TH63995A - แผงผังวงจรรวมทางไฟฟ้า/ทางแสงที่ใช้การเชื่อมยึดด้วยทองแดงโดยตรง - Google Patents

แผงผังวงจรรวมทางไฟฟ้า/ทางแสงที่ใช้การเชื่อมยึดด้วยทองแดงโดยตรง

Info

Publication number
TH63995A
TH63995A TH201004661A TH0201004661A TH63995A TH 63995 A TH63995 A TH 63995A TH 201004661 A TH201004661 A TH 201004661A TH 0201004661 A TH0201004661 A TH 0201004661A TH 63995 A TH63995 A TH 63995A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
optical
wafer
center
contact pads
contact
Prior art date
Application number
TH201004661A
Other languages
English (en)
Other versions
TH43131B (th
Inventor
เจ แวนเด็นท๊อป กิวรอย
เฟย เช็ง จุน
Original Assignee
นางสาวจุฑาจิต ศรีประสาธน์
นางอนงค์ สีหพันธุ์
นายธนพัฒน์ ผู้พัฒน์
นายรัชพงษ์ ทองดีแท้
อินเทล คอร์ปอเรชั่น
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวจุฑาจิต ศรีประสาธน์, นางอนงค์ สีหพันธุ์, นายธนพัฒน์ ผู้พัฒน์, นายรัชพงษ์ ทองดีแท้, อินเทล คอร์ปอเรชั่น filed Critical นางสาวจุฑาจิต ศรีประสาธน์
Publication of TH63995A publication Critical patent/TH63995A/th
Publication of TH43131B publication Critical patent/TH43131B/th

Links

Abstract

DC60 (21/10/57) ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำทางไฟฟ้า-แสง และวิธีการประกอบจะจัดให้มีสมรรถภาพที่เพิ่มขึ้น วงจร รวม (IC) ที่มีแผ่นสัมผัส IC หนึ่งตัวหรือมากกว่าจะถูกจัด ให้มีขึ้น โดยที่แผ่นสัมผัส IC จะถูก เชื่อมต่อกับ IC บนเวเฟอร์ IC เวเฟอร์กึ่งกลางที่มีแผ่นสัมผัสกึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมาก กว่าจะถูกจัดให้ มีขึ้น โดยที่แผ่นสัมผัสกึ่งกลางจะถูก เชื่อมต่อกับตัวจัดการทางไฟฟ้า-ทางแสงบนเวเฟอร์กึ่งกลาง วิธีการจัดให้การเชื่อมยึดแผ่นสัมผัส IC ด้วย ทองแดงโดยตรงกับแผ่นสัมผัสกึ่งกลางที่อยู่ชิดกันขึ้น เพิ่มเติมในลักษณะ ที่ทำให้ได้ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำทางไฟฟ้า-ทางแสง ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำทางไฟฟ้า-แสง และวิธีการประกอบที่จัดให้มีสมรรถภาพที่เพิ่มขึ้น มี เปิดเผยในการประดิษฐ์นี้ วงจร รวม (IC) ที่มีแผ่นสัมผัส IC หนึ่งตัวหรือมากกว่า จะถูกจัด ให้มีขึ้น โดย ที่แผ่นสัมผัส IC จะถูกเชื่อมต่อกับ IC บนเวเฟอร์ IC เวเฟอร์กึ่งกลางที่มีแผ่นสัมผัสกึ่งกลางหนึ่งตัว หรือมาก กว่าจะถูกจัดให้มีขึ้น โดยที่แผ่นสัมผัสกึ่งกลางจะถูก เชื่อมต่อกับตัวจัดการทางไฟฟ้า-ทางแสง บนเวเฟอร์กึ่งกลาง วิธีการจัดให้มีต่อไปสำหรับการเชื่อมยึดแผ่นสัมผัส IC ด้วย ทองแดงโดยตรงกับ แผ่นสัมผัสกึ่งกลางที่อยู่ชิดกัน ในลักษณะ ที่ทำให้ได้ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำทางไฟฟ้า-ทางแสง

