Claims (8)
1. วิธีการทำหัว MR ที่รวมกันซึ่งมีส่วนบนและส่วนล่าง ส่วนบนและส่วนล่างของหัว MR ที่รวมกันถูกหุ้มเป็นบางส่วนโดยพื้นผิวแบริ่งอากาศ (ABS) วิธีการนี้ประกอบด้วยขั้นตอนของ การพอกอย่างน้อยที่สุดชั้นแม่เหล็กหนึ่งชั้นให้เกิดเป็นชั้นกำลังที่สอง S2 ของหัว MR และชิ้นขั้วด้านล่าง P1 ซึ่งยื่นออกไปจากพื้นผิวแบริ่งอากาศ (ABS) ไปถึงและรวมทั้งช่องว่างด้านหลัง ชิ้นขั้วด้านล่าง P1 มีส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดซึ่งยื่นไปอยู่ระหว่าง ABS กับระดับคอศูนย์ การพอกชั้นแม่เหล็กอีกชั้นหนึ่ง เพื่อให้เกิดเป็นชิ้นขั้วด้านบนอยู่เหนือชิ้นขั้วด้านล่าง P1 จาก ABS ไปถึงและรวมทั้งช่องว่างด้านหลัง ชิ้นขั้วด้านบน P2 ถูกสร้างให้มีส่วนประกอบปลายขั้วที่กำหนด PT2 ซึ่งยื่นไปอยู่ระหว่าง ABS กับระดับคอศูนย์และซึ่งมีผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สองและ การส่องลำไอออนอย่างน้อยหนึ่งลำไปที่ส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดของชิ้นขั้วด้านล่าง P1 เป็นมุม 0 กับผนังของส่วนประกอบปลายขั้วที่กำหนด PT2 การใช้ส่วนประกอบขั้วที่กำหนดPT2 เป็นหน้ากาก เพื่อทำรอยบากในแนวดิ่งบนชิ้นขั้วด้านล่างP1 บนแต่ละข้างของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 เพื่อทำให้เกิดเป็นชิ้นขั้วด้านล่าง P1 ให้เป็นส่วนประกอบปลายขั้ว PTlaและ PTlb ส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb เป็นฐานเทียบกัยชิ้นขั้วด้านล่าง P1 และมีผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สอง ซึ่งอยู่ตรงแนวกับผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สองตามลำดับของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งประกอบด้วย ก่อนหน้าขั้นตอนการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำไปที่ส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดของชิ้นขั้วด้านล่าง P1, การพอกหน้ากากต้านแสงบนด้านบนของชิ้นขั้วด้านบน P2 การจัดให้มีช่องเปิดในหน้ากากด้านแสง ซึ่งเผยส่วนประกอบปลายขั้วที่กำหนด PT2 และพื้นที่บนแต่ละด้านของมัน เพื่อให้ส่วนประกอบปลายขั้วที่กำหนด PT2 สามารถทำหน้าที่เป็นหน้ากากสำหรับขั้นตอนของการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำไปที่ส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดของชิ้นขั้วด้านล่าง P1 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งประกอบด้วย ก่อนหน้าของการพอกชั้นแม่เหล็กชั้นหนึ่งดังกล่าว ให้มีการพอกชั้นช่องว่าง G บนด้านบนของอย่างน้อยที่สุดชั้นแม่เหล็กหนึ่งชั้นดังกล่าวเพื่อปิดคลุมส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดของชิ้นขั้วด้านกล่าง P1 ขั้นตอนการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำซึ่งรวมถึงการส่องลำไอออนไปที่ชั้นช่องว่าง G ก่อนหน้าการส่องลำไอออนไปที่ส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดของชิ้นขั้วด้านล่าง P1, และ ขั้นตอนของการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำที่ทำให้มีชั้นช่องว่า G พร้อมด้วยผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สองซึ่งอยู่ตรงแนวกับผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สองของส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb และ PT2 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งประกอบด้วย ก่อนหน้าขั้นตอนการพอกชั้นแม่เหล็กชั้นหนึ่งดังกล่าวให้มีการพอกชั้นช่องว่าง G บนด้านบนของอย่างน้อยชั้นแม่เหล็กหนึ่งชั้นดังกล่าวเพื่อปิดคลุมส่วนปลายชั้นที่ไม่ได้กำหนดของชิ้นขั้วด้านล่าง P1, ขั้นตอนของการพอกชั้นช่องว่าง G เพื่อจัดให้เป็นชั้นช่องว่างโดยมีความหนา g ในช่วง 0.1 um ถึง 0.7 um ที่ ABS; และ ความยาวของส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb ที่ ABS มีค่าประมาณ 2g 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนของการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำซึ่งประกอบด้วยการส่องลำไอออนเดี่ยวเป็นมุมเดี่ยว 0 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งประกอบด้วย : ขั้นตอนของการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำซึ่งประกอบด้วยการส่องลำไอออนที่หนึ่งและที่สองลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งอยู่ในพิสัยของ 0 องศา น้อยกว่า0 น้อยกว่า60 องศา และ ลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งอยู่ในพิสัยของ 60 องศา น้อยกว่า85องศา 7.