสำหรับ ไดอิเล็กทริกระหว่างชั้น (ILD) และทองแดงสำหรับ ตัวนำ โครงสร้างการทำให้เป็นโลหะเสริมหลังของสายขั้นสูง (BEOL) ได้รับการเปิดเผย โครงสร้างมีชั้นกั้นการเผยแพร่หรือชั้นปิด คลุมที่มีค่าคงตัวไดอิเล็กที่ตำ (k ต่ำ) ชั้นปิดคลุมได้รับ การ ก่อรูปขึ้นมาด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์อสัณฐานที่ผ่านการเติม ไฮโดรเจนและที่ผ่านเดิมไนโตรเจนและ มีค่าคงตัวไดอิเล็กทริก (k) ที่น้อยกว่าประมาณ 5 วิธีการสำหรับการก่อรูปโครงสร้าง การทำให้เป็น โลหะของ BEOL ยังได้รับการเปิดเผยอีกด้วยที่ ซึ่งชั้นปิดคลุมได้รับการทำให้ตกสะสมโดยการใช้ กระบวนการของ การตกสะสมของไอสารเคมีที่เพิ่มพูนด้วยพลาสมา (PE CVD) การ ประดิษฐ์ใช้ได้ดี โดยเฉพาะในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันซึ่ง ประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกที่มี k ต่ำสำหรับ ไดอิเล็กทริกระหว่างชั้น (ILD) และทองแดงสำหรับ ตัวนำ
Claims (24)
1. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันที่ก่อรูปขึ้นมาบนซับเสทรทซึ่งโครงสร้างประกอบรวมด้วย ชั้นไดอิเล็กทริกที่ซ้อนทับซับเทรท ชั้นกำบังแข็งบนชั้นไดอิเล็กทริก ซึ่งชั้นกำบังแข็งดัง กล่าวมีพื้นผิวบนสุด ตัวนำอย่างน้อยที่สุดชนิดซึ่งได้รับการฝังในชั้นไดอิเล็กทริก ดังกล่าวและซึ่งมี พื้นผิวที่เป็นระนาบร่วมกับพื้นผิวบนสุด ของชั้นกำบังแข็งดังกล่าว และ ชั้นปิดคลุมบนตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดดังกล่าวและบน ชั้นกำบังแข็งดังกล่าว ซึ่งชั้นปิดคลุมดังกล่าวมีพื้นผิว ด้านล่างสุดที่สัมผัสแบบยึดติดแข็งแรงกับตัวนำกล่าว ที่ ซึ่ง ชั้นปิดคลุมดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาด้วยวัสดุ ซึ่งมีซิลิคอน คาร์บอน ไนโตรเจน และไฮโดรเจน
2. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่ง ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยชั้นรองใน ตัวนำที่ได้รับการจัดวาง ระหว่างตัวนำดังกล่าวและชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าว
3. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่ง ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยชั่นส่งเสริม การยึดติดที่ได้รับการ จัดวางระหว่างชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวและซับสเทรท
4. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ ซึ่งชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวได้รับการ ก่อรูปขึ้นมาด้วย เทอร์โมเซทพอลิเมอร์อินทรีย์ที่มีค่าคงตัวไดอิเล็กทริก ประมาณ 1.8 ถึงประมาณ 3.5
5. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ ซึ่งชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวได้รับการ ก่อรูปขึ้นมาด้วยพอ ลิอะรีลีนอีเธอร์พอลิเมอร์
6. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ ซึ่งวัสดุของชั้นปิดคลุมดังกล่าวเป็น ซิลิคอนคาร์ไบด์อ สัณฐานที่ผ่านการเติมไฮโดรเจนและที่ผ่านการเติมไนโตรเจนและ มีค่าคงตัว ไดอิเล็กทริกที่น้อยกว่าประมาณ 5
7. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ ซึ่งวัสดุของชั้นปิดคลุมดังกล่าว ประกอบรวมด้วย Si ประมาณ 20 ถึงประมาณ 34% โดยอะตอม คาร์บอนประมาณ 12 ถึงประมาณ 34% โดยอะตอม ไนโตรเจนประมาณ 5 ถึงประมาณ 30% โดยอะตอม และ ไฮโดรเจนประมาณ 20 ถึง ประมาณ 50% โดยอะตอม
8. โครงสร้างเชื่อมต่อระะหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ ซึ่งวัสดุของชั้นปิดคลุมดังกล่าว ประกอบรวมด้วย Si ประมาณ 22 ถึงประมาณ 30% โดยอะตอม คาร์บอนประมาณ 15 ถึงประมาณ 30% โดยอะตอม ไนโตรเจนประมาณ 10 ถึงประมาณ 22% โดยอะตอม และ ไฮโดรเจนประมาณ 30 ถึงประมาณ 45% โดยอะตอม
9. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ ซึ่งชั้นกำบังแข็งดังกล่าวได้รับการ ก่อรูปขึ้นมาด้วยวัสดุ ซึ่งมีซิลิกอน คาร์บอน และไฮโดรเจน
10. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ ซึ่งชั้นกำบังแข็งดังกล่าวเป็นซิลิคอน- คาร์ไบต์อสัณฐานที่ ผ่านการเติมไฮโดรเจนและมีค่าคงตัวไดอิเล็กทริกที่น้อยกว่า ประมาณ 5
11. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ ซึ่งวัสดุของชั้นกำบังแข็งดังกล่าว ประกอบรวมด้วย Si ประมาณ 20 ถึงประมาณ 32% โดยอะตอม คาร์บอนประมาณ 20 ถึงประมาณ 40% โดยอะตอม และไฮโดรเจนประมาณ 30 ถึงประมาณ 50% โดยอะตอม
12. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ ซึ่งวัสดุของชั้นกำบังแข็งดังกล่าว ประกอบรวมต่อไปอีกด้วย ออกซิเจนประมาณ 1 ถึงประมาณ 10% โดยอะตอม
13. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ ซึ่งตัวนำดังกล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมา ด้วยทองแดง
14. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันบนซับสเทรทซึ่งโครงสร้าง ประกอบรวมด้วย ชั้นไดอิเล็กทริกที่ซ้อนทับซับสเทรทซึ่งชั้นไดอิเล็กทริก ดังกล่าวมีพื้นผิวบนสุด ตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งได้รับการฝังในชั้นไดอิ เล็กทริกดังกล่าวและซึ่งมี พื้นผิวที่เป็นระนาบร่วมกับพื้น ผิวบนสุดของชั้นกำบังของแข็งดังกล่าว และ ชั้นปิดคลุมบนตัวนำดังกล่าวที่ซึ่งชั้นปิดคลุมดังกล่าวได้ รับการก่อรูปขึ้นมาด้วย วัสดุซึ่งมีซิลิคอน คาร์บอน ไนโตรเจน และไฮโดรเจน
15. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวได้รับการ ก่อรูปขึ้นมาด้วย ซิลิคอนออกซิคาร์ไบต์ (SiCOH) หรือซิลิคอนออกไซด์ที่เตือ ฟลูออรีนซึ่งมีค่าคงตัว ไดอิเล็กทริกประมาณ 2.0 ถึงประมาณ 3.5
16. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ซึ่งประกอบรวมต่อไปอีกด้วยชั้นรองใน ตัวนำที่ได้รับการจัดวาง ระหว่างตัวนำดังกล่าวและชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าว
17. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งวัสดุของชั้นปิดคลุมดังกล่าวเป็น ซิลิคอนคาร์ไบต์อ สัณฐานที่ผ่านการเติมไฮโดรเจนและที่ผ่านการเติมไนโตรเจนและ มีค่าคงตัว ไดอิเล็กทริกที่น้อยกว่าประมาณ 5
18. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งวัสดุของชั้นปิดคลุมดังกล่าว ประกอบด้วย Si ประมาณ 20 ถึงประมาณ 34% โดยอะตอม คาร์บอนประมาณ 12 ถึงประมาณ 34% โดยอะตอม ไนโตรเจนประมาณ 5 ถึงประมาณ 30% โดยอะตอม และ ไฮโดรเจนประมาณ 20 ถึง ประมาณ 50% โดยอะตอม
19. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งวัสดุของชั้นปิดคลุมดังกล่าว ประกอบรวมด้วย Si ประมาณ 22 ถึงประมาณ 30% โดยอะตอม คาร์บอนประมาณ 15 ถึงประมาณ 30% โดยอะตอม ไนโตรเจนประมาณ 10 ถึงประมาณ 22% โดยอะตอม และ ไฮโดรเจนประมาณ 30 ประมาณ 45% โดยอะตอม
20. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ ซึ่งวัสดุของชั้นปิดคลุมดังกล่าว ประกอบรวมด้วยออกซิเจนที่ น้อยกว่า 1 % โดยอะตอมที่พื้นผิวล่างสุด
21. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งวัสดุของชั้นปิดคลุมดังกล่าวมี ความเข้มข้นของไนโตรเจน ความเข้มข้นที่หนึ่งที่พื้นผิวล่างสุดและความเข้ม ข้นของไนโตรเจน ความเข้มข้นที่สองที่กึ่งกลางของชั้นปิด คลุมดังกล่าว และความเข้มข้นของไนโตรเจนความเข้มข้น ที่ หนึ่งมากกว่าความเข้มข้นของไนโตรเจนของความเข้มข้นที่สอง
22. วิธีการสำหรับการก่อรูปโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกัน บนซับสเทรท ซึ่งวิธีการประกอบรวม ด้วยขั้นตอนของ การตกสะสมวัสดุไดอิเล็กทริกบนซับสเทรทด้วยเหตุนี้จึงก่อ รูปชั้นไดอิเล็กทริกขึ้นมาซึ่ง ชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวมี พื้นผิวบนสุด การก่อรูปส่วนเปิดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนในชั้นไดอิ เล็กทริกดังกล่าว การบรรจุส่วนเปิดดังกล่าวด้วยวัสดุตัวนำ ด้วยเหตุนี้จึง ก่อรูปตัวนำขึ้นมาอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิดซึ่งตัวนำดัง กล่าวมีพื้นผิวที่เป็นระนาบร่วมกับพื้นผิวบนสุดของชั้นไดอิ เล็กดังกล่าว และ การตกสะสมวัสดุปิดคลุมบนตัวนำดังกล่าวซึ่งวัสดุปิดคลุมดัง กล่าวมีซิลิคอน คาร์บอน ไนโตรเจน และไฮโดรเจน ด้วยเหตุนี้ จึงก่อรูปชั้นปิดคลุมขึ้นมา
23. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งชั้นปิดคลุมดัง กล่าวได้รับการก่อรูปขึ้นมาโดยวิธีการซึ่ง ประกอบรวมด้วย ขั้นตอนของ การทำความสะอาดซับสเทรทโดยการใช้กระบวนการของการทำความ สะอาดด้วยพลาสมา ซึ่งมีการทำให้ความร้อนซับสเทรทถึง อุณหภูมิประมาณ 150 ํซ ถึงประมาณ 500 ํซ และการเผย ซับสเทรทออก สู่แหล่งกำเนิดของไฮโดรเจนเป็นเวลาประมาณ 5 ถึงประมาณ 500 วินาที และ การตกสะสมวัสดุปิดคลุมโดยการใช้กระบวนการของการตกสะสมของ ไอสารเคมีที่เพิ่มพูน ด้วยพลาสมา (PE CVD) ซึ่งมีการวางซับส เทรทลงในห้องของเครื่องปฏิกรณ์ที่อุณหภูมิประมาณ 150 ํ ซ ถึง ประมาณ 500 ํซ และที่ความดันประมาณ 0.1 ทอร์ ถึงประมาณ 20 ทอร์ การเผยซับสเทรทออกสู่ สารประกอบเมธิลไซเลนอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิด และการใส่กำลัง RF ประมาณ 100 วัตต์ ถึง ประมาณ 700 วัตต์
24. วิธีการสำหรับการรูปโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันบน ซับสเทรท ซึ่งวิธีการประกอบรวม ด้วยขั้นตอนของ การตกสะสมวัสดุไดอิเล็กทริกบนซับสเทรทด้วยเหตุนี้จึง ก่อรูปชั้นไดอิเล็กทริกขึ้นมา การตกสะสมวัสดุกำบังแข็งบนชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าวด้วย เหตุนี้จึงก่อรูปชั้นกำบังแข็งขึ้นมา ซึ่งชั้นกำบังแข็งดัง กล่าวมีพื้นที่ผิวบนสุด การก่อรูปส่วนเปิดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนในชั้นกำบัง แข็งและชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าว การบรรจุส่วนเปิดดังกล่าวด้วยวัสดุตัวนำ ด้วยเหตุนี้จึง ก่อรูปตัวนำขึ้นมาอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิดซึ่งตัวนำดัง กล่าวมีพื้นผิวที่เป็นระนาบกับพื้นผิวบนสุดของชั้นกำบัง แข็งดังกล่าว และ การตกสะสมวัสดุปิดคลุมบนตัวนำดังกล่าวซึ่งวัสดุปิดคลุมดัง กล่าวมีซิลิคอน คาร์บอน ไนโตรเจน และไฮโดรเจน ด้วยเหตุนี้ จึงก่อรู้ชั้นปิดคลุมขึ้นมา
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH64573A true TH64573A (th) | 2004-10-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101124781B1 (ko) | 층간 부착 개선 방법 | |
| US7851384B2 (en) | Method to mitigate impact of UV and E-beam exposure on semiconductor device film properties by use of a bilayer film | |
| JP5567588B2 (ja) | 酸素含有前駆体を用いる誘電体バリアの堆積 | |
| US7915166B1 (en) | Diffusion barrier and etch stop films | |
| US7125813B2 (en) | Method of depositing low K barrier layers | |
| US7091137B2 (en) | Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications | |
| US7229911B2 (en) | Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials | |
| US9219037B2 (en) | Low k porous SiCOH dielectric and integration with post film formation treatment | |
| US20050208758A1 (en) | Dielectric barrier films for use as copper barrier layers in semiconductor trench and via structures | |
| US20130230986A1 (en) | Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials | |
| KR101144535B1 (ko) | 전구체 함유 질소를 사용한 유전 장벽 증착 | |
| US8664109B2 (en) | Advanced low k cap film formation process for nano electronic devices | |
| US7288205B2 (en) | Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications | |
| KR20010075563A (ko) | 실리콘 카바이드 증착 방법 및 배리어 층과 패시베이션층으로써의 용도 | |
| IL162435A0 (en) | Bilayer hdp cvd/pe cvd cap in advanced beol interconnect structure and method | |
| JP4242648B2 (ja) | 金属イオン拡散バリア層 | |
| JP5324734B2 (ja) | 誘電体材料とその製造方法 | |
| CN101211822A (zh) | 具有金属互连的半导体器件及其制造方法 | |
| US20080157375A1 (en) | Semiconductor device having a metal interconnection and method of fabricating the same | |
| JP2005045058A (ja) | 銅拡散バリア性絶縁膜の形成方法およびその絶縁膜 | |
| JP3409006B2 (ja) | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US6632737B1 (en) | Method for enhancing the adhesion of a barrier layer to a dielectric | |
| TH65154A (th) | ชั้นปิดคลุมสองชั้นจาก hdp cvd/pe cvd ในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของ beol ขั้นสูงและวิธีการของชั้นปิดคลุมสองชั้นเหล่านี้ | |
| Lu et al. | Novel Diffusion Barrier with Ultra-Thin Silicon Nitride Cap Layer |