TH60284A -
Carbon implantation to improve SiGe bipolar production
- Google Patents
Carbon implantation to improve SiGe bipolar production
Info
Publication number
TH60284A
TH60284ATH201001703ATH0201001703ATH60284ATH 60284 ATH60284 ATH 60284ATH 201001703 ATH201001703 ATH 201001703ATH 0201001703 ATH0201001703 ATH 0201001703ATH 60284 ATH60284 ATH 60284A
DC60 (05/08/45) มีการจัดให้มีวิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGe รวมทั้งการประกอบทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์SiGe วิธีการตามการประดิษฐ์นี้ประกอบด้วย การปลูกฝังคาร์บอนด้วย ไอออนเข้าไปในหนึ่งในบริเวณต่อไปนี้ของอุปกรณ์ บริเวณคอล เล็กเตอร์ บริเวณคอลเล็กเตอร์ย่อย บริเวณเบสเอกซ์ทรินซิก และ บริเวณรอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส ในรูปแบบที่ดีที่สุดนั้น แต่ละบริเวณ ดังกล่าวข้างต้นมีการปลูกฝังคาร์บอน มีการจัดให้มีวิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGe รวมทั้งการประกอบทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์SiGe วิธีการตามการประดิษฐ์นี้ประกอบด้วย การปลูกฝังคาร์บอนด้วย ไอออนเข้าไปในหนึ่งในบริเวณต่อไปนี้ของอุปกรณ์: บริเวณคอล เล็กเตอร์ บริเวณคอลเล็กเตอร์ย่อย บริเวณเบสเอกซ์ทรินซิก และ บริเวณรอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส ในรูปแบบที่ดีที่สุดนั้น แต่ละบริเวณ ดังกล่าวข้างต้นมีการปลูกต้นคาร์บอน: DC60 (05/08/45) provides a method to improve SiGe bipolar production. Including transistor assembly Bipolar splice splice SiGe This invention method includes Carbon cultivation too The ions enter one of the following areas of the device, around the collector area of the sub-collector area. Bass extrinsic area and collector-base junction In the best form, each of the above areas has carbon implants. A method for improving SiGe bipolar production has been established. Including transistor assembly Bipolar splice splice SiGe This invention method includes Carbon cultivation too The ions enter one of the following areas of the device: collector area, sub-collector area. Bass extrinsic area and collector-base junction In the best form, each of the above areas is planted with carbon trees:
Claims (1)
1. วิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGeของทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์ สารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a) การจัดให้มีโครงสร้างซึ่งอย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย บริเวณอุปกรณ์ไบโพลาร์ บริเวณ อุปกรณ์ไบโพลาร์ดังกล่าวอย่าง น้อยที่สุดประกอบด้วยบริเวณคอลเล็กเตอร์ที่ทำไว้บนบริเวณ คอลเล็ก เตอร์ย่อย และชั้นSiGeที่ทำไว้บนบริเวณคอลเล็ก เตอร์และคอลเล็กเตอร์ย่อยดังกล่าว ชั้น SiGeดัง กล่าว อย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย บริเวณเบสอินทรินซิกและบริเวณ รอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส โดยที่ บริเวแท็ก :1. A method for improving SiGe bipolar output of semiconductor bipolar junction transistors, which consists of the steps of: (a) structuring, which at least consists of Bipolar devices such as bipolar devices such as The minimum consists of the collector area on the sub-collector area and the SiGe layer made on the collector area. These SiGe layers, at least, consist of: Bass, intrinsic and areas Collector-base junction with the service tag:
TH201001703A2002-05-13
Carbon implantation to improve SiGe bipolar production
TH60284A
(en)