TH50118A -
Silicon insulated fluted photovoltaic (SOI) diodes and methods of manufacturing them.
- Google Patents
Silicon insulated fluted photovoltaic (SOI) diodes and methods of manufacturing them.
Info
Publication number
TH50118A
TH50118ATH101003373ATH0101003373ATH50118ATH 50118 ATH50118 ATH 50118ATH 101003373 ATH101003373 ATH 101003373ATH 0101003373 ATH0101003373 ATH 0101003373ATH 50118 ATH50118 ATH 50118A
DC60 (19/11/44) อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ (และวิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์) รวมไปถึงเวเฟอร์ชนิด ซิลิคอนบน ฉนวน (SOI) ที่ถูกผลิตบนพื้นผิวซับสเตรต ร่อง การแยกในพื้นผิวเวเฟอร์ล้อมรอบร่อง ชนิดพี และร่องชนิดเอ็นสลับกันและแยกกันทางไฟฟ้า ของอุปกรณ์จากซับสเตรต ด้วยเหตุนั้นซึ่ง ยอม ให้อุปกรณ์ถูกใช้อย่างมีประสิทธิภาพในฐานะ เป็นเครื่องตรวจหาเชิงอนุพันธ์ในวงจรออพโต - อิเล็กทรอนิกส์ อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ(และวิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์)รวมไปถึงเวเฟอร์ชนิด ซิลิคอนบน ฉนวน (SOI)ที่ถูกผลิตบนพื้นผิวซับสเตรต ร่อง การแยกในพื้นผิวเวเฟอร์ล้อมรอบร่อง ชนิดพี และร่องชนิดเอ็นสลับกันและแยกกันทางไฟฟ้า ของอุปกรณ์จากซับสเตรต ด้วยเหตุนั้นซึ่ง ยอม ให้อุปกรณ์ถูกใช้อย่างมีประสิทธิภาพในฐานะ เป็นเครื่องตรวจหาเชิงอนุพันธ์ในวงจรออพโต - อิเล็กทรอนิกส์ DC60 (19/11/44) semiconductor devices (And method for manufacturing equipment), including silicon on insulating (SOI) wafers produced on substrate, separation groove in the wafer surface surround the P-type and N-type groove alternating and split. Electrical protection Of the device from the substrate Thus allowing the device to be used effectively as It is a differential detector in opto-electronic circuits. Semiconductor devices (and methods for manufacturing devices), including silicon on insulating (SOI) wafers produced on the substrate, the separation groove in the wafer surface surround the P-type and N-type grooves. Alternately and electrically separate Of the device from the substrate Thus allowing the device to be used effectively as It is a differential detector in opto-electronic circuits.
Claims (1)
1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำสำหรับการตรวจหาพลังแสง ซึ่งประกอบด้วย ซับสเตรต เวเฟอร์ที่ถูกผลิตบนซับสเตรตดังกล่าว เวเฟอร์ ดังกล่าวซึ่งมีชั้นซิลิคอนและชั้นที่ เป็นฉนวน ร่องที่ถูกเจือปนชนิดพีและร่องที่ถูกเจือปน ชนิดเอ็นสลับกันจำนวนมาก ที่ถูกผลิต ในชั้น ซิลิคอนดังกล่าวของเวเฟอร์ดังกล่าว และ ชั้นพอลิซิลิคอนที่ถูกผลิตในร่องที่ถูกเจือปน ชนิดพีและร่องที่ถูกเจือปนชนิดเอ็นที่ สลับกัน ดังกล่าวสำหรับการเชื่อมต่อไปยังเมทัลไลเซชัน แท็ก :1. A semiconductor device for the detection of optical power. It consists of a wafer substrate manufactured on the said substrate, the wafer containing a silicon layer and an insulating layer, a doped P-type and a doped groove. Numerous alternating ligaments produced in the aforementioned silicon layer of the aforementioned wafer, and the polysilicon layer produced in the impurity flue P-type and such an alternating n-type impulse groove for connection to metallization tags:
TH101003373A2001-08-22
Silicon insulated fluted photovoltaic (SOI) diodes and methods of manufacturing them.
TH50118A
(en)