Claims (30)

1. วิธีการประกอบชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำทางไฟฟ้า-ทางแสง,วิธีการประกอบด้วย การจัดให้มีเวเฟอร์ของวงจรรวม (IC) ที่มีแผ่นสัมผัส IC หนึ่งตัวหรือมากกว่า โดยแผ่น สัมผัส IC จะถูกเชื่อมต่อกับ IC บนเวเฟอร์ IC การจัดให้มีเวเฟอร์กึ่งกลางที่มีแผ่นสัมผัสกึ่งกลางหนึ่ง ตัวหรือมากกว่า โดยแผ่นสัมผัสกึ่ง กลางจะถูกเชื่อมต่อกับตัว จัดการทางไฟฟ้า-ทางแสงบนเวเฟอร์กึ่งกลาง และ การเชื่อมยึดแผ่นสัมผัส IC ด้วยทองแดงโดยตรงกับแผ่นสัมผัส กึ่งกลางที่อยู่ชิดกัน โดย จะทำให้ได้ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำ ทางไฟฟ้า-ทางแสง
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่รวมต่อไปถึง การทำความสะอาดแผ่นสัมผัส การจัดวางแผ่นสัมผัl IC ชิดกับแผ่นสัมผัสกึ่งกลางในสภาพแวด ล้อมที่ต้านทานต่อ ออกซิเดชันที่มีอุณหภูมิที่อยู่ล้อมรอบตาม ที่กำหนดไว้ล่วงหน้า, และ การดันแผ่นสัมผัส IC เข้าไปสัมผัสโดยตรงกับแผ่นสัมผัสกึ่ง กลางที่อยู่ชิดกัน ที่ความดัน ตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้า ซึ่ง ทำให้เกิดการเชื่อมยึดด้วยทองแดงโดยตรง
3. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่รวมต่อไปถึง การทำความ สะอาดแผ่นสัมผัสในถังอาบที่มี กรด
4. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่รวมต่อไปถึงการจัดวาง แผ่นสัมผัส IC ชิดกับแผ่นสัมผัสกึ่ง กลางในสภาพแวดล้อมของ ไนโตรเจน
5. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่รวมต่อไปถึง การจัดวางตัวนำทางคลื่นถายในเวเฟอร์กึ่งกลาง การกำหนดตำแหน่งตัวเชื่อมต่อทางแสงชิดกับตัวนำทางคลื่นภาย ในเวเฟอร์กึ่งกลาง โดย ตัวเชื่อมต่อจะสามารถส่งสัญญาณทางแสง และแผ่นสัมผัสกึ่งกลางจะสามารถส่งสัญญาณไฟฟ้า และ การกำหนดตำแหน่งตัวแปลงผันทางไฟฟ้า-ทางแสง ระหว่างตัว เชื่อมต่อทางแสงและ แผ่นกึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมากกว่า โดยตัว แปลงผันจะสามารถแปลงผันระหว่างสัญญาณทางแสงและ สัญญาณไฟฟ้า ได้
6. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่รวมต่อไปถึงการกำหนด ตำแหน่งตัวตรวจวัดทางแสง ระหว่างตัวเชื่อมต่อทางแสงและแผ่น กึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมากกว่า โดยตัวตรวจวัดจะสามารถแปลงผัน สัญญาณทางแสงไปเป็นสัญญาณไฟฟ้า
7. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่รวมต่อไปถึงการกำหนด ตำแหน่งอิมิตเตอร์ทางแสง ระหว่างตัวเชื่อมต่อทางแสงและแผ่น กึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมากกว่า โดยอิมิเตอร์จะสามารถทำการ แปลงสัญญาณไฟฟ้าไปเป็นสัญญาณทางแสง
8. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่รวมต่อไปถึงการยืดขยายรู ทะลุผ่านเวเฟอร์กึ่งกลางไปยัง แผ่นสัมผัสกึ่งกลางหนึ่งตัว หรือมากกว่า
9. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่รวมต่อไปถึง การเชื่อมต่อชั้นปลดปล่อยกับพื้นผิวของเวเฟอร์กึ่งกลาง และ การเชื่อมต่อแฮนเดิลเข้ากับชั้นปลดปล่อย
10. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่รวมต่อไปถึงการแยกชั้น ปลดปล่อยออกไป หลังจากการ เชื่อมยึดแผ่นสัมปัส IC ด้วยทอง แดงโดยตรงกับแผ่นสัมผัสกึ่งกลาง
11. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 10 ที่รวมต่อไปถึงการกัดผิว ชั้นปลดปล่อยออก
12. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่รวมต่อไปถึงการสามารถ แปลงผันระหว่างสัญญาณทาง แสงและสัญญาณนาฬิกา
13. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่รวมต่อไปถึงการสามารถ แปลงผันระหว่างสัญญาณทาง แสง และสัญญาณอินพุท/เอาท์พุท (I/O)
14. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่รวมต่อไปถึงการจัดให้ มีเวเฟอร์ของตัวประมวลผล คอมพิวเตอร์ ที่มีแผ่นสัมผัส IC หนึ่งตัวหรือมากกว่า
15. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่รวมต่อไปถึงการจัดให้มี ตัวสอดแทรกชิพที่เป็นเวเฟอร์กึ่งกลาง
16. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่รวมต่อไปถึงการจัดให้มี โฮสท์เวเฟอร์ที่เป็นเวเฟอร์กึ่งกลาง
17. วิธีการประกอบเวเฟอร์กึ่งกลาง ที่ซึ่งวิธีการประกอบ ด้วย การจัดวางตัวนำทางคลื่นภายในเวเฟอร์กึ่งกลาง การกำหนดตำแหน่งตัวเชื่อมต่อทางแสงชิดกับตัวนำทางคลื่นภาย ในเวเฟอร์กึ่งกลาง โดย ตัวเชื่อมต่อจะสามารถส่งสัญญาณทางแสง และแผ่นสัมผัสกึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมากกว่าของเวเฟอร์ กึ่ง กลาง จะสามารถส่งสัญญาณไฟฟ้าได้, และ การกำหนดตำแหน่งตัวแปลงผันทางไฟฟ้า-ทางแสง ระหว่างตัว เชื่อมต่อทางแสงและ แผ่นสัมผัสกึ่งกลาง โดยตัวแปลงผันจะ สามารถแปลงผันระหว่างสัญญาณทางแสงและสัญญาณ ไฟฟ้า ได้
18. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่รวมต่อไปถึงการกำหนด ตำแหน่งตัวตรวจวัดทางแสง ระหว่างตัวเชื่อมต่อทางแสงและแผ่น กึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมากกว่า โดยตัวตรวจวัดจะสามารถแปลงผัน สัญญาณทางแสงไปเป็นสัญญาณไฟฟ้า
19. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่รวมต่อไปถึงการกำหนด ตำแหน่งอิมิตเตอร์ทางแสง ระหว่างตัวเชื่อมต่อทางแสงและแผ่น กึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมากกว่า โดยอิมิเตอร์จะสามารถแปลงผัน สัญญาณไฟฟ้าไปเป็นสัญญาณทางแสงได้
20. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่รวมต่อไปถึง การเชื่อมต่อชั้นปลดปล่อนกับพื้นผิวเวเฟอร์กึ่งกลาง และ การเชื่อมต่อแฮนเดิลเข้ากับชั้นปลดปล่อย
21. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่รวมต่อไปถึงการแยกชั้น ปลดปล่อย ภายหลังจากการเชื่อมยึด แผ่นสัมปัส IC หนึ่งตัวหรือ มากกว่าด้วยทองแดงโดยตรงกับแผ่นสัมผัสกึ่งกลาง
22. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 21 ที่รวมต่อไปถึงการกัดผิว ชั้นปลดปล่อยออกไป
23. วิธีการประกอบชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำทางไฟฟ้า-ทางแสง วิธีการประกอบด้วย การจัดให้มีเวเฟอร์ตัวประมวลผลที่มีแผ่นสัมผัส IC หนึ่งตัว หรือมากกว่า โดยแผ่นสัมผัส IC จะถูกเชื่อมต่อกับตัวประมวล ผลของคอมพิวเตอร์บนเวเฟอร์ตัวประมวลผล การเชื่อมต่อชั้นปลดปล่อยเข้ากับพื้นผิวของเวเฟอร์กึ่งกลาง การเชื่อต่อแฮนเดิลเข้ากับชั้นปลดปล่อย การจัดวางตัวนำทางคลื่นภายในเวเฟอร์กึ่งกลาง การกำหนดตำแหน่งตัวเชื่อมต่อทางแสงชิดกับตัวนำทางคลื่นภาย ในเวเฟอร์กึ่งกลาง โดย ตัวเชื่อมต่อจะสามารถรับสัญญาณทางแสง จากตัวนำทางคลื่นได้ การกำหนดตำแหน่งตัวตรวจวัดทางแสง ระหว่างตัวเชื่อมต่อทางแส งดและแผ่นสัมผัสกึ่ง กลางหนึ่งตัวหรือมากกว่า โดยตัวตรวจวัด ทางแสงจะสามารถส่งสัญญาณทางไฟฟ้าไปยังแผ่นสัมผัส กึ่งกลาง บนพื้นฐานของสัญญาณทางแสงได้ การทำความสะอาดแผ่นสัมผัสในถังอาบที่มีกรด การจัดวางแผ่นสัมผัส IC ชิดกับแผ่นสัมผัสกึ่งกลางในสภาพแวด ล้อมที่ต้านทาง ออกซิเดชัน ที่มีอุณหภูมิที่อยู่ล้อมรอบตาม ที่กำหนดไว้ล่วงหน้า และ การดันแผ่นสัมผัส IC เข้าไปสัมผัสโดยตรงกับแผ่นสัมผัสกึ่ง กลางที่ความดันตามที่ กำหนดไว้ล่วงหน้า เพื่อที่จะทำให้เกิด ส่วนเชื่อมยึดด้วยทองแดงโดยตรง
24. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่รวมต่อไปถึงการแยกชั้น ปลดปล่อยออก ภายหลังการ เชื่อมยึดแผ่นสัมผัส IC ด้วยทองแดง โดยตรงกับแผ่นสัมผัสกึ่งกลาง
25. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 24 ที่รวมต่อไปถึงการกัดผิว ชั้นปลดปล่อยออก
26. ชุดบรรจุสารกึ่งตัวนำทางไฟฟ้า-ทางแสงประกอบด้วย เวเฟอร์วงจรรวม (IC) ที่มีแผ่นสัมผัส IC หนึ่งตัวหรือมาก กว่า โดยแผ่นสัมผัส IC จะ ถูกเชื่อมต่อกับ IC บนเวเฟอร์ IC เวเฟอร์กึ่งกลางที่มีแผ่นสัมผัสกึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมาก กว่า โดยแผ่นสัมผัสกึ่งกลางจะถูก เชื่อมต่อกับตัวจัดการทาง ไฟฟ้า-ทางแสงบนเวเฟอร์กึ่งกลาง และ แผ่นสัมผัสดังกล่าวประกอบกันขึ้นเป็นส่วนเชื่อมยึดด้วยทอง แดงโดยตรงจำนวนหนึ่ง
27. ชุดบรรจุของข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่ง ตัวจัดการทาง ไฟฟ้า-ทางแสง ของเวเฟอร์กึ่งกลาง รวมถึง ตัวนำทางคลื่นที่ถูกจัดวางภายในเวเฟอร์กึ่งกลาง ตัวเชื่อมต่อทางแสงที่ถูกกำหนดตำแหน่งชิดกับตัวนำทางคลื่น ภายในเวเฟอร์กึ่งกลาง โดยตัวเชื่อมต่อจะสามารถรับสัญญาณทาง แสงตัวตัวนำทางคลื่นได้ และ ตัวตรวจวัดทางแสงที่ถูกกำหนดตำแหน่งระหว่างตัวเชื่อมต่อทาง แสงและแผ่นสัมผัสกึ่ง กลางหนึ่งตัวหรือมากกว่า โดยตัวตรวจ วัดทางแสงจะสามารถส่งสัญญาณทางไฟฟ้าไปยังแผ่นสัมผัส กึ่ง กลางได้ บนพื้นฐานของสัญญาณทางแสง
28. ชุดบรรจุของข้อถือสิทธิข้อ 27 ที่ซึ่งเวเฟอร์กึ่งกลาง จะรวมต่อไปถึงรูทะลุที่ยืดขยายผ่าน เวเฟอร์กึ่งกลางไปยัง แผ่นสัมผัสกึ่งกลางหนึ่งตัวหรือมากกว่า
29. ชุดบรรจุของข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่รวมต่อไปถึง ชั้นปลดปล่อยที่ถูกเชื่อมต่อกับผิวหน้าของเวเฟอร์กึ่งกลาง และ แฮนเดิลที่ถูกเชื่อมต่ออยู่กับชั้นปลดปล่อย
30. ชุดบรรจุของข้อถือสิทธิข้อ 29 ที่ซึ่งแฮนเดิลสามารถถอด ออกไปได้โดยการกัดผิวชั้น ปลดปล่อยออกไป
TH201004661A 2002-12-12 แผงผังวงจรรวมทางไฟฟ้า/ทางแสงที่ใช้การเชื่อมยึดด้วยทองแดงโดยตรง TH43131B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH63995A true TH63995A (th) 2004-09-10
TH43131B TH43131B (th) 2015-03-06

