TH60284A - การปลูกฝังคาร์บอนเพื่อปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGe - Google Patents
การปลูกฝังคาร์บอนเพื่อปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGeInfo
- Publication number
- TH60284A TH60284A TH201001703A TH0201001703A TH60284A TH 60284 A TH60284 A TH 60284A TH 201001703 A TH201001703 A TH 201001703A TH 0201001703 A TH0201001703 A TH 0201001703A TH 60284 A TH60284 A TH 60284A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- collector
- sige
- bipolar
- area
- splice
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (05/08/45) มีการจัดให้มีวิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGe รวมทั้งการประกอบทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์SiGe วิธีการตามการประดิษฐ์นี้ประกอบด้วย การปลูกฝังคาร์บอนด้วย ไอออนเข้าไปในหนึ่งในบริเวณต่อไปนี้ของอุปกรณ์ บริเวณคอล เล็กเตอร์ บริเวณคอลเล็กเตอร์ย่อย บริเวณเบสเอกซ์ทรินซิก และ บริเวณรอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส ในรูปแบบที่ดีที่สุดนั้น แต่ละบริเวณ ดังกล่าวข้างต้นมีการปลูกฝังคาร์บอน มีการจัดให้มีวิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGe รวมทั้งการประกอบทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์SiGe วิธีการตามการประดิษฐ์นี้ประกอบด้วย การปลูกฝังคาร์บอนด้วย ไอออนเข้าไปในหนึ่งในบริเวณต่อไปนี้ของอุปกรณ์: บริเวณคอล เล็กเตอร์ บริเวณคอลเล็กเตอร์ย่อย บริเวณเบสเอกซ์ทรินซิก และ บริเวณรอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส ในรูปแบบที่ดีที่สุดนั้น แต่ละบริเวณ ดังกล่าวข้างต้นมีการปลูกต้นคาร์บอน:
Claims (1)
1. วิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGeของทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์ สารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a) การจัดให้มีโครงสร้างซึ่งอย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย บริเวณอุปกรณ์ไบโพลาร์ บริเวณ อุปกรณ์ไบโพลาร์ดังกล่าวอย่าง น้อยที่สุดประกอบด้วยบริเวณคอลเล็กเตอร์ที่ทำไว้บนบริเวณ คอลเล็ก เตอร์ย่อย และชั้นSiGeที่ทำไว้บนบริเวณคอลเล็ก เตอร์และคอลเล็กเตอร์ย่อยดังกล่าว ชั้น SiGeดัง กล่าว อย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย บริเวณเบสอินทรินซิกและบริเวณ รอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส โดยที่ บริเวแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH60284A true TH60284A (th) | 2004-01-09 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0949665A3 (en) | High speed and low parasitic capacitance bipolar transistor and method for fabricating it | |
| EP1396018B8 (en) | C implants for improved sige bipolar transistors yield | |
| EP1801884A3 (en) | Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof | |
| SE0103036D0 (sv) | Semiconductor process and integrated circuit | |
| TW200620539A (en) | BiCMOS compatible JFET device and method of manufacturing same | |
| TW200620478A (en) | Self-aligned epitaxially grown bipolar transistor | |
| WO2008134686A3 (en) | Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method | |
| TW200635030A (en) | Bipolar transistor with self-aligned retrograde extrinsic base implant profile and self-aligned silicide | |
| TW200729349A (en) | Bandgap and recombination engineered emitter layers for Si-Ge HBT performance optimization | |
| WO2006132714A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacture | |
| TW200723525A (en) | Bandgap engineered mono-crystalline silicon cap layers for Si-Ge HBT performance enhancement | |
| DE502004011936D1 (de) | Komplement re bipolar-halbleitervorrichtung | |
| SE0200414D0 (sv) | Semiconductor fabrication process lateral pnp transistor, and integrated circuit | |
| EP1406308A3 (en) | SiGeC heterojunction bipolar transistor | |
| EP0905769A3 (en) | Semiconductor integrated circuit device with bipolar transistors and method of fabricating same | |
| CN101459130A (zh) | BiCMOS工艺中寄生垂直PNP及制备方法 | |
| EP1291923A3 (en) | Heterojunction bipolar transistor and production process therefore | |
| TH60284A (th) | การปลูกฝังคาร์บอนเพื่อปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGe | |
| CN106409890B (zh) | 鳍式双极结型晶体管的形成方法 | |
| TW200644236A (en) | Semiconductor device and method of manufacture | |
| TW200514253A (en) | Semiconductor component and method of manufacturing same | |
| ATE403232T1 (de) | Verfahren zur herstellung von schnellen vertikalen npn-bipolartransistoren und komplementären mos-transistoren auf einem chip | |
| TW200729488A (en) | Method and system for controlled oxygen incorporation in compound semiconductor films for device performance enhancement | |
| EP1626441A3 (de) | Kaskode-Anordnung und entsprechende Schaltung und Herstellungsverfahren | |
| ATE411616T1 (de) | Bipolartransistor, halbleiterbauelement und diesbezügliches herstellungsverfahren |