วิธีการตามข้อถือสิทธิ 6 ซึ่งประกอบด้วย : ลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งอยู่ในพิสัยของ 20 องศา น้อยกว่า 0องศา น้อยกว่า 40 องศา 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 6 ซึ่งประกอบด้วย ลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งมีค่าเป็น 30 องศา, และ ลำไอออนที่สองทำมุม 0 ซึ่งมีค่าเป็น 75 องศา 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการส่องน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำที่ลดความหนาของชั้นปลายขั้ว PT2 และ ขั้นตอนในการพอกส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 ซึ่งรวมถึงการพอกชั้นปลายขั้วด้วยความหนาที่เพิ่มขึ้น ความหนาที่เพิ่มขึ้นเป็นการลดลงของความหนาของส่วนประกอบ PT2 อันเนื่องจากขั้นตอนการส่องลำไอออนอย่างน้อยหนึ่งลำ 1 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 9 ซึ่งประกอบด้วย ก่อนหน้าขั้นตอนของการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำ,การพอกหน้ากากไปบนชิ้นขั้วด้านบน P2 ระหว่างระดับคอศูนย์กับช่องว่างด้านหลังเหลือส่วนหน้าต่างระหว่าง ABS กับระดับคอศูนย์ให้เผยส่วนประกอบปลายขั้วที่กำหนด PT2 และพื้นที่ด้านข้างแต่ละด้าน 1 1. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 10 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนของการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำซึ่งประกอบด้วยการส่องลำไอออนลำเดี่ยวเป็นมุมเดี่ยว 0 และ มุม 0 อยู่ในพิสัย 0 องศา น้อยกว่า 0น้อยกว่า60 องศา 1 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 10 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนของการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำซึ่งประกอบด้วยการส่องลำไอออนที่หนึ่งและที่สอง ลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งอยู่ในพิสัยของ 20 องศา น้อยกว่า0 น้อยกว่า40 องศา และ ลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งอยู่ในพิสัยของ 65 องศา น้อยกว่า0 น้อยกว่า85 องศา 1 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 12 ซึ่งประกอบด้วย ลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งมีค่าเป็น 30 องศา, และ ลำไอออนที่สองทำมุม 0 ซึ่งมีค่าเป็น 75 องศา 1 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 10 ซึ่งประกอบด้วย ก่อนหน้าขั้นตอนของการพอกชั้นแม่เหล็กอีกชั้นหนึ่งดังกล่าว, การพอกชั้นช่องว่าง G บนด้านบนของชั้นแม่เหล็กอย่างน้อยหนึ่งชั้นดังกล่างเพื่อปกคลุมส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดของชิ้นขั้วด้านล่าง P1 ขั้นตอนของการพอกชั้นช่องว่าง G ให้ได้ชั้นความหนาที่ทำให้เกิดชั้นช่องว่าง Gที่มีความยาวเป็น g ที่ ABS; และ ความยาวของส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb ที่ ABS มีค่าเป็น 2g 1 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 14 ซึ่งประกอบด้วย ลำไอออนที่หนึ่งและที่สองซึ่งถูกส่องไปพร้อมๆ กัน 1 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 14 ซึ่งประกอบด้วย ลำไอออนที่หนึ่งและที่สองซึ่งถูกส่องเรียงต่อกัน 1 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 16 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำซึ่งประกอบด้วยการวางชิ้นขั้วด้านล่าง P1 ที่มีชั้นพอกอยู่บนนั้นไว้ในห้องกัดเซาะด้วยลำไอออน และการหมุนชิ้นขั้วด้านล่าง P1พร้อมชั้นพอกบนนั้นด้วยความเร็วรอบคงที่ในขณะที่สองลำไอออนไปที่ชิ้นขั้วด้านล่าง P1 และชั้นพอกบนนั้น 1 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 17 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการพอกชั้นช่องว่าง 6 รวมถึงการจัดให้มีชั้นช่องว่าง G ที่มีความยาว g อยู่ในพิสัย 0.1 um ถึง 0.7 um; ขั้นตอนในการพอกส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 พร้อมด้วยชั้นความหนาประมาณ 7 um ขั้นตอนในการส่องอย่างน้อยที่สุดไอออนหนึ่งลำรวมถึงการทำ รอยบากบนชิ้นขั้วด้านล่าง P1 ให้แต่ละรอยบากลึกประมาณ 0.7uท และชั้นฐานสูงประมาณ 0.7 um ; และ ขั้นตอนในการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำซึ่งจะลดความหนาของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 ประมาณ 2 um 1 9. วิธีการทำหัว MR ที่รวมกันซึ่งมีหัวอ่าน MR และหัวเขียนหัวอ่าน MR ประกอบด้วยชั้นกำลังที่หนึ่งและที่สอง S1และ S2, ชั้นช่องว่างที่หนึ่งและที่สอง G1 และ G2 ซึ่งถูกบีบอยู่ระหว่างชั้นกำลังที่หนึ่งและที่สอง S1 และ S2 และส่วนประกอบ MR ซึ่งถูกบีบอยู่ระหว่างชั้นช่องว่างที่หนึ่งและที่สอง G1 และ G2, และหัวเขียนประกอบด้วยชิ้นขั้วด้านล่างและด้านบน P1 และ P2 ซึ่งยื่นจากพื้นผิวแบริ่งอากาศ(ABS) ไปถึงและรวมทั้งช่องว่างด้านหลัง, ชิ้นขั้วด้านล่างP1ซึ่งประกอบด้วยชั้นกำบังที่สอง S 