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7826694B2 (en) Electrical/optical integration scheme using direct copper bonding
CN101217156B (zh) 电子元件与cmos图像传感器的芯片级封装及制造方法
TWI761691B (zh) 用於pic晶粒之探針以及相關測試組件與方法
US6127833A (en) Test carrier for attaching a semiconductor device
JP3511389B2 (ja) チップ・パッケージ
JP6282682B2 (ja) 垂直集積システム
KR101436980B1 (ko) 브릿지 인터포저를 갖는 반도체 패키지
KR910004506B1 (ko) 반전 칩 캐리어
US8938136B2 (en) Opto-electronic system having flip-chip substrate mounting
TW200306653A (en) Integrated optoelectrical circuit package with optical waveguide interconnects
US20160141279A1 (en) METHODS FOR PERFORMING EXTENDED WAFER-LEVEL PACKAGING (eWLP) AND eWLP DEVICES MADE BY THE METHODS
CN110010511A (zh) 一种射频芯片系统级封装模组的测试方式
TW201137425A (en) Device for converting signal
TH43131B (th) แผงผังวงจรรวมทางไฟฟ้า/ทางแสงที่ใช้การเชื่อมยึดด้วยทองแดงโดยตรง
US20250096142A1 (en) Electro-optic bridge chips for chip-to-chip communication
CN116088113B (zh) 一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法
JP2560456B2 (ja) 半導体チップの実装構造
US20080296520A1 (en) Optical coupling device
CN116953862A (zh) 一种3d封装的光收发组件及其使用方法
US7759753B2 (en) Integrated circuit die, integrated circuit package, and packaging method
KR0182510B1 (ko) 탭 테이프를 적용한 칩 스케일 패키지
US20250149516A1 (en) Semiconductor package
CN116013918B (zh) 一种地质勘探传感器装置及其制造方法
US20250149520A1 (en) Semiconductor package
JP2011216629A (ja) 光モジュール用評価装置及びその製造方法