TH52691A - การอบนิ่มที่ได้รับการช่วยเหลือจากสนามไฟฟ้า dc หรือ ac - Google Patents
การอบนิ่มที่ได้รับการช่วยเหลือจากสนามไฟฟ้า dc หรือ acInfo
- Publication number
- TH52691A TH52691A TH101001173A TH0101001173A TH52691A TH 52691 A TH52691 A TH 52691A TH 101001173 A TH101001173 A TH 101001173A TH 0101001173 A TH0101001173 A TH 0101001173A TH 52691 A TH52691 A TH 52691A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- electric field
- semiconductor
- impurity
- substrate
- soft annealing
- Prior art date
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
Abstract
DC60 (27/04/44) วิธีการก่อรูปให้กับเค้าโครงของจุดเชื่อมต่อตามที่ต้องการในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ. สิ่งเจือปน อย่างน้อยหนึ่งชนิดจะถูก ใส่เข้าไปในวัสดุฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำ. สิ่งเจือปน อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดถูกแพร่กระจายลงไปในวัสดุฐานรองที่เป็น สารกึ่งตัวนำโดยอาศัยการอบนิ่มให้กับวัสดุฐานรอง ที่เป็นสาร กึ่งตัวนำและสิ่งเจือปนอย่างน้อยหนึ่งชนิดดังกล่าวในขณะ เดียวกับที่ทำให้วัสดุฐานรองที่ เป็นสารกึ่ง ตัวนำเผยออกสู่สนามไฟฟ้า . วิธีการก่อรูปให้กับเค้าโครงของจุดเชื่อมต่อตามที่ต้องการในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ. สิ่งเจือปน อย่างน้อยหนึ่งชนิดจะถูก ใส่เข้าไปในวัสดุฐานรองที่เป็นสารกึ่งตัวนำ. สิ่งเจือปน อย่างน้อยหนึ่ง ชนิดถูกแพร่กระจายลงไปในวัสดุฐานรองที่เป็น สารกึ่งตัวนำโดยอาศัยการอบนิ่มให้กับวัสดุฐานรอง ที่เป็นสาร กึ่งตัวนำและสิ่งเจือปนอย่างน้อยหนึ่งชนิดดังกล่าวในขณะ เดียวกับที่ทำให้วัสดุฐานรองที่ เป็นสารกึ่ง ตัวนำเผยออกสู่สนามไฟฟ้า .
Claims (3)
1. วิธีการก่อรูปให้กับเค้าโครงของจุดเชื่อมต่อตามที่ต้องการในอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่ง ประกอบด้วย การนำสิ่งเจือปนอย่างน้อยหนึ่งชนิดไปใส่ไว้ในวัสดุฐานรอง ที่เป็นสารกึ่งตัวนำและจากนั้น ก็จะเป็นการแพร่กระจายสิ่ง เจือปนอย่างน้อยหนึ่งชนิดดังกล่าวโดยการอบเพิ่มให้กับวัสดุ ฐานรองที่ เป็นสารกึ่งตัวนำในขณะที่นำวัสดุฐานรอง ที่เป็นสารกึ่งตัวนำดังกล่าวไปไว้ในสนามไฟฟ้า DC และ/ หรือ AC
2. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่สนามไฟฟ้าเป็นสนาม ไฟฟ้า AC .
3. วิธีการของข้อถือแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH52691A true TH52691A (th) | 2002-08-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2003255256A1 (en) | Method for depinning the fermi level of a semiconductor at an electrical junction and devices incorporating such junctions | |
| WO2007142937A3 (en) | High-voltage bipolar-cmos-dmos integrated circuit devices and modular methods of forming the same | |
| ATE366494T1 (de) | Verfahren, einrichtung und rechnerprogramm für die entkapselung und verkapselung von paketen mit mehreren kopffeldern | |
| DE60022656D1 (de) | Elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren | |
| EP1526567A3 (en) | Bonded semiconductor device having alignment mark and fabrication method for the same | |
| DE602004020344D1 (de) | Elektronische vorrichtung, anordnung und verfahren zum herstellen einer elektronischen vorrichtung | |
| TW200509390A (en) | Varying carrier mobility in semiconductor devices to achieve overall design goals | |
| NL1018769A1 (nl) | Werkwijze voor het verminderen van een smalkanaaleffect in een transistor in een halfgeleiderinrichting met een geulisolatie, en een dergelijke halfgeleiderinrichting. | |
| TW200503179A (en) | Integration method of a semiconductor device having a recessed gate electrode | |
| TW200733250A (en) | Process for forming an electronic device including a fin-type structure | |
| WO2002065475A8 (en) | Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits | |
| DE69835986D1 (de) | Elektrode für halbleitendes Nitrid vom N-Typ, Halbleiterbauelement mit einer solchen Elektrode und Herstellungsverfahren | |
| DE60123178D1 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE50201467D1 (de) | Einrichtung und verfahren zum zuführen von gegurteten elektrischen bauteilen | |
| WO2005051063A8 (en) | Cooling structure of electric device | |
| DE60103701D1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum schleifen von Halbleiterscheiben | |
| WO2006007080A3 (en) | Method of forming a nanocluster charge storage device | |
| DE60016542D1 (de) | Verfahren und Geräte für die Unterfüllung von Halbleitersbauelementen | |
| EP2034518A3 (en) | Electronic devices comprising HV transistors and LV transistors, with salicided junctions | |
| EP2264745A3 (en) | Apparatus having integrated circuits made of TFT devices, and methods of manufacture thereof | |
| EP1376694A3 (en) | Semiconductor switching circuit device | |
| DE59901657D1 (de) | Kontaktiervorrichtung, insbesondere zum ankontaktieren von elektrischen bauelementen und schaltungsträgern, sowie verfahren zu deren herstellung | |
| EP1139394A3 (en) | Method and device for electric field assisted anneal | |
| SE9803485D0 (sv) | Method and device for interconnect radio frequency power SiC field effect transistors | |
| SE9803767D0 (sv) | Method for semiconductor manufacturing |