2. ชิ้นขั้วด้านล่าง P1ที่มีส่วนประกอบปลายขั้ว PTla และ PTlb ซึ่งยื่นอยู่ระหว่าง ABS กับระดับคอศูนย์ และชิ้นขั้วด้านบน P2ที่มีส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 ซึ่งยื่นอยู่ระหว่าง ABS กับระดับคอศูนย์, ส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb เป็นส่วนฐานเทียบกับชั้นกำลังที่สอง S 2. ชิ้นขั้วด้านล่าง P1 และส่วนประกอบปลายขั้ว PTla, ชั้นกำบังที่สอง S2 ซึ่งประกอบด้วยส่วนประกอบปลายขั้ว PTla และ PTlb, ชั้นช่องว่าง G ซึ่งถูกบีบอยู่ระหว่างส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb กับ PT2, และส่วนประกอบปลายขั้ว PT2, ชั้นช่องว่าง G และ ส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb ต่างก็มีผนังข้าวแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สอง ผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2, ชั้นช่องว่าง G และส่วนประกอบปลายขั้ว PTbl วางตัวติดต่อกันอยู่ในระนาบแนวดิ่งที่หนึ่งและผนังข้างแนวดิ่งที่สองของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2, ชั้นช่องว่าง Gและส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb วางตัวติดต่อกันอยู่ในระนาบดิ่งที่สอง ระนาบดิ่งที่หนึ่งและที่สองตั้งฉากกับ ABS และอยู่ห่างจากกันที่ ABS เป็นระยะห่าง W ทำให้เกิดเป็นความกว้างแทร์กของหัว MR ที่รวมกัน วิธีการในการทำประกอบด้วย การพอกชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งจาก ABS ไปถึงและรวมถึงช่องว่างด้านหลังเพื่อให้เกิดเป็น (1) ชั้นกำบังที่สอง S2 ของหัวอ่าน MR และ (2) ชิ้นขั้วด้านล่าง P1 พร้อมด้วยส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดระหว่าง ABS กับระดับ คอศูนย์ และส่วนหลังระหว่างระดับคอศูนย์กับช่องว่างหลัง การพอกชั้นช่องว่าง G บนด้านบนของชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งจากABS ถึงระดับคอศูนย์ การพอกชั้นแม่เหล็กที่สองไปบนด้านบนของชั้นช่องว่าง G และเหนือชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งเพื่อให้เกิดเป็นชิ้นขั้วด้านบนP2 พร้อมด้วยส่วนประกอบปลายขั้วที่กำหนดแล้ว PT2 ซึ่งมีผนังข้างที่หนึ่งและที่สอง, และ การส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำไปบนพื้นที่ของส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนดของชิ้นขั้วด้านล่าง P1 ในทิศทางขนานกับ ABS และทำมุม 0 กับผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สองของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 โดยการใช้ส่วนประกอบปลายขั้วPT2 เป็นหน้ากากในการทำรอยบากบนชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งบนแต่ละข้างของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 รอยบากทำให้เกิดส่วนฐานในแนวดิ่งบนชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งส่วนฐานแนวดิ่งเป็นส่วน ประกอบปลายขั้ว PTlb และทำให้ส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb มีผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สอง และชั้นแม่เหล็กหักออกด้วยส่วนฐานระหว่าง ABS กับระดับคอศูนย์ ประกอบด้วยส่วนประกอบปลายขั้ว PTla, ผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งของส่วนปลายขั้ว PTlb และ PT2 อยู่ตรงแนวกับระนาบดิ่งที่หนึ่งและผนังข้างที่สองของส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb และ PT2 อยู่ตรงกันในระนาบดิ่งที่สอง, ระนาบดิ่งที่หนึ่งและที่สองตั้งฉากกับ ABS และอยู่ห่างจากกันที่ ABSเพื่อให้เกิดเป็นแทร์กความกว้าง W ของหัว MR ที่รวมกัน 2 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 19 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำซึ่งรวมถึงการส่องลำไอออนไปที่ชั้นช่องว่าง G ก่อนการส่องลำไอออนไปที่ส่วนปลายขั้วที่ไม่ได้กำหนด, และ ขั้นตอนในการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำเพื่อทำให้เป็นชั้นช่องว่าง G พร้อมด้วยผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สองซึ่งอยู่ตรงกันกับผนังข้างแนวดิ่งที่หนึ่งและที่สองของส่วนประกอบขั้ว PTlb และ Pt2 21.How to do a combined MR head with upper and lower parts. The upper and lower parts of the combined MR head are partially shrouded by an air bearing surface (ABS). The masking, at least one magnetic layer, forms the S2 second power layer of the MR head and the bottom terminal element P1, extending from the air bearing surface (ABS) to and including the rear gap. Lower terminal block P1 has an undefined terminal end that extends between the ABS and the zero neck level. Masking