TH54950B - An electronic assembly consisting of a solderable thermal joint and manufacturing methods. - Google Patents

An electronic assembly consisting of a solderable thermal joint and manufacturing methods.

Info

Publication number
TH54950B
TH54950B TH101003436A TH0101003436A TH54950B TH 54950 B TH54950 B TH 54950B TH 101003436 A TH101003436 A TH 101003436A TH 0101003436 A TH0101003436 A TH 0101003436A TH 54950 B TH54950 B TH 54950B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
mold
assembly
layer
referred
substrate
Prior art date
Application number
TH101003436A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH50788A (en
Inventor
เวิร์คแมน นายโธมัส
โวดราฮัลลี นายนาเกช
เซอร์ นายบิสวาจิต
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายบุญมา เตชะวณิช นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์ นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์ นายบุญมา เตชะวณิช นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH50788A publication Critical patent/TH50788A/en
Publication of TH54950B publication Critical patent/TH54950B/en

Links

Abstract

DC60 (05/02/53) เพื่อรองรับความหนาแน่นกำลังที่สูงซึ่งควบคู่มากับวงจรรวมที่มีสมรรถนะที่สูง ความร้อน จะถูก แผ่กระจายจากผิวหน้าของแม่พิมพ์โดยผ่านผิว หน้าร่วมความร้อนที่บัดกรีได้ไปยังฝาหรือ ตัว กระจายความร้อนแบบรวม ในรูปลักษณะหนึ่ง แม่พิมพ์จะถูกติดตั้งบนสับสเตรตที่เป็น สาร อินทรีย์โดยใช้ C4 และการจัดเรียงแถวลำดับกริด ของส่วนพื้นราบ เพื่อที่จะทำให้การกระจาย ความ ร้อนจากแม่พิมพ์สูงสุด ขณะที่ลดการบิด งอของแพคเกจให้เหลือน้อยที่สุดเมื่อที่ถูกนำไป ผ่าน ความร้อน เนื่องมาจากความแตกต่างในสัม ประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนระหว่างแม่ พิมพ์และ สับสเตรตที่เป็นสารอินทรีย์ ผิวหน้า ร่วมความร้อนจะถูกใช้ซึ่งมีจุดหลอมเหลว ค่อนข้างต่ำจากมี อำนาจการนำความร้อนที่ค่อน ข้างสูง วิธีการผลิต เช่นเดียวกันกับการประยุกต์ใช้ งานแพคเกจกับ ชุดประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ ระบบอิเล็กทรอนิกส์และระบบประมวลผลข้อ มูลได้ถูกบรรยายไว้ เช่นกัน เพื่อรองรับความหนาแน่นกำลังที่สูงซึ่งควบคู่มากับวงจรรวมที่มีสมรรถนะที่สูง ความร้อน จะถูก แผ่กระจายจากผิวหน้าของแม่พิมพ์โดยผ่านผิว หน้าร่วมความร้อนที่บัดกรีได้ไปยังฝาหรือ ตัว กระจายความร้อนแบบรวม ในรูปลักษณะหนึ่ง แม่พิมพ์จะถูกติดตั้งบนสับสเตรตที่เป็น สาร อินทรีย์โดยใช้ C4 และการจัดเรียงแถวลำดับกริด ของส่วนพื้นราบ เพื่อที่จะทำให้การกระจาย ความ ร้อนจากแม่พิมพ์สูงสุด ขณะที่ลดการบิด งอของแพคเกจให้เหลือน้อยที่สุดเมื่อที่ถูกนำไป ผ่าน ความร้อน เนื่องมาจากความแตกต่างในสัม ประธิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนระหว่างแม่ พิมพ์และ สับสเตรตที่เป็นสารอินทรีย์ ผิวหน้า ร่วมความร้อนจะถูกใช้ซึ่งมีจุดหลอมเหลว ค่อนข้างต่ำจากมี อำนาจการนำความร้อนที่ค่อน ข้างสูง วิธีการผลิตเช่นเดียวกันกับการประยุกต์ใช้ งานแพคเกจกับ ชุดประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ ระบบอิเล็กทรอนิกส์และระบบประมวลผลข้อ มูลได้ถูกบรรยายไว้ เช่นกัน DC60 (05/02/53) to support the high power density, coupled with high performance integrated circuit, heat is radiated from the mold surface through the surface. Solderable heat exchanger to the lid or integrated heat spreader. In one style The molds are mounted on an organic substrate using C4 and a grid array arrangement. Of the flat part In order to maximize heat dissipation from the mold While reducing twisting Minimize the flexion of the package when it is subjected to heat due to the difference in the relationship. The thermal expansion efficiency between the mold and the organic substrate is applied, which has a melting point. Relatively low from there Relatively high thermal conductivity, production methods, as well as package applications and electronic assemblies. Electronic systems and text processing systems Dung is also described to support the high power density, coupled with high performance integrated circuits, heat is radiated from the mold surface through the surface. Solderable heat exchanger to the lid or integrated heat spreader. In one style The molds are mounted on an organic substrate using C4 and a grid array arrangement. Of the flat part In order to maximize heat dissipation from the mold While reducing twisting Minimize the flexion of the package when it is subjected to heat due to the difference in the relationship. The thermal expansion coefficient between the mold and the organic substrate is used, which has a melting point. Relatively low from there Relatively high thermal conductivity, production methods, as well as package applications and electronic assemblies. Electronic systems and text processing systems Data has been described as well.

