Claims (66)
ดังนั้นตามที่ได้อธิบายในรายละเอียดการประดิษฐ์ของเราว่าอย่างไรก็ตามเราจะได้รับสิทธิ ใหม่และรับสิทธิตามต้องการ เพื่อจะทำให้น่าเชื่อถือได้โดยหนังสือรับรองลิขสิทธินั้น คือTherefore, as described in detail in our invention, however, we will obtain new rights and acquire the necessary rights in order to make it credible by that copyright certificate, namely:
1. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำ ประกอบรวมด้วยเฟสที่หนึ่งของรูพรุนที่ กระจายตัวเป็นหนึ่ง เดียวกันมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโน เมตรโดยประมาณ ที่แต่ละช่องว่างเหมือนกันอย่างแท้จริงและวาง อยู่บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบที่มีสามมิติอย่าง แท้จริง และ เฟสที่สองซึ่งอยู่รอบๆ เฟสที่หนึ่งดังกล่าวโดยที่เฟสที่สอง ดังกล่าวคือเฟสของแข็งซึ่งประกอบ ด้วย (i) ชิ้นประกอบที่มี อันดับนั้นคือประกอบเข้าด้วยอนุภาคขนาดนาโนมีเส้นผ่าศูนย์ กลางจาก ประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณนั้นคือแต่ละช่อง ว่างเหมือนกันอย่างแท้จริงและจัดวางบน ตำแหน่งของโครงผลึก รายคาบที่มีสามมิติอย่างแท้จริงและ (ii) ชิ้นประกอบไม่มี อันดับประกอบรวม ด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกมีค่าคงที่ไดอิเล็ก ตริกน้อยกว่า 2.8 โดยประมาณ1. Porosity. A low dielectric constant film consists of a primary phase of homogeneously distributed pores with diameters of approximately 1 to 10 nm, each void being truly identical and situated on a truly three-dimensional periodic lattice, and a secondary phase surrounding this primary phase. This secondary phase is a solid phase composed of (i) ordered components, i.e., nanoparticles with diameters of approximately 1 to 10 nm, each void being truly identical and situated on a truly three-dimensional periodic lattice, and (ii) unordered components, composed of a dielectric material with a dielectric constant less than approximately 2.8.
2. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่อนุภาคระดับ นาโนดังกล่าวประกอบรวม ด้วย Si, C, O และ H2. Porosity: A low dielectric constant film of claim 1, where the nanoparticles are composed of Si, C, O, and H.
3. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฟิล์มดังกล่าวมี ค่าคงที่ไดอิเล็ก ตริกที่เป็นผลน้อยกว่า 2.0 โดยประมาณ3. Porosity. A low-dielectric constant film of claim 1, where the film has an effective dielectric constant of approximately 2.0.
4. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฟิล์มดังกล่าวมี ค่าคงที่ไดอิเล็ก ตริกที่เป็นผลน้อยกว่า 1.8 โดยประมาณหรือน้อยกว่านั้น4. Porosity. A low-dielectric constant film of claim 1, where such film has an effective dielectric constant of approximately 1.8 or less.
5. ความเป็นรูพรุนฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่รูพรุนที่กระจายตัว เป็นหนึ่งเดียว กันดังกล่าวมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 5 นาโน เมตรโดยประมาณ5. Porosity of the dielectric film with a low constant of Claim 1, where the uniformly distributed pores have a diameter of approximately 1 to 5 nanometers.
6. ความเป็นรูพรุนฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของข้อ ถือสิทธิที่ 5 โดยที่รูพรุนที่กระจายตัว เป็นหนึ่งเดียวกัน ดังกล่าวมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางประมาณ 3 นาโนเมตร6. Porosity of the dielectric film with a low constant of claim 5, where the uniformly distributed pores have a diameter of approximately 3 nm.
7. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่รูพรุนดังกล่าว แยกออกจากกันได้โดย ระยะระหว่างศูนย์กลางกับศูนย์กลาง Vcc7. Porosity of the low dielectric constant film of claim 1, where the pores are separated by the center-to-center distance Vcc.
8. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 7 โดยที่ Vcc ระหว่างแต่ ละรูพรุนมีค่า จากประมาณ 2 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ8. Porosity. A low dielectric constant film of claim 7, where the Vcc between each pore is approximately 2 to 10 nm.
9. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 8 โดยที่ Vcc ระหว่างแต่ ละรูพรุนมีค่า จากประมาณ 3 ถึง 6 นาโนเมตรโดยประมาณ9. Porosity. A low dielectric constant film of claim 8, where the Vcc between each pore is approximately 3 to 6 nm.
10. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่รูพรุนดังกล่าว แยกออกจากกันได้โดย ระยะระหว่างขอบกันขอบ Vcc10. Porosity of the low dielectric constant film of claim 1, where the pores are separated by the edge-to-edge distance Vcc.
11. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ Vcc ระหว่าง แต่ละรูพรุนมีค่า จากประมาณ 1 ถึง 8 นาโนเมตรโดยประมาณ11. Porosity. A low dielectric constant film of claim 10, where Vcc between each pore is approximately 1 to 8 nm.
12. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 11 โดยที่ Vcc ระหว่าง แต่ละรูพรุนมีค่าจากประมาณ 2 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประ มาณ12. Porosity. A low dielectric constant film of claim 11, where Vcc between each pore is approximately 2 to 5 nm.
13. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่รูพรุนดังกล่าว และอนุภาคระดับนาโน ดังกล่าวแยกออกจากกันโดยระยะ AB13. Porosity. A low dielectric constant film of claim 1, where the pores and the nanoparticles are separated by a distance AB.
14. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 13 โดยที่ระยะ AB มี ค่าจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ14. Porosity of a low dielectric constant film of claim 13, where the distance AB is approximately 1 to 10 nm.
15. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 14 โดยที่ระยะ AB มี ค่าจากประมาณ 2 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประมาณ15. Porosity of a low dielectric constant film of claim 14, where the distance AB is approximately 2 to 5 nm.
16. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่อนุภาคระดับ นาโนดังกล่าวมีขนาดเส้น ผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 2 ถึง 3.0 นาโนเมตรโดยประมาณ16. Porosity of a low dielectric constant film of claim 1, where the nanoparticles have a diameter of approximately 2 to 3.0 nanometers.
17. ความเป็นรูพรุนฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวเชื่อมประสาน ไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำดังกล่าวมีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกประมาณ 2.8 หรือ น้อยกว่านั้น17. Porosity of a low-constant dielectric film of claim 1, where such low-constant dielectric binder has a dielectric constant of approximately 2.8 or less.
18. ความเป็นรูพรุนฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ตัวเชื่อมประสาน ไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำดังกล่าวเลือกได้จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยพอลิอะค ริลีน อีเธอร์ เทอร์โมเซต- พอลิอะคริลีน ฮีเธอร์ อะโรเมติก เทอร์โมเซตเรซิน พอลิเมอร์ทีมี Si อัลลอยอสัณฐานประกอบด้วย Si, C, O และ H ที่มักจะเจือหรือไม่เจือด้วยออกไซด์ เมธิล ซิลเซสควิออกเซน (MSQ) ฟีนิลซิลเซสควิ- ออกเซน (PSQ) ไฮโดรเจน ซิลเซสควิออกเซน (HSQ) และของผสมหรือสารเชิงซ้อนของสาร เหล่านั้น18. Porosity of the low dielectric constant film of Claim 1, where such low dielectric constant bonding agent is selectable from groups consisting of polyacrylene ether, thermoset-polyacrylene ether, aromatic thermoset resins, Si-containing polymers, amorphous alloys of Si, C, O, and H, often doped or undoped with oxides, methyl silsesquioxane (MSQ), phenyl silsesquioxane (PSQ), hydrogen silsesquioxane (HSQ), and mixtures or complexes of these.
19. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 18 โดยที่ตัวเชื่อม ประสานไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำดังกล่าวคือ MSQ, HSQ, PSQ หรือของผสมของ MSQ และ HSQ19. Porosity of a low-constant dielectric film of claim 18, where the dielectric binder with such low-constant dielectric is MSQ, HSQ, PSQ, or a mixture of MSQ and HSQ.
20. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฟิล์ด้งกล่าวมี ความแข็งประมาณ 0.2 GPa หรือมากกว่านั้น20. Porosity. A low dielectric constant film of claim 1, where such film has a hardness of approximately 0.2 GPa or more.
21. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 20 โดยที่ฟิล์มดังกล่าว มีความแข็งจากประมาณ 0.2 ถึง 0.4 GPa โดยประมาณ21. Porosity. A low dielectric constant film of claim 20, where the film has a stiffness of approximately 0.2 to 0.4 GPa.
22. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฟิลม์ดังกล่าวมี ค่ามอดุลัสประมาณ 2.0 GPa หรือมมากกว่านั้น22. Porosity of a low dielectric constant film of claim 1, where the film has a modulus of approximately 2.0 GPa or greater.
23. ความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำของ ข้อถือสิทธิที่ 22 โดยที่ฟิล์มดังกล่าว มีค่ามอตุลัสจาก ประมาณ 2 ถึง 4 GPa โดยประมาณ23. Porosity of a low dielectric constant film of claim 22, where the film has a motility of approximately 2 to 4 GPa.
24. โครงสร้างที่เชื่อมต่อระหว่างกันซึ่งประกอบด้วยอย่าง น้อยก็คือความเป็นรูพรุน ฟิล์ม- ไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ ต่ำก่อรูปขึ้นระหว่างลักษณะสายต่อโลหะโดยที่ความเป็นรูพรุน ดังกล่าว ฟิล์ม- ไดอิเล็กตริกที่มีค่าคงที่ต่ำประกอบรวม ด้วยเฟสที่หนึ่งของรูพรุนที่การจายตัวเป็นหนึ่งเดียวกันมี ขนาด ของเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดย ประมาณนั้นคือแต่ละช่องว่างเหมือนกัน อย่างแท้จริงและจัดวาง บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบทีมีสามิติเหมือนกันอย่างแท้ จริงและเฟส ที่สองอยู่รอบๆ เฟสที่หนึ่งดังกล่าวโดยที่เฟส ที่สองดังกล่าวคือเฟสของแข็งซึ่งประกอบด้วย (i) ชิ้น- ประกอบ ที่มีอันดับนั้นคือประกอบเข้าด้วยอนุภาคขนาดนาโนมีขนาด เส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณนั้น คือแต่ละช่องว่างเหมือนกันอย่างแท้จริงและจัดวางอยู่บนตำแหน่ง ของโครงผลึกรายคาบที่มีสามมิติอย่างแท้จริงและ (ii) ชิ้น ประกอบไม่มีอันดับประกอบรวมด้วยวัสดุ- ไดอิเล็กตริกมีค่าคง ที่ไดอิเล็กตริก 2.8 โดย ประมาณหรือน้อยกว่านั้น24. An interconnected structure consisting of at least some pore-like structures, a low-dielectric constant film, is formed between metallic junctions where the pore-like structures are pore-like. The low-dielectric constant film consists of a first phase of homogeneously distributed pores with diameters of approximately 1 to 10 nm, i.e., each pore is truly identical and arranged on truly three-dimensional periodic lattice positions, and a second phase surrounding the first phase, which is a solid phase consisting of (i) ordered components, i.e., nanoparticles with diameters of approximately 1 to 10 nm, i.e., each pore is truly identical and arranged on truly three-dimensional periodic lattice positions, and (ii) unordered components, consisting of a dielectric material with a dielectric constant of approximately 2.8 or less.
25. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่อนุภาคระดับนาโนดังกล่าว ประกอบรวมด้วย Si, C, O และ H25. The interconnected structure of claim 24, where the aforementioned nanoparticles consist of Si, C, O, and H.
26. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ฟิล์มดังกล่าวมีค่าคงที่ซึ่งเป็นผล ต่อไดอิเล็กตริกโดยมี ค่าน้อยกว่า 2.0 โดยประมาณ26. The interconnected structure of claim 24, where the film has a dielectric constant of approximately less than 2.0.
27. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 26 โดย ที่ฟิล์มดังกล่าวมีค่าคงที่ซึ่งเป็นผล ต่อไดอิเล็กตริกโดยมี ค่าประมาณ 1.8 หรือน้อยกว่านั้น27. The interconnected structure of claim 26 where the film has a dielectric constant of approximately 1.8 or less.
28. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนที่กระจายตัวเป็นหนึ่งเดียว กันดังกล่าวมีขนาดเส้น ผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประมาณ28. The interconnected structure of claim 24, where the uniformly distributed pores have a diameter of approximately 1 to 5 nanometers.
29. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนที่กระจายตัวเป็นหนึ่งเดียว กันดังกล่าวมีขนาดเส้น ผ่าศูนย์กลางประมาณ 3 นาโนเมตรโดยประมาณ29. The interconnected structure of claim 24, where the uniformly distributed pores have a diameter of approximately 3 nanometers.
30. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนดังกล่าวแยกออก จากกัน ได้โดยระยะศูนย์กลางกับศูนย์กลาง Vcc30. The interconnected structure of claim 24, where the pores are separated from each other by a center-to-center distance Vcc.
31. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 30 โดย ที่ระยะ Vcc ระหว่างแต่ละรูพรุนมี ค่าจากประมาณ 2 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ31. The interconnected structure of claim 30, where the distance Vcc between each pore is approximately 2 to 10 nanometers.
32. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 31 โดย ที่ระยะ Vcc ระหว่างแต่ละรูพรุนมี ค่าจากประมาณ 3 ถึง 6 นาโนเมตรโดยประมาณ32. The interconnected structure of claim 31, where the distance Vcc between each pore is approximately 3 to 6 nanometers.
33. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนดังกล่าวแยกออกจากกัน ได้โดยระยะของกับขอบ Vcc33. The interconnected structure of claim 24, where the pores are separated by a distance from the edge Vcc.
34. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 33 โดย ที่ระยะ Vcc ระหว่างแต่ละรูพรุนมี ค่าจากประมาณ 1 ถึง 8 นาโนเมตรโดยประมาณ34. The interconnected structure of claim 33, where the distance Vcc between each pore ranges from approximately 1 to 8 nanometers.
35. โคางสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 34 โดย ที่ระยะ Vcc ระหว่างแต่ละรูพรุนมี ค่าจากประมาณ 2 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประมาณ35. The interconnected structure of claim 34, where the distance Vcc between each pore is approximately 2 to 5 nanometers.
36. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่รูพรุนดังกล่าวและอนุภาคระดับ นาโนดังกล่าวแยกออกจากกัน โดยระยะ AB36. The interconnected structure of claim 24, where the aforementioned pores and nanoparticles are separated by distance AB.
37. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 36 โดย ระยะ AB มีค่าจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ37. The interconnected structure of claim 36, where the distance AB ranges from approximately 1 to 10 nanometers.
38. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 37 โดย ที่ระยะ AB มีค่าจากประมาณ 2 ถึง 5 นาโนเมตรโดยประมาณ38. Interconnected structure of claim 37, where the distance AB is approximately 2 to 5 nanometers.
39. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่อนุภาคระดับนาโนดังกล่าวมี ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจาก ประมาณ 2 ถึง 3.0 นาโนเมตรโดยประมาณ39. Interconnected structure of claim 24 where the nanoparticles have a diameter of approximately 2 to 3.0 nanometers.
40. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ตัวเชื่อมประสานไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำมีค่าคง ที่ไดอิเล็กตริกประมาณ 2.8 หรือน้อยกว่านั้น40. The interconnected structure of claim 24 where the low dielectric constant has a dielectric constant of approximately 2.8 or less.
41. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ตัวเชื่อมประสานไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำเลือกได้ จากหมู่ซึ่งประกอบด้วยพอลิอะคริลีน อีเธอร์ เทอร์โมเซตพอ ลิอะคริลีน ฮีเธอร์ อะโรเมติกเทอร์โมเซตเรซิน พอลิเมอร์ที่มี Si อัลลอยอสัณฐานประกอบด้วย Si, C, O และ H ที่มัก จะ เจือหรือไม่เจือด้วยออกไซด์ เมธิลซิลเซสควิออกเซน (MSQ) ฟี นิลซิลเซสควิออกเซน (PSQ) ไฮไดรเจนซิลเซสควิออกเซน (HSQ) และของผสมหรือสารเชิงซ้อนของสารเหล่านั้น41. Interconnected structures of claim 24 where a low dielectric constant of choice is available from groups consisting of polyacrylene ether, thermoset polyacrylene ether, aromatic thermoset resins, Si-containing polymers, amorphous alloys of Si, C, O, and H, often doped or undoped with oxides, methyl silsesquioxane (MSQ), phenyl silsesquioxane (PSQ), hydrogen silsesquioxane (HSQ), and mixtures or complexes of them.
42. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 41 โดย ที่ตัวเชื่อมประสานไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำคือ MSQ, HSQ, PSQ หรือของผสมของ MSQ และ HSQ42. Interconnected structure of claim 41 where the low constant dielectric link is MSQ, HSQ, PSQ, or a combination of MSQ and HSQ.
43. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ลักษณะสายต่อโลหะดังกล่าว คือแนวเส้นโลหะหรือทางผ่าน43. The interconnected structure of claim 24, where the nature of the metal connection is a metal line or passage.
44. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่ลักษณะสายต่อโลหะดังกล่าว ประกอบด้วยโลหะนำไฟฟ้าซึ่ง เลือกได้จากหมู่ที่ประกอบด้วย Cu, Al, W, Pt และอัลลอยหรือ การรวม กันของโลหะเหล่านั้น44. The interconnected structure of claim 24 whereby the aforementioned metal link consists of a conductive metal of choice from groups comprising Cu, Al, W, Pt and alloys or combinations of those metals.
45. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 ลำ ดับต่อไปประกอบด้วยซับสเทรต45. The interconnected structure of the 24th claim next consists of a substrate.
46. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 45 โดย ที่ซับสเทรตคือเวเฟอร์ของสารกึ่ง ตัวนำ ชั้นไดอิเล็กตริก ชั้นกั้นหรือการรวมกันของสารเหล่านั้น46. The interconnected structure of claim 45, where the substrate is a semiconductor wafer, dielectric layer, barrier layer, or a combination thereof.
47. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่โครงสร้างดังกล่าวคือโครงสร้าง ลูกคลื่นคู่47. The interconnected structure of claim 24, where this structure is a double wave structure.
48. โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกันของข้อถือสิทธิที่ 24 โดย ที่โครงสร้างดังกล่าวคือโครงสร้าง สำหรับบรรจุ48. The interconnected structure of claim 24, where this structure is for containing.
49. วิธีการของการทอความเป็นรูพรุน ฟิล์มไดอิเล็กตริกที่มี ค่าคงที่ต่ำซึ่งประกอบรวมด้วย ขั้นตอนดังนี้ (a) การเคลือบผิวสารแขวนลอยของอนุภาคออกไวด์ละลายน้ำได้ หรืออนุภาคออกไซด์ ละลายได้ด้วยไอน้ำกับหมู่ลิแกนด์ซึ่งมี พื้นผิวที่มีผลต่อการป้องกันการจับตัวเป็นก้อนของอนุภาค ออกไซด์ดังกล่าว แม่กระนั้นก็ตามสภาพการละลายของอนุภาค ออกไซด์ยังคงอยู่ในสารแขวนลอย ดังกล่าว ในณะที่การก่อรูปใน ลักษณะแยกออกกระจายตัวเป็นหนึ่งเดียวกันตัวอย่างเช่า SiCOH เป็นอนุภาคที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางของอนุภาคจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณ (b) การเติมเพื่อเคลือบโดยอนุภาคออกไซด์ละลายน้ำได้หรือ อนุภาคออกไซด์ดังกล่าวที่ ละลายได้ด้วยไอน้ำและอนุภาคที่ กระจายตัวเป็นหนึ่งเดียวกันต่อสารละลายที่มีวัสดุเชื่อม ประสาน ไดอิเล็กตริกมีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกประมาณ 2.8 หรือ น้อยกว่านั้นเพื่อที่จะให้ก่อรูปเป็นพรีเคอร์เซอร์ ผสม (c) การเคลือบด้วยพรีเคอร์เซอร์ผสมดังกล่าวบนพื้นผิวของ ซับสเทรต (d) การทำให้ได้รับการเคลือบด้วยพรีเคอร์เซอร์ผสมตามกระบวนการ อบบ่ม กระบวนการ อบบ่มดังกล่าวประกอบด้วยอย่างน้อยขั้นตอน ซึ่งสามารถจัดอันดับของอนุภาคดังกล่าวได้ใน โครงผลึกที่มี สามมิติและขั้นตอนของการก่อรูปขึ้นเป็นฟิล์มเชื่อมขวาง (e) การขจัดอนุภาคออกไซด์ละลายน้ำได้หรืออนุภาคออกไซด์ดัง กล่าวที่ละลายได้ด้วยไอน้ำ ซึ่งเคลือบผิวอยู่ออกจากฟิล์ม