of another magnetic layer To form a piece, the top terminal is above the bottom terminal piece, P1 from the ABS to and including the gap at the back. The terminal block above P2 is constructed with a PT2-designated terminal block that extends between the ABS and the center neck, and which has the first and second vertical sidewalls and At least one ion beam at the indeterminate terminal of the lower electrode, P1 is angle 0 to the wall of the designated terminal component, PT2. Using the PT2 designated terminal component as a mask to make a notch in the line. Plummet on the bottom terminal piece, P1. On each side of the PT2 terminal block to form the bottom terminal element, P1 to form the PTla and PTlb terminal block assembly. The PTlb terminal block assembly is the base against the P1 bottom terminal block and has the first and second vertical sidewalls. Which are aligned with the first and second vertical sidewalls, respectively, of the PT2 terminal end components. 2. Method of claim 1 consisting of Prior to the emission procedure, at least one ion beam to the indeterminate terminal end of the lower electrode P1, masking the anti-light mask on top of the upper electrode P2. Light mask Which reveals the terminal block component that defines PT2 and the area on each side of it. To enable the designated electrode end component, PT2 can serve as a mask for the procedure of at least one ion beam to the undefined terminal end of the lower terminal element P1 3. Method according to claim 1. Which consists of Before the magnetic layer of the aforementioned. A G-gap layer on top of at least one such magnetic layer shall be masked to cover the undefined terminal end of the lower electrode. P1 At least one ion beam, which This includes the ion beam to the previous G gap layer, the ion beam at the indeterminate end of the lower electrode P1, and at least one ion beam stage that produces Class G with the first and second vertical siding which are aligned with the first and second vertical siding of the PTlb and PT2 terminal end components 4. Method of claim 1 which consists of Prior to the aforementioned magnetic masking procedure, a G-gap layer was applied on top of at least one such layer to cover the indeterminate end of the terminal element below P1, step. When masking the gap G to form a gap layer with a thickness g in the range of 0.1 um to 0.7 um at ABS; And the length of the ABS PTlb terminal end components is approximately 2g 5. Method of claim 1 consisting of At least one ion beam, consisting of a single beam angle 0 6. Methods according to claim 1, which consists of: The procedure of at least one ion beam consisting of First and second ion beams, the first ion beam at an angle of 0, which is in the range of 0 degrees, less than 0, less than 60 degrees, and the first ion beam at an angle of 0, which is in the range of 60 degrees less than 85 degrees. 7. Method for claim 6 which consists of: the first ion beam at an angle of 0 which is within the range of 20 degrees less than 0 degrees less than 40 degrees 8. The method of claim 6 which consists of The first ion beam has an angle of 0 which is 30 degrees, and the second ion beam has an angle of 0 which is 75 degrees 9. The method of claim 1 which consists of Minimal Illumination Procedure One ion beam reducing the thickness of the PT2 terminal layer and the procedure for masking the PT2 terminal element, including masking of the terminal with increased thickness. Increased thickness is a reduction in the thickness of the PT2 component due to at least one ion-beam procedure. 