Claims (9)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 22/8/2559Disclaimer (all) which will not appear on the advertisement page: edit 22/8/2016 1. ชุดประกอบที่ประกอบรวมด้วย แม่พิมพ์ที่มีผิวหน้า ชั้นกาวที่เป็นโลหะที่ถูกต่อประกบเข้ากับผิวหน้า ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ที่ถูกต่อประกบเข้ากับชั้นกาว ฝา และ องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรีได้ที่ต่อประกบฝาเข้ากับชั้นบัดกรีที่สามารถละลาย ได้1. Assembled kit included. Mold with a surface A metallic adhesive layer that is attached to the surface. A meltable solder layer that is bonded to a layer of glue, a cap, and a solderable heating element that attaches the cap to the meltable solder layer. 2. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ฝาประกอบรวมด้วยวัสดุจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วยทองแดงและอลูมินั่ม-ซิลิคอน-คาร์ไบด์2. An assembly referred to in claim 1, where the cover is made up of materials from the assembled group. With copper and aluminum-silicon-carbide 3. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรี ได้ประกอบรวมด้วยวัสดุซึ่งรวมถึงโลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียม และตะกั่ว3. The assembly referred to in claim 1, where the solderable heating element It is made up of materials, including one or more alloys from the group containing tin, bismuth, silver, indium and lead. 4. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ฝาประกอบรวมด้วยชั้นโลหะหรือชั้น สารอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น ที่ซึ่งองค์ประกอบนำความร้อนสามารถถูกต่อประกบได้4.Assembly referred to claim 1, where the cover is assembled with a metal shelf or shelf. At least one layer of organic matter Where the heating elements can be spliced 5. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 4 โดยที่ชั้นโลหะหรือชั้นสารอินทรีย์อย่างน้อยที่สุด หนึ่งชั้นประกอบรวมด้วยนิกเกิล หรือทองคำ5. Assembly referred to claim 4, where at least the metal layer or the organic layer One layer is made up of nickel or gold. 6. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 และยังประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย ชั้นแพร่อยู่ระหว่างชั้นกาวและชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้6.The assembly referred to in claim 1, and additions are included. The diffusion layer is between the adhesive layer and the meltable solder layer. 7. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 6 โดยที่ชั้นประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึงโลหะ ผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเนียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ7. Assembly referred to claim 6, where the floor consists of materials including metal. One or more blends from a group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium, and gold. 8. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 6 โดยที่ชั้นแพร่ประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึง โลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเนียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ8.An assembly referred to claim 6, where the diffusion layer includes materials including One or more alloys from the group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium, and gold. 9. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 6 โดยที่ชั้นแพร่ประกอบรวมด้วยนิกเกิล-เวเนเดียม 19. Assembly referred to claim 6, where the diffusion layer is made up of nickel-vanadium 1. 0. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรี ได้มีอุณหภูมิหลอมเหลวที่ 150 องศาเซนติเกรดหรือน้อยกว่า 10. Assembly referred to claim 1, where the solderable heating element Has had a melting temperature of 150 degrees centigrade or less than 1 1. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรี ได้มีอุณหภูมิหลอมเหลวที่ 140 องศาเซนติเกรดหรือน้อยกว่า 11. The assembly referred to in claim 1, where the heat conducting element that can be soldered Has had a melting temperature of 140 degrees centigrade or less than 1 2. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรี ได้มีอุณหภูมิหลอมเหลวอยู่ในช่วง 138 ถึง 157 องศาเซนติเกรด 12. The assembly referred to in claim 1, where the heat conducting element that can be soldered Has had a melting temperature in the range of 138 to 157 centigrade. 3. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ชั้นกาวประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึง โลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ 13.The assembly referred to in claim 1, where the adhesive layer is comprised of materials including One or more alloys from the group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium, and gold. 4. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ชั้นกาวประกอบรวมด้วยไททาเนียม 14.The assembly referred to in claim 1, where the adhesive layer consists of titanium 1. 5. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ประกอบรวม ด้วยวัสดุที่รวมถึงโลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ 15.Assembly referred to claim 1, where the dissolvable solder layer is assembled. With materials including one or more alloys from a group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium and gold. 6. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ประกอบรวม ด้วยนิกเกิลหรือทองคำอย่างใดอย่างหนึ่ง 16.Assembly referred to claim 1, where the meltable solder layer is assembled. With either nickel or gold 1 7. แพคเกจวงจรรวมที่ประกอบรวมด้วย สับสเตรต แม่พิมพ์ที่ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่บนผิวหน้าของสับสเตรต โดยที่แม่พิมพ์มีพื้นผิวด้านหลัง ชั้นกาวที่เป็นโลหะที่ถูกก่อรูปอยู่บนพื้นผิวด้านหลัง ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ที่ถูกก่อรูปอยู่บนชั้นกาว ฝาที่ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่เหนือแม่พิมพ์ และ องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรีได้ที่ต่อประกบชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้เข้า กับฝา 17. Integrated circuit package consisting of a molded shunt that is positioned on the surface of the chopper. Where the mold has a surface on the back A metallic adhesive layer formed on the back surface. A meltable solder layer formed on the adhesive layer. The cap is positioned over the mold and a solderable heating element that attaches a meltable solder layer to the cap 1. 8. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่ฝาประกอบรวมด้วยชิ้นประกอบ รองรับที่ถูกต่อประกบเข้ากับสับสเตรต 18. Integrated circuit package referred to claim 17 where the cover is assembled with assembly parts. Support that is connected to the substrate 1 9. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่ฝาประกอบรวมด้วยวัสดุจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยทองแดง และอลูมินั่ม-ซิลิคอน-คาร์ไบด์ 29. Package of integrated circuits referred to claim 17, where the cover is made up of materials from that group. Copper And aluminum-silicon-carbide 2 0. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่ฝาประกอบรวมด้วยชั้นโลหะหรือ ชั้นสารอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชั้น ที่ซึ่งองค์ประกอบนำความร้อนถูกต่อประกบ 20. Integrated circuit package referred to in Claim 17, where the cover consists of a metal layer or At least one organic layer Where the heating element is connected 2 1. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 20 โดยที่ชั้นโลหะหรือชั้นสารอินทรีย์อย่าง น้อยที่สุดหนึ่งชั้นประกอบรวมด้วยนิกเกิล หรือทองคำ 21. Integrated circuit packages referred to in claim 20 where the metal or organic layer is Minimum one layer consists of two nickel or gold. 2. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถ บัดกรีได้ประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึงโลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียม และตะกั่ว 22. The integrated circuit package referred to in claim 17 where the heat conducting element capable of Solder is made up of materials including one or more alloys from a group containing tin, bismuth, silver, indium and lead. 3. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่สับสเตรตเป็นสับสเตรตสารอินทรีย์ และโดยที่แม่พิมพ์ถูกต่อประกบเข้ากับสับสเตรตผ่านแถวลำดับกริดของส่วนพื้นราบ 23. Integrated circuit package referred to in claim 17 where the substrate is an organic substrate. And where the mold is joined to the substrate through the grid array of the flat section 2 4. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 17 และยังประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย ชั้นแพร่อยู่ระหว่างชั้นกาวและชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ 24. Integrated circuit packages referred to in Claim 17 and are also included. The diffusion layer is between the adhesive layer and the meltable solder layer 2. 5. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 24 โดยที่ชั้นประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึง โลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ 25. The integrated circuit package referred to in Claim 24, where the floor consists of materials including One or more alloys from the group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium, and gold. 6. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 17 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถ บัดกรีได้มีอุณหภูมิหลอมเหลวอยู่ในช่วง 138 ถึง 157 องศาเซนติเกรด 26. The package of the integrated circuit referred to claim 17, where the heating element capable of The solder has a melting temperature in the range of 138 to 157 centigrade. 7. ชุดประกอบอิเล็กทรอนิกส์ ที่ประกอบรวมด้วย แพคเกจวงจรรวมอย่างน้อยที่สุดหนึ่งแพคเกจ ที่ประกอบรวมด้วย สับสเตรต แม่พิมพ์ที่ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่บนผิวหน้าของสับสเตรต โดยที่แม่พิมพ์มีพื้นผิวด้านหลัง ชั้นกาวที่เป็นโลหะที่ถูกก่อรูปอยู่บนพื้นผิวด้านหลัง ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ที่ถูกก่อรูปอยู่บนชั้นกาว ฝาที่ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่เหนือแม่พิมพ์ และ องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรีได้ที่ต่อประกบชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้เข้า กับฝา 27. Electronic assembly That includes At least one integrated circuit package. It consists of a molded chopper that is positioned on the surface of the chopstick. Where the mold has a surface on the back A metallic adhesive layer formed on the back surface. A meltable solder layer formed on the adhesive layer. The cap is positioned over the mold and a solderable heating element that attaches a meltable solder layer to the cap 2. 8. ชุดประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่อ้างตามข้อถือสิทธิ 27 โดยที่ฝาประกอบรวมด้วย ชิ้นประกอบรองรับที่ถูกต่อประกบเข้ากับสับสเตรต 28.Electronic assembly referred to in claim 27, where the cover is included. Support assembly that is connected to the substrate 2. 9. ชุดประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่อ้างตามข้อถือสิทธิ 27 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่ สามารถบัดกรีได้ประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึงโลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วยดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียม และตะกั่ว 39. Electronic assembly referred to in claim 27, where the heat conducting element Solder can be made up of materials that include one or more alloys from the group containing tin, bismuth, silver, indium and lead 3. 0. ชุดประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 27 โดยที่สับสเตรตเป็นสับสเตรต สารอินทรีย์ และโดยที่แม่พิมพ์ถูกต่อประกบเข้ากับสับสเตรตผ่านแถวลำดับกริดของส่วนพื้นราบ สำหรับสับสเตรตนั้น 30.Electronic assembly referred to claim 27, where the substrate is an organic substrate and with the mold coupled to the substrate through the grid array of the flat sections. For the chop of the straight 3 1. ชุดประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 27 และยังประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย ชั้นแพร่อยู่ระหว่างชั้นกาวและชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ 31. Electronic assembly referred to in claim 27, and additionally included. The diffusion layer is between the adhesive layer and the meltable solder layer 3. 2. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 31 โดยที่ชั้นประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึง โลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำสำหรับโลหะผสมนั้น 32.An assembly referred to claim 31 where the floor includes materials including One or more alloys from the group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium, and gold for that alloy. 3. ระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบรวมด้วยชุดประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีแพคเกจวงจรรวม อย่างน้อยที่สุดหนึ่งแพคเกจที่ประกอบรวมด้วย สับสเตรต แม่พิมพ์ที่ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่บนผิวหน้าของสับสเตรต โดยที่แม่พิมพ์มีพื้นผิวด้านหลัง ชั้นกาวที่เป็นโลหะที่ถูกก่อรูปอยู่บนพื้นผิวด้านหลัง ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ที่ถูกก่อรูปอยู่บนชั้นกาวสำหรับชั้นบัดกรีนั้น ฝาที่ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่เหนือแม่พิมพ์ และ องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรีได้ที่ต่อประกบชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้เข้า กับฝา 33.Electronic system integrated electronic assembly with integrated circuit package. At least one package contains a die shunt that is positioned on the surface of the chopper. Where the mold has a surface on the back A metallic adhesive layer formed on the back surface. A meltable solder layer that is formed on the adhesive layer for that solder layer. The cap is positioned over the mold and a solderable heating element that attaches a meltable solder layer to the cap 3. 4. ระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 33 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่ สามารถบัดกรีได้ประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึงโลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วยดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียม และตะกั่ว 34. Electronic systems referred to in claim 33, where the heating element Solder can be made up of materials that include one or more alloys from the group containing tin, bismuth, silver, indium and lead 3. 5. ระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 33 โดยที่สับสเตรตเป็นสับสเตรต สารอินทรีย์ โดยที่แม่พิมพ์ถูกต่อประกบเข้ากับสับสเตรตผ่านแถวลำดับกริดของส่วนพื้นราบ และ โดยที่ฝาประกอบรวมด้วยชิ้นประกอบรองรับที่ถูกต่อประกบเข้ากับสับสเตรต 35. Electronic systems referred to in claim 33, where the substrate is an organic substrate, where the mold is connected to the substrate through the grid array of the flat sections and by The cover is assembled with a support assembly that is connected to the substrate 3. 6. ระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 33 และยังประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย ชั้นแพร่ที่อยู่ระหว่างชั้นกาวและชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ 36. Electronic systems referred to in claim 33, and are also supplemented. The diffusion layer is between the adhesive layer and the meltable solder layer 3. 7. ระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 36 โดยที่ชั้นประกอบด้วยวัสดุที่รวมถึง โลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ 37. Electronic systems referred to in claim 36, where the class consists of materials including One or more alloys from the group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium, and gold. 8. ชุดประกอบที่ประกอบรวมด้วย แม่พิมพ์ที่มีผิวหน้า ชั้นกาวที่เป็นโลหะที่ถูกก่อรูปอยู่บนผิวหน้า และ ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ที่ถูกก่อรูปอยู่บนชั้นกาว เพื่อรองรับองค์ประกอบนำความร้อน ที่สามารถบัดกรีได้ 38. Assembled kit included. Mold with a surface The metal adhesive layer formed on the surface and the meltable solder layer formed on the adhesive layer. To accommodate the heating element That can be soldered 3 9. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 38 โดยที่ชั้นกาวประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึง โลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ 49.Assembly referred to claim 38, where the adhesive layer is comprised of materials including One or more alloys from the group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium, and gold. 0. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 38 โดยที่ชั้นกาวประกอบรวมด้วยไททาเนียม 40. Assembly referred to claim 38, where the adhesive layer is made up of titanium 4. 1. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 38 โดยที่ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ประกอบรวม ด้วยวัสดุที่รวมถึงโลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ 41.Assembly referred to claim 38, where the dissolvable solder layer is assembled. With materials including one or more alloys from a group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium and gold 4. 2. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 38 โดยที่ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ประกอบรวม ด้วยนิกเกิลและทองคำอย่างใดอย่างหนึ่ง 42. Assembly referred to claim 38 where the meltable solder layer is assembled. With one nickel and one gold 4 3. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 38 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรี ได้ประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึงโลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียม และตะกั่ว 43. Assembly referred to claim 38, where solderable heating elements It is made up of materials that include one or more alloys from the group containing tin, bismuth, silver, indium and lead. 4. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 38 โดยที่องค์ประกอบนำความร้อนที่สามารถบัดกรี ได้มีอุณหภูมิหลอมเหลวอยู่ในช่วง 138 ถึง 157 องศาเซนติเกรด 44. Assembly referred to claim 38, where solderable heating elements Has a melting temperature in the range of 138 to 157 centigrade 4 5. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 38 และยังประกอบรวมเพิ่มเติมด้วย ชั้นแพร่ที่ถูกก่อรูปอยู่ระหว่างชั้นกาวและชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ 45. Assemblies referred to in claim 38, and are also included. The formed diffusion layer is between the adhesive layer and the meltable solder layer 4. 6. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 45 โดยที่ชั้นแพร่ประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึง โลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไททาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียม และทองคำ 46.Assembly claimed pursuant to claim 45, where the diffusion layer includes materials including One or more alloys from the group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium, and gold. 7. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 45 โดยที่ชั้นแพร่ประกอบรวมด้วยนิกเกิล-เวเนเดียม 47.An assembly referred to claim 45, where the diffusion layer is made up of nickel-vanadium 4. 8. ชุดประกอบ ที่ประกอบรวมด้วย แม่พิมพ์ที่มีผิวหน้า ชั้นกาวที่เป็นโลหะที่ถูกต่อประกบเข้ากับผิวหน้า ชั้นบัดกรีที่สามารถละลายได้ที่ถูกต่อประกบเข้ากับชั้นกาว ฝา และ ผิวหน้าร่วมทางความร้อนของวัสดุบัดกรีเพื่อต่อประกบฝาเข้ากับชั้นบัดกรีที่สามารถละลาย ได้ 48. Assembled kit included. Mold with a surface A metallic adhesive layer that is attached to the surface. A meltable solder layer that is attached to the cap adhesive layer and the thermal interface of the solder material to connect the cap to the 4 melting solder layer. 9. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 48 โดยที่วัสดุบัดกรีประกอบรวมด้วยวัสดุที่รวมถึง โลหะผสมหนึ่งชนิดหรือมากกว่าจากกลุ่มที่ประกอบด้วยดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียม และตะกั่ว 59. Assembly referred to claim 48, where solder material is comprised of materials including One or more alloys from the group containing tin, bismuth, silver, indium and lead 5. 0. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 48 โดยที่วัสดุบัดกรีมีอุณหภูมิหลอมเหลวที่ 150 องศาเซนติเกรดหรือน้อยกว่า 50. Assembly referred to claim 48 where the solder material has a melting temperature of 150 degrees centigrade or less 5. 1. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 48 โดยที่วัสดุบัดกรีมีอุณหภูมิหลอมเหลวที่ 140 องศาเซนติเกรดหรือน้อยกว่า 51. Assembly referred to claim 48 where the solder material has a melting temperature of 140 degrees centigrade or less 5. 