TH54519A - ฟิล์มไดอิเล็กตริกอันดับสองเฟสและอุปกรณ์ชนิดสารกึ่งตัวนำที่เหมือนกัน - Google Patents

Abstract

DC60 (16/07/45) ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำนั้นมีสมบัติเชิงกลดีรวมไปถึงวิธีการของ การทอฟิล์มและการใช้ฟิล์ม เป็นขั้นไดอิเล็กตริกระหว่างลักษณะสายต่อโลหะได้จัดเตรียม ขึ้น ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำประกอบ รวมด้วยเฟสที่หนึ่งของรูพรุนที่กระจายตัว เป็นหนึ่งเดียวกัน มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดย ประมาณนั้นคือ แต่ละช่องว่างเหมือนกันอย่างแท้จริงและจัดวาง อยู่บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบที่มีสามมิติโดย- เฉพาะ และเฟส ที่สองซึ่งอยู่รอบๆ เฟสที่หนึ่งที่เป็นของแข็ง โดยเฉพาะอย่าง ยิ่งแล้วฟิล์มเฟสที่สอง ประกอบด้วย (i) ชิ้นประกอบที่มีอัน ดับนั้นคือประกอบเข้าด้วยอนุภาคขนาดนาโนมีเส้นผ่าศูนย์กลาง จากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณนั้นคือแต่ละช่องว่าง เหมือนกันอย่างแท้จริงและ จัดเรียงบนตำแหน่งของโครงผลึกราย คาบที่มีสามมิติโดยเฉพาะและ (ii) ชิ้นประกอบ ไม่มีอันดับ ประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกมีค่าคงที่ไดอิ เล็กตริก 2.8 โดยประมาณหรือน้อยกว่านั้น ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำนั้นมีสมบัติเชิงกลดีรวมไปถึงวิธีการของ การทอฟิล์มและการใช้ฟิล์ม เป็นขั้นไดอิเล็กตริกระหว่างลักษระสายต่อโลหะได้จัดตรียม ขึ้น ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำประกอบ รวมด้วยเฟสที่หนึ่งของรูพรุนที่กระจายตัว เป็นหนึ่งเดียวกัน มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดย ประมาณนั้นคือ แต่ละช่องว่างเหมือนกันอย่างแท้จริงและจัดวาง อยู่บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบที่มีสามมิติโดย- เฉพาะ และเฟส ที่สองซึ่งอยู่รอบๆ เฟสที่หนึ่งที่เป็นของแข็ง โดยเฉพาะอย่าง ยิ่งแล้วฟิล์มเฟสที่สอง ประกอบด้วย (i) ชิ้นประกอบที่มีอัน ดับนั้นคือประกอบเข้าด้วยอนุภาคขนาดนาโนมีเส้นผ่าศูนย์กลาง จากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณนั้นคือแต่ละช่องว่าง เหมือนกันอย่างแท้จริงและ จัดเรียงบนตำแหน่งของโครงผลึกราย คาบที่มีสามมิติโดยเฉพาะและ (ii) ชิ้นประกอบ ไม่มีอันดับ ประกอบรวมด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกมีค่าคงที่ไดอิ เล็ก 2.8 โดยประมาณหรือน้อยกว่านั้น

Claims (66)

ดังนั้นตามที่ได้อธิบายในรายละเอียดการประดิษฐ์ของเราว่าอย่างไรก็ตามเราจะได้รับสิทธิ ใหม่และรับสิทธิตามต้องการ เพื่อจะทำให้น่าเชื่อถือได้โดยหนังสือรับรองลิขสิทธินั้น คือ

1. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำ ประกอบรวมด้วยเฟสที่หนึ่งของรูพรุนที่ กระจายตัวเป็นหนึ่ง เดียวกันมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโน เมตรโดยประมาณ ที่แต่ละช่องว่างเหมือนกันอย่างแท้จริงและวาง อยู่บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบที่มีสามมิติอย่าง แท้จริง และ เฟสที่สองซึ่งอยู่รอบๆ เฟสที่หนึ่งดังกล่าวโดยที่เฟสที่สอง ดังกล่าวคือเฟสของแข็งซึ่งประกอบ ด้วย (i) ชิ้นประกอบที่มี อันดับนั้นคือประกอบเข้าด้วยอนุภาคขนาดนาโนมีเส้นผ่าศูนย์ กลางจาก ประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณนั้นคือแต่ละช่อง ว่างเหมือนกันอย่างแท้จริงและจัดวางบน ตำแหน่งของโครงผลึก รายคาบที่มีสามมิติอย่างแท้จริงและ (ii) ชิ้นประกอบไม่มี อันดับประกอบรวม ด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกมีค่าคงที่ไดอิเล็ก ตริกน้อยกว่า 2.8 โดยประมาณ

2. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่อนุภาคระดับ นาโนดังกล่าวประกอบรวม ด้วย Si, C, O และ H

3. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฟิล์มดังกล่าวมี ค่าคงที่ไดอิเล็ก ตริกที่เป็นผลน้อยกว่า 2.0 โดยประมาณ

4. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฟิล์มดังกล่าวมี ค่าคงที่ไดอิเล็ก ตริกที่เป็นผลน้อยกว่า 1.8 โดยประมาณหรือน้อยกว่านั้น

5. ความเป็นรูพรุนฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่รูพรุนที่กระจายตัว เป็นหนึ่งเดียว กันดังกล่าวมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 5 นาโน เมตรโดยประมาณ

6. ความเป็นรูพรุนฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของข้อ ถือสิทธิที่ 5 โดยที่รูพรุนที่กระจายตัว เป็นหนึ่งเดียวกัน ดังกล่าวมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางประมาณ 3 นาโนเมตร

7. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่รูพรุนดังกล่าว แยกออกจากกันได้โดย ระยะระหว่างศูนย์กลางกับศูนย์กลาง Vcc

8. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 7 โดยที่ Vcc ระหว่างแต่ ละรูพรุนมีค่า จากประมาณ 2 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ

9. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 8 โดยที่ Vcc ระหว่างแต่ ละรูพรุนมีค่า จากประมาณ 3 ถึง 6 นาโนเมตรโดยประมาณ

10. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่รูพรุนดังกล่าว แยกออกจากกันได้โดย ระยะระหว่างขอบกันขอบ Vcc

11. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ Vcc ระหว่าง แต่ละรูพรุนมีค่า จากประมาณ 1 ถึง 8 นาโนเมตรโดยประมาณ

12. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 11 โดยที่ Vcc ระหว่าง แต่ละรูพรุนมีค่าจากประมาณ 2 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประ มาณ

13. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่รูพรุนดังกล่าว และอนุภาคระดับนาโน ดังกล่าวแยกออกจากกันโดยระยะ AB

14. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 13 โดยที่ระยะ AB มี ค่าจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ

15. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่ระยะ AB มี ค่าจากประมาณ 2 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประมาณ

16. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่อนุภาคระดับ นาโนดังกล่าวมีขนาดเส้น ผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 2 ถึง 3.0 นาโนเมตรโดยประมาณ

17. ความเป็นรูพรุนฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวเชื่อมประสาน ไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำดังกล่าวมีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกประมาณ 2.8 หรือ น้อยกว่านั้น

18. ความเป็นรูพรุนฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวเชื่อมประสาน ไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำดังกล่าวเลือกได้จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยพอลิอะค ริลีน อีเธอร์ เทอร์โมเซต- พอลิอะคริลีน ฮีเธอร์ อะโรเมติก เทอร์โมเซตเรซิน พอลิเมอร์ทีมี Si อัลลอยอสัณฐานประกอบด้วย Si, C, O และ H ที่มักจะเจือหรือไม่เจือด้วยออกไซด์ เมธิล ซิลเซสควิออกเซน (MSQ) ฟีนิลซิลเซสควิ- ออกเซน (PSQ) ไฮโดรเจน ซิลเซสควิออกเซน (HSQ) และของผสมหรือสารเชิงซ้อนของสาร เหล่านั้น

19. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ตัวเชื่อม ประสานไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำดังกล่าวคือ MSQ, HSQ, PSQ หรือของผสมของ MSQ และ HSQ

20. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฟิล์ด้งกล่าวมี ความแข็งประมาณ 0.2 GPa หรือมากกว่านั้น

21. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ฟิล์มดังกล่าว มีความแข็งจากประมาณ 0.2 ถึง 0.4 GPa โดยประมาณ

22. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฟิลม์ดังกล่าวมี ค่ามอดุลัสประมาณ 2.0 GPa หรือมมากกว่านั้น

23. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 22 โดยที่ฟิล์มดังกล่าว มีค่ามอตุลัสจาก ประมาณ 2 ถึง 4 GPa โดยประมาณ

24. โครงสร้างที่เชื่อมต่อระหว่างกันซึ่งประกอบด้วยอย่าง น้อยก็คือความเป็นรูพรุน ฟิล์ม- ไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ ต่ำก่อรูปขึ้นระหว่างลักษณะสายต่อโลหะโดยที่ความเป็นรูพรุน ดังกล่าว ฟิล์ม- ไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำประกอบรวม ด้วยเฟสที่หนึ่งของรูพรุนที่การจายตัวเป็นหนึ่งเดียวกันมี ขนาด ของเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดย ประมาณนั้นคือแต่ละช่องว่างเหมือนกัน อย่างแท้จริงและจัดวาง บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบทีมีสามิติเหมือนกันอย่างแท้ จริงและเฟส ที่สองอยู่รอบๆ เฟสที่หนึ่งดังกล่าวโดยที่เฟส ที่สองดังกล่าวคือเฟสของแข็งซึ่งประกอบด้วย (i) ชิ้น- ประกอบ ที่มีอันดับนั้นคือประกอบเข้าด้วยอนุภาคขนาดนาโนมีขนาด เส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณนั้น คือแต่ละช่องว่างเหมือนกันอย่างแท้จริงและจัดวางอยู่บนตำแหน่ง ของโครงผลึกรายคาบที่มีสามมิติอย่างแท้จริงและ (ii) ชิ้น ประกอบไม่มีอันดับประกอบรวมด้วยวัสดุ- ไดอิเล็กตริกมีค่าคง ที่ไดอิเล็กตริก 2.8 โดย ประมาณหรือน้อยกว่านั้น

25. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่อนุภาคระดับนาโนดังกล่าว ประกอบรวมด้วย Si, C, O และ H

26. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ฟิล์มดังกล่าวมีค่าคงที่ซึ่งเป็นผล ต่อไดอิเล็กตริกโดยมี ค่าน้อยกว่า 2.0 โดยประมาณ

27. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 26 โดย ที่ฟิล์มดังกล่าวมีค่าคงที่ซึ่งเป็นผล ต่อไดอิเล็กตริกโดยมี ค่าประมาณ 1.8 หรือน้อยกว่านั้น

28. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนที่กระจายตัวเป็นหนึ่งเดียว กันดังกล่าวมีขนาดเส้น ผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประมาณ

29. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนที่กระจายตัวเป็นหนึ่งเดียว กันดังกล่าวมีขนาดเส้น ผ่าศูนย์กลางประมาณ 3 นาโนเมตรโดยประมาณ

30. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนดังกล่าวแยกออก จากกัน ได้โดยระยะศูนย์กลางกับศูนย์กลาง Vcc

31. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 30 โดย ที่ระยะ Vcc ระหว่างแต่ละรูพรุนมี ค่าจากประมาณ 2 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ

32. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 31 โดย ที่ระยะ Vcc ระหว่างแต่ละรูพรุนมี ค่าจากประมาณ 3 ถึง 6 นาโนเมตรโดยประมาณ

33. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนดังกล่าวแยกออกจากกัน ได้โดยระยะของกับขอบ Vcc

34. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 33 โดย ที่ระยะ Vcc ระหว่างแต่ละรูพรุนมี ค่าจากประมาณ 1 ถึง 8 นาโนเมตรโดยประมาณ

35. โคางสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 34 โดย ที่ระยะ Vcc ระหว่างแต่ละรูพรุนมี ค่าจากประมาณ 2 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประมาณ

36. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนดังกล่าวและอนุภาคระดับ นาโนดังกล่าวแยกออกจากกัน โดยระยะ AB

37. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 36 โดย ระยะ AB มีค่าจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ

38. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 37 โดย ที่ระยะ AB มีค่าจากประมาณ 2 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประมาณ

39. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่อนุภาคระดับนาโนดังกล่าวมี ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจาก ประมาณ 2 ถึง 3.0 นาโนเมตรโดยประมาณ

40. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ตัวเชื่อมประสานไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำมีค่าคง ที่ไดอิเล็กตริกประมาณ 2.8 หรือน้อยกว่านั้น

41. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ตัวเชื่อมประสานไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำเลือกได้ จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยพอลิอะคริลีน อีเธอร์ เทอร์โมเซตพอ ลิอะคริลีน ฮีเธอร์ อะโรเมติกเทอร์โมเซตเรซิน พอลิเมอร์ที่มี Si อัลลอยอสัณฐานประกอบด้วย Si, C, O และ H ที่มัก จะ เจือหรือไม่เจือด้วยออกไซด์ เมธิลซิลเซสควิออกเซน (MSQ) ฟี นิลซิลเซสควิออกเซน (PSQ) ไฮไดรเจนซิลเซสควิออกเซน (HSQ) และของผสมหรือสารเชิงซ้อนของสารเหล่านั้น

42. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 41 โดย ที่ตัวเชื่อมประสานไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำคือ MSQ, HSQ, PSQ หรือของผสมของ MSQ และ HSQ

43. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ลักษณะสายต่อโลหะดังกล่าว คือแนวเส้นโลหะหรือทางผ่าน

44. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ลักษณะสายต่อโลหะดังกล่าว ประกอบด้วยโลหะนำไฟฟ้าซึ่ง เลือกได้จากหมู่ที่ประกอบด้วย Cu, Al, W, Pt และอัลลอยหรือ การรวม กันของโลหะเหล่านั้น

45. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 ลำ ดับต่อไปประกอบด้วยซับสเทรต

46. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 45 โดย ที่ซับสเทรตคือเวเฟอร์ของสารกึ่ง ตัวนำ ชั้นไดอิเล็กตริก ชั้นกั้นหรือการรวมกันของสารเหล่านั้น

47. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่โครงสร้างดังกล่าวคือโครงสร้าง ลูกคลื่นคู่

48. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่โครงสร้างดังกล่าวคือโครงสร้าง สำหรับบรรจุ

49. วิธีการของการทอความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำซึ่งประกอบรวมด้วย ขั้นตอนดังนี้ (a) การเคลือบผิวสารแขวนลอยของอนุภาคออกไวด์ละลายน้ำได้ หรืออนุภาคออกไซด์ ละลายได้ด้วยไอน้ำกับหมู่ลิแกนด์ซึ่งมี พื้นผิวที่มีผลต่อการป้องกันการจับตัวเป็นก้อนของอนุภาค ออกไซด์ดังกล่าว แม่กระนั้นก็ตามสภาพการละลายของอนุภาค ออกไซด์ยังคงอยู่ในสารแขวนลอย ดังกล่าว ในณะที่การก่อรูปใน ลักษณะแยกออกกระจายตัวเป็นหนึ่งเดียวกันตัวอย่างเช่า SiCOH เป็นอนุภาคที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางของอนุภาคจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ (b) การเติมเพื่อเคลือบโดยอนุภาคออกไซด์ละลายน้ำได้หรือ อนุภาคออกไซด์ดังกล่าวที่ ละลายได้ด้วยไอน้ำและอนุภาคที่ กระจายตัวเป็นหนึ่งเดียวกันต่อสารละลายที่มีวัสดุเชื่อม ประสาน ไดอิเล็กตริกมีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกประมาณ 2.8 หรือ น้อยกว่านั้นเพื่อที่จะให้ก่อรูปเป็นพรีเคอร์เซอร์ ผสม (c) การเคลือบด้วยพรีเคอร์เซอร์ผสมดังกล่าวบนพื้นผิวของ ซับสเทรต (d) การทำให้ได้รับการเคลือบด้วยพรีเคอร์เซอร์ผสมตามกระบวนการ อบบ่ม กระบวนการ อบบ่มดังกล่าวประกอบด้วยอย่างน้อยขั้นตอน ซึ่งสามารถจัดอันดับของอนุภาคดังกล่าวได้ใน โครงผลึกที่มี สามมิติและขั้นตอนของการก่อรูปขึ้นเป็นฟิล์มเชื่อมขวาง (e) การขจัดอนุภาคออกไซด์ละลายน้ำได้หรืออนุภาคออกไซด์ดัง กล่าวที่ละลายได้ด้วยไอน้ำ ซึ่งเคลือบผิวอยู่ออกจากฟิล์ม เชื่อมขวางดังกล่าวเพื่อที่จะให้ก่อรูปรูพรุนขึ้นในฟิล์ม ดังกล่าวและ (f) การอบอ่อนฟิล์มดังกล่าวที่มีรูพรุนดังกล่าวเพื่อที่จะ ขจัดน้ำและหมู่ไฮดรอกซิลที่เหลือยู่ ออกจากฟิล์ดังกล่าวโดยที่ฟิล์มดังกล่าว ประกอบรวมด้วยเฟสที่หนึ่งของรูพรุนที่กระจายตัวเป็นหนึ่ง เดียวกันมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโน เมตรโดยประมาณนั้นคือแต่ละช่องว่าง ที่มีลักษณะเหมือนกัน อย่างแท้จริงและวางอยู่บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบที่มีสาม มิติเหมือนกัน อย่างแท้จริงและเฟสที่สองอยู่รอบๆ เฟสที่ หนึ่งดังกล่าวโดยที่เฟสที่สองดังกล่าวคือเฟสของแข็งซึ่ง ประกอบด้วย (i) ชิ้นประกอบอันดับที่ประกอบเข้า ด้วยอนุภาคระดับนาโนมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง จากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณนั้นคือแต่ละช่องว่างเหมือนกันอย่างแท้ จริง และจัด เรียงอยู่บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบที่มีสามมิติเหมือนกันอย่างแท้ จริงและ (ii) ชิ้นประกอบที่ไม่ มีอันดับประกอบรวมด้วยตัวเชื่อม ประสานดังกล่าว

50. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่อนุภาคที่กระจายตัว เป็นหนึ่งเดียวกันประกอบรวมด้วย Si, C และ H และอนุภาคระดับ นาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย Si, C, O และ H

51. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่อนุภาคออกไซด์ดัง กล่าวคือซิลิคอนออกไซด์ เจอร์เมเนียมออกไซด์หรือของผสมของ ออกไซด์เหล่านั้น

52. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยทีสารแขวนลอยดังกล่าว ประกอบด้วยตัวทำละลายซึ่ง เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย แอลกอฮอล์ แอลเคน คีโตน ฮีเธอร์ อะโรเมติกและกรดดคาร์บอก ซิลิก

53. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่พื้นผิวของหมู่ลิ แกนด์ดังกล่าวเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบ ด้วยออร์แกโนไซเลน ออร์แกโนแฮโลไซเลน สารที่มีลักษณะคล้ายเจอร์เมเนียมของ ออร์แกโนไซเลน หรืออออร์แกโนแฮโลไซเลนดังกล่าว กรดคาร์บอก ซิลิสายโซ่ยาวที่มีคาร์บอนจาก 4 ถึง 18 อะตอม แอลคิลามีนสาย โซ่ยาวที่มีคาร์บอนจาก 4 ถึง 18 อะตอม กรดฟอสฟอนิกที่มีคา รบอนจาก 4 ถึง 18 อะตอม และกรดซัลโฟนิกสายโซ่ยาวที่มี คาร์บอนจาก 4 ถึง 18 อะตอม

54. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ตัวเชื่อมประสานไดอิ เล็กตริกดังกล่าวเลือกได้จากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยพอลิอะคริ ลีน อีเธอร์ เทอร์โมเซตพอลิอะคริลีน ฮีเธอร์ อะโรเมติก เทอร์โมเซตเรซิน พอลิเมอร์ทีมี Si อัลลอยอสัณฐานประกอบด้วย Si, C, O และ H ที่มักจะเจือหรือไม่เจือด้วยออกไซด์ เมธิล ซิลเซสควิออกเซน (MSQ) ฟีนิลซิลเซสควิออกเซน (PSQ) ไฮไดรเจน ซิลเซสควิออกเซน (HSQ) และของผสมหรือสารเชิงซ้อนของสาร เหล่านั้น

55. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 54 โดยที่ตัวเชื่อม ประสานไดอิเล็กตริกดังกล่าวคือ MSQ, HSQ, PSQ หรือของผสม ของ MSQ และ HSQ

56. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอนการเคลือบ ผิวดังกล่าวคือกระบวนการเคลือบ แบบสปิน

57. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่กระบวนการอบบ่มดัง กล่าวประกอบด้วยกระบวนการ อบขณะร้อนอย่างที่เลือกไว้

58. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 57 โดยที่กระบวนการอบขณะร้อน ดังกล่าวทำให้บรรลุผลสำเร็จ บนแผ่นให้ความร้อนในอากาศ ณ อุณหภูมิจากประมาณ 80 องศา ซ ถึง 200 องศา ซ โดยประมาณในช่วงเวลา จาก ประมาณ 1 ถึง 10 นาทีโดยประมาณ

59. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอนการอบปม ด้วยการจัดอันดับดังกล่าวทำให้ บรรลุผลสำเร็จในเตาอบด้วยการ ใช้สภาพแวดล้อมเฉื่อยที่ประกอบด้วย O2 หรือ H2O น้อยกว่า ประมาณ 50 ส่วนในล้านส่วน (ppm)

60. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 59 โดยที่ขั้นตอนการอบบ่ม ด้วยการจัดอันดับดังกล่าวทำให้ บรรลุผลสำเร็จ ณ อุณหภูมิจาก ประมาณ 200 องศา ซ ถึง 300 องศา ซ โดยประมาณเป็นเวลาในช่วงจาก ประมาณ 30 ถึง 120 นาทีโดยประมาณ

61. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอนการอบบ่มด้วย การทำให้เกิดเชื่อมขวางดังกล่าว ทำให้บรรลุผลสำเร็จ ณ อุณหภูมิจากประมาณ 350 องศา ซ ถึง 450 องศา ซ โดยประมาณเป็นเวลาใน ช่วงจาก ประมาณ 60 ถึง 240 นาทีโดยประมาณ

62. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอน (e) ประกอบ ด้วยการแช่ฟิล์มเชื่อมขวาง ดังกล่าวในน้ำหรือการตากฟิล์ม เชื่อมขวางดังกล่าวเพื่อให้น้ำระเหยออก

63. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอนการอบอ่อน ดังกล่าวกระทำในเตาอบด้วยการใช้ สภาพแวดล้อมที่ประกอบด้วย O2 หรือ H2O น้อยกว่าประมาณ 50 ส่วนในล้านส่วน

64. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 63 โดยที่ขั้นตอนการอบอ่อน ดังกล่าวทำให้บรรลุผลสำเร็จ ณ อุณหภูมิจากประมาณ 200 องศา ซ ถึง 400 องศา ซ โดยประมาณเป็นเวลาในช่วงจากประมาณ 60 ถึง 240 นาที โดยประมาณ

65. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอน (a) ประกอบ ด้วยการพฟนสารละลายที่มี พรีเคอร์เชอร์ของซิลิคอน 1 ถึง 5% โดยน้ำหนักเข้าสู่สารละลายขณะร้อนที่มีพื้นผิวลิแกนด์ดัง กล่าว และตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีน้ำอยู่ระหว่าง 0.1 ถึง 1%

66. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 65 โดยที่พรีเคอร์เซอร์ของ ซิลิคอนดังกล่าวคือไซลอกเซนหรึอ ซิลเซสควิออกเซน