1 0. The method of claim 9 consists of: Prior to the luminous procedure, at least one ion beam, masking the top element P2 between the center neck level and the back gap left the window between the ABS and the center neck to reveal the specified terminal end component. PT2 and each side area 1 1. Method for claim 10 which consists of At least one ion beam, consisting of a single beam of single angle 0 and angle 0, is in the range 0 degrees Less than 0 Less than 60 degrees 1 2. Methods of claim 10, which include The process of illuminating at least one ion beam consisting of first and second ion beams. The first ion beam at an angle of 0, which is in the range of 20 degrees, less than 0, less than 40 degrees, and the first ion beam at an angle of 0, which is in the range of 65 degrees, less than 0, less than 85 degrees 1 3. Methods according to the above Holds 12 rights which consist of The first ion beam has an angle of 0 which is 30 degrees, and the second ion beam has an angle of 0 which is 75 degrees 1 4. Method of claim 10 which consists of Prior to such another magnetic masking procedure, masking the G-gap layer on top of at least one of the lower magnetic layers to cover the undefined terminal end of the terminal element below P1 step. When masking the gap G to a layer of thickness that creates the gap layer. G whose length is g at abs; And the length of the ABS PTlb end components is 2g 1 5. Method of Claim 14 consisting of The first and second ion beams were emitted simultaneously 1 6. Method of claim 14 consisting of First and second ion beams that are beamed together 1 7. Method of claim 16 consisting of At a minimum, one ion beam, which consists of placing an electrode underneath P1 with a layer of mask on it, in the ion beam erosion chamber. And rotation of the bottom terminal piece P1 with the upper mask layer at constant speed while two ion beams go to the lower electrode P1 and the upper mask layer 1 8. Method to claim 17 which consists of The procedure for masking layer 6 includes the provision of a gap layer G with length g in the range of 0.1 um to 0.7 um; The procedure for masking the PT2 terminal tip with a layer of approximately 7 um thickness. The notch on the bottom terminal piece P1 gives each notch approximately 0.7u deep and a base layer approximately 0.7 um; And the procedure to illuminate at least one ion beam, which reduces the thickness of the PT2 terminal element by approximately 2 um 1 9. A combined MR head method with an MR reader and an MR probe consists of a layer. First and second powers S1 and S2, first and second space layers G1 and G2, squeezed between the first and second power layers S1 and S2, and MR components squeezed between the first and second space layers. The second G1 and G2, and the burner consist of the bottom and top terminal pieces P1 and P2, which extend from the air bearing surface (ABS) to and including the back gap, the bottom terminal piece P1, which consists of a layer. Second shield S 2. Bottom terminal piece P1 with PTla and PTlb end components extending between ABS and center neck level. And the terminal piece above P2 with PT2 terminal end component protruding between ABS and center neck, PTlb base element with secondary power class S 2. P1 bottom terminal element and PTla terminal end assembly, second shielding layer S2 which It consists of the PTla and PTlb terminal end components, the G gap layer compressed between the PTlb and PT2 terminal end components, and the PT2 terminal end components, the G gap layer and the PTlb terminal end components each having a first vertical grain wall. two The first vertical sidewall of the PT2 end component, the G gap layer, and the PTbl terminal end assembly are placed together in the first vertical plane and the second vertical sidewall of the PT2 terminal block component, G gap layer, and component. The PTlb ends are positioned consecutively in the second vertical plane. The first and second planes are perpendicular to ABS and are at a distance from each other at ABS, resulting in the track width of the combined MR head. The first magnetic layer is masked from the ABS to and including the rear gap to form (1) the second shielding layer S2 of the MR head and (2) the bottom terminal piece P1 with the non-terminal end. Determined between