2. ชุดประกอบที่ถูกอ้างตามข้อถือสิทธิ 48 โดยที่วัสดุบัดกรีมีอุณหภูมิหลอมเหลวอยู่ในช่วง 138 ถึง 157 องศาเซนติเกรด ----------------------------------------------------------------------------------------2. The assembly referred to claim 48 where the solder material has a melting temperature in the range of 138 to 157 centigrade. -------------------------------------------------- -------------------------------------- 1. ชุดประกอบสำหรับแม่พิมพ์ ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไปนี้ ฝาและ องค์ประกอบที่ใช้ความร้อนนำไฟฟ้าที่บัดกรี ได้เพื่อต่อประกบแม่พิมพ์กับฝา1. Assembly for mold It contains the following components, caps and soldered conductive heat elements. Yes, to connect the mold with the cap 2. ชุดประกอบที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ฝาจะประกอบ ด้วยวัสดุจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วยทองแดงและอลู มินั่ม-ซิลิคอน-คาร์ไบด์2. An assembly described in claim 1 where the lid will be assembled. With materials from the assembled group With copper and alu Minum-Silicon-Carbide 3. ชุดประกอบที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่องค์ประกอบ ที่ใช้ความร้อนนำไฟฟ้าที่ บัดกรีได้จะประกอบด้วยวัสดุซึ่ง รวมส่วนที่เป็น โลหะผสมอย่างหนึ่งหรือมากกว่านั้นจากกลุ่ม ที่ ประกอบด้วย ดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียมและตะกั่ว3. An assembly described in claim 1 where elements That uses heat to conduct electricity at Solderable will contain materials that Include the One or more alloys from the group containing tin, bismuth, silver, indium and lead. 4. ชุดประกอบที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ฝาจะประกอบ ด้วย โลหะอย่างน้อยหนึ่ง อย่างหรือชั้นอินทรีย์ซึ่งสามารถจะ ต่อกับองค์ประกอบที่ใช้ความร้อนนำไฟฟ้าได้4. The assembly described in claim 1 where the lid may consist of at least one metal. Or organic layers which can be Connected to elements that use heat to conduct electricity 5. ชุดประกอบที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 4 โดยที่โลหะอย่างน้อยหนึ่งอย่างหรือชั้นอินทรีย์ จะประกอบด้วย นิกเกิลหรือทอง5. An assembly described in claim 4 where at least one metal or organic layer is composed of nickel or gold. 6. ชุดประกอบที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งยังคงประกอบ ด้วย แม่พิมพ์ที่ประกอบด้วยชั้นโลหะอย่างน้อยหนึ่งชั้นซึ่ง สามารถจะต่อกับองค์ประกอบที่ใช้ ความร้อนนำห้าที่บัดกรีได้6. The assembly described in claim 1, which still consists of a mold consisting of at least one metal layer, which Can be connected to the elements used Five solderable heat leads 7. ชุดประกอบที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 6 โดยที่ชั้นโลหะ อย่างน้อยหนึ่งชั้นจะประกอบด้วย วัสดุ ซึ่งรวมส่วนที่เป็น โลหะผสมอย่างหนึ่งหรือมากกว่านั้นจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยติตาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียมและทอง7. The assembly is described in claim 6 where the metal floor At least one layer is made up of materials including One or more alloys from A group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium and gold. 8. แพคเกจวงจรรวม ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไปนี้ สับสเตรต แม่พิมพ์ที่ถูกตั้งตำแหน่งบนผิวหน้าของสับสเตรต ฝาที่ถูกตั้งตำแนหน่งเหนือแม่พิมพ์ และ องค์ประกอบที่ใช้ความร้อนนำไฟฟ้าที่ต่อประกบกับแม่พิมพ์ ที่บัดกรีได้และฝา8.Package of integrated circuits It contains the following components, a mold chopper that is positioned on the surface of the chopper. The cap is positioned over the mold and the conductive heat element is attached to the mold. Solderable and lid 9. แพคเกจวงจรรวมที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ฝาจะ ประกอบด้วยชิ้นประกอบ สำหรับค้ำจุนที่ถูกประกบกับสับสเตรต 19. The integrated circuit package described in Claim 8, where the lid will contain assembled parts. For support that is attached to the substrate 1 0. แพคเกจของวงจรรวมที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ฝาจะ ประกอบด้วยวัสดุจากกลุ่ม ที่ประกอบด้วยทองแดง และอลูมินั่น-ซูลิคอน-คาร์ไบด์ 10. The package of the integrated circuit is described in claim 8, where the cover contains materials from the group. Coppery And Alumina-Sulicon-Carbide 1 1. แพคเกจของวงจรรวมที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ฝาจะ ประกอบด้วยโลหะ อย่างน้อยอย่างหนึ่งหรือมากกว่านั้นหรือชั้นอินทรีย์ซึ่ง สามารถต่อกับองค์ประกอบที่ใช้ความร้อน นำไฟฟ้าได้ 11. The package of the integrated circuit as described in claim 8, where the cover contains metal. At least one or more or more organic layers in which Can be connected to the elements that use heat conductive 1 2. แพคเกจของวงจรรวมที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 11 โดยที่โลหะอย่างน้อยอย่างหนึ่งหรือ ชั้นอินทรีย์จะ ประกอบด้วยนิกเกิลหรือทอง 12. The package of integrated circuits described in claim 11 where at least one metal or The organic layer will Contains nickel or gold 1 3. แพคเกจของวงจรรวมที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 8 โดยที่องค์ ประกอบที่ใช้ความร้อน นำไฟฟ้าที่บัดกรีได้จะประกอบด้วยวัสดุ ซึ่งรวมส่วนที่เป็น โลหะผสมอย่างหนึ่งหรือมากกว่านั้นจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย ดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียมและ ตะกั่ว 13. The package of the integrated circuit described in claim 8 where the heat-conducting element The solderable conductivity contains materials. Which includes the part that is One or more alloys from A group consisting of tin, bismuth, silver, indium and lead. 4. แพคเกจของวงจรรวมที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 8 โดยที่ สับสเตรตเป็นสับสเตรตที่เป็น สารอินทรีย์และโดยที่แม่พิมพ์ จะถูกประกบกับสับสเตรตโดยแถวลำดับกริดของส่วนพื้นราบ 14.Package of integrated circuits described in claim 8 where the substrate is a substrate that is Organic matter and by which mold Will be sandwiched to the substrate by the grid array of the flat area 1. 