TH6356B - Systems and components of a computer memory system using two-level fault correction and detection that can be fault-tolerant with the use of blocking effects. - Google Patents

Systems and components of a computer memory system using two-level fault correction and detection that can be fault-tolerant with the use of blocking effects.

Info

Publication number
TH6356B
TH6356B TH9001000147A TH9001000147A TH6356B TH 6356 B TH6356 B TH 6356B TH 9001000147 A TH9001000147 A TH 9001000147A TH 9001000147 A TH9001000147 A TH 9001000147A TH 6356 B TH6356 B TH 6356B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
memory
fault
factors
level
checking
Prior art date
Application number
TH9001000147A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH16513A (en
Inventor
มาร์ติน เบลด นายโรเบิร์ต
เลียว คาลเตอร์ นายโฮวาร์ต
แอตคินสัน ฟิฟิลด์ นายจอห์น
เชน นายชินลอง
เครก บอสเซน นายดักลาส
ลอ นายทินชี
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายดำเนิน การเด่น นายต่อพงศ์ โทณะวณิก นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายดำเนิน การเด่น นายต่อพงศ์ โทณะวณิก นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH16513A publication Critical patent/TH16513A/en
Publication of TH6356B publication Critical patent/TH6356B/en

Links

Abstract

ระบบความจำระบบหนึ่งประกอบด้วยหน่วยความจำจำนวนหนึ่งหน่วยความจำแต่ละหน่วยต่างมีความสามารถในการแก้ไขความผิดพลาดในระดับหน่วยและต่างเชื่อมโยงกับการแก้ไขความผิดพลาดในระดับระบบ การปรับปรุงความแน่นอนของระบบความจำให้ดีขึ้นสามารถทำได้โดยอาศัยปัจจัยสำหรับตั้งสัญญาณออกจากหน่วยความจำหน่วยใดหน่วยหนึ่งให้มีค่าที่คงที่เมื่อมีความผิดพลาดที่ไม่สามารถก้ไขได้เกิดขึ้นในหน่วยความจำดังกล่าว วิธีการซึ่งจะบังคับให้มีการสร้างความผิดพลาดชนิดถาวรที่ขัดกับสัญชาติญานนี้สามารถจะปรับปรุงความแน่นอนของระบบความจำทั้ง ระบบให้ดีขึ้นได้เนื่องจากจะทำให้สามารถใช้กระบวนการพลิกกลับ/พลิกกลับใหม่ ซึ่งจะทำงานได้อย่างถูกต้องก็ต่อเมื่อสามารถจะจำลองความผิดพลาดขึ้นซ้ำอีก ดังนั้นการใช้ระบบสำหรับแก้ไขความผิดพลาดในระดับชิบซึ่งเป็นสิ่งที่พึงปรารถนาเมื่อความจุวงจรมีความหนาแน่นเพิ่มมากขึ้นย่อมสามารถทำได้โดยไม่เป็นการรบกวนต่อวิธีการในการแก้ไขความผิดพลาดในระดับระบบ A system memory consists of a specific amount of memory, each of which has unit-level error correction capability and is associated with system-level error correction. Improving the reliability of a memory system can be achieved by setting the signal output of a specific memory unit to a constant value when an irreparable error occurs. such memory This method, which will force the creation of persistent errors that goes against this instinct, can improve the reliability of the entire memory system. The system can be improved because it allows the reversal/reversion process to be used. This will only work properly if the error can be replicated again. Therefore, the use of a chip-level error correction system, which is desirable as the circuit capacitance increases, can be achieved without disrupting the system-level fault correction method.

Claims (7)