the ABS and the center neck level and the back, between the center neck level and the back gap. Masking the gap G on top of the first magnetic layer from ABS. To the center neck A second magnetic layer is applied to the top of the gap layer G and above the first layer to form a polarized top P2. With a fixed terminal component, PT2, with a first and second wall, and at least one ion beam illuminating the area of an indeterminate terminal portion of the lower terminal P1 in a direction parallel to ABS and 0 angles to the first and second vertical sidewall of the PT2 terminal block assembly by using the PT2 terminal block assembly. It is a mask for making a notch on the first magnetic layer on each side of the PT2 terminal end component. The notch creates a vertical base on the first magnetic layer and the vertical base part. Assemble the PTlb end and make the PTlb end components have first and second vertical sidewalls. And the magnetic layer is broken off with the base part between the ABS and the center neck level It consists of the PTla end component, the first vertical wall of the PTlb and PT2 terminal end is aligned with the first vertical plane and the second side wall of the component. One and the second are perpendicular to the ABS and are at a distance from each other. ABS to form a track W width of the combined MR head 2 0. Method to claim 19 which consists of The procedure for at least one ion beam, which includes the ion beam to the G gap before the ion beam at the undetermined end of the electrode, and at least the beam procedure. One ion to form the gap layer G, with the first and second vertical sidewalls, which coincide with the first and second vertical walls of the PTlb and Pt2 2 polar components.
1. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 19 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการส่องค่าไอออนหนึ่งลำซึ่งประกอบด้วยการส่องลำไอออนที่หนึ่งและที่สอง ลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งอยู่ในพิสัย 20 องศา น้อยกว่า0น้อยกว่า40 องศา และ ลำไอออนที่สองทำมุม 0 ซึ่งอยู่ในพิสัย 65 องศา น้อยกว่า0น้อยกว่า85 องศา 21. Method for Claim 19 which consists of A procedure for ionizing one beam consisting of first and second ion beams. The first ion beam is at an angle of 0, which is in the range of 20 degrees, less than 0, less than 40 degrees, and the second ion beam at an angle of 0, which is in the range of 65 degrees, less than 0, less than 85 degrees 2.
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 21 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการส่องลำไอออนที่หนึ่งและที่สองที่ลดความหนาของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2; และ นตอนในการพอกชั้นของแม่เหล็กเพื่อให้เกิดเป็นส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 ซึ่งรวมถึงการพอกส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 ด้วยความหนาเพิ่มเติม ความหนาเพิ่มเติมนี้เป็นการลดลงของความหนาของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 ที่เกิดจากขั้นตอนในการส่องอย่างน้อยที่สุดลำไอออนหนึ่งลำ; และ ก่อนหน้าขั้นตอนในการส่องลำไอออนที่หนึ่งและที่สอง การพอกหน้ากากไปบนชิ้นขั้วด้านบน P2 ระหว่างระดับคอศูนย์กับช่องว่างรองหลังซึ่งเว้นหน้าต่างในหน้ากากระหว่าง ABS กับระดับคอศูนย์เพื่อเผยส่วนประกอบปลายขั้วที่กำหนด PT2 และพื้นที่บนแต่ละด้านของมัน 22. Method for Claim 21 which consists of The first and second ion beam procedure reducing the thickness of the PT2 terminal end components; And the process of masking the magnetic layer to form the PT2 terminal block, which includes the additional thickness of the PT2 terminal component. This additional thickness is a reduction in the thickness of the PT2 tip component caused by at least one ion beam stage; And before the first and second ion beam procedures Masking the mask over the top electrode P2 between the center neck level and the dorsal space, leaving a window in the mask between the ABS and the center neck to reveal the PT2-designated terminal end component and its area on each side 2.
