TH60284A - Carbon implantation to improve SiGe bipolar production - Google Patents

Carbon implantation to improve SiGe bipolar production

Info

Publication number
TH60284A
TH60284A TH201001703A TH0201001703A TH60284A TH 60284 A TH60284 A TH 60284A TH 201001703 A TH201001703 A TH 201001703A TH 0201001703 A TH0201001703 A TH 0201001703A TH 60284 A TH60284 A TH 60284A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
collector
sige
bipolar
area
splice
Prior art date
Application number
TH201001703A
Other languages
Thai (th)
Inventor
ดี. คูลบัฟ นายดักลาส
ที. โชเนนเบิร์ก นางแคธรีน
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายวิรัช ศรีเอนกราธา, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH60284A publication Critical patent/TH60284A/en

Links

Abstract

DC60 (05/08/45) มีการจัดให้มีวิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGe รวมทั้งการประกอบทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์SiGe วิธีการตามการประดิษฐ์นี้ประกอบด้วย การปลูกฝังคาร์บอนด้วย ไอออนเข้าไปในหนึ่งในบริเวณต่อไปนี้ของอุปกรณ์ บริเวณคอล เล็กเตอร์ บริเวณคอลเล็กเตอร์ย่อย บริเวณเบสเอกซ์ทรินซิก และ บริเวณรอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส ในรูปแบบที่ดีที่สุดนั้น แต่ละบริเวณ ดังกล่าวข้างต้นมีการปลูกฝังคาร์บอน มีการจัดให้มีวิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGe รวมทั้งการประกอบทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์SiGe วิธีการตามการประดิษฐ์นี้ประกอบด้วย การปลูกฝังคาร์บอนด้วย ไอออนเข้าไปในหนึ่งในบริเวณต่อไปนี้ของอุปกรณ์: บริเวณคอล เล็กเตอร์ บริเวณคอลเล็กเตอร์ย่อย บริเวณเบสเอกซ์ทรินซิก และ บริเวณรอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส ในรูปแบบที่ดีที่สุดนั้น แต่ละบริเวณ ดังกล่าวข้างต้นมีการปลูกต้นคาร์บอน: DC60 (05/08/45) provides a method to improve SiGe bipolar production. Including transistor assembly Bipolar splice splice SiGe This invention method includes Carbon cultivation too The ions enter one of the following areas of the device, around the collector area of the sub-collector area. Bass extrinsic area and collector-base junction In the best form, each of the above areas has carbon implants. A method for improving SiGe bipolar production has been established. Including transistor assembly Bipolar splice splice SiGe This invention method includes Carbon cultivation too The ions enter one of the following areas of the device: collector area, sub-collector area. Bass extrinsic area and collector-base junction In the best form, each of the above areas is planted with carbon trees:

Claims (1)

1. วิธีการในการปรับปรุงผลิตผลไบโพลาร์SiGeของทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์รอยต่อวิวิธพันธ์ สารกึ่งตัวนำ ซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a) การจัดให้มีโครงสร้างซึ่งอย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย บริเวณอุปกรณ์ไบโพลาร์ บริเวณ อุปกรณ์ไบโพลาร์ดังกล่าวอย่าง น้อยที่สุดประกอบด้วยบริเวณคอลเล็กเตอร์ที่ทำไว้บนบริเวณ คอลเล็ก เตอร์ย่อย และชั้นSiGeที่ทำไว้บนบริเวณคอลเล็ก เตอร์และคอลเล็กเตอร์ย่อยดังกล่าว ชั้น SiGeดัง กล่าว อย่างน้อยที่สุดประกอบด้วย บริเวณเบสอินทรินซิกและบริเวณ รอยต่อคอลเล็กเตอร์-เบส โดยที่ บริเวแท็ก :1. A method for improving SiGe bipolar output of semiconductor bipolar junction transistors, which consists of the steps of: (a) structuring, which at least consists of Bipolar devices such as bipolar devices such as The minimum consists of the collector area on the sub-collector area and the SiGe layer made on the collector area. These SiGe layers, at least, consist of: Bass, intrinsic and areas Collector-base junction with the service tag:
TH201001703A 2002-05-13 Carbon implantation to improve SiGe bipolar production TH60284A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH60284A true TH60284A (en) 2004-01-09

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0949665A3 (en) High speed and low parasitic capacitance bipolar transistor and method for fabricating it
EP1396018B8 (en) C implants for improved sige bipolar transistors yield
EP1801884A3 (en) Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof
TW200620539A (en) BiCMOS compatible JFET device and method of manufacturing same
TW200620478A (en) Self-aligned epitaxially grown bipolar transistor
WO2008134686A3 (en) Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method
DE602004030599D1 (en) BiFET WITH A FET WITH ENLARGED LINEARITY AND PRODUCTIONABILITY
TW200635030A (en) Bipolar transistor with self-aligned retrograde extrinsic base implant profile and self-aligned silicide
TW200729349A (en) Bandgap and recombination engineered emitter layers for Si-Ge HBT performance optimization
TW200707733A (en) Semiconductor device and method of manufacture
TW200723525A (en) Bandgap engineered mono-crystalline silicon cap layers for Si-Ge HBT performance enhancement
SE0200414D0 (en) Semiconductor fabrication process lateral pnp transistor, and integrated circuit
EP1406308A3 (en) SiGeC heterojunction bipolar transistor
EP0905769A3 (en) Semiconductor integrated circuit device with bipolar transistors and method of fabricating same
CN101459130A (en) Parasitic vertical PNP and manufacturing process thereof in BiCMOS process
EP1291923A3 (en) Heterojunction bipolar transistor and production process therefore
TH60284A (en) Carbon implantation to improve SiGe bipolar production
TW200514253A (en) Semiconductor component and method of manufacturing same
ATE403232T1 (en) METHOD FOR PRODUCING FAST VERTICAL NPN BIPOLAR TRANSISTORS AND COMPLEMENTARY MOS TRANSISTORS ON ONE CHIP
AU2002357125A1 (en) Super self-aligned collector device for mono-and hetero bipolar junction transistors, and method of making same
TW200729488A (en) Method and system for controlled oxygen incorporation in compound semiconductor films for device performance enhancement
ATE411616T1 (en) BIPOLAR TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR COMPONENT AND RELATED PRODUCTION METHOD
TW200518341A (en) Bipolar transistor with selectively deposited emitter
SG132668A1 (en) Self-aligned lateral heterojunction bipolar transistor
CN103681807B (en) A kind of bipolar junction transistor and preparation method thereof