5. แพคเกจของวงจรรวมที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 8 โดยที่แม่ พิมพ์จะประกอบด้วย ชั้น โลหะอย่างน้อยหนึ่งชั้น ซึ่งจะต่อกับองค์ประกอบที่ใช้ความร้อนนำ ไฟฟ้า 15. The package of the integrated circuit described in claim 8 where the mold is composed of at least one metal layer. Which is connected to the element that uses the conductive heat 1 6. แพคเกจของวงจรรวมที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 15 โดยที่ชั้น โลหะอย่างน้อยหนึ่งชั้นจะ ประกอบด้วย วัสดุซึ่งรวมส่วนที่เป็น โลหะผสมอย่างหนึ่งหรือมากกว่านั้น จากกลุ่มที่ประกอบด้วย ติตาเนียม, โครเมียม, เซอร์โคเนียม, นิกเกิล, เวเนเดียมและทอง 16. The package of the integrated circuit described in claim 15 where at least one metal layer will consist of a material including a component. One or more alloys From a group containing titanium, chromium, zirconium, nickel, vanadium and gold 1 7. ชุดประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไป นี้ แพคเกจวงจรรวมอย่างน้อยหนึ่งอัน ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไป นี้ สับสเตรต แม่พิมพ์ที่ถูกตั้งตำแหน่งบนผิวหน้าของสับสเตรต ฝาที่ถูกตั้งตำแหน่งเหนือแม่พิมพ์ และ องค์ประกอบที่ใช้ความร้อนนำไฟฟ้าที่ต่อประกบกับแม่พิมพ์ ที่บัดกรีได้และฝา 17.Electronic assembly At least one of the following components: A package of integrated circuits. It contains the following components, a mold chopper that is positioned on the surface of the chopper. The cap is positioned over the mold and the heat conducting element is attached to the mold. Solderable holder and cap 1 8. ชุดประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 17 โดยที่ฝาจะประกอบด้วย ชิ้นประกอบสำหรับค้ำจุนที่ถูกประกบ กับสับสเตรต 18.The electronic assembly described in claim 17 where the lid contains Support assembly that is attached to the substrate 1 9. ชุดประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 17 โดยที่องค์ประกอบที่ใช้ ความร้อนนำไฟฟ้าที่บัดกรีได้จะ ประกอบด้วยวัสดุซึ่งรวมส่วนที่เป็น โลหะผสมอย่างหนึ่งหรือ มาก กว่านั้นจากกลุ่มที่ประกอบด้วยดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียมและตะกั่ว 29. The electronic assembly described in claim 17, where applicable elements The solderable heat conducts Consists of materials including One or more alloys from the group containing tin, bismuth, silver, indium and lead 2. 0. ชุดประกอบทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 17 โดยที่สับสเตรตเป็น สับสเตราที่เป็นสารอินทรีย์และ แม่พิมพ์จะถูกประกบกับสับสเตรตโดยผ่านแถวลำดับกริดของ ส่วนพื้น ราบ 20.The electronic assembly described in claim 17, where the substrate is Chopped organic strains and The mold is sandwiched to the substrate through a grid array of flat sections 2. 1. ระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบด้วยชุดประกอบทาง อิเล็กทรอนิกส์ซึ่งมีแพคเกจวงจรรวม อย่างน้อยหนึ่งอัน ซึ่ง มีส่วนประกอบดังต่อไปนี้ สับสเตรต แม่พิมพ์ที่ถูกตั้งตำแหน่งบนผิวหน้าของสับสเตรต ฝาที่ถูกตั้งตำแหน่งเหนือแม่พิมพ์ และ องค์ประกอบที่ใช้ความร้อนนำไฟฟ้าที่ต่อประกบกับแม่พิมพ์ ที่บัดกรีได้และฝา 21. an electronic system that consists of electronic assemblies Electronics package integrated circuit At least one of the following components of the chopper that is positioned on the surface of the chopper. The cap is positioned over the mold and the heat conducting element is attached to the mold. Solderable and lid 2 2. ระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 21 โดยที่องค์ประกอบที่ใช้ความร้อน นำไฟฟ้าที่บัดกรีได้จะ ประกอบด้วยวัสดุซึ่งรวมส่วนที่เป็นโลหะผสมอย่างหนึ่งหรือ มากกว่านั้นจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียมและตะกั่ว 22. The electronic system described in claim 21, where the heating element Solderable will Consisting of a material incorporating an alloy or More from A group consisting of tin, bismuth, silver, indium and lead 2. 3. ระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 21 โดยที่สับสเตรตเป็นสับสเตราที่เป็น สารอินทรีย์โดยที่ แม่พิมพ์จะถูกประกบกับสับสเตรตโดยผ่านแถวลำดับกริดของส่วน พื้นราบ และ โดยที่ฝาจะประกอบด้วยชิ้นประกอบสำหรับค้ำจุนที่ ถูกประกบกับสับสเตรต 23. The electronic system described in claim 21 where the substrate is a substrate that is Organic matter, where The mold is attached to the substrate through a grid array of the flat sections, and where the lid consists of a supporting assembly that Articulated with substrate 2 4. ระบบประมวลผลข้อมูล ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไปนี้ บัสที่ต่อประกบส่วนประกอบในระบบประมวลผลข้อมูล อุปกรณ์แสดงผลที่ถูกต่อประกบกับบัส หน่วยความจำที่ถูกประกบกันบัสภายนอก และ ตัวประมวลผลที่ถูกประกบกับบัสและประกอบด้วยชุดประกอบทาง อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งรวม ส่วนที่เป็นแพคเกจวงจรรวมอย่างน้อย หนึ่งอันซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไปนี้ สับสเตรต แม่พิมพ์ที่ถูกตั้งตำแหน่งบนผิวหน้าของสับสเตรต ฝาที่ถูกตั้งตำแหน่งเหนือแม่พิมพ์ และ องค์ประกอบที่ใช้ความร้อนนำไฟฟ้าที่ต่อประกบกับแม่พิมพ์ ที่บัดกรีได้และฝา 24. Data processing system Which contains the following components A bus that connects components in a data processing system. Display device connected to the bus The memory is spliced, the external bus, and the processor