เชื่อมขวางดังกล่าวเพื่อที่จะให้ก่อรูปรูพรุนขึ้นในฟิล์ม ดังกล่าวและ (f) การอบอ่อนฟิล์มดังกล่าวที่มีรูพรุนดังกล่าวเพื่อที่จะ ขจัดน้ำและหมู่ไฮดรอกซิลที่เหลือยู่ ออกจากฟิล์ดังกล่าวโดยที่ฟิล์มดังกล่าว ประกอบรวมด้วยเฟสที่หนึ่งของรูพรุนที่กระจายตัวเป็นหนึ่ง เดียวกันมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางจากประมาณ 1 ถึง 10 นาโน เมตรโดยประมาณนั้นคือแต่ละช่องว่าง ที่มีลักษณะเหมือนกัน อย่างแท้จริงและวางอยู่บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบที่มีสาม มิติเหมือนกัน อย่างแท้จริงและเฟสที่สองอยู่รอบๆ เฟสที่ หนึ่งดังกล่าวโดยที่เฟสที่สองดังกล่าวคือเฟสของแข็งซึ่ง ประกอบด้วย (i) ชิ้นประกอบอันดับที่ประกอบเข้า ด้วยอนุภาคระดับนาโนมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง จากประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรโดยประมาณนั้นคือแต่ละช่องว่างเหมือนกันอย่างแท้ จริง และจัด เรียงอยู่บนตำแหน่งของโครงผลึกรายคาบที่มีสามมิติเหมือนกันอย่างแท้ จริงและ (ii) ชิ้นประกอบที่ไม่ มีอันดับประกอบรวมด้วยตัวเชื่อม ประสานดังกล่าว49. Methods of weaving porous, low-dielectric constant films comprising the following steps: (a) Coating a suspension of water-soluble or vapor-soluble oxide particles with a ligand group whose surface does not affect the agglomeration of the oxide particles, although the solubility of the oxide particles remains in the suspension while forming a dispersed, homogeneous structure, for example, SiCOH, with particle diameters of approximately 1 to 10 nm; (b) Addition of water-soluble or vapor-soluble oxide particles and homogeneous dispersed particles to a solution of a dielectric binder with a dielectric constant of approximately 2.8 or less to form a composite precursor; (c) Coating of such composite precursor onto the substrate surface; (d) Curing of the composite precursor coating by a curing process. The curing process consists of at least the steps that can be ranked of such particles. The three-dimensional crystal lattice and the process of forming a crosslinked film (e) removal of water-soluble or vapor-soluble oxide particles coating the crosslinked film in order to form pores in the film and (f) annealing of the porous film to remove any remaining water and hydroxyl groups from the film, in which the film consists of a first phase of homogeneously distributed pores with diameters of approximately 1 to 10 nm, i.e., each void is truly identical and situated on a truly three-dimensional periodic crystal lattice, and a second phase surrounding the first phase, which is a solid phase consisting of (i) ordered components composed of nanoparticles with diameters of approximately 1 to 10 nm, i.e., each void is truly identical and situated on a truly three-dimensional periodic crystal lattice and (ii) unorder components composed of the aforementioned crosslinking agent.
50. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่อนุภาคที่กระจายตัว เป็นหนึ่งเดียวกันประกอบรวมด้วย Si, C และ H และอนุภาคระดับ นาโนดังกล่าวประกอบรวมด้วย Si, C, O และ H50. The method of claim 49, where the dispersed particles are uniformly composed of Si, C, and H, and such nanoparticles are uniformly composed of Si, C, O, and H.
51. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่อนุภาคออกไซด์ดัง กล่าวคือซิลิคอนออกไซด์ เจอร์เมเนียมออกไซด์หรือของผสมของ ออกไซด์เหล่านั้น51. Method of Claim 49 where such oxide particles are silicon oxide, germanium oxide or a mixture of such oxides.
52. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยทีสารแขวนลอยดังกล่าว ประกอบด้วยตัวทำละลายซึ่ง เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย แอลกอฮอล์ แอลเคน คีโตน ฮีเธอร์ อะโรเมติกและกรดดคาร์บอก ซิลิก52. The method of claim 49, whereby the suspension contains a solvent chosen from groups including alcohols, alkanes, ketones, heather, aromatics and carboxylic acids.
53. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่พื้นผิวของหมู่ลิ แกนด์ดังกล่าวเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบ ด้วยออร์แกโนไซเลน ออร์แกโนแฮโลไซเลน สารที่มีลักษณะคล้ายเจอร์เมเนียมของ ออร์แกโนไซเลน หรืออออร์แกโนแฮโลไซเลนดังกล่าว กรดคาร์บอก ซิลิสายโซ่ยาวที่มีคาร์บอนจาก 4 ถึง 18 อะตอม แอลคิลามีนสาย โซ่ยาวที่มีคาร์บอนจาก 4 ถึง 18 อะตอม กรดฟอสฟอนิกที่มีคา รบอนจาก 4 ถึง 18 อะตอม และกรดซัลโฟนิกสายโซ่ยาวที่มี คาร์บอนจาก 4 ถึง 18 อะตอม53. The method of claim 49, whereby the substrate of such ligand group is selected from groups comprising organosilanes, organohalosilanes, germanium-like substances of such organosilanes or organohalosilanes, long-chain carboxylic acids with 4 to 18 carbon atoms, long-chain alkylamines with 4 to 18 carbon atoms, phosphonic acids with 4 to 18 carbon atoms, and long-chain sulfonic acids with 4 to 18 carbon atoms.
54. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ตัวเชื่อมประสานไดอิ เล็กตริกดังกล่าวเลือกได้จากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยพอลิอะคริ ลีน อีเธอร์ เทอร์โมเซตพอลิอะคริลีน ฮีเธอร์ อะโรเมติก เทอร์โมเซตเรซิน พอลิเมอร์ทีมี Si อัลลอยอสัณฐานประกอบด้วย Si, C, O และ H ที่มักจะเจือหรือไม่เจือด้วยออกไซด์ เมธิล ซิลเซสควิออกเซน (MSQ) ฟีนิลซิลเซสควิออกเซน (PSQ) ไฮไดรเจน ซิลเซสควิออกเซน (HSQ) และของผสมหรือสารเชิงซ้อนของสาร เหล่านั้น54. The method of claim 49, whereby such dielectric crosslinkers are selected from groups comprising polyacrylene ether, thermoset polyacrylene ether, aromatic thermoset resins, polymers containing Si, amorphous alloys comprising Si, C, O, and H, usually doped or undoped with oxides, methyl silsesquioxane (MSQ), phenyl silsesquioxane (PSQ), hydrogen silsesquioxane (HSQ), and mixtures or complexes of such substances.
55. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 54 โดยที่ตัวเชื่อม ประสานไดอิเล็กตริกดังกล่าวคือ MSQ, HSQ, PSQ หรือของผสม ของ MSQ และ HSQ55. Method of claim 54 where the dielectric linker is an MSQ, HSQ, PSQ or a mixture of MSQ and HSQ.
56. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอนการเคลือบ ผิวดังกล่าวคือกระบวนการเคลือบ แบบสปิน56. Method of claim 49 where the surface coating procedure is a spin coating process.
57. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่กระบวนการอบบ่มดัง กล่าวประกอบด้วยกระบวนการ อบขณะร้อนอย่างที่เลือกไว้57. The method of claim 49, whereby the curing process includes the chosen hot curing process.
58. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 57 โดยที่กระบวนการอบขณะร้อน ดังกล่าวทำให้บรรลุผลสำเร็จ บนแผ่นให้ความร้อนในอากาศ ณ อุณหภูมิจากประมาณ 80 องศา ซ ถึง 200 องศา ซ โดยประมาณในช่วงเวลา จาก ประมาณ 1 ถึง 10 นาทีโดยประมาณ58. The method of claim 57, whereby the aforementioned heat treatment process is achieved on an air-heated plate at temperatures ranging from approximately 80°C to approximately 200°C for a time ranging from approximately 1 to approximately 10 minutes.
59. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอนการอบปม ด้วยการจัดอันดับดังกล่าวทำให้ บรรลุผลสำเร็จในเตาอบด้วยการ ใช้สภาพแวดล้อมเฉื่อยที่ประกอบด้วย O2 หรือ H2O น้อยกว่า ประมาณ 50 ส่วนในล้านส่วน (ppm)59. The method of claim 49, whereby the kneading procedure, with the aforementioned ranking, achieves the desired result in the oven using an inert environment containing less than approximately 50 parts per million (ppm) of O2 or H2O.
60. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 59 โดยที่ขั้นตอนการอบบ่ม ด้วยการจัดอันดับดังกล่าวทำให้ บรรลุผลสำเร็จ ณ อุณหภูมิจาก ประมาณ 200 องศา ซ ถึง 300 องศา ซ โดยประมาณเป็นเวลาในช่วงจาก ประมาณ 30 ถึง 120 นาทีโดยประมาณ60. The method of claim 59, whereby the curing procedure, with the aforementioned ranking, is achieved at temperatures ranging from approximately 200°C to approximately 300°C for a duration of approximately 30 to 120 minutes.
61. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอนการอบบ่มด้วย การทำให้เกิดเชื่อมขวางดังกล่าว ทำให้บรรลุผลสำเร็จ ณ อุณหภูมิจากประมาณ 350 องศา ซ ถึง 450 องศา ซ โดยประมาณเป็นเวลาใน ช่วงจาก ประมาณ 60 ถึง 240 นาทีโดยประมาณ61. The method of claim 49, whereby the crosslinking curing procedure is achieved at temperatures ranging from approximately 350°C to 450°C for a time ranging from approximately 60 to 240 minutes.
62. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอน (e) ประกอบ ด้วยการแช่ฟิล์มเชื่อมขวาง ดังกล่าวในน้ำหรือการตากฟิล์ม เชื่อมขวางดังกล่าวเพื่อให้น้ำระเหยออก62. The method of claim 49, where procedure (e) consists of soaking the crosslinked film in water or drying the crosslinked film to allow the water to evaporate.
63. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอนการอบอ่อน ดังกล่าวกระทำในเตาอบด้วยการใช้ สภาพแวดล้อมที่ประกอบด้วย O2 หรือ H2O น้อยกว่าประมาณ 50 ส่วนในล้านส่วน63. The method of claim 49, whereby the annealing procedure is performed in an oven using an environment containing less than approximately 50 parts per million of O2 or H2O.
64. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 63 โดยที่ขั้นตอนการอบอ่อน ดังกล่าวทำให้บรรลุผลสำเร็จ ณ อุณหภูมิจากประมาณ 200 องศา ซ ถึง 400 องศา ซ โดยประมาณเป็นเวลาในช่วงจากประมาณ 60 ถึง 240 นาที โดยประมาณ64. The method of claim 63, whereby the annealing procedure is achieved at temperatures ranging from approximately 200°C to 400°C for a duration of approximately 60 to 240 minutes.
65. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 49 โดยที่ขั้นตอน (a) ประกอบ ด้วยการพฟนสารละลายที่มี พรีเคอร์เชอร์ของซิลิคอน 1 ถึง 5% โดยน้ำหนักเข้าสู่สารละลายขณะร้อนที่มีพื้นผิวลิแกนด์ดัง กล่าว และตัวทำละลายอินทรีย์ที่มีน้ำอยู่ระหว่าง 0.1 ถึง 1%65. The method of claim 49, where procedure (a) consists of infusing a solution containing a silicon precursor of 1 to 5% by weight into a heated solution containing the said ligand substrate and an organic solvent containing between 0.1 and 1% water.
66. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 65 โดยที่พรีเคอร์เซอร์ของ ซิลิคอนดังกล่าวคือไซลอกเซนหรึอ ซิลเซสควิออกเซน66. Method of claim 65 where the precursor of such silicon is siloxane or silcessquioxane.