TH65154A - ชั้นปิดคลุมสองชั้นจาก hdp cvd/pe cvd ในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของ beol ขั้นสูงและวิธีการของชั้นปิดคลุมสองชั้นเหล่านี้ - Google Patents
ชั้นปิดคลุมสองชั้นจาก hdp cvd/pe cvd ในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของ beol ขั้นสูงและวิธีการของชั้นปิดคลุมสองชั้นเหล่านี้Info
- Publication number
- TH65154A TH65154A TH301000008A TH0301000008A TH65154A TH 65154 A TH65154 A TH 65154A TH 301000008 A TH301000008 A TH 301000008A TH 0301000008 A TH0301000008 A TH 0301000008A TH 65154 A TH65154 A TH 65154A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cvd
- layer
- covering layers
- dielectric material
- dielectric
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (26/03/46) โครงสร้างการทำให้เป็นโลหะของสายเสริมหลังขั้นสูง (BEOL)ได้รับการเปิดเผย โครง สร้างมีชั้นกั้นการแพร่หรือชั้นปิดคลุมแบบสองชั้น ที่ซึ่งชั้นปิดคลุมชั้นที่หนึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมา ด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกซึ่งถ้าจะให้ดีแล้วควรได้รับการทำให้ตกสะสมโดยกระบวนการของการตก สะสมของไอสารเคมีด้วยพลาสมาความหนาแน่นสูง (HDP CVD) และชั้นปิดคลุมชั้นที่สองได้รับการ ก่อรูปขึ้นมาด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกซึ่งถ้าจะให้ดีแล้วควรได้รับการทำให้ตกสะสมโดยกระบวนการของ การตกสะสมของไอสารเคมีที่เพิ่มพูนด้วยพลาสมา (PE CVD) วิธีการสำหรับการก่อรูปโครงสร้าง การทำให้เป็นโลหะของ BEOL ยังได้รับการเปิดเผยอีกด้วย การประดิษฐ์ใช้ได้ดีโดยเฉพาะในโครง สร้างเชื่อมต่อระหว่างกันซึ่งประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกที่มี k ต่ำสำหรับไดอิเล็กทริกระหว่าง ชั้น (ILD) และทองแดงสำหรับตัวนำ โครงสร้างการทำให้เป็นโลหะของสายเสริมหลังขั้นสูง (BEOL)ได้รับการเปิดเผย โครง สร้างมีชั้นกั้นการแพร่หรือชั้นปิดคลุมแบบสองชั้น ที่ซึ่งชั้นปิดคลุมชั้นที่หนึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมา ด้วยวัสดุ ไดอิเล็กทริกซึ่งถ้าจะใด้ดีแล้วควรได้รับการทำให้ตกสะสมโดยกระบวนการของการตก สะสมของไอสารเคมีด้วยพลาสมาความหนาแน่นสูง (HDP CVD) และชั้นปิดคลุมชั้นที่สองได้รับการ ก่อรูปขึ้นมาด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกซึ่งถ้าจะให้ดีแล้วควรได้รับการทำให้ตกสะสมโดยกระบวนการของ การตกสะสมของไอสารเคมีที่เพิ่มพูนด้วยพลาสมา (PE CVD) วิธีการสำหรับการก่อรูปโครงสร้าง การทำให้เป็นโลหะของ BEOL ยังได้รับการเปิดเผยอีกด้วย การประดิษฐ์ใช้ได้ดีโดยเฉพาะในโครง สร้างเชื่อมต่อระหว่างกันซึ่งประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กทริกที่มี k ต่ำสำหรับไดอิเล็กทริกระหว่าง ชั้น (ILD) และทองแดงสำหรับตัวนำ
Claims (1)
1. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันที่ก่อรูปขึ้นมาบนซับเสทรทซึ่งโครงสร้างประกอบรวมด้วย ชั้นไดอิเล็กทริกที่ซ้อนทับซับเทรท ชั้นกำบังแข็งบนชั้นไดอิเล็กทริกดังกล่าว ซึ่งชั้นกำบังแข็งดังกล่าวมีพื้นผิวบนสุด ตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งได้รับการฝังในชั้น ไดอิเล็กทริกดังกล่าวและซึ่งมี พื้นผิวที่เป็นระนาบร่วมกับพื้นผิวบนสุดของชั้นกำบังแข็งดังกล่าว ชั้นปิดคลุมชั้นที่หนึ่งบนตัวนำอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดดังกล่าวและบนชั้นกำบังแข็ง ดังกล่าว และ ชั้นปิแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65154A true TH65154A (th) | 2004-11-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY134796A (en) | Bilayer hdp cvd / pe cvd cap in advanced beol interconnect structures and method thereof | |
| US7772702B2 (en) | Dielectric spacers for metal interconnects and method to form the same | |
| US9177858B1 (en) | Methods for fabricating integrated circuits including barrier layers for interconnect structures | |
| KR20170129475A (ko) | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| MY132400A (en) | Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same | |
| KR20180115647A (ko) | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 | |
| WO2003019651A3 (en) | Through-via vertical interconnects, through-via heat sinks and associated fabrication methods | |
| WO2006037933A3 (fr) | Procede d'elaboration de structures empilees mixtes, a zones isolantes diverses et/ou zones de conduction electrique verticale localisees | |
| WO2007066277A3 (en) | A method of forming a layer over a surface of a first material embedded in a second material in a structure for a semiconductor device | |
| TW200705612A (en) | Single mask MIM capacitor and resistor with in trench copper drift barrier | |
| TWI376015B (en) | Semiconductor device and semiconductor device production method | |
| US8642470B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| US8008774B2 (en) | Multi-layer metal wiring of semiconductor device preventing mutual metal diffusion between metal wirings and method for forming the same | |
| TW529065B (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US20080246155A1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
| TH65154A (th) | ชั้นปิดคลุมสองชั้นจาก hdp cvd/pe cvd ในโครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของ beol ขั้นสูงและวิธีการของชั้นปิดคลุมสองชั้นเหล่านี้ | |
| TW200715466A (en) | Method of forming an electrical isolation associated with a wiring level on a semiconductor wafer | |
| TW200512926A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR20170002052A (ko) | 투습 방지막과 그 제조 방법 | |
| US20050287787A1 (en) | Porous ceramic materials as low-k films in semiconductor devices | |
| TH64573A (th) | แบบแผนการรวมสำหรับการทำให้เป็นโลหะของ BEOL ขั้นสูงซึ่งมีชั้นปิดคลุมที่มี k ต่ำและวิธีการของแบบแผนการรวมเหล่านี้ | |
| US7951706B2 (en) | Method of manufacturing metal interconnection | |
| KR100725710B1 (ko) | 박막 형성 방법 | |
| US9754879B2 (en) | Integrated circuitry | |
| US7414315B2 (en) | Damascene structure with high moisture-resistant oxide and method for making the same |