TH50118A - ไดโอดพลังแสงแบบร่องชนิดซิลิคอนบบฉนวน (soi) และวิธีการของการผลิตสิ่งนี้ - Google Patents
ไดโอดพลังแสงแบบร่องชนิดซิลิคอนบบฉนวน (soi) และวิธีการของการผลิตสิ่งนี้Info
- Publication number
- TH50118A TH50118A TH101003373A TH0101003373A TH50118A TH 50118 A TH50118 A TH 50118A TH 101003373 A TH101003373 A TH 101003373A TH 0101003373 A TH0101003373 A TH 0101003373A TH 50118 A TH50118 A TH 50118A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- type
- soi
- substrate
- manufacturing
- methods
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (19/11/44) อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ (และวิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์) รวมไปถึงเวเฟอร์ชนิด ซิลิคอนบน ฉนวน (SOI) ที่ถูกผลิตบนพื้นผิวซับสเตรต ร่อง การแยกในพื้นผิวเวเฟอร์ล้อมรอบร่อง ชนิดพี และร่องชนิดเอ็นสลับกันและแยกกันทางไฟฟ้า ของอุปกรณ์จากซับสเตรต ด้วยเหตุนั้นซึ่ง ยอม ให้อุปกรณ์ถูกใช้อย่างมีประสิทธิภาพในฐานะ เป็นเครื่องตรวจหาเชิงอนุพันธ์ในวงจรออพโต - อิเล็กทรอนิกส์ อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ(และวิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์)รวมไปถึงเวเฟอร์ชนิด ซิลิคอนบน ฉนวน (SOI)ที่ถูกผลิตบนพื้นผิวซับสเตรต ร่อง การแยกในพื้นผิวเวเฟอร์ล้อมรอบร่อง ชนิดพี และร่องชนิดเอ็นสลับกันและแยกกันทางไฟฟ้า ของอุปกรณ์จากซับสเตรต ด้วยเหตุนั้นซึ่ง ยอม ให้อุปกรณ์ถูกใช้อย่างมีประสิทธิภาพในฐานะ เป็นเครื่องตรวจหาเชิงอนุพันธ์ในวงจรออพโต - อิเล็กทรอนิกส์
Claims (1)
1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำสำหรับการตรวจหาพลังแสง ซึ่งประกอบด้วย ซับสเตรต เวเฟอร์ที่ถูกผลิตบนซับสเตรตดังกล่าว เวเฟอร์ ดังกล่าวซึ่งมีชั้นซิลิคอนและชั้นที่ เป็นฉนวน ร่องที่ถูกเจือปนชนิดพีและร่องที่ถูกเจือปน ชนิดเอ็นสลับกันจำนวนมาก ที่ถูกผลิต ในชั้น ซิลิคอนดังกล่าวของเวเฟอร์ดังกล่าว และ ชั้นพอลิซิลิคอนที่ถูกผลิตในร่องที่ถูกเจือปน ชนิดพีและร่องที่ถูกเจือปนชนิดเอ็นที่ สลับกัน ดังกล่าวสำหรับการเชื่อมต่อไปยังเมทัลไลเซชัน แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH50118A true TH50118A (th) | 2002-03-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8354678B1 (en) | Structure and method for forming a light detecting diode and a light emitting diode on a silicon-on-insulator wafer backside | |
| WO2002029903A3 (en) | Silicon-on-insulator (soi) trench photodiode and method of forming same | |
| US8969992B2 (en) | Autonomous integrated circuits | |
| CN109244033A (zh) | 具有气隙结构的射频开关 | |
| WO2008152026A3 (en) | Vertical current controlled silicon on insulator (soi) device and method of forming same | |
| KR950015836A (ko) | 반도체 광 다이오드 디바이스 및 그 제조방법 | |
| WO2008048694A3 (en) | Geiger mode avalanche photodiode | |
| JP2003526206A5 (th) | ||
| TWI256715B (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| US20050133081A1 (en) | Photo voltaic solar cells integrated with mosfet | |
| CN109256381A (zh) | 瞬时电压抑制装置 | |
| CN109698231A (zh) | 半导体器件和制造方法 | |
| KR20200078968A (ko) | 반도체 장치 | |
| US6750523B2 (en) | Photodiode stacks for photovoltaic relays and the method of manufacturing the same | |
| US9059131B2 (en) | Charge breakdown avoidance for MIM elements in SOI base technology and method | |
| CN106169508A (zh) | 一种双向超低电容瞬态电压抑制器及其制作方法 | |
| TH50118A (th) | ไดโอดพลังแสงแบบร่องชนิดซิลิคอนบบฉนวน (soi) และวิธีการของการผลิตสิ่งนี้ | |
| TW200608512A (en) | Semiconductor device | |
| TW200629410A (en) | Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US6965136B2 (en) | Photon-blocking layer | |
| TWI663740B (zh) | 具有太陽能電池之積體電路及其生產方法 | |
| Goh et al. | The manufacture and performance of diodes made in dielectrically isolated silicon substrates containing buried metallic layers | |
| EP4646055A1 (en) | High-density stacked capacitor and method | |
| TWI830738B (zh) | 靜電放電保護裝置及其形成方法 | |
| JPS6484733A (en) | Semiconductor device |