is connected to the bus, and contains the physical assembly. Electronics, which include at least part of the integrated circuit package One, which contains the following components, a molded chopper that is positioned on the surface of the chopper. The cap is positioned over the mold and the heat conducting element is attached to the mold. Solderable and lid 2 5. ระบบประมวณผลข้อมูลที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 24 โดยที่องค์ประกอบที่ใช้ความร้อน นำไฟฟ้าที่บัดกรีได้จะ ประกอบด้วยวัสดุ ซึ่งรวมส่วนที่เป็น โลหะผสมอย่างหนึ่งหรือ มากกว่านั้นจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยดีบุก, บิสมัธ, เงิน, อินเดียมและตะกั่ว 25. The system calculates the results described in claim 24 where the heating element Solderable will Material Which includes the part that is One alloy or More from A group consisting of tin, bismuth, silver, indium and lead 2. 6. ระบบประมวลผลข้อมูลที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 24 โดยที่สับสเตรตเป็น สับสเตรตที่ เป็นสารอินทรีย์และโดยที่ แม่พิมพ์จะถูกประกบกับสับสเตรตโดยผ่านแถวลำดับกริดของส่วน พื้นราบ 26.The data processing system described in claim 24 where the substrate is an organic substrate and where The mold is sandwiched to the substrate through a grid array of flat sections 2. 7. วิธีการสร้งแพคเกจวงจรรวมซึ่งวิธีการมีส่วนประกอบดัง ต่อไปนี้ การสร้างชั้นโลหะอย่างน้อยหนึ่งชั้นบนผิวหน้าของแม่พิมพ์ การติดตั้งแม่พิมพ์บนสับสเตรต การตั้งตำแหน่งผิวหน้าของฝาให้อยู่ถัดไปจากชั้นที่ทำ ด้วยวัสดุบัดกรี และ การป้อนวัสดุบัดกรีระหว่างชั้นโลหะอย่างน้อยหนึ่งชั้นและ ผิวหน้าของฝา การหลอม ละลายวัสดุบัดกรีเพื่อต่อประกบฝาทาง กายภายกับแม่พิมพ์ 2 8.วิธีการที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 27 โดยที่วัสดุบัดกรี มีอำนาจการนำความร้อนที่ค่อน ข้างสูงและจุหลอมเหลวค่อนข้าง ต่ำ 27. A method for creating an integrated circuit package, in which the method has the following components, creating at least one metal layer on the mold surface. Installing the mold on the chopstick Set the lid surface position next to the layer made. By feeding the solder material between at least one metal layer and the surface of the cap, the melting melting of the solder is applied to the cover. Under the mold 2 8. The method is described in claim 27 where the solder material Has a relatively low thermal conductivity High side and relatively low melting capacity 2 9. วิธีการที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 27 โดยที่สับสเตรตจะ ประกอบด้วยวัสดุอินทรียสารซึ่ง มีสัมประสิทธิ์การขยายตัวทาง ความร้อนที่ค่อนข้างสูงที่สัมพันธ์กับแม่พิมพ์ 39. The method described in claim 27, wherein the substrate will Contains organic materials which With coefficient of road expansion Relative high heat to mold 3 0. วิธีการที่ถูกบรรยายในข้อถือสิทธิ 27 ซึ่งยังคงประกอบ ด้วยการสร้าง ชั้นโลหะหรือชั้นอินทรีย์อย่างน้อยอย่างหนึ่ง ชั้นบนผิวหน้าของฝาก่อนการป้อนวัสดุบัดกรี0. The method described in claim 27 still consists of at least one metal or organic layer. Layer on the surface of the cap before feeding the solder material
TH101003436A 2001-08-27 An electronic assembly consisting of a solderable thermal joint and manufacturing methods. TH54950B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH50788A TH50788A (en) 2002-04-29
TH54950B true TH54950B (en) 2017-05-11

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101126806B1 (en) Semiconductor device assembly having a stress-relieving buffer layer
JPH02283053A (en) Integrated circut/ heatsink intermediate products
EP1701380A2 (en) Semiconductor power module
JP2001274177A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3758331B2 (en) Shunt resistor element for semiconductor device, mounting method thereof, and semiconductor device
US20120126387A1 (en) Enhanced heat spreader for use in an electronic device and method of manufacturing the same
CN107343378A (en) The heat dissipating method that a kind of liquid metal is combined with silicone grease
JP2001156345A (en) Thermoelectric element
US20090165302A1 (en) Method of forming a heatsink
CN114792680A (en) Power management chip packaging structure and manufacturing method thereof
CN220709633U (en) High-performance heat dissipation waterproof structure of vehicle-mounted flat plate
CN212303876U (en) Phased array antenna cooling device and phased array antenna
TH54950B (en) An electronic assembly consisting of a solderable thermal joint and manufacturing methods.
TH50788A (en) An electronic assembly consisting of a solderable thermal joint and manufacturing methods.
CN209845582U (en) Multilayer heat conducting part
JP2002289901A (en) Mounting structure and mounting method of photovoltaic element
JP4917296B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3512691B2 (en) Thermoelectric element and method of manufacturing the same
CN211908640U (en) Power conversion device
JP2008103773A (en) Heat dissipation fin
JPH09226280A (en) Card module
JP3007904U (en) Thermal battery
CN222483365U (en) Novel packaging structure of power module
CN223872764U (en) A low-stress mesa structure and rectifier bridge chip suitable for direct chip bonding
CN116860093A (en) High-performance heat dissipation waterproof structure of vehicle-mounted flat plate