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 22 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการพอกชั้นช่องว่าง G เพื่อให้เกิดเป็นความหนาของชั้นซึ่งจัดให้มีช่องว่าง G ที่มีความยาว g ที่ ABS; และ ความยาวของส่วนประกอบปลายขั้ว PTlb ที่ ABS อยู่ในพิสัย0.5 g ถึง 3.0 g 23. Method for Claim 22 which consists of The procedure for masking the G gap layer to form a layer thickness which provides a G gap with the length g at ABS; And the length of the PTlb end component at ABS is in the range of 0.5 g to 3.0 g 2.
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 23 ซึ่งประกอบด้วย ลำไอออนที่หนึ่งทำมุม 0 ซึ่งมีค่าประมาณ 30 องศา และ ลำไอออนที่สองทำมุม 0 ซึ่งมีค่าประมาณ 75 องศา 24. Method for Claim 23 which consists of The first ion beam has an angle of 0 which is about 30 degrees and the second ion beam has an angle of 0 which is approximately 75 degrees 2.
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 24 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการพอกชั้นช่องว่าง G ซึ่งรวมถึงการพอกชั้นช่องว่าง G ให้มีความหนา g ในพิสัย 0.1 um ถึง 0.7 um ขั้นตอนในการพอกส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 ให้มีความหนาของชั้นประมาณ 7 um ขั้นตอนในการส่องลำไอออนที่หนึ่งและที่สองซึ่งรวมถึงการทำรอยบากบนชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งให้มีความลึกประมาณ 0.7 um ทำให้เกิดเป็นฐานขึ้น ซึ่งมีความสูงประมาณ 0.7 um และ ขั้นตอนในการส่องลำไอออนที่หนึ่งและที่สองซึ่งลดความหนาของชั้นของส่วนประกอบปลายขั้ว PT2 ประมาณ 2 um 25. Method for Claim 24 which consists of The procedure for masking the gap G, which includes masking the gap G to a thickness g in the range of 0.1 um to 0.7 um, the procedure for masking the PT2 terminal components to a layer thickness of approximately 7 um. The first and second ion beams, including incision on the first magnetic layer, are approximately 0.7 um deep, forming a base. Which has a height of approximately 0.7 um, and the first and second ion beam procedures, which reduce the layer thickness of the PT2 terminal component by approximately 2 um 2.
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 25 ซึ่งประกอบด้วย ขั้นตอนในการส่องลำไอออนที่หนึ่งและที่สองซึ่งรวมถึงการใส่ชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งซึ่งมีชั้นพอกอยู่ด้านบนไว้ในห้องกัดเซาะด้วยลำไอออน และการหมุนชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งและชั้นพอกที่อยู่ด้านบนด้วยความเร็วรอบคงที่ในขณะที่ส่องลำไอออนไปที่ชั้นแม่เหล็กที่หนึ่งและชั้นพอกที่อยู่ด้านบน 26. Method for Claim 25 which consists of The first and second ion beam procedures included inserting the first layer with the mask layer on top in the ion beam erosion chamber. And rotating the first magnetic layer and the upper mask at constant speed while shedding the ion beam on the first magnetic layer and the upper mask layer 2.
7. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 27 ซึ่งประกอบด้วย ลำไอออนที่หนึ่งและที่สองซึ่งถูกส่องพร้อมๆ กัน 27.Method for Claim 27 which consists of The first and second ion beams being beamed at the same time 2
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิ 26 ซึ่งประกอบด้วยลำไอออนที่หนึ่งและที่สองซึ่งถูกส่องเรียงลำดับกัน8. Procedures according to claim 26, which consist of the first and second ion beams that are illuminated in sequence.