1. ระบบความจำคอมพิวเตอรืที่สามารถทนต่อข้อบกพร่องได้ซึ่งจะรับข่าวสารของตำแหน่งและจะมีปฏิกิริยาตอบสนองต่อข่าวสารของตำแหน่งดังกล่าวด้วยการส่งข่าวสารของข้อมูล ระบบความจำดังกล่าวประกอบด้วย:- หน่วยความจำชนิดตัวเลขจำนวนหนึ่ง ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในระดับหน่วยจำนวนหนึ่ง ปัจจัยดังกล่าวจะเกี่ยวข้องกับหน่วยความจำดังกล่าวหน่วยที่ต่างกันและจะทำหน้าที่แก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในข้อมูลที่ถูกอ่านจากจุดความจำภายในหน่วยความจำดังกล่าวและสร้างสัญญาณแจ้งความผิดพลาดที่ไม่สามารถแก้ไขได้สัญญาณหนึ่ง ปัจจัยสำหรับปิดกั้นในระดับหน่วยจำนวนหนึ่งซึ่งจะเกี่ยวข้องกับหน่วยความจำดังกล่าวหน่วยที่ต่างกันและจะทำงานด้วยการตั้งสัญญาณออกจากหน่วยความจำที่เกี่ยวข้องกับตนอย่าง น้อยที่สุดหนึ่งบิทให้มีค่าที่คงที่เมื่อได้รับสัญญาณแจ้งความผิดพลาดที่ไม่สามารถแก้ไขได้ดังกล่าวจากปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในระดับหน่วยที่เกี่ยวข้องกับตน และ ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในระดับระบบซึ่งจะรับข้อมูลจากหน่วยความจำดังกล่าวและสามารถจะทำงานแก้ไขความผิดพลาดชนิดถาวรได้โดยอาศัยการทำงานของปัจจัยสำหรับปิดกั้นดังกล่าว1. A fault-tolerant computer memory system that receives position information and reacts to the information of the position by transmitting the information. The system contains: - A number of numeric memory. A number of unit-level factors for correcting and checking for errors. The factors are related to the aforementioned memory modules, and they perform corrections and checks for errors in data read from memory points within that memory and generate error signals. That cannot be solved, signal one There are a number of memory-level blocking factors that are related to the said memory, different units, and work by setting the signal out of their respective memory. A minimum of one bit is to be constant when such incorrigible error signals are received by factors for correcting and checking for errors at the unit level associated with them and factors for correcting and verifying. System-level errors that receive information from the said memory and can perform permanent fault correction based on the blocking factor. 2. ระบบความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในกรณีที่หน่วยความจำดังลก่าวได้แกชิบความจำชนิดกึ่งตัวนำ2. The memory system according to claim 1, in the event that the above memory contains a semiconductor memory chip. 3. ระบบความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในกรณีที่ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในระดับหน่วยดังกล่าวจะทำการแก้ไขความผิดพลาดเดี่ยวและการตรวจสอบความผิดพลาดคู่3. Memory system according to claim 1, in the event that such unit-level fault correction and checking factors will correct single error and double error checking. 4. ระบบความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ในกรณีที่ระบบความจำดังกล่าวยังประกอบด้วยปัจจัยสำหรับสับเปลี่ยนแบบวิธีซึ่งสามารถจะทำงานควบคุมการเปิดปิดปัจจัยสำหรับปิดกั้นดังกล่าว4. The memory system according to claim No. 1, in the event that such a memory system still contains a mode switching factor, which can be used to control the on-off factor for blocking it 5. หน่วยความจำที่สามารถทนต่อข้อบกพร่องได้สำหรับระบบความจำซึ่งจะรับข่าวสารของตำแหน่งและจะมีปฏิกิริยาตอบสนองต่อข่าวสารของตำแหน่งดังกล่าวด้วยการส่งข่าวสารของข้อมูล หน่วยความจำดังกล่าวประกอบด้วย:- จุดความจำจำนวนหนึ่ง ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดในข้อมูลที่ถูกอ่านจากจุดความจำดังกล่าวและสร้างสัญญาณแจ้งความผิดพลาดที่ไม่สามารถแก้ไขได้สัญญาณหนึ่ง และ ปัจจัยสำหรับปิดกั้นซึ่งจะทำงานด้วยการตั้งสัญญาณออกจากหน่วยความจำดังกล่าวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งบิทให้มีค่าที่คงที่เมื่อได้รับสัญญาณแจ้งความผิดพลาดที่ไม่สามารถแก้ไขได้จากปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดดังกล่าว5. Fault-tolerant memory for the memory system, which accepts position information and reacts to the position's message by sending its message. This memory contains: - a number of memory points. Factor for correcting and detecting errors in data read from that memory point and generating unrecoverable error signals, one signal and blocking factor, which is activated by setting the signal out of the memory. Remember, at least one bit is constant when receiving an unrecoverable error signal from such correction and fault-checking factors. 6. หน่วยความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 5 ในกรณีที่หน่วยความจำดังกล่าวติดตั้งอยู่บนชิบของวงจรรวมเพียงชิบเดียว6. Memory according to claim 5, in the event that such memory is installed on only one integrated circuit chip. 7. หน่วยความจำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 5 ในกรณีที่ปัจจัยสำหรับแก้ไขและตรวจสอบความผิดพลาดดังกล่าวจะทำการแก้ไขความผิดพลาดเดี่ยวและการตรวจสอบความผิดพลาดคู่7. Memory according to claim 5, in case such correction and error checking factor will be corrected, single error and double error checking.
TH9001000147A 1990-02-06 Systems and components of a computer memory system using two-level fault correction and detection that can be fault-tolerant with the use of blocking effects. TH6356B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH16513A TH16513A (en) 1995-08-29
TH6356B true TH6356B (en) 1996-12-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5263031A (en) Semiconductor integrated circuit having post-package testing function for error detection and correction circuit
BR9001125A (en) COMPUTER MEMORY SYSTEM AND MEMORY UNIT
EP0037705A1 (en) Error correcting memory system
US5453999A (en) Address verification system using parity for transmitting and receiving circuits
DE69901255D1 (en) MULTI-PROCESSOR SYSTEM BRIDGE WITH ACCESS CONTROL
NO170113B (en) CONTROL LOGIC FOR PARITY INTEGRITY
US4236247A (en) Apparatus for correcting multiple errors in data words read from a memory
US4384353A (en) Method and means for internal error check in a digital memory
EP0130429B1 (en) Failure detection apparatus
TH6356B (en) Systems and components of a computer memory system using two-level fault correction and detection that can be fault-tolerant with the use of blocking effects.
KR900014998A (en) Fault Tolerant Computer Memory System
TH16513A (en) Systems and components of a computer memory system using two levels of fault correction and detection that can be fault-tolerant with the use of blocking effects.
JPS6329299B2 (en)
EP0100825A2 (en) True single error correction and multiple error detection system
SU1661840A1 (en) Memory with self-testing
SU1432611A1 (en) Memory with error correction
JPS60188000A (en) Read-only memory
JPH03147041A (en) Error correction system
JPS57152598A (en) Data processing device
SU1751820A1 (en) Redundant memory device with data correction
SU1624535A1 (en) Memory unit with monitoring
SU1167659A1 (en) Storage with self-check
SU1667156A1 (en) Error correcting memory
RU2022341C1 (en) Error corrector for correcting number system
JPH0638239B2 (en) Error correction mechanism