TH5487A - การกัดขึ้นรอบแบบร่องลคึกของผลคึกซิลิคอนเดี่ยว - Google Patents
การกัดขึ้นรอบแบบร่องลคึกของผลคึกซิลิคอนเดี่ยวInfo
- Publication number
- TH5487A TH5487A TH8701000283A TH8701000283A TH5487A TH 5487 A TH5487 A TH 5487A TH 8701000283 A TH8701000283 A TH 8701000283A TH 8701000283 A TH8701000283 A TH 8701000283A TH 5487 A TH5487 A TH 5487A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- vibrant
- fruit
- single solid
- solid silicon
- flute milling
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 title 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
Abstract
กรรมวิธีสำหรับการกัดขึ้นรอยด้วยแอริโซทรอปิคพลาสมาให้มีร่องลึกของผลึกซิลิคอนเดี่ยว โดยผ่านจากแผ่นครอบที่เจาะ ช่องของ SiO2 หรือ Si3N4 โดยการใช้บรรยากาศที่ประกอบด้วย ส่วนผสมของ NF3 ฮาโลฟลูออโรคาร์บอน และก๊าซเฉื่อยตัวใด ๆ
Claims (1)
1. กรรมวิธีสำหรับการทำการกัดขึ้นรอย (etehing) ของผลึกซิลิคอนเดี่ยวด้วยพลาสมาโดยวิธีรีแอคทีฟอิออน แอนิโซทรอปิค และความเร็วสูง โดยผ่านจากแผ่นครอบที่เจาะช่องเพื่อผลิต ร่องลึกที่มีผนังด้านข้างเป็นแนวตั้ง โดยส่วนสำคัญซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ (ก) กำหนดให้มีซับสเตรทผลึกซิลิคอนเดี่ยวที่มีแผ่นครอบที่ เจาะช่องที่เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย ซิลิคอนไดออกไซด์ และซิลิคอนไนไทรด์ (ข) ให้ซับสเตรทนั้นทำปฏิกิริยากับบรรยากาศของไนโตรเจน ไตรฟลูออไรด์ (NF3) และสารประกอบฮาโลฟลูออโรคาร์บอน (HFC) ที่มีคาร์บอนเพียงอะตอมเดีแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH5487A true TH5487A (th) | 1989-01-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0414372A2 (en) | Dry etching methods | |
| TW373289B (en) | Method of forming thin silicon nitride or silicon oxynitride gate dielectric layer | |
| EP0857796A3 (en) | Apparatus for the low temperature etching of cold-wall CVD reactors | |
| EP0216157A2 (en) | A method of depositing metal contact regions on a silicon substrate | |
| EP0383570A3 (en) | Plasma etching method and apparatus | |
| JPS5674921A (en) | Manufacturing method of semiconductor and apparatus thereof | |
| EP1260606A3 (en) | Low dielectric constant material and method of processing by cvd | |
| EP0062302A3 (en) | End-point detection in plasma etching of phosphosilicate glass | |
| GB1533497A (en) | Apparatus and method for depositing dielectric films using a glow discharge | |
| NO171267C (no) | Pulverformige nitrider av silisium og aluminium, fremgangsmaate for fremstilling av disse, samt granuler for gjennomfoering av fremgangsmaaten | |
| MY119496A (en) | Method of purifying alkaline solution and method of etching semiconductor wafers | |
| IT1213230B (it) | Processo planox a becco ridotto per la formazione di componenti elettronici integrati. | |
| TH5487A (th) | การกัดขึ้นรอบแบบร่องลคึกของผลคึกซิลิคอนเดี่ยว | |
| WO2001009400A8 (fr) | Procede de production de lithium et dispositif correspondant | |
| EP0265584A3 (en) | Method and materials for etching silicon dioxide using silicon nitride or silicon rich dioxide as an etch barrier | |
| EP0371145A4 (en) | Process for vapor-phase synthesis of diamond | |
| JPS6415928A (en) | Dry etching method | |
| KR970063465A (ko) | 텅스텐 화학기상증착 반응실에서의 식각 방법 | |
| WO2001078117A3 (en) | Gaseous process for surface preparation | |
| WO2002007194A8 (en) | Cleaning gas for semiconductor production equipment | |
| EP0423884A1 (en) | Method for deposition of silicon nitride layers on glass substrates | |
| TW362244B (en) | Method for manufacturing epitaxial wafer | |
| JPS648628A (en) | Gas etching | |
| WO2002035265A3 (en) | Using deuterated source gases to fabricate low loss germanium-doped silicon oxy nitride (gestion-sion) | |
| JPS57192032A (en) | Forming method for insulating film |