TH53284A - โครงสร้างของปลอกฐานรองรับเพื่อให้มีเวลาในการกักเก็บประจุได้ดีขึ้นในเซลล์ของ dram ชนิดร่อง - Google Patents
โครงสร้างของปลอกฐานรองรับเพื่อให้มีเวลาในการกักเก็บประจุได้ดีขึ้นในเซลล์ของ dram ชนิดร่องInfo
- Publication number
- TH53284A TH53284A TH101002131A TH0101002131A TH53284A TH 53284 A TH53284 A TH 53284A TH 101002131 A TH101002131 A TH 101002131A TH 0101002131 A TH0101002131 A TH 0101002131A TH 53284 A TH53284 A TH 53284A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- fluted
- retention time
- casing
- oxide
- dram cells
- Prior art date
Links
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (20/07/44) โครงสร้างของหน่วยความจำที่มีการจัดทำร่องไว้ในวัสดุฐานรอง. ออกไซด์ของ ปลอกถูกกำหนดตำแหน่งไว้ในบริเวณด้านบนของร่องและรวม เข้าไว้ด้วยบริเวณที่เป็นฐานรองรับ. วิธีการในการจัดทำ อุปกรณ์หน่วยความจำที่มีออกไซด์ของปลอกพร้อมด้วยปลอกฐานรอง รับก็ได้ รับการเปิดเผยด้วยเช่นกัน. โครงสร้างของหน่วยความจำที่มีการจัดทำร่องไว้ในวัสดุฐานรอง. ออกไซด์ของ ปลอกถูกกำหนดตำแหน่งไว้ในบริเวณด้านบนของร่องและรวม เข้าไว้ด้วยบริเวณที่เป็นฐานรองรับ. วิธีการในการจัดทำ อุปกรณ์หน่วยความจำที่มีออกไซด์ของปลอกพร้อมด้วยปลอกฐานรอง รับก็ได้ รับการเปิดเผยด้วยเช่นกัน.
Claims (3)
1. อุปกรณ์หน่วยความจำที่ประกอบด้วย: วัสดุฐานรอง; ร่องในวัสดุฐานรองดังกล่าวโดยที่ร่องดังกล่าวมีบริเวณด้าน บน; และ ออกไซด์ของปลอกในบริเวณด้านบนดังกล่าวของร่องดัง กล่าว โดยที่ออกไซด์ของปลอกดังกล่าวรวมเข้าไว้ด้วยฐานรองรับ.
2. อุปกรณ์ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ฐานรองรับดังกล่าวถู กกำหนดตำแหน่ง ไว้บนบริเวณด้านล่างของออกไซด์ของปลอกดังกล่าว.
3. อุปกรณ์ตามข้แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH53284A true TH53284A (th) | 2002-09-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW349270B (en) | 2F-square memory cell for gigabit memory applications | |
| EP1308958A3 (en) | Three dimensional large storage random access memory device | |
| WO2003028112A1 (fr) | Dispositif de circuit integre a semi-conducteur et son procede de fabrication | |
| MY118306A (en) | Self- aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f- square memory cell array | |
| DE69011738D1 (de) | Halbleiter-Speichereinrichtung. | |
| EP1396891A3 (en) | Semiconductor device and optical device using the same | |
| EP1347516A3 (en) | Semiconductor device | |
| GB9007256D0 (en) | Portable secure semiconductor memory device | |
| EP1475805A3 (en) | Semiconductor memory device | |
| CA2195438A1 (en) | Optical Card with a Built-In IC Module | |
| RU98100354A (ru) | Микросхема для электронной пластиковой карты, покрытая слоем изоляционного материала, и электронная пластиковая карта, содержащая такую микросхему | |
| DE60215019D1 (de) | Trennung von integrierten optischen modulen und strukturen | |
| TW200511565A (en) | SRAM cell and methods of fabrication | |
| WO2002069345A3 (de) | Verfahren zur herstellung eines speicherkondensators | |
| EP1729338A3 (en) | Method for forming a semiconductor memory device with a recessed gate | |
| DE69023258D1 (de) | Halbleiter-Speichereinrichtung. | |
| WO2005013364A3 (de) | Elektronisches bauteil und nutzen zur herstellung desselben | |
| TH53284A (th) | โครงสร้างของปลอกฐานรองรับเพื่อให้มีเวลาในการกักเก็บประจุได้ดีขึ้นในเซลล์ของ dram ชนิดร่อง | |
| WO2002073121A3 (en) | Fiber collimator | |
| DE69032303D1 (de) | Halbleiter-Speichereinrichtung | |
| JPH01146354A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| WO2002001606A3 (en) | Trench capacitor dram cell layout | |
| EP1310961A3 (en) | Nonvolatile memory device having data read operation with using reference cell and method thereof | |
| DE69017322D1 (de) | Modultyp-Halbleiteranordnung von hoher Leistungskapazität. | |
| IT1283147B1 (it) | Dispositivo meccanico antisismico multidirezionale a comportamento isteretico, particolarmente adatto all'isolamento alla base di |